StudijnÃ text [pdf] - Personalizace vÃ½uky prostÅednictvÃm e-learningu

More documents

Recommendations

Info

Parazitní kapacity Příklad 6.2 Předpokládejme, že do struktury podle příkladu 3.3 (str. 80, kap. 3) doplníme kapacitu kolektor-báze o velikosti 3 pF. Určete hodnotu Millerovy kapacity. Text k prostudování [1] Frohn, M. – Siedler, H.-J. – Wiemer, M. – Zastrow, P.: Elektronika, polovodičové součástky a základní zapojení. Ben, Praha 2006, ISBN 80-7300-123-3 Další zdroje [1] Horowitz, P.- Winfield,H.: The art of electronics (second edition). Cambridge University Press, Cambridge 1982 2 Doleček, J.: Moderní učebnice elektroniky 4. díl, BEN, Praha, 2006, ISBN 80-7300-185-3 3 Kuphaldt, Tony R.: Lessons In Electric Circuits, www.ibiblio.org/kuphaldt/ CD-ROM Otevři soubor BJT SE 182
Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory 7 Shrnutí základních vlastností zapojení s tranzistory Čas ke studiu: 2 hodiny Cíl Cílem je shrnutí dosud získaných poznatků o základních zapojeních s bipolárním a unipolárním tranzistorem a posouzení jejich vlastností: základní zapojení s BJT základní modely s BJT základní zapojení s FETy základní modely s FETy VÝKLAD Tato kapitola shrnuje dosavadní poznatky o tranzistorových obvodech a rozšiřuje je o chování tranzistorových struktur ve frekvenční oblasti – o zahrnutí vlivu zpětnovazební kapacity mezi bází a kolektorem (mezi vývodem G a D u FETů). Nejsou k ní žádné otázky ani kontrolní příklady k řešení. Doporučujeme, abyste si jednotlivá zapojení promysleli. V případě jakýchkoliv nejasností se vraťte k příslušným částem materiálu. 7.1 Shrnutí základních vlastností zapojení s jedním bipolárním tranzistorem Při srovnání vlastností zapojení se společnou bází (SB) a se společným emitorem (SE) se může zdát, že jejich frekvenční vlastnosti jsou stejné. Obě zapojení mají stejný pól přenosu – 3 – definovaný kolektorovým odporem R C a kapacitou C CB – časová konstanta definovaná kolektorovým obvodem – 3 1 3 R C C C B . Podstatný rozdíl je v tom, že v zapojení SE se na vstupu uplatňuje Millerova kapacita CMK CC B Aˆ U SE R – a ta je velmi velká. Proto má zapojení SB mnohem lepší frekvenční vlastnosti, ale i malý vstupní odpor. V tabulce 2a) jsou shrnuty vlastnosti základních zapojení s jedním BJT tranzistorem. Platí jak pro tranzistory NPN, tak pro tranzistory PNP. Tabulka je doplněna o tabulku 2b), kde jsou uvedeny základní zapojení s náhradními signálovými schématy a tabulku 2c) pro výpočet kapacit v zapojení (jednotlivé kapacity přechodů zde nejsou zahrnuty). 183
Page 1 and 2:
Vysoká škola báňská - Technick
Page 3 and 4:
OBSAH 1 ZÁKLADY ANALÝZY OBVODŮ S
Page 5 and 6:
CD-ROM ............................
Page 7 and 8:
12 GENERÁTORY OBDÉLNÍKOVÉHO A P
Page 9 and 10:
definovat ... vyřešit ... Ihned
Page 11 and 12:
Základy analýzy obvodů s neline
Page 13 and 14:
Page 15 and 16:
Page 17 and 18:
1.4 Grafické řešení nelineárn
Page 19 and 20:
Page 21 and 22:
Page 23 and 24:
Page 25 and 26:
Page 27 and 28:
Polovodičové diody 2 Polovodičov
Page 29 and 30:
Polovodičové diody 2.2 Přechod P
Page 31 and 32:
Polovodičové diody T = absolutní
Page 33 and 34:
Polovodičové diody C K S 3 0
Page 35 and 36:
Polovodičové diody g d D D U D
Page 37 and 38:
Polovodičové diody Pro U S = - 10
Page 39 and 40:
Polovodičové diody I D Lavinový
Page 41 and 42:
Polovodičové diody Z aplikace Ohm
Page 43 and 44:
Polovodičové diody Problém na ob
Page 45 and 46:
Polovodičové diody W g h (2.18
Page 47 and 48:
Polovodičové diody 2.5 Druhy diod
Page 49 and 50:
Polovodičové diody a) statický o
Page 51 and 52:
Polovodičové diody G d R d C d N
Page 53 and 54:
Příklad 2.7 Polovodičové diody
Page 55 and 56:
Bipolární tranzistory 3 Tranzisto
Page 57 and 58:
Bipolární tranzistory Určitá č
Page 59 and 60:
Bipolární tranzistory Jedná se o
Page 61 and 62:
I I I I Bipolární tranzisto
Page 63 and 64:
Bipolární tranzistory U BEP UT U
Page 65 and 66:
Bipolární tranzistory 3.2.3 Tranz
Page 67 and 68:
Bipolární tranzistory Proud I CB0
Page 69 and 70:
