Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Polovodičové diody
I
i
I
ZD
U
0
U
R
i
AB
I
K
U
R
AB
i
Při I je U U
0 :
ZD
0
AB AB
U
U
1
AB0
U
0
RZ
→ bod A na obr. 2.17
RS
RZ
Při UAB
0 je Ii
IK
:
U
1
I
K
→ bod B na obr. 2.17
RS
Nikde jinde se nemůže vyskytnout napětí (ani proud) lineární části obvodu (U 1 , R S , R Z ).
Nelineární část obvodu – zde Zenerova dioda – je popsána AV charakteristikou. Přitom musí
být v obvodu splněna podmínka
U
AB
U ZD
.
Tato podmínka je splněna v pracovním bodě P(R Z ), kde současně „platí“ zatěžovací přímka i AV
charakteristika stabilizační diody.
Pro R Z → ∞ je U AB 0
U1
, stále platí I
K
U1
RS
– viz pracovní bod P(∞).
Pro příliš malé hodnoty R Z hodnota U AB0 klesá, pracovní bod se blíží kolenu v VA
charakteristice Zenerovy diody. Toto není vhodný pracovní bod pro stabilizaci napětí. Klesne-li
hodnota napětí U AB0 pod napětí U ZD0 , neprotéká stabilizační diodou žádný proud. Obvod nestabilizuje.
Napětí na zátěži je dáno pouze děličem R s , R Z → tedy přímo U AB0 .
2.4 Fotodioda (fotojev)
Fotodioda je polovodičová dioda, která je navržená tak, aby na P-N přechod dopadalo světlo.
Její AV charakteristiky jsou zobrazeny na obr. 2. 19 – v I. kvadrantu jsou AV charakteristiky
"zhuštěné", neboť dioda v propustném režimu málo reaguje na osvětlení. V bodě P fotodioda
nereaguje na světlení vůbec – proto se dioda v tomto kvadrantu nepoužívá. Fotoelektrický jev se
projevuje v závěrném směru a pro malá napětí v propustném směru – III. a IV. kvadrant – viz obr. 2.
19.
Přechod P-N je uspořádán tak, aby absorboval záření 3) , jehož energie (kvanta) je
3) Ve všech předchozích případech se snažíme zajistit opak. Není žádoucí, aby jevy v přechodech P-N
byly ovlivněny zářením. Proto, pokud je to možné, se používají pro záření nepropustná pouzdra.
44