Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Zˆ vst Zˆ vstB 7 6 3 3 R R 10 18 , 10 22010 229, 32 1 2 10 Obvody s více tranzistory c) Výstupní impedanci určíme pomocí Théveninovy věty. Vstupní napětí je stejné jako v bodě a) – Uˆ . i Pro výstupní napětí platí 5 i uˆ R R Uˆ 2 1 4 a to je výstupní napětí naprázdno uˆ 2 n . Zbývá nám určit zkratový proud 5) Î ZK – viz obr. pro určení zkratového proudu (při stejném napětí Uˆ na vstupu). Iˆ E i I nyní platí, že na bázi tranzistoru T 1 je signál Uˆ i , který je také v emitoru T 1 , tedy 1 Uˆ i R 4 Uˆ R i 5 Iˆ C 1 Napětí na odporu R 3 se téměř nemění, proto se nemění ani proud Î 3 (signálově se mění jen nepatrně) Iˆ Iˆ E 1 B 2 Nyní již můžeme určit, že Iˆ C Iˆ E Uˆ R 2 2 1 2 R R i 4 4 R Zkratový proud je dán součtem kolektorového proudu Iˆ ZK Uˆ i 2 R4 R R R 4 5 5 Uˆ R Výstupní impedance je dána podílem napětí naprázdno i 5 5 5 Î C 2 a proudu odporem R 5 : uˆ 2 n a zkratového proudu Î ZK Zˆ výst uˆ Iˆ 2n ZK Uˆ i 2 R Uˆ i 1 R R4 R R R 4 5 5 4 5 1 R 5 2 R4 R5 R4 R5 R R 4 5 R R 4 5 R 4 1 2 2 4 5 2 4 R R R 5 5 2 R 4 R 5 1 R R 5) Tento způsob určení Î ZK je v linearizovaném modelu velmi náročný, v praxi by to mohlo být problematické. 156
Obvody s více tranzistory Všimněte si, že výstupní odpor není určen pouze odporem v kolektoru tranzistoru T 2 R 4 , R 5 , ale i způsobem zavedení zpětné vazby – jedná se o napěťovou zápornou zpětnou vazbu, která výstupní odpor zmenšuje. U CC Û i I B1 I C1 β 2·Î E1 Û i R 5 ← u 2 ideálně 0 V Î ZK Obr.: Určení zkratového proudu Î ZK – poměry při zkratu výstupu d) Nemá-li se měnit pracovní bod zesilovače, musíme připojit vhodný odpor pouze „střídavě“ – tj. „přes C“. Potřebujeme zvětšit zesílení – připojíme paralelně k odporu R 4 kombinaci R4C 4 podle obrázku Úprava zapojení obvodu k dosažení změny hodnoty napěťového zesílení – bez změny pracovního bodu a). Ve všech vztazích pak místo hodnoty odporu R 4 dosazujeme paralelní kombinaci R4C 4 R . 4 C4 R4 a) b) R 5 C' 4 R 4 R' 4 C' 5 R' 5 Obr. : Úprava zapojení obvodu k dosažení změny hodnoty napěťového zesílení – bez změny pracovního bodu: a) zapojení pro zvětšení napěťového zesílení b) zapojení pro zmenšení napěťového zesílení 157
- Page 105 and 106: Unipolární tranzistory 4.5 Chová
- Page 107 and 108: Unipolární tranzistory 4.6 Konstr
- Page 109 and 110: Unipolární tranzistory Charakteri
- Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
- Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
- Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
- Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
- Page 125 and 126: Unipolární tranzistory Mějme EMO
- Page 127 and 128: Unipolární tranzistory 10 4 I 2
- Page 129 and 130: Unipolární tranzistory U DS U U
- Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
- Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
- Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
- Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
- Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
- Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
- Page 185 and 186: Shrnutí základních vlastností z
- Page 187 and 188: Shrnutí základních vlastností z
- Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
- Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
- Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
- Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
- Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
- Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
- Page 201 and 202: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
- Page 203 and 204: Operační zesilovače 9 Operační
- Page 205 and 206: Operační zesilovače Napětí na
Obvody s více tranzistory<br />
Všimněte si, že výstupní odpor není určen pouze odporem v kolektoru tranzistoru T 2 R 4 ,<br />
R 5 , ale i způsobem zavedení zpětné vazby – jedná se o napěťovou zápornou zpětnou vazbu, která<br />
výstupní odpor zmenšuje.<br />
U CC<br />
Û i<br />
I B1<br />
I C1<br />
β 2·Î E1<br />
Û i<br />
R 5<br />
← u 2 ideálně 0 V<br />
Î ZK<br />
Obr.: Určení zkratového proudu Î ZK – poměry při zkratu výstupu<br />
d) Nemá-li se měnit pracovní bod zesilovače, musíme připojit vhodný odpor pouze „střídavě“ – tj.<br />
„přes C“. Potřebujeme zvětšit zesílení – připojíme paralelně k odporu R 4 kombinaci R4C<br />
<br />
4<br />
podle<br />
obrázku Úprava zapojení obvodu k dosažení změny hodnoty napěťového zesílení – bez změny<br />
pracovního bodu a). Ve všech vztazích pak místo hodnoty odporu R 4 dosazujeme paralelní kombinaci<br />
R4C 4<br />
<br />
R .<br />
4 C4<br />
R4<br />
a) b)<br />
R 5<br />
C' 4<br />
R 4<br />
R' 4<br />
C' 5 R' 5<br />
Obr. : Úprava zapojení obvodu k dosažení změny hodnoty napěťového<br />
zesílení – bez změny pracovního bodu:<br />
a) zapojení pro zvětšení napěťového zesílení<br />
b) zapojení pro zmenšení napěťového zesílení<br />
157