29.01.2015 Views

Rozprawa doktorska - Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki ...

Rozprawa doktorska - Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki ...

Rozprawa doktorska - Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki ...

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

Uniwersytet Mikołaja Kopernika<br />

Wydział <strong>Fizyki</strong>, <strong>Astronomii</strong> i <strong>Informatyki</strong> Stosowanej<br />

<strong>Rozprawa</strong> <strong>doktorska</strong><br />

Potencjały efektywne dla<br />

rozpraszania elektronów na atomach<br />

Krzysztof Żebrowski<br />

Promotor: Dr hab. Grażyna Staszewska, prof. UMK<br />

Toruń, 2013


Pamięci mojego Dziadka, którego nie dane było mi poznać oraz wspomnieniu mojej<br />

Babci, która pomogła w początkach mojej drogi życiowej pracę niniejszą dedykuję.


Dziękuję Prof. Grażynie Staszewskiej za pomoc i opiekę<br />

naukową. Podziękowania pragnę skierować do całego Zakładu Mechaniki Kwantowej za<br />

okazaną życzliwość i wsparcie.


Spis treści<br />

Spis treści<br />

i<br />

Wstęp 1<br />

1 Rozpraszanie elektronu na atomie 5<br />

1.1 Sprzężone równania . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6<br />

1.2 Potencjał optyczny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7<br />

1.3 Potencjał optyczny drugiego rzędu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9<br />

1.4 Relacja dyspersyjna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11<br />

1.5 Uśredniony potencjał optyczny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11<br />

1.6 Rozpraszanie elastyczne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12<br />

2 Potencjał absorpcyjny oparty na modelu prawie swobodnych elektronów<br />

15<br />

2.1 Model kwaziswobodnego rozpraszania z blokowaniem Pauliego . . . . . . . 15<br />

2.2 Blokowanie Pauliego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17<br />

2.3 Założenia modelu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18<br />

2.4 Przybliżenie bocznego rozpraszania (sideways approximation) . . . . . . . 19<br />

3 Modyfikacje potencjału absorpcyjnego opartego na modelu prawie<br />

swobodnych elektronów 20<br />

3.1 Ogólna postać modelu frywolnego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20<br />

3.2 Oryginalny model frywolny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22<br />

3.3 Frywolny model potencjału wersja 2 i 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22<br />

3.3.1 Wersja 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22<br />

3.3.2 Wersja 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23<br />

3.4 Model frywolny potencjału z przybliżeniem bocznego rozpraszania . . . . 23<br />

3.5 Przeskalowany model frywolny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23<br />

3.6 Model frywolny z poprawkami . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23<br />

3.6.1 Potencjał V A<br />

fc1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23<br />

i


SPIS TREŚCI<br />

ii<br />

3.6.2 Potencjał V A<br />

fc2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24<br />

3.6.3 Potencjał V A<br />

fc3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25<br />

4 Test nieempirycznych modeli potencjałów efektywnych, elastyczne<br />

rozpraszanie elektronów na atomach neonu 27<br />

4.1 Potencjały polaryzacyjne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28<br />

4.1.1 Potencjał typu Buckingham . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28<br />

4.1.2 Adiabatyczny potencjał polaryzacyjny Hartree-Fock’a . . . . . . . 28<br />

4.1.3 Przybliżona relacja dyspersyjna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29<br />

4.2 Potencjały absorpcyjne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29<br />

4.2.1 Wersje modelu frywolnego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29<br />

4.2.2 Potencjał V A<br />

g Green’a, Rio i Uedy . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29<br />

