![Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu](https://img.yumpu.com/36608539/121/500x640/studijna-text-pdf-personalizace-va-1-2-uky-prostaednictva-m-e-learningu.jpg)
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu Studijnà text [pdf] - Personalizace výuky prostÅednictvÃm e-learningu
Unipolární tranzistory Z příkladu vyplývá, že nastavení pracovního bodu zapojení podle obr. 4.20 je velmi citlivé na změnu parametrů tranzistoru. To není v sériové výrobě elektronických obvodů výhodné. Proto se používá poněkud složitější zapojení s napěťovým děličem na vstupu (H-typ napájení) – obr. 4.22. "Platí se" zvětšením stejnosměrného úbytku napětí na odporu R S , "méně napětí zbývá" na odpor R D , a to není příliš výhodné. Předpokládejme, že napětí (volíme) U G na R G2 je 8 V . Máme opět JFET: U P 3,5 V , D 10 mA . Požadujeme U DS 5 V , I D 5 mA . Proto i nyní musí platit ze vztahu (4.5) I SS 510 3 1010 3 1 U GS 3.5 2 U GS 1,025 V (viz příklad 4.1) (nebo ho opět získáme z výstupních charakteristik tranzistoru). Potom úbytek na odporu 4.22 – je roven hodnotě (z 2. KZ) R S – obr. U DD U DD I D I S U S R G1 R D U G R G2 R S C S C G D G S U GS C D U D S C G U SG S G D U SD C D U G R G2 I S R S US C S R G1 I D R D Obr. 4.22: Nastavení pracovního bodu (H-typ) pro tranzistor JFET a) s kanálem N b) s kanálem P U RS a musí platit U G U GS 1,025 9,025 V 8 U RS R S I S I S I D R S I D tedy R S U RS I D 9,025 510 3 1,805 k. Případné změny U P jsou proti hodnotě 9,025 V relativně méně významné než tomu bylo „proti hodnotě 1,025 V”. Na větším odporu R S vzniká silnější záporná zpětná vazba, ani změna hodnoty I nebude hrát takovou roli, jako tomu bylo v zapojení předchozím. DSS 120
Unipolární tranzistory odtud I nyní musí platit (2. KZ) U R DD D R D I D U DS R S I U DD UDS I D RS D Zvolíme-li i nyní U DD R D pouze15 V , obdržíme 3 15 5 5 10 1805 195 . (Tato hodnota není z hlediska zesílení vhodná, je malá) Zvolíme-li U 24 V, dostaneme DD R D 3 245 510 18051995. Pro hodnotu U DD 24 V určíme i R G a R 1 G . Zvolme R , M. 2 G 15 Protože vstupní proud 2 FETů je zanedbatelný, stačí počítat poměry v nezatíženém děliči, tedy odtud 6 , G 24 1 510 , 6 R 1 510 8 1 6 24 1,5 10 6 6 R G 1,5 10 310 3 M 1 8 Co se stane nyní při změně parametrů tranzistoru na platit vztah (4.5), ale dosazujeme do něj za U P 4 V, I DSS 12 mA Opět musí U GS U R I 1805 G S D 8 ID (4.21) Po úpravách dostaneme R S U 2 ID 2 P 2 1 U U G P RS I U P D I I D DSS 1 U U G P 2 0 (4.22) Pro U G 0 přechází tento vztah ve vztah (4.20), ten je tedy pouze speciálním případem vztahu (4.22). Pro zvolené poměry dostaneme ze vztahu (4.22) 203401 I 2 D 2789,3 I D 9 0 5 mA. Fyzikální smysl má řešení I D 5, 19 mA , což je změna pouze o 3,8 % proti základní hodnotě Stejným způsobem můžeme řešit napájecí obvod na obr. 4.23, kde napětí „nízkoimpedančním děličem” N R 1 N 2 kterém nevzniká prakticky žádný úbytek napětí – díky malým hodnotám I G . U G vytvoříme R G 1 M , na R , a vysoký vstupní odpor zaručíme zařazením 121
- Page 69 and 70: Bipolární tranzistory 3.3 Nastave
- Page 71 and 72: Požadujeme-li 2 CE U CC U je opě
- Page 73 and 74: Bipolární tranzistory Při zvolen
- Page 75 and 76: Bipolární tranzistory u 2 i c r
- Page 77 and 78: Bipolární tranzistory A PSE A 2
- Page 79 and 80: Bipolární tranzistory R VST R RV
- Page 81 and 82: Bipolární tranzistory Uvažujme n
- Page 83 and 84: Bipolární tranzistory Za daných
- Page 85 and 86: Bipolární tranzistory RE 100 1,
- Page 87 and 88: Bipolární tranzistory 3.4.5 Vliv
- Page 89 and 90: Bipolární tranzistory R out ,2 1
- Page 91 and 92: Bipolární tranzistory u 2 i ci
- Page 93 and 94: Bipolární tranzistory 16. Jaký v
- Page 95 and 96: áze I B . Hodnota odporu R E = 100
- Page 97 and 98: Bipolární tranzistory a) určete
- Page 99 and 100: Unipolární tranzistory 4 Unipolá
- Page 101 and 102: Unipolární tranzistory Unipolárn
- Page 103 and 104: Unipolární tranzistory Předpokl
