Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Polovodičové diody
2.5 Druhy diod
Podle technologie výroby je dělíme na:
Plošné diody – dělíme na
a) Difúzní – destička typu N se vloží do prostředí, které obsahuje volné akceptory (v
plynném stavu). Při vysokých teplotách (pro Si 1000° až 1350° C, pro Ge 700° až
800° C) pronikají akceptory do základní destičky (difundují) a vytváří pod povrchem
oblast typu P – vzniká P-N přechod.
b) Slitinové – na germaniovou destičku typu N se přiloží materiál s vlastnostmi
akceptoru – např. indium (In). Po zahřátí na 630° C se Ge a In slijí – vzniká P-N
přechod. Při hromadné výrobě – je destička typu N maskována a v masce jsou otvory
pouze v místech, kde má vznikat přechod P-N. Po zahřátí (na 630° C) se musí maska
odleptat.
Hrotové diody – na základní destičku (Si) typu N se přitlačí wolframový hrot. Proudovým
impulsem se stykové místo roztaví, čímž vznikne miniaturní oblast typu P s velmi malou
kapacitou. Jsou vhodné pro vysokofrekvenční obvody. Pro Ge se používá hrot z platiny
legované indiem.
Obr. 2.20: druhy diod – a) usměrňovací, b) hrotová, c) miniaturní,
d,e) výkonové, f) germaniová
Dále je dělíme na:
miniaturní – diody s pracovním proudem do 100 mA
středovýkonové – diody s pracovním proudem do 1A
výkonové – diody s pracovním proudem nad 1A
Podle použití dělíme diody na:
všeobecné – diody pro víceúčelové využití s obecnými parametry
usměrňovací – diody určeny pro zpracování převážně sekundárního napětí síťových Tr
spínací – diody pro počítačovou techniku; logické obvody
47