31.01.2015 Views

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Unipolární tranzistory<br />

Mějme EMOSFET(N), pro který platí K = 0,5 mA/V 2 , U P 2 V . Na obr. 4.25 je R D 1,<br />

5 k<br />

Dopočítejte napájecí napětí U DD tak, aby platilo, že UDS U DD 2 a tranzistor byl ve vhodném<br />

pracovním bodu.<br />

Řešení:<br />

Zvolíme vhodnou hodnotu R G 470 k<br />

. Platí UGS<br />

UDS<br />

, UDD<br />

RD<br />

ID<br />

UDS<br />

. Pro<br />

3<br />

U 2 proto platí I U<br />

2 R U<br />

2 15<br />

, 10<br />

. V saturační oblasti platí<br />

DS U DD<br />

D<br />

DD<br />

D<br />

DD<br />

tzn.<br />

I<br />

D<br />

K <br />

U<br />

2 R<br />

DD<br />

D<br />

U<br />

U<br />

2<br />

GS<br />

K <br />

P<br />

2<br />

U<br />

U<br />

<br />

GS<br />

P<br />

2 2 2<br />

U DD U<br />

DD <br />

4U<br />

P <br />

4U<br />

P 0<br />

(4.23)<br />

K RD<br />

<br />

Po dosazení dostaneme<br />

U<br />

2<br />

DD U DD<br />

<br />

<br />

4 2 <br />

<br />

510<br />

4<br />

2<br />

1,5<br />

10<br />

3<br />

<br />

<br />

4 2<br />

<br />

2<br />

0<br />

U<br />

2<br />

DD<br />

10,7<br />

U<br />

DD<br />

16<br />

0<br />

Řešením kvadratické rovnice získáme dvě napětí – U DD 8, 1<br />

903V a U DD 1, 2<br />

797<br />

U DD 1,797<br />

2<br />

V nemá smysl, protože je to menší hodnota než U P 2 V.<br />

Nyní určíme, že<br />

V. Druhé řešení<br />

I D<br />

<br />

3<br />

8,903<br />

2 1,5 10<br />

2,97 mA<br />

U<br />

DS<br />

U<br />

GS<br />

U<br />

DD<br />

R<br />

D<br />

I<br />

D<br />

8,9031,5<br />

10<br />

3<br />

2,9710<br />

3<br />

4,448 V U<br />

GS<br />

Nyní můžeme zkontrolovat I D pro dané U GS :<br />

I D<br />

510<br />

4<br />

<br />

2<br />

4,448<br />

2 2,996 mA<br />

Toto je dobrá shoda s výchozími předpoklady.<br />

.<br />

Musíme zkontrolovat i „saturační oblast“: U U U<br />

4,448<br />

2 2,484 V. Při<br />

U DS U<br />

GS 4,5 V je tranzistor v saturační oblasti, vztah pro výpočet I D byl použit oprávněně<br />

U 4,5 V 2,48 V .<br />

<br />

DS U DS sat<br />

<br />

DS sat<br />

GS<br />

P<br />

Příklad 4.5<br />

125

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!