StudijnÃ text [pdf] - Personalizace vÃ½uky prostÅednictvÃm e-learningu

More documents

Recommendations

Info

Operační zesilovače Vhodnou volbou impedancí Ẑ 1 a Ẑ 2 (složeny z pasivních prvků) můžeme realizovat různé frekvenčně závislé přenosy - podle konkrétních požadavků (například filtry). 0 Î 2 Ẑ 2 Û 1 0 0 Û 2 Û 1 Ẑ 1 Î 1 0 U ˆ Z 2 Û 2 Ẑ 1 Ẑ 2 Obr. 9.3: Invertující zesilovač s IOZ Obr. 9.4: Neinvertující zesilovač s IOZ 9.2 Neinvertující zesilovač s OZ Neinvertující zesilovací struktura s ideálním OZ je na Obr. 9.4. Platí Uˆ Uˆ Uˆ Uˆ ˆ ˆ ˆ ˆ U 2Z1 Z1 Z2 - do vstupu (-) totiž nevtéká proud – (P 2) - impedanční dělič není zatížený. Podle pravidla 1 tedy musí platit tedy i Uˆ ˆ 1 1 (P1), dále musí platit Uˆ Zˆ ˆ 2 1 ˆ Zˆ 1 Zˆ ˆ 2 ˆ P U U2 U1 1 Z2 Z1 (9.5) Při nejběžnější volbě Zˆ 1 R1 a Zˆ 2 R2 obdržíme pro vztah pro napěťové zesílení Pˆ U 1 R 2 R 1 vstupní a výstupní napětí jsou ve fázi, struktura je neinvertující. Vstupní impedance je v daném případě ˆ Z vst Uˆ Iˆ ˆ 0 1 1 U1 Výstupní impedance je rovna nule. 206
Operační zesilovače 9.3 Reálné vlastosti OZ V technické praxi ovšem ideální OZ neexistuje. Proto je potřebný katalogový list, které tyto odchylky proti ideálu specifikuje. V tomto základním kurzu se omezíme na výčet základních parametrů reálného OZ: Napěťové zesílení A: udává se pro diferenční (rozdílový) signál (při otevřené smyčce zpětné vazby), u reálných OZ je velmi velké, podle konkrétního typu OZ mezi 10 4 až 10 7 . Zesílení 10 4 znamená, že při rozdílovém napětí mezi vstupy 1 mV bude výstupní napětí 10000 krát větší, tedy 10 V (a naopak, pro výstupní napětí menší jak 10 V bude diferenční napětí vždy menší jak 1 mV). Jak napěťové zesílení vzniká je vysvětleno ve strukturách tranzistory. Tranzitní frekvence f T : s růstem frekvence se zesílení OZ snižuje, při určité frekvenci klesne až na hodnotu 1, tzn. OZ nezesiluje. Této frekvenci říkáme tranzitní frekvence, podle typu zesilovače je 0,1 až 1000 MHz. (je třeba si uvědomit, že při této frekvenci klesne zesílení na hodnotu 1, což už pro použití OZ většinou nestačí, ve skutečnosti můžeme používat OZ pro frekvence o 1 nebo 2 řády nižší než je f T – viz teorie zpětné vazby (kap. 10). Tranzitní frekvence je definována kapacitami ve struktuře zesilovače – nejčastěji tzv. korekční kapacitou. Z modulové charakteristiky přenosu reálného OZ lze určit, že f T A 0 f 1 kde A 0 je stejnosměrné zesílení OZ f 1 je frekvence pólu přenosu OZ Rychlost přeběhu: udává maximální rychlost změny výstupního napětí při jednotkovém skoku na vstupu, bývá cca 0,1 až 20 V/µs. Je určena dosažitelnými proudy ve struktuře zesilovače a jejími kapacitami – malé proudy a velké kapacity vedou k malým rychlostem přeběhu. Napěťová nesymetrie (ofset) OZ je nežádoucí vlastnost. Způsobí, že při nulovém napětí mezi vstupními svorkami nebude na výstupu nulové napětí. Ke kompenzaci ofsetu mají některé OZ speciální vývody, k nimž se připojí nastavitelný rezistor (odporový trimr), jehož vhodným nastavením se dá ofset vykompenzovat. Bohužel ofset není konstantní, mění se s teplotou a také vlivem stárnutí. Na obr. 9.1 je příčinou napěťové nesymetrie nestejnost vstupních bipolárních tranzistorů (T 1 a T 2 ) – při stejných kolektorových proudech se poněkud liší bázová