Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Obvody s více tranzistory
U CC+
T a
T c
≈ I I
T 3
R I
U d
+
-
T 1
T 2
T 4
o
U 0
I I
R D
≈ 2I I
T d
T b
T e
≈ I I
U CC-
Obr. g): Zapojení proudový zdrojů I I a 2·I I
Všechny předchozí úvahy platí s tím, že R C je nyní definován výstupním odporem zdroje proudu
I I . Odpor R E representuje výstupní odpor zdroje proudu 2I I . Pokud by se podařilo realizovat tyto
zdroje (při stejných pracovních bodech jako v předchozích úvahách) s výstupním odporem asi 10 MΩ,
dosáhneme zesílení
A R C r
7
2
10
21688 2 962
e
(odpovídá tomu realizovatelná hodnota Earlyho napětí U A = 150 V, potom odpor mezi kolektorem a
editorem
6
15,
410
9,
M
rCE U
A IC
150
74
Poznámka:
Korekční kapacita C K (a parazitní kapacity) ovšem způsobují i degradaci zesílení
v závislosti na frekvenci. V kolektoru tranzistoru T 2 je ze signálového hlediska přibližně
kolektorová impedance tvořená paralelní kombinací odporu R C a kapacity C K :
Zˆ
C
Vztah z bodu a)
R
R
C
C
1
1
jC
jC
K
K
RC
1
jC
K
R
C
R
C
1 R
j
1
ud
RC
u0
2 re
se musí upravit pro ustálený harmonický stav do podoby
Uˆ
o Zˆ
C RC
C
C
Aˆ
Ao
Uˆ
d
2re
2re
j
C
j
C
kde
CK
C
RC
C
K RC
j
C
C
165