![Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu](https://img.yumpu.com/36608539/187/500x640/studijna-text-pdf-personalizace-va-1-2-uky-prostaednictva-m-e-learningu.jpg)
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory b) Shrnutí základních zapojení Schéma zapojení : Signálové schéma: Zapojení SE U CC C CB C u 1 R 1 C 1 R 2 R C C E R E1 C 2 R E2 u 2 B Û 1 R V 0 V r e E E i R e r CE Û 2 Zapojení SC U CC C CB u 1 C 1 R 1 Û 1 R V 0 V E i r e R 2 R E C 2 u 2 E R E Û 2 Zapojení SB U CC E r e E i C B R 1 R C C C u 2 Û 1 R E 0 V C CB Û 2 R C C E R 2 R E 186
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory 7.2 Shrnutí základních vlastností zapojení s unipolárním tranzistorem Při pohledu na signálové modely na obr. 6.1 – kde jsme zahrnuli i vliv kapacity C GD – vidíme, že situace je stejná, jako když jsme řešili zapojení s tranzistory BJT. Stačí pouze udělat substituce: ˆ B Uˆ G , e r m U r , RC RD RE RS CCB CGD Vstupní odpor unipolárních tranzistorů je velmi velký, takže nemá vůbec smysl uvažovat o neboť . proudovém zesílení C GD a) D c) C GD D G 0 V S i R D Û 2 G 0 V S i Û 1 r m r m Û 1 S R S1 Û 2 R S2 b) S r e S i 0 V Û 1 R S G C GD R CD Û 2 Obr. 6.1: Signálové modely unipolárních tranzistorů se zahrnutím vlivu kapacity a) Zapojení se společným emitorem – SS b) Zapojení se společnou „bází“ – SG c) Zapojení se společným kolektorem – SD C GD 187
- Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
- Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
- Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
- Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
- Page 185: Shrnutí základních vlastností z
- Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
- Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
- Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
- Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
- Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
- Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
- Page 201 and 202: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
- Page 203 and 204: Operační zesilovače 9 Operační
- Page 205 and 206: Operační zesilovače Napětí na
- Page 207 and 208: Operační zesilovače 9.3 Reálné
- Page 209 and 210: Operační zesilovače Uˆ 1 R1R
- Page 211 and 212: Operační zesilovače Pro kmitočt
- Page 213 and 214: Operační zesilovače Pro kmitočt
- Page 215 and 216: Operační zesilovače Příklad 9
- Page 217 and 218: Zpětná vazba 10 Zpětná vazba Č
- Page 219 and 220: Tento vztah má obecný význam. M
- Page 221 and 222: Pˆ P 1 P ao ao P Z j D 1 PaoPZ
- Page 223 and 224: Zpětná vazba 10.3 Vliv zpětné v
- Page 225 and 226: Zpětná vazba P ˆ Z R1 R1 R2 j
- Page 227 and 228: Zpětná vazba P ˆ P 10 1000 110
- Page 229 and 230: Zpětná vazba b) A o = 10 5 ; f 1
- Page 231 and 232: Oscilátory Změnou teploty (nutno
- Page 233 and 234: Oscilátory 11.2 Oscilátory RC Os
- Page 235 and 236: Oscilátory R t konstantní, R f
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory<br />
7.2 Shrnutí základních vlastností zapojení s unipolárním<br />
tranzistorem<br />
Při pohledu na signálové modely na obr. 6.1 – kde jsme zahrnuli i vliv kapacity C GD –<br />
vidíme, že situace je stejná, jako když jsme řešili zapojení s tranzistory BJT. Stačí pouze udělat<br />
substituce:<br />
ˆ B Uˆ<br />
G , e r m<br />
U<br />
r , RC<br />
RD<br />
RE<br />
RS<br />
CCB<br />
CGD<br />
Vstupní odpor unipolárních tranzistorů je velmi velký, takže nemá vůbec smysl uvažovat o<br />
neboť .<br />
proudovém zesílení <br />
C GD<br />
a)<br />
D<br />
c)<br />
C GD<br />
D<br />
G<br />
0 V<br />
S i<br />
R D<br />
Û 2<br />
G<br />
0 V<br />
S i<br />
Û 1<br />
r m<br />
r m<br />
Û 1<br />
S<br />
R S1<br />
Û 2<br />
R S2<br />
b)<br />
S<br />
r e<br />
S i<br />
0 V<br />
Û 1<br />
R S<br />
G<br />
C GD<br />
R CD<br />
Û 2<br />
Obr. 6.1: Signálové modely unipolárních tranzistorů se zahrnutím vlivu kapacity<br />
a) Zapojení se společným emitorem – SS<br />
b) Zapojení se společnou „bází“ – SG<br />
c) Zapojení se společným kolektorem – SD<br />
C<br />
GD<br />
187
Change language