Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
a) b) 20 log R i C n in Vliv vazebních kapacit 20log Uˆ i 20 log  Uˆ 1 1 1 Ri n RS Cin R i C n in Rin 20log R R S in 3 20 log 0 0  c) 20 log Uˆ Uˆ 2 2n 20log R Z C 0 0 1 R Z C 0 d) 20log Uˆ Uˆ 2 1 0 in out h Obr. 8.4: Asymptotické (kvalitativní) zobrazení vztahu (8.4): 20log U ˆ ˆ 2 U1 ; součtem charakteristik (a + b + c) získáme výslednou křivku (d) 194
Pro in Vliv vazebních kapacit roste přenos se strmostí 40dB dek vliv in i CO ; pro in out se strmostí 20dB dek vlivC O . Pro out h h je dáno zesílením  je Uˆ Uˆ 2 i n ˆ 1 R i n R R S A R Z RZ R 0 Pro již degraduje přenos  – typicky 20dB dek. h 8.1 Vliv blokovací kapacity C E emitorového odporu Velmi často je externí emitorový odpor R e ( RE Re nastavuje a stabilizuje pracovní bod) přemostěn blokovací kapacitou C E. Signálové schéma (bez napájecích obvodů v bázi) je na obr. 8.5. Î C Î e Û B 0 V r e E i Û 2 = -R C Î e E R e C E Obr. 8.5: Signálové schéma v zapojení SE s blokovací kapacitou C E Opět budeme chtít vyjádřit napěťový přenos. Nejdříve vyjádříme emitorový proud Î e Uˆ 1 jR C B e E Iˆ e Uˆ B (8.5) Re.1 j CE R Re re j re ReCE e Re 1 j CE Nyní vyjádříme výstupní napětí U ˆ 2 ˆ R e E C Iˆ e Uˆ 2 BRC (8.6) Re re j re ReCE U 1 j R C 195
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
- Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
- Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
- Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
- Page 185 and 186: Shrnutí základních vlastností z
- Page 187 and 188: Shrnutí základních vlastností z
- Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
- Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
- Page 193: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
- Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
- Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
- Page 201 and 202: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
- Page 203 and 204: Operační zesilovače 9 Operační
- Page 205 and 206: Operační zesilovače Napětí na
- Page 207 and 208: Operační zesilovače 9.3 Reálné
- Page 209 and 210: Operační zesilovače Uˆ 1 R1R
- Page 211 and 212: Operační zesilovače Pro kmitočt
- Page 213 and 214: Operační zesilovače Pro kmitočt
- Page 215 and 216: Operační zesilovače Příklad 9
- Page 217 and 218: Zpětná vazba 10 Zpětná vazba Č
- Page 219 and 220: Tento vztah má obecný význam. M
- Page 221 and 222: Pˆ P 1 P ao ao P Z j D 1 PaoPZ
- Page 223 and 224: Zpětná vazba 10.3 Vliv zpětné v
- Page 225 and 226: Zpětná vazba P ˆ Z R1 R1 R2 j
- Page 227 and 228: Zpětná vazba P ˆ P 10 1000 110
- Page 229 and 230: Zpětná vazba b) A o = 10 5 ; f 1
- Page 231 and 232: Oscilátory Změnou teploty (nutno
- Page 233 and 234: Oscilátory 11.2 Oscilátory RC Os
- Page 235 and 236: Oscilátory R t konstantní, R f
- Page 237 and 238: Oscilátory výstupní odpor zesilo
- Page 239 and 240: Oscilátory 11.2.4.2 Oscilátoru RC
- Page 241 and 242: Oscilátory V praxi je hodnota odpo
- Page 243 and 244: Oscilátory Úlohy k řešení 11
Pro<br />
in<br />
Vliv vazebních kapacit<br />
roste přenos se strmostí 40dB dek vliv in i CO<br />
; pro in<br />
out<br />
se strmostí<br />
20dB dek vlivC<br />
O<br />
.<br />
Pro <br />
out h<br />
h<br />
je dáno zesílením<br />
 je<br />
Uˆ<br />
Uˆ<br />
2 i n ˆ<br />
1<br />
<br />
R<br />
i n<br />
R<br />
R<br />
S<br />
<br />
A<br />
<br />
R<br />
Z<br />
RZ<br />
R<br />
0<br />
Pro již degraduje přenos  – typicky 20dB dek.<br />
h<br />
8.1 Vliv blokovací kapacity C E emitorového odporu<br />
Velmi často je externí emitorový odpor R e ( RE<br />
Re<br />
nastavuje a stabilizuje pracovní bod)<br />
přemostěn blokovací kapacitou C E.<br />
Signálové schéma (bez napájecích obvodů v bázi) je na obr. 8.5.<br />
Î C Î e<br />
Û B<br />
0 V<br />
r e<br />
E i<br />
Û 2 = -R C Î e<br />
E<br />
R e<br />
C E<br />
Obr. 8.5: Signálové schéma v zapojení SE s blokovací kapacitou C E<br />
Opět budeme chtít vyjádřit napěťový přenos. Nejdříve vyjádříme emitorový proud Î e<br />
Uˆ<br />
1<br />
jR<br />
C<br />
B<br />
e E<br />
Iˆ e <br />
Uˆ<br />
B <br />
(8.5)<br />
Re.1<br />
j<br />
CE<br />
R<br />
Re<br />
re<br />
j<br />
re<br />
ReCE<br />
e <br />
Re<br />
1<br />
j<br />
CE<br />
Nyní vyjádříme výstupní napětí U ˆ<br />
2<br />
ˆ R<br />
e E<br />
C Iˆ<br />
e Uˆ<br />
2 BRC<br />
<br />
(8.6)<br />
Re<br />
re<br />
j<br />
re<br />
ReCE<br />
U<br />
1<br />
j<br />
R C<br />
195