31.01.2015 Views

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

Studijní text [pdf] - Personalizace výuky prostřednictvím e-learningu

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

Unipolární tranzistory<br />

Proto se nazývají unipolární tranzistory. Odpor kanálu je řízen elektrickým polem, které<br />

vzniká přiložením napětí U mezi vývod S a vývod G (gate, hradlo viz obr. 4.1). Proud do hradla G<br />

lze z praktického hlediska považovat za nulový.<br />

GS<br />

(Drain - kolektor)<br />

(Source - emitor)<br />

(Gate - hradlo)<br />

Obr. 4.1: Unipolární tranzistor – popis elektrod<br />

Nejběžnější konstrukce jsou uvedeny na obr. 4.2, průřez jednotlivými unipolárními tranzistory<br />

je pak na obr. 4.3 a obr. 4.4. Existuje-li vodivý kanál i při U GS 0, hovoříme o tranzistoru FET se<br />

zabudovaným kanálem (normally-on, depletion-mode – ochuzovací režim). Je-li nutné pro vytvoření<br />

vodivého kanálu (mezi D a S) připojit nenulové napětí U GS , hovoříme o tranzistoru s indukovaným<br />

kanálem ormally-off, enhancement-mode – obohacovací režim). Z tohoto hlediska patří běžné JFETy<br />

mezi tranzistory se zabudovaným kanálem (i když je možné i zde zajistit, aby při U GS 0 proud<br />

mezi D a S neprotékal – [1], str. 134).<br />

100

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!