![Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu](https://img.yumpu.com/36608539/155/500x640/studijna-text-pdf-personalizace-va-1-2-uky-prostaednictva-m-e-learningu.jpg)
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Obvody s více tranzistory 7) Ze známé hodnoty proudu I C určíme bázový proud I 2 B tranzistoru T 2 2 , opět předpokládáme, že pro proudový zesilovací činitel 2 100 I B 2 I C 2 8, 93 A 2 Předpoklad z bodu 4) je splněn – proud 107 A» 8 ,93A. 8) Platí: U CE U 1 CC U4 U EB 2 12 1 0, 6 10, 4V Poznámka: Tranzistor T 1 spíše „dodává proud“ do báze tranzistoru T 2 , napětí na odporu R 3 se při signálovém buzení téměř nemění. U EE 2 U CC U C 2 12 6 6 V Můžeme konstatovat, že pracovní poměry zapojení jsou dostatečně určeny. Řešení: Příklad 5.4 Pro zesilovač z příkladu 5.3 na obrázku určete orientační hodnotu: a) napěťového přenosu (zesílení) zapojení b) vstupního odporu (vstupní impedance) zapojení c) výstupního odporu (výstupní impedance) zapojení d) naznačte způsob změny zesílení (bez změny pracovního bodu) Předpokládejte, že impedance vazebních kapacit je zanedbatelná. a) Předpokládejte, že na bázi je signál Uˆ i . Tento signál se prakticky celý přenese do emitoru T 1 , tedy Uˆ ˆ 4 U i Odporem R 4 protéká proud Iˆ Uˆ 4 i R 4 Z hlediska signálových změn nyní nabývá na významu poznámka z bodu 8) z příkladu 5.3. Napětí U EB se téměř nemění, všechny změny proudu 2 Iˆ ˆ E I 1 C jsou prakticky vyvolány pouze 1 změnami proudu báze T 2 : Iˆ ˆ « B I C 2 2 2 Î C 2 Ze signálového hlediska proto platí, že 154
Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ . 4 C 2 tzn., že prakticky celý proud Î 4 protéká přes odpor R 5 . Takže výstupní napětí û 2 je rovno Uˆ R 5 uˆ 2 Uˆ 4 R5 Iˆ Uˆ i R5 Uˆ C 1 2 i i R4 R4 Napěťový přenos zesílení je uˆ R ˆ 2 5 U 1 → jedná se o neinvertující zesilovač U ˆ i R4 P b) Pro určení vstupní impedance musíme určit hodnotu bázového proudu tranzistoru (signálové poměry). Z bodu a) vyplývá, že platí: T Iˆ 1 B 1 Iˆ Uˆ C 2 i R 4 Odporem R 4 protéká proud Iˆ Uˆ 4 i R 4 Iˆ B Uˆ i 2 R 2 4 Uˆ R Uˆ 4 Iˆ Iˆ i i C 1 B → 2 2 R4 2 všechny signálové změny jsou vyvolány proudem Î B 2 Iˆ Iˆ Uˆ R B1 C 1 1 i 4 1 2 V tomto okamžiku již můžeme určit vstupní impedanci Zˆ vst B Pro hodnoty Zˆ vst Uˆ Iˆ i B1 R 4 1 2 155 Ẑ vst („do báze tranzistoru T 1 “). R4 RE 1k a 1 2100 dostaneme hodnotu vstupní impedance R4 1 210 10 10 3 4 7 Vstupní odpor není určen pouze odporem R 4 a proudovým zesilovacím činitelem tranzistoru T 1 , ale i zavedenou zpětnou vazbou – R 4 , R 5 – jedná se o sériovou zápornou zpětnou vazbu, která zvětšuje vstupní odpor. Paralelně „k bázi tranzistoru T 1 “ je také připojen napájecí obvod R 1 , R 2 . Celý vstupní odpor tedy je
- Page 103 and 104: Unipolární tranzistory Předpokl
- Page 105 and 106: Unipolární tranzistory 4.5 Chová
- Page 107 and 108: Unipolární tranzistory 4.6 Konstr
- Page 109 and 110: Unipolární tranzistory Charakteri
- Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
- Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
- Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
- Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
- Page 125 and 126: Unipolární tranzistory Mějme EMO
- Page 127 and 128: Unipolární tranzistory 10 4 I 2
- Page 129 and 130: Unipolární tranzistory U DS U U
- Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
- Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
- Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
- Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
- Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
- Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
- Page 185 and 186: Shrnutí základních vlastností z
- Page 187 and 188: Shrnutí základních vlastností z
- Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
- Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
- Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
- Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
- Page 197 and 198: Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
- Page 199 and 200: Vliv vazebních kapacit C out f d
- Page 201 and 202: Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
- Page 203 and 204: Operační zesilovače 9 Operační
Obvody s více tranzistory<br />
Iˆ Iˆ<br />
.<br />
4 C 2<br />
tzn., že prakticky celý proud Î 4 protéká přes odpor R 5 .<br />
Takže výstupní napětí û 2 je rovno<br />
Uˆ<br />
R<br />
<br />
5<br />
uˆ<br />
2 Uˆ<br />
4 R5<br />
Iˆ<br />
Uˆ<br />
i<br />
R5<br />
Uˆ<br />
C<br />
1<br />
2<br />
i<br />
i<br />
R4<br />
R4<br />
Napěťový přenos zesílení je<br />
uˆ<br />
R<br />
ˆ 2 5<br />
U 1<br />
→ jedná se o neinvertující zesilovač<br />
U ˆ<br />
i<br />
R4<br />
P<br />
<br />
<br />
<br />
b) Pro určení vstupní impedance musíme určit hodnotu bázového proudu tranzistoru<br />
(signálové poměry). Z bodu a) vyplývá, že platí:<br />
T Iˆ<br />
1 B 1<br />
Iˆ Uˆ<br />
C<br />
2<br />
i<br />
R<br />
4<br />
Odporem R 4 protéká proud<br />
Iˆ Uˆ<br />
4 i R 4<br />
Iˆ <br />
B<br />
Uˆ<br />
i<br />
2<br />
<br />
R<br />
2<br />
4<br />
Uˆ<br />
R<br />
Uˆ<br />
4<br />
Iˆ Iˆ<br />
i<br />
i<br />
C <br />
1<br />
B<br />
→<br />
2<br />
2 R4<br />
2<br />
všechny signálové změny jsou<br />
vyvolány proudem Î<br />
B 2<br />
Iˆ<br />
Iˆ<br />
Uˆ<br />
R<br />
B1 C <br />
1<br />
1 i 4 1 2<br />
V tomto okamžiku již můžeme určit vstupní impedanci<br />
Zˆ<br />
vst B<br />
<br />
Pro hodnoty<br />
Zˆ<br />
vst<br />
Uˆ<br />
Iˆ<br />
i<br />
B1<br />
R<br />
4<br />
<br />
<br />
1<br />
<br />
2<br />
155<br />
Ẑ vst („do báze tranzistoru T 1 “).<br />
R4 RE 1k<br />
a 1 2100<br />
dostaneme hodnotu vstupní impedance<br />
R4 <br />
1<br />
210<br />
10<br />
10<br />
3<br />
4<br />
7<br />
Vstupní odpor není určen pouze odporem R 4 a proudovým zesilovacím činitelem<br />
tranzistoru T 1 , ale i zavedenou zpětnou vazbou – R 4 , R 5 – jedná se o sériovou zápornou zpětnou<br />
vazbu, která zvětšuje vstupní odpor.<br />
Paralelně „k bázi tranzistoru T 1 “ je také připojen napájecí obvod R 1 , R 2 . Celý vstupní<br />
odpor tedy je
Change language