napětí. Vstupní klidový proud OZ je nežádoucí vlastnost. Je to vstupní proud do bází tranzistorů T 1 a T 2 na obr. 9.1. Proudová nesymetrie (ofset) OZ je nežádoucí vlastnost. Příčinou je nestejnost vstupních bipolárních tranzistorů (T 1 a T 2 ) – různé bázové proudy (proudové zesilovací činitele) při stejných kolektorových proudech. Tyto parametry si absolventi mohou prakticky změřit v rámci problémových úloh v laboratořích v navazujícím předmětu Praktika z elektronických obvodů (PEO). V katalogu jsou uváděny další parametry OZ, které však již přesahují rámec tohoto kurzu. Jejich význam je popisován v odborné literatuře zabývající se operačními zesilovači. 207
Page 1 and 2:
Vysoká škola báňská - Technick
Page 3 and 4:
OBSAH 1 ZÁKLADY ANALÝZY OBVODŮ S
Page 5 and 6:
CD-ROM ............................
Page 7 and 8:
12 GENERÁTORY OBDÉLNÍKOVÉHO A P
Page 9 and 10:
definovat ... vyřešit ... Ihned
Page 11 and 12:
Základy analýzy obvodů s neline
Page 13 and 14:
Page 15 and 16:
Page 17 and 18:
1.4 Grafické řešení nelineárn
Page 19 and 20:
Page 21 and 22:
Page 23 and 24:
Page 25 and 26:
Page 27 and 28:
Polovodičové diody 2 Polovodičov
Page 29 and 30:
Polovodičové diody 2.2 Přechod P
Page 31 and 32:
Polovodičové diody T = absolutní
Page 33 and 34:
Polovodičové diody C K S 3 0
Page 35 and 36:
Polovodičové diody g d D D U D
Page 37 and 38:
Polovodičové diody Pro U S = - 10
Page 39 and 40:
Polovodičové diody I D Lavinový
Page 41 and 42:
Polovodičové diody Z aplikace Ohm
Page 43 and 44:
Polovodičové diody Problém na ob
Page 45 and 46:
Polovodičové diody W g h (2.18
Page 47 and 48:
Polovodičové diody 2.5 Druhy diod
Page 49 and 50:
Polovodičové diody a) statický o
Page 51 and 52:
Polovodičové diody G d R d C d N
Page 53 and 54:
Příklad 2.7 Polovodičové diody
Page 55 and 56:
Bipolární tranzistory 3 Tranzisto
Page 57 and 58:
Bipolární tranzistory Určitá č
Page 59 and 60:
Bipolární tranzistory Jedná se o
Page 61 and 62:
I I I I Bipolární tranzisto
Page 63 and 64:
Bipolární tranzistory U BEP UT U
Page 65 and 66:
Bipolární tranzistory 3.2.3 Tranz
Page 67 and 68:
Bipolární tranzistory Proud I CB0
Page 69 and 70:
Bipolární tranzistory 3.3 Nastave
Page 71 and 72:
Požadujeme-li 2 CE U CC U je opě
Page 73 and 74:
Bipolární tranzistory Při zvolen
Page 75 and 76:
Bipolární tranzistory u 2 i c r
Page 77 and 78:
Bipolární tranzistory A PSE A 2
Page 79 and 80:
Bipolární tranzistory R VST R RV
Page 81 and 82:
Bipolární tranzistory Uvažujme n
Page 83 and 84:
Bipolární tranzistory Za daných
Page 85 and 86:
Bipolární tranzistory RE 100 1,
Page 87 and 88:
Bipolární tranzistory 3.4.5 Vliv
Page 89 and 90:
Bipolární tranzistory R out ,2 1
Page 91 and 92:
Bipolární tranzistory u 2 i ci
Page 93 and 94:
Bipolární tranzistory 16. Jaký v
Page 95 and 96:
áze I B . Hodnota odporu R E = 100
Page 97 and 98:
Bipolární tranzistory a) určete
Page 99 and 100:
Unipolární tranzistory 4 Unipolá
Page 101 and 102:
Unipolární tranzistory Unipolárn
Page 103 and 104:
Unipolární tranzistory Předpokl
Page 105 and 106:
Unipolární tranzistory 4.5 Chová
Page 107 and 108:
Unipolární tranzistory 4.6 Konstr
Page 109 and 110:
Unipolární tranzistory Charakteri
Page 111 and 112:
Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
Page 113 and 114:
