![Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu](https://img.yumpu.com/36608539/127/500x640/studijna-text-pdf-personalizace-va-1-2-uky-prostaednictva-m-e-learningu.jpg)
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Unipolární tranzistory Jaký pracovní bod se nastaví v zapojení na obr. 4.25, je-li K = 0,4 mA/V 2 , U DD 9 V , R G 470 k a R D 1, 5 k Řešení: Stále platí: U I GS D U K DS U DD R D I D U U K U R I U 2 GS P 2 DD D D P U 2 V a P Po úpravách dostaneme vztah 2 2 R U U 1 K I U U 0 2 2 R D ID D DD P D DD P (4.24) Pro dané podmínky dostáváme ze vztahu (4.24) výraz 6 2,2510 I 2 D 4 3 2,1 10 2,5 10 I 49 0 D 3 3 a řešením kvadratické rovnice získáme hodnoty 2, 878 10 A a 7, 56610 A . Fyzikální smysl má hodnota I D 2, 878 mA proud I D 7, 566 mA by vyvolal na R D větší úbytek napětí než je napětí U DD. Nyní už lze určit napětí U DS tedy i U GS : U U U R I 9 1,5 10 2,87810 4,683 V . GS Pro kontrolu: I D K což je dobrá shoda. DS DD D D 3 3 2 3 2 U U 0,4 10 4,683 2 2,789 mA GS P Příklad 4.6 Jaký pracovní bod se nastaví v zapojení na obr. 4.24, jsou-li dány vlastnosti tranzistoru EMOSFET(N) K = 3,5 mA/V 2 , U P 1,8 V a je zadáno U DD 10 V , R S 100 , R D 1 k a R G 2, 5 M , R G 1, 5 M 1 2 Řešení: Předpokládejme, že tranzistor zůstane v saturační oblasti a platí vztah I K U U 2 platí vztah U GS D GS P U R I , kde U U R R R 3,75V . Takže musí platit G S D G DD G 2 G1 G 2 . Dále I D K U R I U 2 G S D P dosazením a úpravami získáme vztah 2 2 R U U 1 K I U U 0 2 2 R S ID S G P D G P (4.25) Pro zadané podmínky získáme kvadratickou rovnici 126
Unipolární tranzistory 10 4 I 2 D 390 285,7 I 3,802 0 D a řešením kvadratické rovnice získáme hodnoty hodnota I D 6, 193mA . Nyní můžeme určit, že: 3 3 6193 , 10 A a 6137 , 10 A . Fyzikální smysl má R S I D 0,619 V U U DS GS U U DD G R 3 3 R R I 10 1,1 10 6,19310 3,19 V S D I D S D 3,75 0,619 3,151V U DSsat UGS U P 3,1311,8 1,331V 3,19 V pracovní bod leží skutečně v saturační oblasti (vstupní předpoklady jsou správné) 4.11.4 Nastavení pracovního bodu sledovače napětí [2]. Zapojení sledovače napětí s tranzistorem JFET(N) – nebo DMOSFET – je na obr. 4.26 U DD I D vstup C G R G D G S U GS U G U D S R S1 C S výstup U S R S2 Obr. 4.26: Sledovač napětí Předpokládejme, že proud hradlem G je prakticky nulový a proto U G 0 . Potom platí jednoduchý vztah U GS R S 1 I D Jestliže se tranzistor nachází v saturační oblasti, musí platit 127
- Page 75 and 76: Bipolární tranzistory u 2 i c r
- Page 77 and 78: Bipolární tranzistory A PSE A 2
- Page 79 and 80: Bipolární tranzistory R VST R RV
- Page 81 and 82: Bipolární tranzistory Uvažujme n
- Page 83 and 84: Bipolární tranzistory Za daných
- Page 85 and 86: Bipolární tranzistory RE 100 1,
- Page 87 and 88: Bipolární tranzistory 3.4.5 Vliv
- Page 89 and 90: Bipolární tranzistory R out ,2 1
- Page 91 and 92: Bipolární tranzistory u 2 i ci
- Page 93 and 94: Bipolární tranzistory 16. Jaký v
- Page 95 and 96: áze I B . Hodnota odporu R E = 100
- Page 97 and 98: Bipolární tranzistory a) určete
- Page 99 and 100: Unipolární tranzistory 4 Unipolá
- Page 101 and 102: Unipolární tranzistory Unipolárn
- Page 103 and 104: Unipolární tranzistory Předpokl
- Page 105 and 106: Unipolární tranzistory 4.5 Chová
- Page 107 and 108: Unipolární tranzistory 4.6 Konstr
- Page 109 and 110: Unipolární tranzistory Charakteri
- Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
- Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
- Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
- Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
- Page 125: Unipolární tranzistory Mějme EMO
- Page 129 and 130: Unipolární tranzistory U DS U U
- Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
- Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
- Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
- Page 171 and 172: Obvody s více tranzistory U CC I C
- Page 173 and 174: Obvody s více tranzistory U g g
- Page 175 and 176: Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
Unipolární tranzistory<br />
10<br />
4<br />
I<br />
2<br />
D<br />
<br />
390<br />
285,7 <br />
I 3,802 0<br />
D<br />
a řešením kvadratické rovnice získáme hodnoty<br />
hodnota I D 6,<br />
193mA<br />
. Nyní můžeme určit, že:<br />
3 3<br />
6193 , 10 A a 6137 , 10<br />
A . Fyzikální smysl má<br />
R S<br />
I D<br />
0,619 V<br />
U<br />
U<br />
DS<br />
GS<br />
U<br />
U<br />
DD<br />
G<br />
<br />
R<br />
3<br />
3<br />
R<br />
R <br />
I 10 1,1<br />
10<br />
6,19310<br />
3,19 V<br />
S<br />
D<br />
I<br />
D<br />
S<br />
D<br />
3,75<br />
0,619 3,151V<br />
U DSsat<br />
UGS<br />
U<br />
P 3,1311,8<br />
1,331V 3,19 V pracovní bod leží skutečně<br />
v saturační oblasti<br />
(vstupní předpoklady jsou<br />
správné)<br />
4.11.4 Nastavení pracovního bodu sledovače napětí<br />
[2].<br />
Zapojení sledovače napětí s tranzistorem JFET(N) – nebo DMOSFET – je na obr. 4.26<br />
U DD<br />
I D<br />
vstup<br />
C G<br />
R G<br />
D<br />
G<br />
S<br />
U GS<br />
U G<br />
U D S<br />
R S1<br />
C S<br />
výstup<br />
U S<br />
R S2<br />
Obr. 4.26: Sledovač napětí<br />
Předpokládejme, že proud hradlem G je prakticky nulový a proto U G 0 . Potom platí<br />
jednoduchý vztah<br />
U<br />
GS<br />
R<br />
S<br />
1<br />
I<br />
D<br />
Jestliže se tranzistor nachází v saturační oblasti, musí platit<br />
127
Change language