![Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu](https://img.yumpu.com/36608539/146/500x640/studijna-text-pdf-personalizace-va-1-2-uky-prostaednictva-m-e-learningu.jpg)
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Unipolární tranzistory e) Stanovte proudové a výkonové zesílení. Příklad 4.2 Pro tranzistor NJFET (NMOSFET) s parametry U p 3, 5 V a IDSS 10mA určete odpory R D , R S a R G tak, aby se nastavil pracovní bod tranzistoru I D 5 mA, UDS 5 V při napájecím napětí U 25V. DD a) pro U 0 V GG b) pro U 8V GG U DD I D R D R G I G G U GS D S U DS I S R S U GG U S Obrázek k příkladu 4.2 Příklad 4.3 V zapojení na obrázku R D 5 , 1k, R S 1 k, R G 3 M a U DD 10V je použit tranzistor NMOSFET s vlastnostmi: U 120V, U 2 V, I 5 mA. Určete: a) strmost tranzistoru b) výstupní vodivosti kanálu (drain conductance) A P DSS 146
Unipolární tranzistory U DD I D R D I G G D U DS R G U GS I S S R S U S Obrázek k příkladu 4.3 Příklad 4.4 Na obrázku je zesilovač se společným vývodem S (SS) s tranzistorem NMOSFET – s parametry: indukovaný kanál; K = 2,96 mA/V 2 , U P = 2 V, U A = 156 V. Určete: a) pracovní bod zapojení b) prvky náhradního signálového zapojení c) vstupní odpor zapojení d) výstupní odpor zapojení je-li zadáno: R G 240k, R G 150 k 1 2 , , R D 1 k R 100 , R Z 1 k a U 10V. S DD R G1 R G2 G I D U GS I S D S R D R S U DD vstup U DS Obrázek k příkladu 4.5 R G1 C G R G2 I D D G U GS U RS S U RD R D C D U DS R S C S U DD výstup U S Obrázek k příkladu 4.4 147
- Page 95 and 96: áze I B . Hodnota odporu R E = 100
- Page 97 and 98: Bipolární tranzistory a) určete
- Page 99 and 100: Unipolární tranzistory 4 Unipolá
- Page 101 and 102: Unipolární tranzistory Unipolárn
- Page 103 and 104: Unipolární tranzistory Předpokl
- Page 105 and 106: Unipolární tranzistory 4.5 Chová
- Page 107 and 108: Unipolární tranzistory 4.6 Konstr
- Page 109 and 110: Unipolární tranzistory Charakteri
- Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
- Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
- Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
- Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
- Page 125 and 126: Unipolární tranzistory Mějme EMO
- Page 127 and 128: Unipolární tranzistory 10 4 I 2
- Page 129 and 130: Unipolární tranzistory U DS U U
- Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
- Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
- Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
- Page 179 and 180: Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
- Page 181 and 182: Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
- Page 183 and 184: Shrnutí základních vlastností z
- Page 185 and 186: Shrnutí základních vlastností z
- Page 187 and 188: Shrnutí základních vlastností z
- Page 189 and 190: ) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
- Page 191 and 192: Vliv vazebních kapacit R O - model
- Page 193 and 194: Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
- Page 195 and 196: Pro in Vliv vazebních kapacit ro
Unipolární tranzistory<br />
e) Stanovte proudové a výkonové zesílení.<br />
<br />
Příklad 4.2<br />
Pro tranzistor NJFET (NMOSFET) s parametry U p 3, 5 V a IDSS<br />
10mA určete<br />
odpory R D , R S a R G tak, aby se nastavil pracovní bod tranzistoru I D 5 mA, UDS<br />
5 V při<br />
napájecím napětí U 25V.<br />
DD<br />
a) pro U 0 V<br />
GG<br />
b) pro U 8V<br />
GG<br />
U DD<br />
I D<br />
R D<br />
R G<br />
I G<br />
G<br />
U GS<br />
D<br />
S<br />
U DS<br />
I S<br />
R S<br />
U GG<br />
U S<br />
Obrázek k příkladu 4.2<br />
<br />
Příklad 4.3<br />
V zapojení na obrázku R D 5 , 1k,<br />
R S 1 k,<br />
R G 3 M<br />
a U DD 10V<br />
je<br />
použit tranzistor NMOSFET s vlastnostmi: U 120V, U 2<br />
V, I 5 mA. Určete:<br />
a) strmost tranzistoru<br />
b) výstupní vodivosti kanálu (drain conductance)<br />
A<br />
P<br />
DSS<br />
146
Change language