![Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu](https://img.yumpu.com/36608539/189/500x640/studijna-text-pdf-personalizace-va-1-2-uky-prostaednictva-m-e-learningu.jpg)
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory Otázky 7 1. Které zapojení BJT má nejmenší vstupní odpor 2. Které zapojení BJT má nejmenší výstupní odpor 3. Jakézapojení BJT použijete, požaduje-li se největší výkonové zesílení 4. Které zapojení BJT má Millerovu kapacitu 5. Které zapojení BJT je invertující 6. Které zapojení FETu má nejmenší výstupní odpor 7. Které zapojení FETu má nejmenší vstupní odpor 8. Které zapojení FETu má Millerovu kapacitu 9. Které zapojení FETu je invertující 10. Jak se mění napěťové zesílení reálných struktur s připojením zatěžovacího odporu (zátěže). 11. Proč se zapojení SC (SD) nazývá někdy sledovač 12. Čím nahradíte v signálovém schématu ideální zdroj napětí (a proč) 13. Čím nahradíte v signálovém schématu ideální zdroj proudu (a proč) 14. Čím nahradíte v signálovém schématu kapacitor na dostatečně vysokých frekvencích (a proč) 15. Co si představujete pod pojmem měnič impedance Text k prostudování [1] Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové součástky a základní zapojení. Ben, Praha 2006, ISBN 80-7300-123-3 [2] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University Press, Cambridge 1982 3 Kuphaldt, Tony R.: Lessons In Electric Circuits, www.ibiblio.org/kuphaldt/ CD-ROM Otevři soubor a) BJT SE 188
) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET indukovaný kanál e) MOSFET zabudovaný kanál Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory Korespondenční úkol Vypracujte seminární projekt podle zadání vyučujícího. Projekt odevzdejte na moodle v požadovaném termínu. 189
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
- Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
- Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
- Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
- Page 185 and 186: Shrnutí základních vlastností z
- Page 187: Shrnutí základních vlastností z
- Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
- Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
- Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
- Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
- Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
- Page 201 and 202: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
- Page 203 and 204: Operační zesilovače 9 Operační
- Page 205 and 206: Operační zesilovače Napětí na
- Page 207 and 208: Operační zesilovače 9.3 Reálné
- Page 209 and 210: Operační zesilovače Uˆ 1 R1R
- Page 211 and 212: Operační zesilovače Pro kmitočt
- Page 213 and 214: Operační zesilovače Pro kmitočt
- Page 215 and 216: Operační zesilovače Příklad 9
- Page 217 and 218: Zpětná vazba 10 Zpětná vazba Č
- Page 219 and 220: Tento vztah má obecný význam. M
- Page 221 and 222: Pˆ P 1 P ao ao P Z j D 1 PaoPZ
- Page 223 and 224: Zpětná vazba 10.3 Vliv zpětné v
- Page 225 and 226: Zpětná vazba P ˆ Z R1 R1 R2 j
- Page 227 and 228: Zpětná vazba P ˆ P 10 1000 110
- Page 229 and 230: Zpětná vazba b) A o = 10 5 ; f 1
- Page 231 and 232: Oscilátory Změnou teploty (nutno
- Page 233 and 234: Oscilátory 11.2 Oscilátory RC Os
- Page 235 and 236: Oscilátory R t konstantní, R f
- Page 237 and 238: Oscilátory výstupní odpor zesilo
) BJT SB<br />
c) BJT SC<br />
d) MOSFET indukovaný kanál<br />
e) MOSFET zabudovaný kanál<br />
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory<br />
Korespondenční úkol<br />
Vypracujte seminární projekt podle zadání vyučujícího. Projekt odevzdejte na moodle<br />
v požadovaném termínu.<br />
189
Change language