Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Unipolární tranzistory
elektrod D a S zaručují dobrý ohmický kontakt těchto vývodů. Situace je zjednodušeně znázorněna na
obr. 4.5.
a) b)
S G D
S G D
N+ P+ N+
P+
N
P+ N+ P+
N+
P
kanál N
G
A. D
S
kanál P
G
D
S
Obr. 4.4: Průřez tranzistorem a symbolická značka tranzistoru
a) (N) JFET
b) (P) JFET
Za normální situace musí platit U GS 0. Přechod P-N (G-S) je uzavřen a vstupní proud I G je
dán pouze proudem diody (přechodu) v závěrném směru (řádově pA). Vstupní odpor R GS je značný –
10 12 Ω a větší. Pro U GS 0 by se přechod P-N otevřel a pokud by proud v hradle G nebyl omezen
externím (zapojeným) odporem, došlo by ke zničení tranzistoru. Pro U DS 0 by se přechod mohl také
otevřít.
4.3 Chování tranzistoru při U 0
D
DS
U GS
G
typ P+
I G = 0
U R
d
N
U K
I D
U DS
U GS
I G = 0
G
I S
D
I D
S
U DS
I S
S
a) b)
Obr. 4.5: a) Principiální struktura přechodového tranzistoru s kanálem N – NJFET
b) Zapojení s použitím symbolické značky
102