Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Obvody s více tranzistory
A
U
( R 0)
A A 6,
5980,
989 6,
525
S
U T
1
U T
2
Vstupní odpor struktury je prakticky určen odporem R G .
Výstupní odpor celé struktury je tvořen výstupním odporem emitorového sledovače. Pokud by
byl tento buzen z ideálního zdroje napětí, byl by výstupní odpor určen paralelním řazením r e a R e , tedy
hodnotou
13,
311212,
24
13,
311212,
24
1317 ,
V zapojení na obrázku k příkladu 5.8 je ovšem buzen ze zdroje napětí s výstupním odporem
přibližně R D . Potom je výstupní odpor emitorového sledovače větší, určen vztahem (R V → R D ;
nezahrnujeme vliv odporu zátěže – což je v této situaci správné)
R
out SC
r
e
1
RV
β re
11
β re
RE
RV
β RE
11500
15013,
3
13,
3
11 150 13,
3 2700 1500
1502700
Pokud bychom uvažovali i vliv U A , určíme, že
1 UA
250
rd T
41,
494k
1
3
g I 6,
02510
dT
1
D
22,
95
Hodnota odporu
zmenšilo.
R D by byla ještě zmenšena paralelním přiřazením
r d T 1
, celkové zesílení by se
Příklad 5.9
Určete napěťové zesílení kaskodového zesilovače na obrázku s parametry tranzistorů:
T 1 (FET): U P = - 4 V, I DSS = 5 mA, U A = 200 V
T 2 (BJT): = 200, U A = 250 V
Jsou zadány hodnoty:
R B 4,7 k,
R B 3,9 k,
3,9
k,
1
2
R C
R 600, R G 470 k,
R S 2 , 2 k
i
U 0,6 V, U 15V
.
BE
CC
170