4.2.3 Pominięcie potencjału absorpcyjnego . . . . . . . . . . . . . . . . . 30<br />

4.3 Funkcja błędu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30<br />

4.4 Wyniki i dyskusja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32<br />

5 Poprawki empiryczne do potencjału absorpcyjnego opartego na modelu<br />

kwazi-swobodnego rozpraszania 45<br />

5.1 Wprowadzenie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45<br />

5.2 Teoria i obliczenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47<br />

5.3 Zbiory danych, funkcja błędu i optymalizacja . . . . . . . . . . . . . . . . 48<br />

5.4 Wyniki i dyskusja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49<br />

6 Lokalne zależne od energii potencjały otrzymane ze znajomości przekrojów<br />

czynnych 59<br />

6.1 Potencjały . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60<br />

6.2 Parametry potencjałów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61<br />

6.3 Wyniki . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62<br />

6.4 Podsumowanie i wnioski . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68<br />

Podsumowanie 72<br />

A Wyprowadzenie wzoru na potencjał absorpcyjny dla modelu QFSM 74<br />

B Dane doświadczalne 87<br />

C Algorytm genetyczny 94<br />

D Wyniki obliczeń dla rozpraszania elektronów na atomach helu 96<br />

E Wyniki obliczeń dla rozpraszania elektronów na atomach neonu 100


SPIS TREŚCI<br />

iii<br />

F Wyniki obliczeń dla rozpraszania elektronów na atomach argonu 105<br />

Spis rysunków 111<br />

Spis tabel 115<br />

Bibliografia 117


Wstęp<br />

Rozpraszanie elektronów (pozytonów) na atomach i drobinach jest jednym z podstawowych<br />

zagadnień, którymi zajmuje się mechanika kwantowa od momentu powstania.<br />

W zakresie nierelatywistycznych energii zderzeniowych oraz przy zaniedbaniu magnetycznych<br />

i spinowych oddziaływań, proces rozpraszania elektronów na atomach lub drobinach<br />

opisywany jest nierelatywistycznym równaniem Schrödingera z zadanymi warunkami<br />

brzegowymi. Hamiltonian układu jest sumą operatorów energii kinetycznej cząstek<br />

oraz kulombowskich oddziaływań między naładowanymi cząstkami układu. Nawet w takiej<br />

uproszczonej postaci zagadnienie to jest złożonym kwantowo-mechanicznym problemem<br />

wielu ciał i jego opis musi być przybliżony. Powstało wiele przybliżonych metod,<br />

których stosowalność i efektywność zależy od wielu czynników np. od energii cząstek<br />

padających, od rodzaju tarczy, na której rozpraszane są elektrony lub od rodzaju informacji,<br />

którą chcemy uzyskać [1, 2, 3].<br />

Równanie Schrödingera opisujące rozpraszanie cząstek na złożonej tarczy może być<br />

formalnie przekształcone do postaci nieskończonego układu równań sprzężonych. Macierzą<br />

sprzęgającą jest macierz lokalnego potencjału statycznego i dla elektronów nielokalnego<br />

potencjału wymiennego. Układ ten może zostać przekształcony do równoważnego<br />

skończonego układu równań sprzężonych za cenę pojawienia się dodatkowego wyrazu będącego<br />

skomplikowanym, nielokalnym i zależnym od energii operatorem. Operator ten<br />

pełni rolę podobną do roli potencjału i nosi nazwę potencjału optycznego [4, 5]. Dla energii,<br />

dla których w potencjale optycznym znajdują się kanały otwarte operator ten jest<br />

niehermitowski. Część hermitowska potencjału nosi nazwę potencjału polaryzacyjnego.<br />

Część niehermitowska, która jest operatorem ujemnie określonym nazywa się potencjałem<br />

absorpcyjnym. Część hermitowska i niehermitowska potencjału optycznego powiązane są<br />

relacją dyspersyjną [4, 6, 7]. W ramach tego formalizmu rozpraszanie elastyczne jest<br />

opisane przy pomocy jednego równania mającego postać podobną do równania dla rozpraszania<br />

cząstki bez struktury na potencjale (w którym zawarta jest cała informacja o<br />

tarczy). Formalnie równanie jest ścisłe i nie może być rozwiązane bez przybliżeń. Najczęściej<br />

używane przybliżenia to rozwinięcie potencjału optycznego w szereg i obcięcie<br />

tego szeregu lub znalezienie lokalnego potencjału efektywnego opisującego najważniejsze<br />

