Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Unipolární tranzistory
4.12 Základní zapojení s FETy
Základní zapojení již byla do jisté míry popsána při zkoumání pracovního bodu.
4.12.1 Zapojení SS
Zapojení SS s tranzistory JFET je na obr. 4.20a nebo na obr. 4.22, obr. 4.23 –
přemostí-li se R S kapacitou C S tak velkou, že představuje zkrat pro signály. Ideální napájecí zdroj
napětí představuje pro signály také zkrat – jeho vnitřní odpor je roven nule.
Zapojení SS s tranzistorem EMOSFET(N) je na obr. 4.24 (opět musíme přemostit R s vhodným
kondenzátorem C S
nebo na obr. 4.25.
Pro uvedené obvody, kromě obvodu na obr. 4.25, platí signálové schéma uvedené na obr. 4.27 –
s využitím obecného signálového modelu z obr. 4.18 ( r DS zanedbejte, všechny kapacity představují
zkrat).
i D = i S
G
D
u 1
i 1
0 V
i S
S i
R g
r m
S
U m
R D
u 2
Obr. 4.27: Obecné signálové schéma pro zapojení SS s tranzistory FET
Z hlediska signálu se na vstupu zesilovače uplatňuje odpor
4.20a, obr. 4.23) nebo paralelní kombinaci R G 1
,
R g , který je roven odporu
R G 2
(obr. 4.22a, obr. 4.24).
R G (obr.
Na základě ideálního modulu určíme, že u m u1
(mezi G a interním vývodem S i je již nulový
úbytek napětí), proto
130