Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

person.vsb.cz
from person.vsb.cz More from this publisher
31.01.2015 Views

Podle 2. Kirchhoffova zákona platí: U CC R D 15 1500 ID I B UBE RE IE 3 6, 025 10 I 0, 7 2700 1 I I 12, 86 A B B B Obvody s více tranzistory Hodnota kolektorového proudu je I C I B 15012,8610 6 1,94 mA Je vhodné zkontrolovat pracovní body tranzistorů: T 2 : U 15 2700 194 , 10 3 CE U CC RE I E 9, 762 V – toto napětí je mezi kolektorem a emitorem, je určitě větší než je napětí saturační, tranzistor je v aktivní oblasti. T 1 : U DS U CC R D 15 1,5 10 I 3 D I B R I S D 3 6 3 6,02510 12,8610 6,02510 130 5,36 V U FETu také ověříme, zda se pracovní bod nachází v saturační oblastí – (nezaměňovat se saturací bipolárních tranzistorů): U U DS DS sat 5,36 V U GS U P 0,7833 3,3 2,717 V U DS sat U DS Oba tranzistory se nacházejí ve vhodné pracovní oblasti, jejich malosignálové vlastnosti – viz obrázek náhradního signálového schématu (vliv U A při orientačním výpočtu zanedbáme). g mT 1 2 I D U U GS P 26, 02510 0, 7833 3, 5 3 4, 435mS D B C R i G R D 0 V r e E i 0 V S i u D E R G r m u 1 S R e R Z R S u 2 Obr. Náhradní signálové schéma obvodu z příkladu 5.8 168

Obvody s více tranzistory r e U I T E 2610 3 1, 95310 3 13, 31 Napěťové zesílení: A U A U T A U určíme jako součin zesílení jednotlivých stupňů: A U 1 T 2 V emitoru (interním) tranzistoru T 2 je celkový odpor R Ei RE RZ 2 700 2 200 re 13 , 31 1 225, 55 R R 2 700 2 200 E Z Tomu odpovídá signálový vstupní odpor v bázi tranzistoru T 2 R 1501225,55183832 bi R Ei Celkový signálový odpor vývodu D proti zemi je tvořen paralelní kombinací odporu R D a odporu R bi : R D Rbi 183 832 1500 R D 1 487, 86 R R 183 832 1500 D bi Nyní již můžeme (pro signálové změny) určit, že u RG r RG Ri R R u R 1 1 uD D Ri R m S G rm S R D A UT 1 u D u 1 RD r R m S RD 1 g R m S A UT 1 1 1 487, 86 4, 435 10 3 130 1 487, 86 225, 5 130 4, 185 Pokud by na obrázku v zadání příkladu 5.8 byl odpor R S přemostěn kondenzátorem, nahradíme v obrázku náhradního signálového schématu odpor R S zkratem (nulový signálový odpor). Za této situace je zesílení prvního stupně A U T 1 R r 1 487, 86 225, 5 D R 0 6, 598 S Z poměrů v signálovém schématu také určíme, že u 2 u D Re r R e e m R e R R E E RZ R Z A U T 2 u 2 u D 1 1 r e R e 1 113, 31 1 212, 24 0, 989 Nyní již můžeme určit, že A U R 130 A A 4, 1850, 989 4, 139 S U T 1 U T 2 169

Podle 2. Kirchhoffova zákona platí:<br />

U<br />

CC<br />

R<br />

D<br />

<br />

15 1500 <br />

ID<br />

I<br />

B<br />

UBE<br />

RE<br />

IE<br />

3<br />

6, 025 10<br />

I<br />

<br />

0,<br />

7 2700 1 I I 12,<br />

86 A<br />

B<br />

B<br />

B<br />

Obvody s více tranzistory<br />

Hodnota kolektorového proudu je<br />

I<br />

C<br />

I<br />

B<br />

15012,8610<br />

6<br />

1,94<br />

mA<br />

Je vhodné zkontrolovat pracovní body tranzistorů:<br />

T 2 :<br />

<br />

U 15 2700 194 , 10<br />

3 CE U<br />

CC RE<br />

I E 9,<br />

762 V – toto napětí je mezi kolektorem a<br />

emitorem, je určitě větší než je napětí saturační, tranzistor je v aktivní oblasti.<br />

T 1 :<br />

U<br />

DS<br />

U<br />

CC<br />

R<br />

D<br />

15<br />

1,5<br />

10<br />

<br />

<br />

I<br />

3<br />

D<br />

<br />

I<br />

B<br />

<br />

R I<br />

S<br />

D<br />

<br />

3<br />

6<br />

3<br />

6,02510<br />

12,8610<br />

<br />

6,02510<br />

130<br />

5,36 V<br />

U FETu také ověříme, zda se pracovní bod nachází v saturační oblastí – (nezaměňovat se<br />

saturací bipolárních tranzistorů):<br />

U<br />

U<br />

DS<br />

DS sat<br />

5,36 V<br />

U<br />

GS<br />

U<br />

P<br />

0,7833<br />

3,3<br />

<br />

<br />

2,717 V<br />

<br />

<br />

<br />

<br />

<br />

U<br />

DS sat<br />

U<br />

DS<br />

Oba tranzistory se nacházejí ve vhodné pracovní oblasti, jejich malosignálové vlastnosti – viz obrázek<br />

náhradního signálového schématu (vliv U A při orientačním výpočtu zanedbáme).<br />

g<br />

mT<br />

1<br />

2<br />

I D<br />

<br />

U U<br />

GS<br />

P<br />

<br />

26,<br />

02510<br />

0,<br />

7833<br />

3,<br />

5<br />

<br />

3<br />

<br />

4,<br />

435mS<br />

D<br />

B<br />

C<br />

R i<br />

G<br />

R D<br />

0 V<br />

r e<br />

E i<br />

0 V<br />

S i<br />

u D<br />

E<br />

R G<br />

r m<br />

u 1<br />

S<br />

R e<br />

R Z<br />

R S<br />

u 2<br />

Obr. Náhradní signálové schéma obvodu z příkladu 5.8<br />

168

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!