1


SPIS TREŚCI 2<br />

dla danej energii efekty polaryzacyjne i absorpcyjne. W zależności od energii kinetycznej<br />

cząstki padającej mogą zachodzić w układzie różne fizyczne procesy [8, 9]. Oznaczmy odpowiednio<br />

przez T , ∆ oraz I energię kinetyczną cząstki padającej, różnicę energii między<br />

stanem podstawowym a pierwszym stanem wzbudzonym oraz energię jonizacji tarczy.<br />

Dla energii bardzo niskich, T < ∆, możliwe jest tylko rozpraszanie elastyczne, istotną<br />

rolę odgrywa rozpraszanie fali s i efektywne są metody wariacyjne.<br />

Dla energii niskich, ∆ < T < I zachodzą również procesy nieelastyczne polegające<br />

na wzbudzeniu tarczy. Metody wariacyjne wymagają uwzględnienia wszystkich kanałów<br />

otwartych a ich efektywność zależy od ich ilości.<br />

Energie pośrednie nie mają już dokładnie określonych granic, przyjmuje się, że obejmują<br />

zakres I < T < 15I. Górna granica jest w przybliżeniu określona energią dla<br />

której można stosować przybliżenie Borna lub inne metody iteracyjne właściwe dla energii<br />

wysokich. W zakresie energii pośrednich możliwe są wszystkie procesy: rozpraszanie<br />

elastyczne, wzbudzenie i jonizacja. Wszystkie kanały są otwarte. Metody wariacyjne przestają<br />

być efektywne a metody iteracyjne nie są jeszcze zbieżne. Metodą opisu najczęściej<br />

stosowaną w zakresie energii pośrednich jest metoda lokalnych potencjałów efektywnych.<br />

Lokalne przybliżenia do potencjału optycznego wypracowane do opisu elastycznego<br />

rozpraszania elektronów na atomach są również szeroko stosowane do opisu elastycznego<br />

rozpraszania elektronów na drobinach, między innymi na drobinach organicznych występujących<br />

w kwasach rybonukleinowym (RNA) i deoksyrybonukleinowym (DNA) takich<br />

jak cytozyna, adenina, guanina, tymina czy uracyl [10, 11, 12, 13].<br />

Potencjał optyczny jest funkcją energii, więc potencjały efektywne też powinny być<br />

funkcją energii. Zależność ta może być jednak bardziej skomplikowana ponieważ lokalizacja<br />

wprowadza dodatkową zależność od energii [2]. Powstaje również pytanie czy relacja<br />

dyspersyjna obowiązująca dla potencjałów nielokalnych może być pomocna przy modelowaniu<br />

potencjałów lokalnych.<br />

Część urojona potencjału optycznego jest trudniejsza do modelowania. Nieempiryczny,<br />

zależny od energii potencjał absorpcyjny oparty na modelu prawie swobodnych elektronów<br />

jest jednym z częściej używanych potencjałów [14]. Jego wadą jest zaniżanie<br />

wartości różniczkowych przekrojów czynnych dla dużych kątów rozpraszania. Ostatnio<br />

ukazało się kilka prac, w których proponuje się zarówno nieempiryczne jak i empiryczne<br />

poprawki do tego modelu [15, 16, 17, 18, 19, 20]. Jak wyjaśnimy w rozdziale drugim potencjał<br />

absorpcyjny oparty na modelu prawie swobodnych elektronów jest znany również<br />

pod nazwą modelu frywolnego.<br />

Poprawność modeli przybliżonych może być sprawdzona przede wszystkim poprzez<br />

porównanie wyników z danymi doświadczalnymi.<br />

Celem niniejszej rozprawy jest zbadanie następujących problemów:


SPIS TREŚCI 3<br />

1. Ocena efektywności pewnych zaproponowanych w literaturze, nieempirycznych, zależnych<br />

od energii potencjałów absorpcyjnych opartych na modelu prawie swobodnych<br />

elektronów [15, 16, 17, 18, 19, 20].<br />

2. Zbadanie możliwości otrzymania potencjałów polaryzacyjnych przy pomocy relacji<br />

dyspersyjnej na podstawie powyższych potencjałów absorpcyjnych.<br />

3. Zbadanie możliwości uzyskania informacji o potencjałach efektywnych poprzez wygenerowanie<br />

ich ze znajomości przekrojów czynnych (odwrotny proces zderzeniowy).<br />

Badania przeprowadzono dla przypadku rozpraszania elektronu na lekkich atomach<br />

gazów szlachetnych takich jak He, Ne i Ar, dla których istnieje największa liczba danych<br />

doświadczalnych. Zbiór tych danych doświadczalnych został umieszczony w dodatku B.<br />

