Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Unipolární tranzistory
Charakteristiky na obr. 4.13 a obr. 4.9 jsou velmi podobné, liší se pouze rozsahem možných
hodnot U GS.
4.7 Konstrukce a princip tranzistoru se zabudovaným kanálem
(DMOSFET, depletion mode)
Průřez tranzistoru MOSFET se zabudovaným kanálem typu N je na obr. 4.14. Vývody S a D
jsou trvale propojeny kanálem typu N (zabudovaným). Označení vývodů je i zde stejné jako u
tranzistoru JFET.
a)
S G D
kov
N+
N
N+
P
Si 0 2
Zabudovaný kanál N (50 100 nm)
b) c)
D
I D
D
I D
U GS
0
G
S
U DS
0
U GS
0
G
S
U DS
0
I S = I D
I S = I D
Obr. 4.14: a) Průřez tranzistorem MOSFET se zabudovaným kanálem typu N
b) Symbolická značka tranzistoru MOSFET se zabudovaným kanálem N
c) Symbolická značka tranzistoru MOSFET se zabudovaným kanálem P
Struktura na obr. 4.14a může pracovat:
a) v ochuzovacím režimu – UGS
0,
záporné napětí na G „vytlačuje“ přes dielektrikum (příčné pole)
ze zabudovaného kanálu elektrony. Odpor kanálu roste. Při U U
P 0 je kanál uzavřen, I 0.
GS
D
109