31.01.2015 Views

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

Unipolární tranzistory<br />

Z příkladu vyplývá, že nastavení pracovního bodu zapojení podle obr. 4.20 je velmi citlivé na<br />

změnu parametrů tranzistoru. To není v sériové výrobě elektronických obvodů výhodné. Proto se<br />

používá poněkud složitější zapojení s napěťovým děličem na vstupu (H-typ napájení) – obr. 4.22.<br />

"Platí se" zvětšením stejnosměrného úbytku napětí na odporu R S<br />

, "méně napětí zbývá" na odpor R D ,<br />

a to není příliš výhodné.<br />

Předpokládejme, že napětí (volíme) U G na R G2 je 8 V . Máme opět JFET: U P 3,5 V ,<br />

D 10 mA . Požadujeme U DS 5 V , I D 5 mA<br />

. Proto i nyní musí platit ze vztahu (4.5)<br />

I SS<br />

510<br />

3<br />

1010<br />

3<br />

<br />

<br />

1<br />

<br />

U<br />

GS<br />

3.5<br />

<br />

<br />

<br />

2<br />

<br />

U<br />

GS<br />

1,025 V<br />

(viz příklad 4.1)<br />

(nebo ho opět získáme z výstupních charakteristik tranzistoru). Potom úbytek na odporu<br />

4.22 – je roven hodnotě (z 2. KZ)<br />

R S – obr.<br />

U DD<br />

U DD<br />

I D<br />

I S<br />

U S<br />

R G1<br />

R D<br />

U G<br />

R G2<br />

R S<br />

C S<br />

C G<br />

D<br />

G<br />

S<br />

U GS<br />

C D<br />

U D S<br />

C G<br />

U SG<br />

S<br />

G<br />

D<br />

U SD<br />

C D<br />

U G<br />

R G2 I S R S<br />

US<br />

C S<br />

R G1<br />

I D<br />

R D<br />

Obr. 4.22: Nastavení pracovního bodu (H-typ) pro tranzistor JFET<br />

a) s kanálem N<br />

b) s kanálem P<br />

U<br />

RS<br />

a musí platit<br />

U<br />

G<br />

U<br />

GS<br />

1,025 9,025 V<br />

8 <br />

U<br />

RS<br />

R<br />

S<br />

I<br />

S<br />

<br />

I S I D<br />

R<br />

S<br />

I<br />

D<br />

tedy<br />

R<br />

S<br />

U<br />

RS<br />

I<br />

D<br />

9,025<br />

510<br />

3<br />

1,805 k.<br />

Případné změny U P jsou proti hodnotě 9,025 V relativně méně významné než tomu bylo<br />

„proti hodnotě 1,025 V”. Na větším odporu R S vzniká silnější záporná zpětná vazba, ani změna<br />

hodnoty I nebude hrát takovou roli, jako tomu bylo v zapojení předchozím.<br />

DSS<br />

120

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!