- Page 105 and 106: Unipolární tranzistory 4.5 Chová
- Page 107 and 108: Unipolární tranzistory 4.6 Konstr
- Page 109 and 110: Unipolární tranzistory Charakteri
- Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
- Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
- Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
- Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
- Page 119: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
- Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
- Page 125 and 126: Unipolární tranzistory Mějme EMO
- Page 127 and 128: Unipolární tranzistory 10 4 I 2
- Page 129 and 130: Unipolární tranzistory U DS U U
- Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
- Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
- Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
- Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
- Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
- Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
- Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
- Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
- Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
- Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
- Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
- Page 157 and 158: Obvody s více tranzistory Všimně
- Page 159 and 160: Obvody s více tranzistory Řešen
- Page 161 and 162: Obvody s více tranzistory u u 0 0
- Page 163 and 164: U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
- Page 165 and 166: Obvody s více tranzistory U CC+ T
- Page 167 and 168: Obvody s více tranzistory U CC I D
- Page 169 and 170: Obvody s více tranzistory r e U I
Unipolární tranzistory<br />
odtud<br />
I nyní musí platit (2. KZ)<br />
U<br />
R<br />
DD<br />
D<br />
<br />
R<br />
D<br />
I<br />
D<br />
U<br />
DS<br />
R<br />
S<br />
I<br />
U<br />
DD UDS<br />
I D RS<br />
D<br />
Zvolíme-li i nyní<br />
U DD<br />
R D<br />
<br />
pouze15 V , obdržíme<br />
3<br />
15<br />
5 5<br />
10<br />
1805<br />
195 .<br />
(Tato hodnota není z hlediska zesílení vhodná, je malá) Zvolíme-li U 24 V, dostaneme<br />
DD<br />
R D<br />
<br />
3<br />
245 510<br />
18051995.<br />
Pro hodnotu U DD 24 V určíme i R G a R<br />
1 G . Zvolme R , M.<br />
2<br />
G 15<br />
Protože vstupní proud<br />
2<br />
FETů je zanedbatelný, stačí počítat poměry v nezatíženém děliči, tedy<br />
odtud<br />
6<br />
, G<br />
24 1 510<br />
,<br />
6<br />
R 1 510<br />
<br />
8<br />
1<br />
6<br />
24 1,5<br />
10<br />
6 6<br />
R G <br />
1,5<br />
10<br />
310<br />
3 M<br />
1<br />
8<br />
Co se stane nyní při změně parametrů tranzistoru na<br />
platit vztah (4.5), ale dosazujeme do něj za<br />
U P 4 V, I DSS<br />
12 mA<br />
Opět musí<br />
U<br />
GS<br />
U<br />
R I 1805<br />
G<br />
S<br />
D<br />
8 ID<br />
(4.21)<br />
Po úpravách dostaneme<br />
<br />
R<br />
S<br />
<br />
U<br />
<br />
2<br />
ID<br />
2<br />
P<br />
2 1<br />
<br />
<br />
U<br />
U<br />
G<br />
P<br />
<br />
<br />
<br />
RS<br />
I<br />
U<br />
P<br />
D<br />
<br />
I<br />
I<br />
D<br />
DSS<br />
1<br />
<br />
<br />
U<br />
U<br />
G<br />
P<br />
<br />
<br />
<br />
2<br />
0<br />
(4.22)<br />
Pro U G 0 přechází tento vztah ve vztah (4.20), ten je tedy pouze speciálním případem vztahu<br />
(4.22). Pro zvolené poměry dostaneme ze vztahu (4.22)<br />
203401<br />
I<br />
2<br />
D<br />
2789,3 I<br />
D<br />
9 0<br />
5 mA.<br />
Fyzikální smysl má řešení<br />
I D 5,<br />
19 mA<br />
, což je změna pouze o 3,8 % proti základní hodnotě<br />
Stejným způsobem můžeme řešit napájecí obvod na obr. 4.23, kde napětí<br />
„nízkoimpedančním děličem” N R<br />
1 N 2<br />
kterém nevzniká prakticky žádný úbytek napětí – díky malým hodnotám I G .<br />
U G vytvoříme<br />
R G 1 M , na<br />
R , a vysoký vstupní odpor zaručíme zařazením <br />
121
Change language