Ocena efektywności poszczególnych potencjałów nie jest zadaniem łatwym, ponieważ<br />

postać funkcyjna obu potencjałów polaryzacyjnego i absorpcyjnego ma wpływ zarówno<br />

na całkowite jak i różniczkowe przekroje czynne.<br />

Układ rozprawy jest następujący:<br />

W rozdziale pierwszym wyprowadzono wyrażenie na potencjał optyczny wychodząc ze<br />

stacjonarnego równania Schrödingera oraz przedyskutowano własności wyprowadzonego<br />

potencjału.<br />

Rozdział drugi został poświęcony wyprowadzeniu potencjału absorpcyjnego opartego<br />

na modelu prawie swobodnych elektronów. Szczegółowe, bardzo żmudne obliczenia<br />

prowadzące do ostatecznej postaci potencjału umieszczono w dodatku A.<br />

W rozdziale trzecim omówiono zaproponowane w literaturze modyfikacje powyższego<br />

potencjału absorpcyjnego.<br />

W następnym rozdziale wprowadzono funkcję błędu służącą do oceny modeli oraz<br />

dla przypadku rozpraszania elektronu na atomach neonu przebadano różne kombinacje<br />

potencjałów polaryzacyjnych i absorpcyjnych. Wprowadzona funkcja błędu może służyć<br />

do optymalizacji parametrów empirycznych zawartych w modelowanych potencjałach z<br />

warunku żądania minimum. Z reguły parametry nieliniowe są dużo bardziej efektywne<br />

ale trudniejsze do znalezienia. Z tego powodu do optymalizacji parametrów zarówno liniowych<br />

jak i nieliniowych występujących w potencjałach użyto algorytmu genetycznego.<br />

W rozdziale piątym przedyskutowano propozycję modyfikacji potencjału absorpcyjnego<br />

polegającą na przemnożeniu oryginalnego potencjału absorpcyjnego pochodzącego z<br />

modelu prawie swobodnych elektronów przez czynnik skalujący zawierający dwa parametry<br />

[20]. Autorzy chcieli aby wartość parametrów była niezależna od tarczy oraz energii<br />

cząstki padającej i wybrali je na postawie badania rozpraszania na wielu tarczach ato-


SPIS TREŚCI 4<br />

mowych i molekularnych. Algorytm genetyczny posłużył nam do reoptymalizacji tych<br />

parametrów dla trzech tarcz He, Ne oraz Ar.<br />

Rozdział szósty poświęcony jest bardzo ważnemu zagadnieniu to jest możliwości<br />

otrzymania informacji o potencjałach ze znajomości przekrojów czynnych. Dla trzech<br />

rozważanych poprzednio tarcz zapostulowano postaci funkcyjne potencjału absorpcyjnego<br />

zawierającego wiele parametrów empirycznych. Zapostulowany potencjał absorpcyjny<br />

jest taką funkcją energii, która pozwala poprzez relację dyspersyjną uzyskać potencjał<br />

polaryzacyjny w postaci analitycznej. Parametry zostały otrzymane przez minimalizację<br />

funkcji błędu przy pomocy algorytmu genetycznego w bardzo szerokim zakresie energii.<br />

Otrzymane wyniki wskazują, że można otrzymać takie lokalne potencjały efektywne,<br />

które dają właściwe wartości wszystkich przekrojów czynnych zarówno całkowitych jak<br />

i różniczkowych w szerokim zakresie energii.<br />

Dysertację kończy podsumowanie, w którym zawarto perspektywiczne możliwości<br />

rozszerzenia przedstawionych badań.


