Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Podle 2. Kirchhoffova zákona platí: U CC R D 15 1500 ID I B UBE RE IE 3 6, 025 10 I 0, 7 2700 1 I I 12, 86 A B B B Obvody s více tranzistory Hodnota kolektorového proudu je I C I B 15012,8610 6 1,94 mA Je vhodné zkontrolovat pracovní body tranzistorů: T 2 : U 15 2700 194 , 10 3 CE U CC RE I E 9, 762 V – toto napětí je mezi kolektorem a emitorem, je určitě větší než je napětí saturační, tranzistor je v aktivní oblasti. T 1 : U DS U CC R D 15 1,5 10 I 3 D I B R I S D 3 6 3 6,02510 12,8610 6,02510 130 5,36 V U FETu také ověříme, zda se pracovní bod nachází v saturační oblastí – (nezaměňovat se saturací bipolárních tranzistorů): U U DS DS sat 5,36 V U GS U P 0,7833 3,3 2,717 V U DS sat U DS Oba tranzistory se nacházejí ve vhodné pracovní oblasti, jejich malosignálové vlastnosti – viz obrázek náhradního signálového schématu (vliv U A při orientačním výpočtu zanedbáme). g mT 1 2 I D U U GS P 26, 02510 0, 7833 3, 5 3 4, 435mS D B C R i G R D 0 V r e E i 0 V S i u D E R G r m u 1 S R e R Z R S u 2 Obr. Náhradní signálové schéma obvodu z příkladu 5.8 168
Obvody s více tranzistory r e U I T E 2610 3 1, 95310 3 13, 31 Napěťové zesílení: A U A U T A U určíme jako součin zesílení jednotlivých stupňů: A U 1 T 2 V emitoru (interním) tranzistoru T 2 je celkový odpor R Ei RE RZ 2 700 2 200 re 13 , 31 1 225, 55 R R 2 700 2 200 E Z Tomu odpovídá signálový vstupní odpor v bázi tranzistoru T 2 R 1501225,55183832 bi R Ei Celkový signálový odpor vývodu D proti zemi je tvořen paralelní kombinací odporu R D a odporu R bi : R D Rbi 183 832 1500 R D 1 487, 86 R R 183 832 1500 D bi Nyní již můžeme (pro signálové změny) určit, že u RG r RG Ri R R u R 1 1 uD D Ri R m S G rm S R D A UT 1 u D u 1 RD r R m S RD 1 g R m S A UT 1 1 1 487, 86 4, 435 10 3 130 1 487, 86 225, 5 130 4, 185 Pokud by na obrázku v zadání příkladu 5.8 byl odpor R S přemostěn kondenzátorem, nahradíme v obrázku náhradního signálového schématu odpor R S zkratem (nulový signálový odpor). Za této situace je zesílení prvního stupně A U T 1 R r 1 487, 86 225, 5 D R 0 6, 598 S Z poměrů v signálovém schématu také určíme, že u 2 u D Re r R e e m R e R R E E RZ R Z A U T 2 u 2 u D 1 1 r e R e 1 113, 31 1 212, 24 0, 989 Nyní již můžeme určit, že A U R 130 A A 4, 1850, 989 4, 139 S U T 1 U T 2 169
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
- Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
- Page 125 and 126: Unipolární tranzistory Mějme EMO
- Page 127 and 128: Unipolární tranzistory 10 4 I 2
- Page 129 and 130: Unipolární tranzistory U DS U U
- Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
- Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
- Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
- Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
- Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
- Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
- Page 185 and 186: Shrnutí základních vlastností z
- Page 187 and 188: Shrnutí základních vlastností z
- Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
- Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
- Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
- Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
- Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
- Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
- Page 201 and 202: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
- Page 203 and 204: Operační zesilovače 9 Operační
- Page 205 and 206: Operační zesilovače Napětí na
- Page 207 and 208: Operační zesilovače 9.3 Reálné
- Page 209 and 210: Operační zesilovače Uˆ 1 R1R
- Page 211 and 212: Operační zesilovače Pro kmitočt
- Page 213 and 214: Operační zesilovače Pro kmitočt
- Page 215 and 216: Operační zesilovače Příklad 9
- Page 217 and 218: Zpětná vazba 10 Zpětná vazba Č
Podle 2. Kirchhoffova zákona platí:<br />
U<br />
CC<br />
R<br />
D<br />
<br />
15 1500 <br />
ID<br />
I<br />
B<br />
UBE<br />
RE<br />
IE<br />
3<br />
6, 025 10<br />
I<br />
<br />
0,<br />
7 2700 1 I I 12,<br />
86 A<br />
B<br />
B<br />
B<br />
Obvody s více tranzistory<br />
Hodnota kolektorového proudu je<br />
I<br />
C<br />
I<br />
B<br />
15012,8610<br />
6<br />
1,94<br />
mA<br />
Je vhodné zkontrolovat pracovní body tranzistorů:<br />
T 2 :<br />
<br />
U 15 2700 194 , 10<br />
3 CE U<br />
CC RE<br />
I E 9,<br />
762 V – toto napětí je mezi kolektorem a<br />
emitorem, je určitě větší než je napětí saturační, tranzistor je v aktivní oblasti.<br />
T 1 :<br />
U<br />
DS<br />
U<br />
CC<br />
R<br />
D<br />
15<br />
1,5<br />
10<br />
<br />
<br />
I<br />
3<br />
D<br />
<br />
I<br />
B<br />
<br />
R I<br />
S<br />
D<br />
<br />
3<br />
6<br />
3<br />
6,02510<br />
12,8610<br />
<br />
6,02510<br />
130<br />
5,36 V<br />
U FETu také ověříme, zda se pracovní bod nachází v saturační oblastí – (nezaměňovat se<br />
saturací bipolárních tranzistorů):<br />
U<br />
U<br />
DS<br />
DS sat<br />
5,36 V<br />
U<br />
GS<br />
U<br />
P<br />
0,7833<br />
3,3<br />
<br />
<br />
2,717 V<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
<br />
U<br />
DS sat<br />
U<br />
DS<br />
Oba tranzistory se nacházejí ve vhodné pracovní oblasti, jejich malosignálové vlastnosti – viz obrázek<br />
náhradního signálového schématu (vliv U A při orientačním výpočtu zanedbáme).<br />
g<br />
mT<br />
1<br />
2<br />
I D<br />
<br />
U U<br />
GS<br />
P<br />
<br />
26,<br />
02510<br />
0,<br />
7833<br />
3,<br />
5<br />
<br />
3<br />
<br />
4,<br />
435mS<br />
D<br />
B<br />
C<br />
R i<br />
G<br />
R D<br />
0 V<br />
r e<br />
E i<br />
0 V<br />
S i<br />
u D<br />
E<br />
R G<br />
r m<br />
u 1<br />
S<br />
R e<br />
R Z<br />
R S<br />
u 2<br />
Obr. Náhradní signálové schéma obvodu z příkladu 5.8<br />
168