Bipolární tranzistory 3.3 Nastave
Page 71 and 72:
Požadujeme-li 2 CE U CC U je opě
Page 73 and 74:
Bipolární tranzistory Při zvolen
Page 75 and 76:
Bipolární tranzistory u 2 i c r
Page 77 and 78:
Bipolární tranzistory A PSE A 2
Page 79 and 80:
Bipolární tranzistory R VST R RV
Page 81 and 82:
Bipolární tranzistory Uvažujme n
Page 83 and 84:
Bipolární tranzistory Za daných
Page 85 and 86:
Bipolární tranzistory RE 100 1,
Page 87 and 88:
Bipolární tranzistory 3.4.5 Vliv
Page 89 and 90:
Bipolární tranzistory R out ,2 1
Page 91 and 92:
Bipolární tranzistory u 2 i ci
Page 93 and 94:
Bipolární tranzistory 16. Jaký v
Page 95 and 96:
áze I B . Hodnota odporu R E = 100
Page 97 and 98:
Bipolární tranzistory a) určete
Page 99 and 100:
Unipolární tranzistory 4 Unipolá
Page 101 and 102:
Unipolární tranzistory Unipolárn
Page 103 and 104:
Unipolární tranzistory Předpokl
Page 105 and 106:
Unipolární tranzistory 4.5 Chová
Page 107 and 108:
Unipolární tranzistory 4.6 Konstr
Page 109 and 110:
Unipolární tranzistory Charakteri
Page 111 and 112:
Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
Page 113 and 114:
Unipolární tranzistory Earlyho na
Page 115 and 116:
Unipolární tranzistory g m 2 I
Page 117 and 118:
Unipolární tranzistory dielektrik
Page 119 and 120:
Unipolární tranzistory b) Ze vzta
Page 121 and 122:
Unipolární tranzistory odtud I ny
Page 123 and 124:
str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
Page 125 and 126:
Unipolární tranzistory Mějme EMO
Page 127 and 128:
Unipolární tranzistory 10 4 I 2
Page 129 and 130:
Unipolární tranzistory U DS U U
Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
Page 181: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
Page 185 and 186: Shrnutí základních vlastností z
Page 187 and 188: Shrnutí základních vlastností z
Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
Page 201 and 202: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
Page 203 and 204: Operační zesilovače 9 Operační
Page 205 and 206: Operační zesilovače Napětí na
Page 207 and 208: Operační zesilovače 9.3 Reálné
Page 209 and 210: Operační zesilovače Uˆ 1 R1R
Page 211 and 212: Operační zesilovače Pro kmitočt
Page 213 and 214: Operační zesilovače Pro kmitočt
Page 215 and 216: Operační zesilovače Příklad 9
Page 217 and 218: Zpětná vazba 10 Zpětná vazba Č
Page 219 and 220: Tento vztah má obecný význam. M
Page 221 and 222: Pˆ P 1 P ao ao P Z j D 1 PaoPZ
Page 223 and 224: Zpětná vazba 10.3 Vliv zpětné v
Page 225 and 226: Zpětná vazba P ˆ Z R1 R1 R2 j
Page 227 and 228: Zpětná vazba P ˆ P 10 1000 110
Page 229 and 230: Zpětná vazba b) A o = 10 5 ; f 1
Page 231 and 232: Oscilátory Změnou teploty (nutno
Page 233 and 234:
Oscilátory 11.2 Oscilátory RC Os
Page 235 and 236:
Oscilátory R t konstantní, R f
Page 237 and 238:
Oscilátory výstupní odpor zesilo
Page 239 and 240:
Oscilátory 11.2.4.2 Oscilátoru RC
Page 241 and 242:
Oscilátory V praxi je hodnota odpo
Page 243 and 244:
Oscilátory Úlohy k řešení 11
Page 245 and 246:
Generátory obdélníkového a pilo
Page 247 and 248:
Page 249 and 250:
tedy pro U i R R Hystereze obvodu
Page 251 and 252:
Page 253 and 254:
u C t U OM R a R R Dříve ne
Page 255 and 256:
12.2.2 Astabilní klopný obvod s t
Page 257 and 258:
12.3 Generátor pilového napětí
Page 259 and 260:
4. Popište astabilní klopný obvo
Page 261 and 262:
Page 263 and 264:
Klíč k řešení 0.3 Jedná se o
Page 265 and 266:
Klíč k řešení a) Napěťová z
Page 267 and 268:
Klíč k řešení Dalším porovn
Page 269 and 270:
Klíč k řešení Obr.: Charakteri
Page 271 and 272:
Klíč k řešení I CP P U CEP zat
Page 273 and 274:
Klíč k řešení c) R V = 18,63 k
Page 275 and 276:
C 1opt =10,11 F, C 2 opt =9,82 F, C
Page 277 and 278:
Klíč k řešení 10.7 a) f HZ = 1
Page 279 and 280:
Literatura Literatura 1 Mohylová,
Page 281:
Rejstřík přechod P-N, 29 reaktan
show all

StudijnÃ­ text [pdf] - Personalizace vÃ½uky prostÅednictvÃ­m e-learningu

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

StudijnÃ text [pdf] - Personalizace vÃ½uky prostÅednictvÃm e-learningu