Rozdział 1<br />

Rozpraszanie elektronu na atomie<br />

Rozpatrujemy problem zderzenia elektronu z obojętnym elektrycznie atomem (tarczą)<br />

posiadającym N elektronów. Zakładamy, że jądro atomu ma nieskończoną masę i jest<br />

umieszczone w początku układu odniesienia wprowadzonego do opisu procesu rozproszeniowego.<br />

Ponieważ rozważane w pracy energie elektronu padającego nie mają wysokich<br />

wartości, penetracja jądra atomu nie jest możliwa. Rozpatrujemy zatem energie nierelatywistyczne<br />

a także zaniedbujemy wszelkie oddziaływania magnetyczne i spinowe pomiędzy<br />

elektronami oraz jądrem atomu.<br />

Oznaczmy przez:<br />

• ⃗r i<br />

• σ i<br />

współrzędne przestrzenne i-tego elektronu w atomie (i=1,. . . ,N),<br />

jego współrzędną spinową oraz<br />

• ⃗s i = (⃗r i , σ i )<br />

współrzędne przestrzenno-spinowe i-tego elektronu.<br />

Zastosujmy identyczną konwencję oznaczeń dla elektronu padającego tj. oznaczmy odpowiednie<br />

współrzędne padającego elektronu jako ⃗r, σ oraz ⃗s.<br />

Używamy jednostek atomowych.<br />

Hamiltonian rozpatrywanego układu (atom plus padający elektron) możemy zapisać<br />

w postaci:<br />

Ĥ = ˆT + ĤA + ˆV , (1.1)<br />

gdzie<br />

ˆT = − 1 2 △ ⃗r (1.2)<br />

jest operatorem energii kinetycznej padającego elektronu (operator ten działa jedynie na<br />

funkcje zależne od współrzędnej przestrzennej elektronu tj. ⃗r),<br />

Ĥ A =<br />

N∑<br />

i=1<br />

(− 1 2 △ i − N r i<br />

)<br />

+<br />

N∑<br />

i


ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 6<br />

jest hamiltonianem atomu (indeks i przy operatorze nabla oznacza, że działa on tylko na<br />

funkcje zależne od współrzędnych i-tego elektronu atomowego tj. ⃗r i ) oraz operator<br />

ˆV = − N r + N ∑<br />

i=1<br />

1<br />

|⃗r − ⃗r i |<br />

(1.4)<br />

opisuje oddziaływanie między padającym elektronem i atomem.<br />

1.1 Sprzężone równania<br />

Zakładamy, że znamy układ zupełny stanów własnych atomu tj. znamy rozwiązanie problemu<br />

własnego postaci:<br />

Ĥ A Φ q = ε q Φ q , (1.5)<br />

lub inaczej:<br />

〈Φ q |ĤA|Φ q ′〉 = ε q δ qq ′, (1.6)<br />

gdzie q oznacza zbiór liczb kwantowych wyczerpujących opis stanu atomu. Przyjmujemy<br />

również, że funkcje własne Φ q są funkcjami antysymetrycznymi względem przestawienia<br />

współrzędnych elektronowych.<br />

Funkcja falowa Ψ, opisująca cały układ spełnia stacjonarne równanie Schrödingera:<br />

ĤΨ = EΨ, (1.7)<br />

gdzie E jest energią całkowitą układu, na którą składa się energia stanu początkowego<br />

atomu, ε i , oraz energia kinetyczna elektronu padającego, 1 2 p2 i :<br />

E = ε i + 1 2 p2 i . (1.8)<br />

W trakcie zderzenia stan wewnętrzny tarczy może ulec zmianie. Oznaczmy energie stanu<br />

atomu i elektronu po zderzeniu przez ε f i 1 2 p2 f<br />

energii mamy:<br />

odpowiednio. Na mocy zasady zachowania<br />

1<br />

2 p2 f = 1 2 p2 i + ε i − ε f . (1.9)<br />

Możliwe stany końcowe układu nazywamy kanałami rozpraszania. Kanał rozpraszania<br />

nazywamy otwartym gdy po rozproszeniu zachodzi:<br />

1<br />

2 p2 f 0, (1.10)<br />

w przeciwnym wypadku mamy do czynienia z kanałem zamkniętym. Informacja o rozpraszaniu<br />

