Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Unipolární tranzistory 2 2 U RS I 1 D I 1 GS D IDSS IDSS 1 U (4.26) P UP Úpravou vztahu (4.26) získáme vztah: 2 2 ID I 2 D I R 1 D S R 0 1 2 S (4.27) 1 U U I P porovnej se vztahem 4.20 . P Velmi často se volí ID I DSS 2 , obecně ID I DSS 2 , kde 1 vztahu (4.27) dostaneme k 2 2 DSS k pro JFET . Potom ze I 2 DSS I DSS RS 1 2 k R 1 1 k 0 2 S (4.28) U U P P Nyní už můžeme určit potřebnou hodnotu RS tranzistor, R a 1 G RS lze potom považovat za 1 zdroj proudu I k : R S a Správnou hodnotu D I DSS UP , b 1 k (4.29) k I I DSS k definuje vztah D I D SS U R P S 1 k (4.30) 1 k I DSS Platí R S 1 0 pro N kanál platí U P 0, tedy UP 0 . Určíme: U GS 1 k k I U k U R I R k I P S D S DSS DSS P 1 1 1 k IDSS To je správná hodnota, protože v pracovní oblasti musí platit 7) U tedy U 0 GS U P U GS P . Aby byl tranzistor v oblasti saturace, musí platit (4.31) 7) Správnost odvození můžeme ověřit i dosazením z (4.31) do (4.26): I D I DSS A toto je správně. U 2 1 k 2 I DSS 1 1 k k I DSS P 1 . U P 128
Unipolární tranzistory U DS U U U 1 GS P P k U U k P p Příklad 4.7 Určete R pro: U P 3 V, I DSS 10 mA, 0, 5 S 1 k I 0, 5 I 5 mA D DSS Řešení: 3 k 1 0,5 175, UP RS 1 7 1 2 k IDSS 0,5 10 pro k 0, 4 dostaneme R S 275, 7 , k 0, 6 dostaneme R 112, 7 . 1 Máme-li například U DD 10V (obr. 4.26) a volíme U DS 5 V , potom musí platit při 3 R 176 I D 5 mA, že napětí U I R R 5 176 R 5 10 . S 1 Odtud dostaneme 5 R S 2 176 824 . 3 510 Kdybychom na obr. 4.26 zařadili i odpor zachován proud napětí: U Poznámka: DD I S D S 1 S 2 S R D do vývodu D, pořád zůstane (při 1 S 2 R 176 ) I D 5 mA . Zvolme například R D 3 , 3 k a dopočítejme teď potřebné napájecí D R R U R I R R R I U S 1 S 2 DS 21,5 U DS 26,5 V . U 5 V DS D D Z výše uvedeného vyplývá, že práce s tranzistory FE je obtížnější než s bipolárními tranzistory. Pracovní proud se obvykle volí ID I DSS 2 JFETy až I DSS DMOSFETy – tzn., že záleží na konkrétním tranzistoru. Ale máme k dispozici obrovské vstupní odpory. Jiné vlastnosti, jak bude níže ukázáno, jsou již méně výhodné. S 1 S 2 D D DS S 1 129
- Page 77 and 78: Bipolární tranzistory A PSE A 2
- Page 79 and 80: Bipolární tranzistory R VST R RV
- Page 81 and 82: Bipolární tranzistory Uvažujme n
- Page 83 and 84: Bipolární tranzistory Za daných
- Page 85 and 86: Bipolární tranzistory RE 100 1,
- Page 87 and 88: Bipolární tranzistory 3.4.5 Vliv
- Page 89 and 90: Bipolární tranzistory R out ,2 1
- Page 91 and 92: Bipolární tranzistory u 2 i ci
- Page 93 and 94: Bipolární tranzistory 16. Jaký v
- Page 95 and 96: áze I B . Hodnota odporu R E = 100
- Page 97 and 98: Bipolární tranzistory a) určete
- Page 99 and 100: Unipolární tranzistory 4 Unipolá
- Page 101 and 102: Unipolární tranzistory Unipolárn
- Page 103 and 104: Unipolární tranzistory Předpokl
- Page 105 and 106: Unipolární tranzistory 4.5 Chová
- Page 107 and 108: Unipolární tranzistory 4.6 Konstr
- Page 109 and 110: Unipolární tranzistory Charakteri
- Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
- Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
- Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
- Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
- Page 125 and 126: Unipolární tranzistory Mějme EMO
- Page 127: Unipolární tranzistory 10 4 I 2
- Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
- Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
- Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
- Page 177 and 178: Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
Unipolární tranzistory<br />
U<br />
DS<br />
U U U 1<br />
GS<br />
P<br />
P<br />
k U<br />
U<br />
k<br />
P<br />
p<br />
Příklad 4.7<br />
Určete<br />
R pro: U P 3 V, I DSS<br />
10 mA,<br />
0, 5<br />
S 1<br />
k I<br />
0,<br />
5<br />
I 5 mA<br />
D<br />
DSS<br />
Řešení:<br />
3<br />
k 1<br />
0,5 175,<br />
<br />
UP<br />
RS<br />
1 7<br />
1<br />
2<br />
k IDSS<br />
0,5 10<br />
pro k 0, 4 dostaneme R S 275, 7 ,<br />
k 0,<br />
6 dostaneme R 112,<br />
7 .<br />
1<br />
Máme-li například U DD 10V<br />
(obr. 4.26) a volíme U DS 5 V , potom musí platit při<br />
3<br />
R 176 I D 5 mA, že napětí U I R<br />
R 5 176<br />
R <br />
5 10<br />
.<br />
S 1<br />
Odtud dostaneme<br />
5<br />
R S 2<br />
176 824 .<br />
3<br />
510<br />
Kdybychom na obr. 4.26 zařadili i odpor<br />
zachován proud<br />
napětí:<br />
U<br />
Poznámka:<br />
DD<br />
I<br />
S<br />
D<br />
S<br />
1<br />
S<br />
2<br />
S<br />
R D do vývodu D, pořád zůstane (při<br />
1<br />
S<br />
2<br />
R 176<br />
)<br />
I D 5 mA<br />
. Zvolme například R D 3 , 3 k<br />
a dopočítejme teď potřebné napájecí<br />
D<br />
<br />
R<br />
R U<br />
R I R<br />
R R <br />
I U<br />
<br />
S<br />
1<br />
S<br />
2<br />
DS<br />
21,5 U DS <br />
26,5 V .<br />
U 5 V<br />
DS<br />
D<br />
D<br />
Z výše uvedeného vyplývá, že práce s tranzistory FE je obtížnější než s bipolárními<br />
tranzistory. Pracovní proud se obvykle volí ID I DSS 2 JFETy až I DSS<br />
DMOSFETy – tzn., že<br />
záleží na konkrétním tranzistoru. Ale máme k dispozici obrovské vstupní odpory.<br />
Jiné vlastnosti, jak bude níže ukázáno, jsou již méně výhodné.<br />
S<br />
1<br />
S<br />
2<br />
D<br />
D<br />
DS<br />
S 1<br />
129