Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Obvody s více tranzistory Vstupní napětí u a a výstupní napětí jsou ve fázi, vstup (a) je neinvertujícím (+) vstupem. Nyní budeme zkoumat signálové působení zdroje napětí u b , zdroj napětí u a nahradíme jeho vnitřním odporem - ideálně tedy nulou – zkratem – obr. c). R C T 3 u db b a 0 T 1 T 2 r e i ea r e r eD T 4 o u b R E R D u ob Obr. c) k příkladu 5.5: Signálové schéma – buzen vstup (b); zdroje vykazují vůči signálovým změnám nulový odpor – signály jsou kvalitativně vyznačeny sinusovkami Tranzistor T 1 opět tvoří emitorový sledovač – nyní přenáší na svůj interní emitor napěťovou úroveň nulovou. Tranzistor T 2 tvoří při tomto buzení zapojení SE – na svůj interní emitor přenáší napětí u b . Při této konfiguraci (diferenční) se celé napětí u b ( = -u db ) přenese na sériové řazení 2·r e a vyvolá signálový proud i eb ub 2 r e tento proud (pro dostatečně velký proudový zesilovací činitel β) vyvolá v kolektoru tranzistoru T 2 napětí u Cb R C i eb Darlingtonovo zapojení tranzistorů T 3 a T 4 pracuje stejně jako v předchozím případě, proto u u ob Cb RD R r D eD 1 Platí tedy, že u ob R C i eb RC u 2r e b ub R 2r e C Vstupní napětí u b a výstupní napětí jsou v protifázi, vstup (b) je invertujícím (-) vstupem. Platí proto (v lineární oblasti), že celkové výstupní napětí je 160
Obvody s více tranzistory u u 0 0 u 0a u u a 0b u b 2r e u R C a R 2r e C u R b 2r e C obecně platí u d u a u b u 0 u d R 2r e C b) Nemohou-li vtékat do bází tranzistorů T 1 a T 2 odpovídající proudy, jsou oba tranzistory zavřeny. V kolektoru tranzistoru T 2 bude proto napětí +15 V. Na výstupu je proto napětí U 15U BE 3 UBE4 151, 2 138 V 0 , c) Tvrzení z bodu b) platí i zde. I když jsou vstupy propojeny, nemůže do bází proud vtékat – nemá odkud – viz obr. 48, kdybychom odpojili vstup (b) od zemní svorky. d) Situace je znázorněna na obr. d). Tranzistory mají ideálně shodné vlastnosti, tedy platí U BE1 = U BE2 a kolektorové proudy jsou stejné. Napětí U E na společných emitorech tranzistorů T 1 a T 2 (vůči zemi) je tedy U E 0 U 1 0, 6 V BE Napětí na odporu R E je U RE U E U CC 15 14, V 0, 6 4 Proud odporem R E je I RE U RE R E 50010 3 28, 8 A 14, 4 Kolektory obou tranzistorů (shodných vlastností) proto prochází proud tomu odpovídá úbytek napětí na odporu R C (předpokládáme velkou hodnotu β): I 2 14, 4 A , RE U RC R C I RE 2 50010 3 6 14, 410 7,2 V Nyní již můžeme určit, že výstupní napětí je U 0 UCC UR UBE3 UBE4 , C 157, 2 0, 6 0, 6 6 6 V a napětí na odporu R D U U 6, 6 15 21, 6V a proud odporem R D R 0 U CC D 4 I RD U RD RD 21, 6 10 2, 16 mA Proud I RD je současně i kolektorový proud tranzistoru T 4 . 161
- Page 109 and 110: Unipolární tranzistory Charakteri
- Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
- Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
- Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
- Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
- Page 125 and 126: Unipolární tranzistory Mějme EMO
- Page 127 and 128: Unipolární tranzistory 10 4 I 2
- Page 129 and 130: Unipolární tranzistory U DS U U
- Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
- Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
- Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
- Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
- Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
- Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
- Page 185 and 186: Shrnutí základních vlastností z
- Page 187 and 188: Shrnutí základních vlastností z
- Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
- Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
- Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
- Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
- Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
- Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
- Page 201 and 202: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
- Page 203 and 204: Operační zesilovače 9 Operační
- Page 205 and 206: Operační zesilovače Napětí na
- Page 207 and 208: Operační zesilovače 9.3 Reálné
- Page 209 and 210: Operační zesilovače Uˆ 1 R1R
Obvody s více tranzistory<br />
Vstupní napětí u a a výstupní napětí jsou ve fázi, vstup (a) je neinvertujícím (+) vstupem.<br />
Nyní budeme zkoumat signálové působení zdroje napětí u b , zdroj napětí u a nahradíme jeho<br />
vnitřním odporem - ideálně tedy nulou – zkratem – obr. c).<br />
R C<br />
T 3<br />
u db<br />
b<br />
a<br />
0<br />
T 1<br />
T 2<br />
r e<br />
i ea<br />
r e<br />
r eD<br />
T 4<br />
o<br />
u b<br />
R E<br />
R D<br />
u ob<br />
Obr. c) k příkladu 5.5: Signálové schéma – buzen vstup (b);<br />
zdroje vykazují vůči signálovým změnám nulový odpor – signály<br />
jsou kvalitativně vyznačeny sinusovkami<br />
Tranzistor T 1 opět tvoří emitorový sledovač – nyní přenáší na svůj interní emitor napěťovou<br />
úroveň nulovou. Tranzistor T 2 tvoří při tomto buzení zapojení SE – na svůj interní emitor přenáší<br />
napětí u b . Při této konfiguraci (diferenční) se celé napětí u b ( = -u db ) přenese na sériové řazení 2·r e a<br />
vyvolá signálový proud<br />
i<br />
eb<br />
ub<br />
2 r<br />
e<br />
tento proud (pro dostatečně velký proudový zesilovací činitel β) vyvolá v kolektoru tranzistoru T 2<br />
napětí<br />
u<br />
Cb<br />
R<br />
C<br />
i<br />
eb<br />
Darlingtonovo zapojení tranzistorů T 3 a T 4 pracuje stejně jako v předchozím případě, proto<br />
u<br />
u<br />
ob<br />
Cb<br />
<br />
RD<br />
R r<br />
D<br />
eD<br />
1<br />
Platí tedy, že<br />
u<br />
ob<br />
<br />
R<br />
C<br />
i<br />
eb<br />
<br />
RC<br />
u<br />
2r<br />
e<br />
b<br />
<br />
ub<br />
R<br />
2r<br />
e<br />
C<br />
Vstupní napětí u b a výstupní napětí jsou v protifázi, vstup (b) je invertujícím (-) vstupem.<br />
Platí proto (v lineární oblasti), že celkové výstupní napětí je<br />
160