zawarta jest w asymptotycznej postaci wieloelektronowej funkcji falowej Ψ.<br />

Składa się ona z sumy fali padającej i rozchodzącej się fali rozproszonej:<br />

lim<br />

r→∞ Ψ(+) i = e i⃗p i·⃗r χ(σ i )Φ i (⃗s 1 , . . . , ⃗s n ) + ∑ f<br />

′<br />

Afi (⃗p i , ⃗p f ) ei⃗p f ·⃗r<br />

χ(σ f )Φ f (⃗s 1 , . . . , ⃗s n ). (1.11)<br />

r


ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 7<br />

Znak prim przy znaku sumacyjnym oznacza, że sumowanie przebiega tylko po kanałach<br />

otwartych. Fala padająca (pierwszy składnik w wyrażeniu (1.11)) jest iloczynem fali płaskiej<br />

reprezentującej padający elektron, funkcji spinowej padającego elektronu, χ(σ i ),<br />

oraz funkcji stanu początkowego atomu. Fala rozproszona (drugi składnik) jest superpozycją<br />

iloczynów rozchodzących się fal kulistych, opisujących elektrony rozproszone,<br />

funkcji spinowej, funkcji energetycznie dozwolonych stanów atomowych oraz amplitud<br />

rozpraszania, A fi , ze stanu początkowego, i, do końcowego, f.<br />

Równanie Schrödingera (1.7) można zamienić na nieskończony układ sprzężonych<br />

równań różniczkowo-całkowych poprzez rozwinięcie funkcji Ψ w bazie stanów własnych<br />

atomu:<br />

Ψ = Â ∑ q<br />

Φ q (⃗s 1 , ⃗s 2 , . . . , ⃗s N )χ(σ)F q (⃗r), (1.12)<br />

gdzie F oznacza funkcję przestrzenną padającego elektronu a<br />

 reprezentuje operator<br />

antysymetryzacji. Operator antysymetryzacji ma następującą postać:<br />

 = 1 −<br />

N∑<br />

i=1<br />

ˆP i , (1.13)<br />

gdzie ˆP i jest operatorem permutującym współrzędną ⃗s i z ⃗s. Operator<br />

 czyni zadość<br />

wymaganiu aby funkcja Ψ była antysymetryczna. Po wstawieniu rozwinięcia (1.12) do<br />

równania (1.7) i przemnożeniu obustronnym przez Φ ∗ αχ ∗ otrzymamy po scałkowaniu<br />

względem d⃗s 1 d⃗s 2 . . . d⃗s N (wszystkich współrzędnych elektronów atomowych) nieskończony<br />

układ równań sprzężonych:<br />

( ˆT + ɛ α − E)F α = − ∑ γ<br />

V SE<br />

αγ F γ . (1.14)<br />

Wprowadzony powyżej operator V SE<br />

αγ<br />

V S αγ i nielokalnego potencjału wymiennego, V E αγ:<br />

składa się z sumy lokalnego potencjału statycznego,<br />

V SE<br />

αγ = V S αγ + V E αγ, (1.15)<br />

które są związane z wielkościami wprowadzonymi wcześniej w następujący sposób:<br />

∫<br />

Vαγ(⃗r) S = d⃗s 1 d⃗s 2 . . . d⃗s N Φ ∗ α(⃗s 1 . . . ⃗s N ) ˆV Φ γ (⃗s 1 . . . ⃗s N ) (1.16)<br />

oraz<br />

∫<br />

VαγF E γ (⃗r) =<br />

d⃗s 1 . . . d⃗s N dσΦ ∗ α(⃗s 1 . . . ⃗s N )χ ∗ (σ)(Ĥ − E) N ∑<br />

i=1<br />

ˆP i Φ γ (⃗s 1 . . . ⃗s N )χ(σ)F γ (⃗r).<br />

(1.17)<br />

1.2 Potencjał optyczny<br />

W celu rozwiązania układu (1.14) dla skończonej ilości n p kanałów, podzielmy przestrzeń,<br />

rozpiętą na wszystkich kanałach, na przestrzenie P i Q. Przestrzeń P zawiera n p kanałów


ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 8<br />

a przestrzeń Q pozostałą ich ilość. Zdefiniujmy dwie macierze jednokolumnowe, których<br />

elementami są składowe funkcji w kanałach α:<br />

(F P ) α = F α , α n p ; (1.18)<br />

oraz pięć macierzy, których elementami są operatory:<br />

(F Q ) α = F α , α > n p (1.19)<br />

(H P ) αβ = (T 0 + ε α )δ αβ + V SE<br />

αβ , α, β n p ; (1.20)<br />

(H Q ) αβ = (T 0 + ε α )δ αβ + V SE<br />

αβ , α, β > n p ; (1.21)<br />

(V SE<br />

P P ) αβ = V SE<br />

αβ , α, β n p ; (1.22)<br />

(V SE<br />

QQ) αβ = V SE<br />

αβ , α, β > n p ; (1.23)<br />

(V SE<br />

P Q) αβ = V SE<br />

αβ , α n p , β > n p . (1.24)<br />

Zapiszmy za pomocą powyższych macierzy układ równań (1.14). Otrzymamy:<br />

(H P − E)F P = −V SE<br />

P QF Q ; (1.25)<br />

(H Q − E)F Q = −(V SE<br />

QP ) † F P . (1.26)<br />

Potraktujmy powyższy układ jak zwykły układ równań i wyznaczając wektor F Q z równania<br />

(1.26) podstawmy go do równania (1.25) co daje w wyniku:<br />

[H P + V SE<br />

P Q(E (+) − H Q ) −1 (V SE<br />

QP ) † − E]F P = 0. (1.27)<br />

W celu przekształcenia równania (1.27) zdefiniujmy macierz diagonalną:<br />

( )<br />

(h) αβ =<br />

T − p2 α<br />

2<br />

gdzie zgodnie ze wzorem (1.8) p 2 α = 2(E − ε α ).<br />

δ αβ , (1.28)<br />

Po wykorzystaniu dwóch powyższych zależności równanie (1.27) przyjmuje postać:<br />

(h + V OP T )F P = 0. (1.29)<br />

Operator V OP T jest operatorem potencjału optycznego, który wyraża się wzorem:<br />

V OP T = V SE<br />

P P + V SE<br />

P Q(E (+) − H Q ) −1 (V SE<br />

QP ) † . (1.30)<br />

Przepiszmy równanie (1.29) w postaci, która ułatwi nam dyskusję nad jego fizyczną<br />

interpretacją:<br />

(T − p2 α<br />

2 )F α = −<br />

n p ∑<br />

γ=1<br />

(V SE<br />

αγ + V C αγ)F γ , α = 1, . . . , n p , (1.31)<br />

gdzie<br />

V C αγ =<br />

∞∑<br />

m=n p+1<br />

V SE<br />

αm<br />

∞∑<br />

n=n p+1<br />

(E (+) − H Q ) −1<br />

mnV SE<br />

nγ . (1.32)


ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 9<br />

Przejście od nieskończonego układu równań (1.14) do układu (1.31) odbyło się bez żadnych<br />

przybliżeń. W przypadku, gdy n p =1 mamy do czynienia z rozpraszaniem elastycznym,<br />

gdy n p ≠1 z rozpraszaniem nieelastycznym. Zaniedbanie wyrazu Vαγ, C określonego<br />

przez (1.32), nosi nazwę przybliżenia silnego sprzężenia (close-coulping approximation).<br />

Polega ono na uwzględnieniu w rozwinięciu (1.12) jedynie n p wyrazów. Omawiane<br />

przybliżenie jest efektywne dla niskich energii pod warunkiem, że przestrzeń P zawiera<br />

wszystkie kanały otwarte. Pominięcie potencjału wymiennego prowadzi do przybliżenia<br />

statycznego. Błąd popełniany w przybliżeniu statycznym jest tym większy im niższa jest<br />

energia padającego elektronu.<br />

Dużą trudność przy rozwiązywaniu układu równań sprzężonych sprawia nielokalność dokładnego<br />

potencjału wymiennego. Z tej przyczyny poszukuje się możliwości opisania<br />

efektów wymiennych przy pomocy przybliżonych lokalnych potencjałów wymiennych.<br />

