Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Polovodičové diody
C
K
S
3
0
U
r
DIF
U
R
(2.6)
kde S je plocha přechodu P-N
ε r je relativní permitivita (pro Si je ε r = 2)
ε 0 je permitivita vakua (ε 0 = 8,85·10 -12 F/m)
Tohoto jevu se využívá u kapacitních diod (varikap, varaktor).
2.2.4 Ampérvoltová charakteristika přechodu P-N (diody)
Na základě fyzikálních zákonů a jejich matematických modelů lze odvodit, že proud diodou je
definován vztahem
U T
0
D U
I I e 1
(2.7)
D
kde I D je proud diodou orientovaný podle obr.2.1.c
U D je napětí na diodě orientované podle obr.2.1.c
I O je nasycený (saturační) proud diody (proud intrisických nosičů – obr. 2.4)
U T
k T
e (≡ 26 mV pro T = 300 K) je teplotní napětí
Někdy se v literatuře [1] udává vztah v podobě
U T
0
D mU
I I e 1
(2.8)
D
kde m je empiricky určená konstanta z intervalu 1 až 2.
Ampérvoltová charakteristika odpovídající vztahu (2.7) a (2.8) je znázorněna na obr. 2.5
I D
I D
U D
-I 0
0,6
(S i )
U D
Obr. 2.5: Kvalitativní zobrazení ampérvoltové (AV) charakteristiky diody
33