Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Unipolární tranzistory
g
m
2
I
DSS
2
P
U
I
DP
2
I
DSS
U
P
I
DP
(4.14b)
Index P u U DS,
UGS
a I D se většinou neuvádí, platí identita
g
m
g
mo
1U
GS
U
P
U
2 I
GS
D
U
P
2
I
DSS
U
P
I
D
Volíme tvar, který nám u dané situace nejlépe vyhovuje.
Pro signálové změny v okolí pracovního bodu potom zjednodušeně platí
I i i ; U
u
D
nebo
kde
D
m
S
D
GS
GS
GS
g i u
(4.15)
u
GS iD
gm
rm
iD
(4.16)
rm 1 g m
(4.17)
je signálový odpor ve vývodu S (FETu), který definuje strmost.
Diferenční (signálový) odpor mezi vývody S a D je určen vztahem (4.10), tedy pro signály
platí ( u GS konst)
r u i
(4.18)
DS
DS
D
Signálově prakticky vždy platí iS
iD
a proudy protékají stejným směrem, proud i G 0.
Celý úbytek u GS musí vzniknout na odporu rm
1 gm
, aby byla správně modelována skutečnost podle
vztahu (4.15). Po nastavení vhodného pracovního bodu (P) potom platí pro všechny popsané struktury
stejný signálový model na obr. 4.18.
D
i D
G
0 V
i S
S i
rm 1 g m
r DS
u GS
S
Obr. 4.18: Obecné signálové schéma pro tranzistor FET, i G 0,
úbytek napětí mezi G a interním (nedostupným) vývodem S i je nulový
115