Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Unipolární tranzistory
4.5 Chování tranzistoru při U 0 a U 0
GS
Pro UGS
0 se oba mechanismy sčítají. Závěrné napětí U R na přechodu G-S je superpozicí
napětí U a úbytků napětí vyvolaných proudem I . Rovnovážný (saturovaný) stav nastane při
GS
napětí U DSP , kdy napětí U R (v blízkosti D, UK U DS P - obr. 4.5a) dosáhne právě hodnoty U P , tedy
D
DS
U
R
U
P
U
DS P
U
GS
odtud určíme že U P UP
pro
U
P
0
U
DS P
U P U
GS U GS U
P
(4.1)
Úměrně růstu hodnoty UGS poklesu U GS
se zmenšuje hodnota proudu I D
i
hodnota
U DSP
, při které dojde k saturaci, protože s růstem UGS
se rozšiřuje ochuzená oblast po celé délce
kanálu dGS
do
– obr. 4.8 – tedy odpor kanálu roste. Na „stejnou“ hodnotu napětí máme menší proud
I D (vyvolaným napětím U DS ). Při UGS
UP
již neprotéká proud vůbec.
D
I D
P+
U GS
d GS
N
I S = I G
U DS
S
Obr. 4.8: Znázornění ochuzené oblasti při U GS 0
oblasti.
Pro
UDS U DS P je proud I D přibližně lineární funkcí napětí U DS ,
hovoříme o odporové
UDS U DS P není proud D
U
I
Pro
(oblast velkého odporu,
znázorněny na obr. 4.9.
DS
I (ideálně) funkcí napětí U , hovoříme o saturační oblasti
D
DS
). Ampérvoltové charakteristiky jsou kvalitativně
U tranzistoru JFET se vždy určitá část kanálu ochuzuje o nosiče a tím se mění jeho odpor –
ochuzovací mód (depletion mode).
105