Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Obvody s více tranzistory
U
GS
U
G
R I
S
D
3,326V
U
U
DS T
1
DS sat
U
E
U
R
GS
S
I
U
D
P
6,
2 2,
209 4 V
2,
209 4
1,791 V
U
DS sat
U
DS
Zanedbáme-li proud báze 1
T 2 je
IC I D
U
CE
U
CC
U
E
R
C
I
D
156, 23,
9 4,
9V
U 4,9 V – znamená, že i tranzistor T 2 je v aktivní pracovní oblasti.
CE
Nyní určíme pro tranzistor T 1 parametry modelu:
2 I D 2 10
gmT
1,
117 mS
1
U U
2,
209 4
GS
P
3
1 U A 200
rd T 200k
1
3
g I 10
dT
Parametry modelu tranzistoru T 2 jsou
1
D
1 IC
10
geT
38, 46 mS
2
3
r U 2610
e
T
3
1 U A 250
rd T 250k
2
3
g I 10
dT
2
C
Nyní nakreslíme signálový model struktury, zanedbáme odpor R i (600 ) a R G (řádově MΩ).
Vstupním (známým) signálem je napětí U i U 1 , proud I 1 je v tomto ideálním případě nulový.
U i
G
I 1
rm 1 g m
D
S
U i
U
r 1 g
i
e
r
m
e
g
m
U
i
E
C
B
gm U i
R C U 2
Obrázek signálového modelu struktury k příkladu 5.9 – není zahrnut vliv U A
napětí
Ze zjednodušeného signálového modelu (zanedbáme vliv U A , tedy
r dT 1
a
r dT 2
) je výstupní
172