Unipolární tranzistory Earlyho na
Page 115 and 116:
Unipolární tranzistory g m 2 I
Page 117 and 118:
Unipolární tranzistory dielektrik
Page 119 and 120:
Unipolární tranzistory b) Ze vzta
Page 121 and 122:
Unipolární tranzistory odtud I ny
Page 123 and 124:
str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
Page 125 and 126:
Unipolární tranzistory Mějme EMO
Page 127 and 128:
Unipolární tranzistory 10 4 I 2
Page 129 and 130:
Unipolární tranzistory U DS U U
Page 131 and 132:
Unipolární tranzistory i i S D u
Page 133 and 134:
Unipolární tranzistory R G i 2 i
Page 135 and 136:
Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
Page 137 and 138:
Unipolární tranzistory V signálo
Page 139 and 140:
Unipolární tranzistory 2 2 1
Page 141 and 142:
A Unipolární tranzistory SG u2 u
Page 143 and 144:
Unipolární tranzistory u R S 2 S2
Page 145 and 146:
Příklad 4.1 Unipolární tranzist
Page 147 and 148:
Unipolární tranzistory U DD I D R
Page 149 and 150:
Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
Page 151 and 152:
Obvody s více tranzistory Řešen
Page 153 and 154:
Obvody s více tranzistory Řešen
Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
Page 201 and 202: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
Page 203 and 204: Operační zesilovače 9 Operační
Page 205: Operační zesilovače Napětí na
Page 209 and 210: Operační zesilovače Uˆ 1 R1R
Page 211 and 212: Operační zesilovače Pro kmitočt
Page 213 and 214: Operační zesilovače Pro kmitočt
Page 215 and 216: Operační zesilovače Příklad 9
Page 217 and 218: Zpětná vazba 10 Zpětná vazba Č
Page 219 and 220: Tento vztah má obecný význam. M
Page 221 and 222: Pˆ P 1 P ao ao P Z j D 1 PaoPZ
Page 223 and 224: Zpětná vazba 10.3 Vliv zpětné v
Page 225 and 226: Zpětná vazba P ˆ Z R1 R1 R2 j
Page 227 and 228: Zpětná vazba P ˆ P 10 1000 110
Page 229 and 230: Zpětná vazba b) A o = 10 5 ; f 1
Page 231 and 232: Oscilátory Změnou teploty (nutno
Page 233 and 234: Oscilátory 11.2 Oscilátory RC Os
Page 235 and 236: Oscilátory R t konstantní, R f
Page 237 and 238: Oscilátory výstupní odpor zesilo
Page 239 and 240: Oscilátory 11.2.4.2 Oscilátoru RC
Page 241 and 242: Oscilátory V praxi je hodnota odpo
Page 243 and 244: Oscilátory Úlohy k řešení 11
Page 245 and 246: Generátory obdélníkového a pilo
Page 249 and 250: tedy pro U i R R Hystereze obvodu
Page 253 and 254: u C t U OM R a R R Dříve ne
Page 255 and 256: 12.2.2 Astabilní klopný obvod s t
Page 257 and 258:
12.3 Generátor pilového napětí
Page 259 and 260:
4. Popište astabilní klopný obvo
Page 261 and 262:
Generátory obdélníkového a pilo
Page 263 and 264:
Klíč k řešení 0.3 Jedná se o
Page 265 and 266:
Klíč k řešení a) Napěťová z
Page 267 and 268:
Klíč k řešení Dalším porovn
Page 269 and 270:
Klíč k řešení Obr.: Charakteri
Page 271 and 272:
Klíč k řešení I CP P U CEP zat
Page 273 and 274:
Klíč k řešení c) R V = 18,63 k
Page 275 and 276:
C 1opt =10,11 F, C 2 opt =9,82 F, C
Page 277 and 278:
Klíč k řešení 10.7 a) f HZ = 1
Page 279 and 280:
Literatura Literatura 1 Mohylová,
Page 281:
Rejstřík přechod P-N, 29 reaktan
show all

StudijnÃ­ text [pdf] - Personalizace vÃ½uky prostÅednictvÃ­m e-learningu

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

StudijnÃ text [pdf] - Personalizace vÃ½uky prostÅednictvÃm e-learningu