StudijnÃ text [pdf] - Personalizace vÃ½uky prostÅednictvÃm e-learningu

More documents

Recommendations

Info

Unipolární tranzistory Odporová oblast U DS P U U parabola GS P I D I DSS U GS 0 Saturační oblast U GS1 0 U U GS2 GS1 U GS3 U GS2 UP U DS U U GS3 P U U GS2 P Obr. 4.9: Výstupní charakteristiky tranzistoru NJFET a) S G D kov Si 0 2 obecně i jiné dielektrikum N+ N+ P b) c) D I D D I D U GS 0 G S U DS 0 U GS 0 G S U DS 0 I S = I D I S = I D Obr. 4.10: a) Průřez tranzistorem MOSFET s indukovaným kanálem typu N b) Symbolická značka tranzistoru MOSFET s indukovaným kanálem N – přerušovaná čára mezi D a S symbolizuje, že kanál musí být indukován c) Symbolická značka tranzistoru MOSFET s indukovaným kanálem P 106
Unipolární tranzistory 4.6 Konstrukce a princip činnosti tranzistorů s indukovaným kanálem (EMOSFET, enhancement mode) Průřez tranzistorem MOSFET s indukovaným kanálem typu N je na obr. 4.10. Označení vývodů je stejné jako u tranzistoru JFET. Struktura na obr. 4.10a pracuje pouze v tzv. obohacovacím režimu (enhancement mode). Při UGS 0 jsou vývody S a D jednoduše rozpojeny (dioda D – oblast P je pro UDS 0 zavřená). Teprve pro UGS UP 0 se indukuje kanál typu N pod vrstvou oxidu křemíku (Si0 2 ). Kovová vrstva hradla G tvoří přes dielektrickou vrstvu proti vrstvě P kondenzátor. Je-li napětí UGS 0 jsou díry v polovodiči typu P odpuzovány (příčným elektrickým polem) od hradla G. Při dosažení hodnoty U GS U P 0 se na rozhraní Si0 2 a vrstvy P indukují volné elektrony a propojí oblasti N + (pod elektrodami S, D). Při dalším růstu UGS se kanál dále obohacuje o volné elektrony (stále více děr je odtlačováno od hradla), vodivý kanál se rozšiřuje. 4.11. Průběh proudu v závislosti na U (a při U DS konst. ) je kvalitativně znázorněn na obr. GS I D U DS = konst 1 2 3 U GS U P Obr. 4.11: Kvalitativní znázornění závislosti f pro EMOSFET s kanálem N I při U DS konst. D U GS Je-li napětí UDS malé, je vodivý kanál mezi S a D stejně hluboký. Začne-li se UDS zvětšovat probíhá stejný jev jako u tranzistoru JFET. Napětí na kapacitě „G-P“ (na dielektriku) v blízkosti vývodu D klesá. Při U právě platí, že napětí mezi G a oblastí P (u vývodu D) je rovno hodnotě U P, 4.12: U GS DS U DS sat proud již dále neroste, indukovaný kanál v oblasti D je téměř přerušen. Platí tedy – obr. U DIEL U U sa U U DS DS U P U DIEL U GS U DSsat t GS P (4.2) Pro indukovaný kanál typu P platí úplně stejné úvahy s tím, že se zamění typy vodivostí a polarita napájecích napětí a proudů – viz obr. 4.10c. Výstupní charakteristiky jsou kvalitativně zachyceny na obr. 4.13. 107
Page 1 and 2:
Vysoká škola báňská - Technick
Page 3 and 4:
OBSAH 1 ZÁKLADY ANALÝZY OBVODŮ S
Page 5 and 6:
CD-ROM ............................
Page 7 and 8:
12 GENERÁTORY OBDÉLNÍKOVÉHO A P
Page 9 and 10:
definovat ... vyřešit ... Ihned
Page 11 and 12:
Základy analýzy obvodů s neline
Page 13 and 14:
Page 15 and 16:
Page 17 and 18:
1.4 Grafické řešení nelineárn
Page 19 and 20:
Page 21 and 22:
Page 23 and 24:
Page 25 and 26:
Page 27 and 28:
Polovodičové diody 2 Polovodičov
Page 29 and 30:
Polovodičové diody 2.2 Přechod P
Page 31 and 32:
Polovodičové diody T = absolutní
Page 33 and 34:
Polovodičové diody C K S 3 0
Page 35 and 36:
Polovodičové diody g d D D U D
Page 37 and 38:
Polovodičové diody Pro U S = - 10
Page 39 and 40:
Polovodičové diody I D Lavinový
Page 41 and 42:
Polovodičové diody Z aplikace Ohm
Page 43 and 44:
Polovodičové diody Problém na ob
Page 45 and 46:
Polovodičové diody W g h (2.18
Page 47 and 48:
Polovodičové diody 2.5 Druhy diod
Page 49 and 50:
Polovodičové diody a) statický o
Page 51 and 52:
Polovodičové diody G d R d C d N
Page 53 and 54:
Příklad 2.7 Polovodičové diody
Page 55 and 56: Bipolární tranzistory 3 Tranzisto
Page 57 and 58: Bipolární tranzistory Určitá č
Page 59 and 60: Bipolární tranzistory Jedná se o
Page 61 and 62: I I I I Bipolární tranzisto
Page 63 and 64: Bipolární tranzistory U BEP UT U
Page 65 and 66: Bipolární tranzistory 3.2.3 Tranz
Page 67 and 68: Bipolární tranzistory Proud I CB0
Page 69 and 70: Bipolární tranzistory 3.3 Nastave
Page 71 and 72: Požadujeme-li 2 CE U CC U je opě
Page 73 and 74: Bipolární tranzistory Při zvolen
Page 75 and 76: Bipolární tranzistory u 2 i c r
Page 77 and 78: Bipolární tranzistory A PSE A 2
Page 79 and 80: Bipolární tranzistory R VST R RV
Page 81 and 82: Bipolární tranzistory Uvažujme n
Page 83 and 84: Bipolární tranzistory Za daných
Page 85 and 86: Bipolární tranzistory RE 100 1,
Page 87 and 88: Bipolární tranzistory 3.4.5 Vliv
Page 89 and 90: Bipolární tranzistory R out ,2 1
Page 91 and 92: Bipolární tranzistory u 2 i ci
Page 93 and 94: Bipolární tranzistory 16. Jaký v
Page 95 and 96: áze I B . Hodnota odporu R E = 100
Page 97 and 98: Bipolární tranzistory a) určete
Page 99 and 100: Unipolární tranzistory 4 Unipolá
Page 101 and 102: Unipolární tranzistory Unipolárn
Page 103 and 104: Unipolární tranzistory Předpokl
Page 105: Unipolární tranzistory 4.5 Chová
Page 109 and 110: Unipolární tranzistory Charakteri
Page 111 and 112: Unipolární tranzistory 4.8 Ampér
Page 113 and 114: Unipolární tranzistory Earlyho na
Page 115 and 116: Unipolární tranzistory g m 2 I
Page 117 and 118: Unipolární tranzistory dielektrik
Page 119 and 120: Unipolární tranzistory b) Ze vzta
Page 121 and 122: Unipolární tranzistory odtud I ny
Page 123 and 124: str. 9395; 4 str. 70; 2 Unipol
Page 125 and 126: Unipolární tranzistory Mějme EMO
Page 127 and 128: Unipolární tranzistory 10 4 I 2
Page 129 and 130: Unipolární tranzistory U DS U U
Page 131 and 132: Unipolární tranzistory i i S D u
Page 133 and 134: Unipolární tranzistory R G i 2 i
Page 135 and 136: Unipolární tranzistory 4.12.2 Zap
Page 137 and 138: Unipolární tranzistory V signálo
Page 139 and 140: Unipolární tranzistory 2 2 1
Page 141 and 142: A Unipolární tranzistory SG u2 u
Page 143 and 144: Unipolární tranzistory u R S 2 S2
Page 145 and 146: Příklad 4.1 Unipolární tranzist
Page 147 and 148: Unipolární tranzistory U DD I D R
Page 149 and 150: Unipolární tranzistory CD-ROM Ote
Page 151 and 152: Obvody s více tranzistory Řešen
Page 153 and 154: Obvody s více tranzistory Řešen
Page 155 and 156: Obvody s více tranzistory Iˆ Iˆ
Page 157 and 158:
Obvody s více tranzistory Všimně
Page 159 and 160:
Obvody s více tranzistory Řešen
