31.01.2015 Views

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Obvody s více tranzistory<br />

5 Obvody s více tranzistory<br />

Čas ke studiu: 10 hodin<br />

Cíl Po prostudování tohoto odstavce budete umět posoudit a vyřešit obvody s více<br />

tranzistory:<br />

kombinaci BJT a unipolárního tranzistoru<br />

Darlingtovo zapojení<br />

kaskodové zapojení<br />

principielní zapojení OZ<br />

komplementární zapojení tranzistorů<br />

VÝKLAD<br />

Na základě získaných vědomostí z předchozích kapitol jsme schopni vyřešit i složitější<br />

zesilovací struktury s více tranzistory. Pečlivě se musí řešit nastavení pracovních bodů, zvláště tehdy,<br />

nechceme-li používat velké množství oddělovacích kapacit. Tato problematika bude demonstrována<br />

na souboru řešených příkladů, které popisují základní obvodové situace.<br />

Příklad 5.1<br />

Na obrázku je Darlingtonovo zapojení<br />

s těmito parametry: U BE1 = U BE2 = 0,6 V,<br />

R C 100 , R E 10 , U CC = 20 V. Proudové<br />

zesílení je u obou tranzistorů stejné:<br />

100.<br />

1 2 <br />

a) Vypočítejte všechny proudy<br />

v zapojení s podmínkou, že proud<br />

IC 2<br />

odpovídá polovině maximálního<br />

kolektorového proudu.<br />

b) Jak velký bude odpor R B <br />

I C1<br />

R B R C<br />

I B1<br />

U BE1 I B2<br />

I C2<br />

U BE2<br />

I E2<br />

u 1 u 2<br />

R E<br />

U CC<br />

150<br />

Obrázek k příkladu 5.1: Darligtonovo zapojení

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!