![Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu](https://img.yumpu.com/36608539/163/500x640/studijna-text-pdf-personalizace-va-1-2-uky-prostaednictva-m-e-learningu.jpg)
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Obvody s více tranzistory Bázový proud I B3 tranzistoru T 3 je dán vztahem např. IB3 IRD 3 4 216 100 3 4 2, 1610 10 nA 3 4 To je hodnota podstatně menší než 14,4 μA, koncový stupeň tedy neovlivňuje podstatně vstupní diferenční stupeň. +15 V R C T 3 a U BE3 T 4 T 1 T 2 U BE4 E U BE1 U BE2 b U RC R D U RD U RE R E U E o U o -15 V Obr. d): Zapojení k úkolu d) Pro úplnost můžeme určit i proudy vstupů (a) a (b) – tedy bázové proudy tranzistorů T 1 a T 2 . Předpokládejme opět, že β 1 = β 2 = 100, potom 6 IRE 2 14, 410 Ia Ib 144 nA 100 1 (to je opravdu typický vstupní proud běžných operačních zesilovačů s BJT). Všimněte si, že diferenční (operační) zesilovač neměl ani v jednom z uvedených příkladů nastavený očekávaný pracovní bod – nulové výstupní napětí. Vhodný pracovní bod je nastaven jen tehdy, když je umožněn průchod bázových proudů Ia I a Ib I a když je zavedena stejnosměrná záporná zpětná vazba – viz úkol e). e) Předpokládejme, že před připojením napětí U + (skoková změna) byl zesilovač ve stavu U 0 = 0. V každé elektronické struktuře jsou kapacity (nejběžněji funkční korekční kapacita C K pro zajištění frekvenční stability; ale vždy jsou také obsaženy nějaké parazitní kapacity). Proto se nemůže výstupní napětí změnit skokem – obr. f). Po připojení napětí U + je Ale napětí U E U U BE 1 1 0, 6 0, 4V 162
U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U E BE1 R1 R2 U0 0 Obvody s více tranzistory Obr. e): Zapojení k úkolům e) a f). a o U a b R 2 ; 100k R 1 100k U 0 Tranzistor T 2 je proto zavřený, všechen proud přes odpor R C nabíjí korekční kapacitu C K . Napětí na C K narůstá, proto narůstá i napětí U o . Jde o časovou funkci, platí u t u t R U U prodané u0 2 t 0 1 BE 2 BE1 , R1 R2 podmínky Když dosáhne napětí u BE 2 (t) režimu – otevírá se – děj se ustálí. Ustálí se takové napětí 0 4 hodnoty v okolí 0,6 V, tranzistor T 2 se dostává do aktivního U BE 2 , aby platilo kde U d U U U U BE BE 1 BE 2 U BE U R U U 1 2 1 R R d 2 0 R 1 1 je právě to diferenční napětí, které je potřebné pro udržení výstupního napětí U o v reálné zesilovací struktuře. Podíl U 0 U d A definuje napěťové zesílení (diferenční) reálného operačního zesilovače. Nyní můžeme vyjádřit diferenční napětí pomocí napětí výstupního a zesílení: U d U 0 A a dosadit do předchozího vztahu: U0 U0 R1 U A R R 1 2 Úpravou získáme vztah pro zesílení zapojení na obr. e) – neinvertující zapojení OZ: 163
- Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
- Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
- Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
- Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
- Page 125 and 126: Unipolární tranzistory Mějme EMO
- Page 127 and 128: Unipolární tranzistory 10 4 I 2
- Page 129 and 130: Unipolární tranzistory U DS U U
- Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
- Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
- Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
- Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
- Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
- Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
- Page 185 and 186: Shrnutí základních vlastností z
- Page 187 and 188: Shrnutí základních vlastností z
- Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
- Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
- Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
- Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
- Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
- Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
- Page 201 and 202: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
- Page 203 and 204: Operační zesilovače 9 Operační
- Page 205 and 206: Operační zesilovače Napětí na
- Page 207 and 208: Operační zesilovače 9.3 Reálné
- Page 209 and 210: Operační zesilovače Uˆ 1 R1R
- Page 211 and 212: Operační zesilovače Pro kmitočt
U<br />
U<br />
R<br />
U<br />
U<br />
<br />
0,4 V<br />
0 1<br />
BE 2 U<br />
R1<br />
U<br />
E BE1<br />
<br />
R1<br />
R2<br />
U0<br />
0<br />
Obvody s více tranzistory<br />
Obr. e): Zapojení k úkolům e) a f).<br />
a<br />
o<br />
U a<br />
b<br />
R 2 ; 100k<br />
R 1<br />
100k<br />
U 0<br />
Tranzistor T 2 je proto zavřený, všechen proud přes odpor R C nabíjí korekční kapacitu C K . Napětí<br />
na C K narůstá, proto narůstá i napětí U o . Jde o časovou funkci, platí<br />
u<br />
t<br />
u<br />
t<br />
R<br />
<br />
U<br />
U<br />
<br />
prodané<br />
u0<br />
2<br />
t<br />
<br />
0 1<br />
BE 2 BE1<br />
,<br />
R1<br />
R2<br />
podmínky<br />
Když dosáhne napětí u BE 2<br />
(t)<br />
režimu – otevírá se – děj se ustálí. Ustálí se takové napětí<br />
0 4<br />
hodnoty v okolí 0,6 V, tranzistor T 2 se dostává do aktivního<br />
U BE 2<br />
, aby platilo<br />
kde<br />
U<br />
d<br />
U<br />
U<br />
<br />
U<br />
U<br />
BE<br />
BE 1<br />
BE 2<br />
U<br />
BE<br />
U<br />
R<br />
U<br />
U<br />
1 2<br />
1<br />
R R<br />
d<br />
<br />
2<br />
0<br />
R<br />
1<br />
1<br />
je právě to diferenční napětí, které je potřebné pro udržení výstupního napětí U o v reálné zesilovací<br />
struktuře. Podíl<br />
U<br />
0<br />
U<br />
d <br />
A<br />
definuje napěťové zesílení (diferenční) reálného operačního zesilovače.<br />
Nyní můžeme vyjádřit diferenční napětí pomocí napětí výstupního a zesílení:<br />
U d U 0 A<br />
a dosadit do předchozího vztahu:<br />
U0<br />
U0<br />
R1<br />
U <br />
A R R<br />
1<br />
2<br />
Úpravou získáme vztah pro zesílení zapojení na obr. e) – neinvertující zapojení OZ:<br />
163
Change language