31.01.2015 Views

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Unipolární tranzistory<br />

Z 2. KZ můžeme podle obr. 2.5.24 sestavit rovnici:<br />

3 <br />

U U R I 3,28 100510<br />

3,78 V .<br />

G<br />

GS<br />

S<br />

D<br />

Protože proud do hradla G je prakticky roven nule, stačí dopočítat nezatížený dělič<br />

Musí platit<br />

U<br />

R<br />

DD<br />

G<br />

1<br />

R<br />

R<br />

G<br />

G<br />

2<br />

2<br />

U<br />

G<br />

3,78 V.<br />

R G 1<br />

a<br />

Máme jednu rovnici a dvě neznámé R G a R <br />

1 G 2<br />

, proto jednu musíme zvolit – např. R G 1,<br />

5 M<br />

2<br />

. Potom dosazením do výše uvedeného vztahu a úpravou dostaneme:<br />

U <br />

R R <br />

<br />

DD<br />

10<br />

6<br />

G G 1<br />

RG<br />

<br />

1<br />

1,5 10<br />

1,65<br />

2, 475 M<br />

.<br />

1 2<br />

2<br />

UG<br />

3,78 <br />

Jiné možné nastavení pracovního bodu pro tranzistor EMOSFET(N) je na obr. 4.25.<br />

R G 2<br />

I D<br />

U DD<br />

vstup<br />

0<br />

R G<br />

G<br />

D<br />

R D<br />

C D<br />

U D S<br />

výstup<br />

C G<br />

S<br />

U GS<br />

Obr. 4.25: Nastavení pracovního bodu tranzistoru EMOSFET (N)<br />

pomocí odporu R G mezi D a S<br />

Proud hradlem G můžeme zanedbat <br />

v saturační oblasti musí platit:<br />

a také<br />

U<br />

U<br />

GS<br />

U<br />

DS<br />

U<br />

GS UDS<br />

UP<br />

.<br />

DSsat<br />

U<br />

GS<br />

U<br />

P<br />

U U . Pro správnou funkci EMOSFETu(N)<br />

DS<br />

GS<br />

Příklad 4.4<br />

124

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!