Page 161 and 162:
Obvody s více tranzistory u u 0 0
Page 163 and 164:
U U R U U 0,4 V 0 1 BE 2 U R1 U
Page 165 and 166:
Obvody s více tranzistory U CC+ T
Page 167 and 168:
Obvody s více tranzistory U CC I D
Page 169 and 170:
Obvody s více tranzistory r e U I
Page 171 and 172:
Obvody s více tranzistory U CC I C
Page 173 and 174:
Obvody s více tranzistory U g g
Page 175 and 176:
Parazitní kapacity 6.1 Vliv kapaci
Page 177 and 178:
Parazitní kapacity Pro 3 Pro vysok
Page 179 and 180:
Parazitní kapacity 6.2 Vliv kapaci
Page 181 and 182:
Parazitní kapacity Uˆ 2 20log ˆ
Page 183 and 184:
Shrnutí základních vlastností z
Page 185 and 186:
Page 187 and 188:
Page 189 and 190:
) BJT SB c) BJT SC d) MOSFET induko
Page 191 and 192:
Vliv vazebních kapacit R O - model
Page 193 and 194:
Vliv vazebních kapacit 20 log Uˆ
Page 195 and 196:
Pro in Vliv vazebních kapacit ro
Page 197 and 198:
Vliv vazebních kapacit Uˆ 2 20 lo
Page 199 and 200:
Vliv vazebních kapacit C out f d
Page 201 and 202:
Vliv vazebních kapacit U CC R 1 R
Page 203 and 204:
Operační zesilovače 9 Operační
Page 205 and 206:
Operační zesilovače Napětí na
Page 207 and 208:
Operační zesilovače 9.3 Reálné
Page 209 and 210:
Operační zesilovače Uˆ 1 R1R
Page 211 and 212:
Operační zesilovače Pro kmitočt
Page 213 and 214:
Operační zesilovače Pro kmitočt
Page 215 and 216:
Operační zesilovače Příklad 9
Page 217 and 218:
Zpětná vazba 10 Zpětná vazba Č
Page 219 and 220:
Tento vztah má obecný význam. M
Page 221 and 222:
Pˆ P 1 P ao ao P Z j D 1 PaoPZ
Page 223 and 224:
Zpětná vazba 10.3 Vliv zpětné v
Page 225 and 226:
Zpětná vazba P ˆ Z R1 R1 R2 j
Page 227 and 228:
Zpětná vazba P ˆ P 10 1000 110
Page 229 and 230:
Zpětná vazba b) A o = 10 5 ; f 1
Page 231 and 232:
Oscilátory Změnou teploty (nutno
Page 233 and 234:
Oscilátory 11.2 Oscilátory RC Os
Page 235 and 236:
Oscilátory R t konstantní, R f
Page 237 and 238:
Oscilátory výstupní odpor zesilo
Page 239 and 240:
Oscilátory 11.2.4.2 Oscilátoru RC
Page 241 and 242:
Oscilátory V praxi je hodnota odpo
Page 243 and 244:
Oscilátory Úlohy k řešení 11
Page 245 and 246:
Generátory obdélníkového a pilo
Page 247 and 248:
Page 249 and 250:
tedy pro U i R R Hystereze obvodu
Page 251 and 252:
Page 253 and 254:
u C t U OM R a R R Dříve ne
Page 255 and 256:
12.2.2 Astabilní klopný obvod s t
Page 257 and 258:
12.3 Generátor pilového napětí
Page 259 and 260:
4. Popište astabilní klopný obvo
Page 261 and 262:
Page 263 and 264:
Klíč k řešení 0.3 Jedná se o
Page 265 and 266:
Klíč k řešení a) Napěťová z
Page 267 and 268:
Klíč k řešení Dalším porovn
Page 269 and 270:
Klíč k řešení Obr.: Charakteri
Page 271 and 272:
Klíč k řešení I CP P U CEP zat
Page 273 and 274:
Klíč k řešení c) R V = 18,63 k
Page 275 and 276:
C 1opt =10,11 F, C 2 opt =9,82 F, C
Page 277 and 278:
Klíč k řešení 10.7 a) f HZ = 1
Page 279 and 280:
Literatura Literatura 1 Mohylová,
Page 281:
Rejstřík přechod P-N, 29 reaktan
show all

StudijnÃ­ text [pdf] - Personalizace vÃ½uky prostÅednictvÃ­m e-learningu

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?

StudijnÃ text [pdf] - Personalizace vÃ½uky prostÅednictvÃm e-learningu