Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Unipolární tranzistory
4.12.2 Zapojení SS se zdroji proudu
Z odvozených vztahů vyplývá, že pro běžné napájecí napětí U DD dosahují struktury
s tranzistory FET relativně malé hodnoty napěťového zesílení – mnohem menší než bipolární
tranzistory za srovnatelných podmínek. Díky malým hodnotám gm
gm
1 rm
je nutné zapojovat
velké hodnoty R D , to však vede (při dané hodnotě I D
k potřebě velkých hodnot napájecího napětí
U DD .
Zapojíme-li místo R D zdroj proudu, je možné dosáhnout i s tranzistory FET velkého
napěťového zesílení. Příklad zapojení [3] s tranzistory EMOSFET(N) – T 1 a proudovým zrcadlem
s EMOSFET(P) – T 3 , T 4 – je na obr. 4.32.
U DD
U SG
U SD
S 3
T 3
S 2
T 2
I R
R
D 3
vstup
D 2
D 1
I D1
T 1
S 1
výstup
Obr.4.32: Zesilovač SS (T 1 ) se zdrojem proudu v D 1 .
Proud I R je definován odporem R. Proudové zrcadlo by mělo pracovat v saturační oblasti.
Předpokládáme T 2, T3
identických vlastností K; U P 0 P kanál indukovaný
. Potom je proud
I R tranzistory T 2, T3
stejný a platí IR I D
I
R
Současně platí
R I
U
U
SG
GS
U
U
2
K
.
R
U
U
DD
U
SG
GS
U
DD
R I
DD
R
P
R I
Nyní již můžeme určit
úpravách dostaneme vztah
R
U
DD
R I
R
I R jako funkci R , dosazením do předchozího vztahu pro I R za
U GS
. Po
135