Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory
7 Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory
Čas ke studiu: 2 hodiny
Cíl Cílem je shrnutí dosud získaných poznatků o základních zapojeních s
bipolárním a unipolárním tranzistorem a posouzení jejich vlastností:
základní zapojení s BJT
základní modely s BJT
základní zapojení s FETy
základní modely s FETy
VÝKLAD
Tato kapitola shrnuje dosavadní poznatky o tranzistorových obvodech a rozšiřuje je o chování
tranzistorových struktur ve frekvenční oblasti – o zahrnutí vlivu zpětnovazební kapacity mezi bází a
kolektorem (mezi vývodem G a D u FETů). Nejsou k ní žádné otázky ani kontrolní příklady k řešení.
Doporučujeme, abyste si jednotlivá zapojení promysleli. V případě jakýchkoliv nejasností se vraťte
k příslušným částem materiálu.
7.1 Shrnutí základních vlastností zapojení s jedním bipolárním
tranzistorem
Při srovnání vlastností zapojení se společnou bází (SB) a se společným emitorem (SE) se
může zdát, že jejich frekvenční vlastnosti jsou stejné. Obě zapojení mají stejný pól přenosu –
3 –
definovaný kolektorovým odporem R C a kapacitou C CB – časová konstanta definovaná
kolektorovým obvodem – 3 1 3
R C C C B
. Podstatný rozdíl je v tom, že v zapojení SE se na
vstupu uplatňuje Millerova kapacita CMK
CC B Aˆ
U SE R
– a ta je velmi velká. Proto má zapojení
SB mnohem lepší frekvenční vlastnosti, ale i malý vstupní odpor.
V tabulce 2a) jsou shrnuty vlastnosti základních zapojení s jedním BJT tranzistorem. Platí jak
pro tranzistory NPN, tak pro tranzistory PNP. Tabulka je doplněna o tabulku 2b), kde jsou uvedeny
základní zapojení s náhradními signálovými schématy a tabulku 2c) pro výpočet kapacit v zapojení
(jednotlivé kapacity přechodů zde nejsou zahrnuty).
183