![Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu](https://img.yumpu.com/36608539/203/500x640/studijna-text-pdf-personalizace-va-1-2-uky-prostaednictva-m-e-learningu.jpg)
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Vliv vazebních kapacit Příklad 8.4 Jaká je hodnota dolní frekvence f d , je-li v zapojení nízkofrekvenční zesilovače s tranzistorem BC273A z příkladu 8.3 zadána hodnota vstupní kapacity C 1 = 100 nF Text k prostudování [1] Mohylová, J.: Přednášky Elektrické obvody II Další zdroje [1] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University Press, Cambridge 1982 CD-ROM Otevři soubor BJT SE Korespondenční úkol Bude zadán vyučujícím z množiny příkladů určených k samostatnému řešení.. 202
Operační zesilovače 9 Operační zesilovače (OZ) Čas ke studiu: 6 hodin Cíl Po prostudování této kapitoly budete umět: popsat principiální strukturu OZ analyzovat základní zesilovací struktury s ideálním OZ navrhovat některé ideální struktury s OZ posoudit kmitočtové vlastnosti zesilovacích struktur s OZ VÝKLAD Operační zesilovač je dnes v analogové elektronice nejrozšířenějším funkčním blokem, pomocí kterého se realizují všechny možné požadavky konstruktérů. Princip obvodového řešení s bipolárními tranzistory je podrobně analyzován v řešeném příkladu 5.5 – obr. 9.1 Obdobně jsou řešeny i struktury s unipolárními tranzistory. Samotný OZ budeme považovat za lineární prvek. U CC+ T a T c T 3 R I U d + - T 1 T 2 T 4 o U 0 R D T d T b T e U CC- Obr. 9.1: Principiální schéma OZ s bipolárními tranzistory 203
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
- Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
- Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
- Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
- Page 185 and 186: Shrnutí základních vlastností z
- Page 187 and 188: Shrnutí základních vlastností z
- Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
- Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
- Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
- Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
- Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
- Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
- Page 201: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
- Page 205 and 206: Operační zesilovače Napětí na
- Page 207 and 208: Operační zesilovače 9.3 Reálné
- Page 209 and 210: Operační zesilovače Uˆ 1 R1R
- Page 211 and 212: Operační zesilovače Pro kmitočt
- Page 213 and 214: Operační zesilovače Pro kmitočt
- Page 215 and 216: Operační zesilovače Příklad 9
- Page 217 and 218: Zpětná vazba 10 Zpětná vazba Č
- Page 219 and 220: Tento vztah má obecný význam. M
- Page 221 and 222: Pˆ P 1 P ao ao P Z j D 1 PaoPZ
- Page 223 and 224: Zpětná vazba 10.3 Vliv zpětné v
- Page 225 and 226: Zpětná vazba P ˆ Z R1 R1 R2 j
- Page 227 and 228: Zpětná vazba P ˆ P 10 1000 110
- Page 229 and 230: Zpětná vazba b) A o = 10 5 ; f 1
- Page 231 and 232: Oscilátory Změnou teploty (nutno
- Page 233 and 234: Oscilátory 11.2 Oscilátory RC Os
- Page 235 and 236: Oscilátory R t konstantní, R f
- Page 237 and 238: Oscilátory výstupní odpor zesilo
- Page 239 and 240: Oscilátory 11.2.4.2 Oscilátoru RC
- Page 241 and 242: Oscilátory V praxi je hodnota odpo
- Page 243 and 244: Oscilátory Úlohy k řešení 11
- Page 245 and 246: Generátory obdélníkového a pilo
- Page 247 and 248: Generátory obdélníkového a pilo
- Page 249 and 250: tedy pro U i R R Hystereze obvodu
- Page 251 and 252: Generátory obdélníkového a pilo
Operační zesilovače<br />
9 Operační zesilovače (OZ)<br />
Čas ke studiu: 6 hodin<br />
Cíl Po prostudování této kapitoly budete umět:<br />
popsat principiální strukturu OZ<br />
analyzovat základní zesilovací struktury s ideálním OZ<br />
navrhovat některé ideální struktury s OZ<br />
posoudit kmitočtové vlastnosti zesilovacích struktur s OZ<br />
VÝKLAD<br />
Operační zesilovač je dnes v analogové elektronice nejrozšířenějším funkčním blokem, pomocí<br />
kterého se realizují všechny možné požadavky konstruktérů. Princip obvodového řešení s bipolárními<br />
tranzistory je podrobně analyzován v řešeném příkladu 5.5 – obr. 9.1 Obdobně jsou řešeny i struktury<br />
s unipolárními tranzistory. Samotný OZ budeme považovat za lineární prvek.<br />
U CC+<br />
T a<br />
T c<br />
T 3<br />
R I<br />
U d<br />
+<br />
-<br />
T 1<br />
T 2<br />
T 4<br />
o<br />
U 0<br />
R D<br />
T d<br />
T b<br />
T e<br />
U CC-<br />
Obr. 9.1: Principiální schéma OZ s bipolárními tranzistory<br />
203
Change language