Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Obvody s více tranzistory
U0
1 R1
R2
1 R2
1
U 1 R R R1
R
1
1
2
1
R1
A R1
R2
A
R1
Pro dané hodnoty je
U
5
10
0
1
1
1
2
U
5
5 5
10
110
10 1
2 A
1
A
Bude-li
A → ∞, U 0 = 2 V, tedy U R1 = 1 V , U d = U BE1 – U BE2 = 0.
To je ideální stav.
1
1
1
R2
A
R
1
f) Zesílení A U0
Ud
lze orientačně určit z úvah z bodu a). Zde jsme určili, že pro malé signálové
změny je u
u u
d
u
0
a
b
ud
R
2 r
e
C
platí proto
A R C 2 r e
Je-li: U 1V,
je
U 1U
0,4 V, U U
U
0, 415 15,
4V
E
BE
1
RE
E
CC
proud odporem R E je
I U 5 10
5 A
RE
RE
30, 8
kolektorový proud tranzistorů I C je roven polovině této hodnoty – tedy 15,4 μA. Nyní již můžeme určit
strmost tranzistoru
r U
e
T
I
C
2610
Pro dané hodnoty dostaneme
3
A R C r
15,
410
6
1688
5
2
510
21688 148
e
Ze schématu vyplývá, že z uvedené jednoduché konstrukce se budou proudové poměry – a
tedy i zesílení A – měnit podle úrovně stejnosměrné složky na vstupu operačního zesilovače (vstupní
souhlasné napětí). Tyto změny bude sice do jisté míry kompenzovat záporná zpětná vazba, nejsou
však vítány. Řešení tohoto problému je použití proudových zdrojů, princip viz obr. g).
Primární proud definuje v tomto jednoduchém případě odpor R I :
I U
U
U
R
I
CC CC
2
BE
Jeden PNP tranzistor T c „kopíruje“ tento proud „jedenkrát“ do kolektoru T 2 .
Dva NPN tranzistory T d , T e proud zdvojí pro emitory tranzistorů T 1 a T 2 .
164