Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

str. 9395;
4 str. 70; 2
Unipolární tranzistory
3 str.171 . Pouze u zabudovaného kanálu však lze konstantu
K popsat pomocí I .
D SS
Příklad 4.3
Na obr. 4.24 je použit EMOSFET (N), předpokládáme parametry tranzistoru: U P 2 V , K=
3 mA/V 2 . Napájecí napětí zvolíme U DD 10 V, RS 100 a RD
1k
Určete R G1
a R G2
tak, aby
pracovní proud byl I D 5 mA
.
Řešení:
Pro
3
I D 5 mA
je U 10
510
5 V
Dále
I
D
RD
U RS
3
100510
3
0,5 V
U U
U
U
4,5 V.
DS
DD
RD
RS
K U
U
2
3
3
2
510
310
U
2 .
GS
P
GS
U DD
I D
U RD
vstup
C G
R G1
G
D
S
R D
C D
U D S
výstup
U GS
R G2
R S
U RS
C S
Obr. 4.24: Nastavení pracovního bodu u tranzistoru EMOSFET (N)
Po úpravách určíme výpočtem:
5
3
5
3
2
U
2 U 2 U 2
GS
GS
GS1,
2
5
3
3,28 V
0,72 V
Fyzikální smysl má
proud I D roven nule.
U U 2 V tj. U U 3 28 V . Při U U 0 72 V by byl
GS
P
GS
GS 1 ,
GS
GS 2 ,
Napětí
UGS
lze také určit z výstupních charakteristik daného tranzistoru.
123