Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Polovodičové diody
G d
R d
C d
Náhradní zapojení kapacitní diody pro střídavý signál
c) Vypočítejte indukčnost L tak, aby při R D 4 a C D 5 pF byla rezonanční frekvence
f0 100 MHz.
d) Určete činitel jakosti Q rezonančního obvodu a šířku pásma B.
e) Jaké bude největší napětí na diodě U D , bude-li se rezonanční obvod přelaďovat v rozsahu
100 MHz f0 150
MHz
f) Určete pro f 150 MHz činitel jakosti Q a šířku pásma B.
C v R
U D
=
L
U 0
Ladění rezonančního obvodu kapacitní diodou
Poznámka:
Kapacita C V odděluje stejnosměrnou úroveň a musí být tak velká, aby pro pracovní kmitočty
představovala zkrat. Odpor o velikosti R = 100 kΩ je zahrnut do analýzy. Zdroj napětí U 0 0 slouží
k ladění rezonančního obvodu a pro střídavý signál představuje zkrat. Závěrný proud diody vyvolá
zanedbatelný úbytek napětí na odporu R proti U 0 .
Příklad 2.5
Zapojení se skládá se zdroje napětí U0,
odporu R a fotodiody – viz obrázek.
Charakteristiky fotodiody pro různou intenzitu osvětlení jsou uvedeny na dalším obrázku.
Napětí zdroje U 0 3V
a odpor R 10 k
.
0 ,
51