Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Unipolární tranzistory
V tomto modelu opravdu platí že (ideálně
i
S
i
D
u
GS
r
m
g
m
u
GS
r )
DS
Neideální hodnotu rDS
odhadneme pomocí vztahu (4.18).
Všimněte si, že takto definovaný model FETu je shodný s modelem pro bipolární tranzistory,
i 0 .
položíme-li jejich
b
4.10 Mezní parametry unipolárních tranzistorů
Mezní parametry tranzistorů JFET jsou ve výstupních charakteristikách definovány průrazným
napětím přechodu D a G (u vývodu D). Toto napětí se často označuje U BRDS.
Dále je definováno
napětí U BRGS,
a to při U DS 0 a I G 1
μA – toto je mezní napětí mezi G a S. Proud přechodem G-S
(je-li polarizován v propustném směru) nesmí překročit hodnotu I Gmax
. Omezena je i mezní výkonová
ztráta – maximální ztrátový výkon
P
Dmax
U
DS
I
D
viz obr. 4.19.
I D
(mA)
15
10
5
P D max
U BR DS
U GS = 0
U GS = -1 V
0 20 40 60 80 U DS (V)
Obr. 4.19: Znázornění průrazného napětí U BR DS ve výstupních charakteristikách
(s růstem│U GS │se U BR DS snižuje o hodnotu │U GS │– U GS totiž polarizuje
přechod G-D v závěrném směru)
Použité vrstvy dielektrika (SiO 2 ) u MOS struktur jsou velmi tenké (50 nm). Proto již při
malých hodnotách napětí dosahuje intenzita elektrického pole velkých hodnot, které mohou způsobit
průraz dielektrika mezi G a S. K destrukci dielektrika stačí asi 30 V. Na kapacitě lidského těla (100
300 pF) se za nepříznivých podmínek snadno indukuje statické napětí až 15 kV a to stačí ke zničení
116