Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Unipolární tranzistory
I
D
I DSS
1
U
U
GS
P
m
kde m = 1,9 2,2 – podle konstrukce. Volíme-li tedy m = 2 – je to rozumný kompromis.
Ze vztahu (4.3) obdržíme pro
UDS U DS P – odporová oblast – proud I D :
kde
I
I
D
D
IDSS
U
GS
2K UGS
UP
UDS
2 UGS
UP
UDS
2IDSS
U
1
U
P
P
2
P
IDSS
UGS
UGS
2
1
U DS G
U
DS
U U
0 1
P
U
(4.6)
P
2 I D SS
G 0
0
(4.7)
U
P
U
U
DS
P
protože U 0.
P
Tranzistor lze v této oblasti použít jako řízený (lineární) odpor. Odpor kanálu (mezi D a S) je
R
DS
U
I
DS
D
G
0
1
1U
GS
U
P
(4.8)
DMOSFETy (s kanálem typu N)
Pro DMOSFETy je situace obdobná; U P 0 , U U
, U max 0 .
Pro UGS
UP
je
I D 0 – viz obr. 4.15 a obr. 4.16. Proti JFETu se pouze „povolí“ napětí UGS
0,
které však nesmí
překročit hodnotu U GSmax
– při té dochází k elektrickému průrazu dielektrika (k destrukci tranzistoru).
Proto i pro DMOSFETy platí vztahy (4.5) až (4.8). Pouze napětí U P je často nahrazováno symbolem
U ( U – Treshold voltage – prahové napětí).
T
T
GS
P
GS
EMOSFETy (s kanálem typu N)
I u EMOSFETů se místo
tyto tranzistory nemůžeme určit hodnotu
přímo vztahy (4.3) a (4.4).
U T . Platí U P 0,
ID
0 pro UGS U P . Pro
I při 0 – zde již nepracují. Proto se používají
U P používá symbol
U
DSS
GS
112