Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Unipolární tranzistory
Earlyho napětí
Změny saturační hodnoty proudu pro UDS U DS sat lze u tranzistorů FET definovat
(modelovat) pomocí Earlyho napětí (obdobně jako u bipolárního tranzistoru). „Prodlužování“
přímkové závislosti ID f U DS
pro různé hodnoty U GS se protnou v bodě A, které přísluší napětí
U A – obr. 4.17.
a) U U U
b)
I D
DS
GS
P
I D P
P
U GS
P
ΔI D
2,5 A
ΔU DS
5 V
U
A
U
DSP
U
DS
U
DS
r 2 M
DS
I
D
Obr. 4.17: a) Znázornění Earlyho napětí
b) Detail v okolí pracovního bodu P
U A pro (N)FET
V saturační oblasti nyní přibližně platí
U
A
U DS P
při uvážení vlivu U
A
I
D A
I
D
U
I
A
D
1
U
DS
I
D
U
r
DS
DS
(4.9)
kde
I
D je určeno ze vztahů (4.5) nebo (4.4) a U
A udává výrobce (jeho absolutní hodnotu) nebo je
I f U , U konst . Diferenční odpor mezi D a S je 6)
určeno z grafů
D
DS
GS
r
DS
U
U
DS
A
(4.10)
I
I
D
D
U konst
GS
6)
Vztahy plynou z směrnicového tvaru přímky: y = kx + q, která prochází bodem U A (