Potencjał Vαγ C opisuje wpływ jaki mają na proces rozpraszania w przestrzeni P wszystkie<br />

stany wzbudzone i widmo ciągłe zawarte w przestrzeni Q. Jeśli w przestrzeni Q znajdują<br />

się kanały otwarte, to ten potencjał jest zespolony. Część rzeczywista (tzw. potencjał polaryzacyjny)<br />

odpowiada za wirtualne przejścia do kanałów przestrzeni Q, a część urojona<br />

(potencjał absorpcyjny) odpowiada za rzeczywiste przejścia do tych kanałów. Potencjał<br />

Vαγ, C ze względu na swoją postać, może być uwzględniony jedynie w przybliżeniu. Najczęściej<br />

używane przybliżenia to rozwinięcie potencjału Vαγ<br />

C w szereg i uwzględnienie<br />

skończonej liczby wyrazów lub zastąpienie go lokalnym potencjałem efektywnym opisującym<br />

najważniejsze dla danej energii efekty polaryzacyjne i absorpcyjne.<br />

1.3 Potencjał optyczny drugiego rzędu<br />

Zastosujmy jedno z przybliżeń. Rozwińmy mianowicie potencjał V C αγ w szereg względem<br />

potęg V SE<br />

αγ . Weźmy pod uwagę fakt, że macierzowe operatory Greena zdefiniowane jako:<br />

G = (E (+) − H Q ) −1 (1.33)<br />

oraz<br />

G 0 = [E (+) − (H Q − V SE<br />

QQ)] −1 (1.34)<br />

spełniają równanie Lippmanna-Schwingera:<br />

G = G 0 + G 0 V SE<br />

QQG. (1.35)<br />

Powyższa zależność jest przykładem zastosowania równości operatorowej:<br />

 −1 = ˆB −1 + ˆB −1 ( ˆB − Â)Â−1 .<br />

Jak wynika z (1.21) macierz G 0 jest macierzą diagonalną, której elementami są całkowe<br />

operatory Greena dla ruchu swobodnego cząstki:<br />

(G 0 ) mn = G 0 (p 2 n)δ mn , (1.36)


ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 10<br />

gdzie<br />

G 0 (p 2 n)f(⃗r) = − 1 ∫<br />

4π<br />

Rozwiązanie równania (1.35) można otrzymać metodą iteracji:<br />

d⃗r ′ eipn|⃗r−⃗r ′ |<br />

|⃗r − ⃗r ′ | f(⃗r ′ ). (1.37)<br />

G = G 0 + G 0 V SE<br />

QQG 0 + G 0 V SE<br />

QQG 0 V SE<br />

QQG 0 + . . . (1.38)<br />

Ostatecznie równania (1.36)-(1.38) umożliwiają nam przedstawienie potencjału (1.32) w<br />

postaci szeregu:<br />

V C αγ =<br />

∞∑<br />

m=n p+1<br />

V SE<br />

αm G 0 (p 2 m)V SE<br />

∞∑ ∞∑<br />

mγ +<br />

m=n p+1 n=n p+1<br />

V SE<br />

αn G 0 (p 2 n)V SE<br />

nm G 0 (p 2 m)V SE<br />

mγ +. . . (1.39)<br />

Pierwszy wyraz rozwinięcia (1.39) jest drugiego rzędu ze względu na elementy macierzowe<br />

oddziaływania statyczno-wymiennego Vαβ SE . Potencjał obcięty do tego wyrazu nazywany<br />

jest potencjałem optycznym drugiego rzędu Vαγ C(2) ,<br />

V C(2)<br />

αγ =<br />

∞∑<br />

m=n p+1<br />

V SE<br />

αm G 0 (p 2 m)V SE<br />

mγ .<br />

Jest on operatorem nielokalnym. Nielokalność pochodzi zarówno od nielokalnego operatora<br />

całkowego G 0 , jak również od nielokalnych potencjałów wymiennych. Wyraz ten<br />

jest zespolony o ile zawiera kanały otwarte. Wtedy p 2 n jest rzeczywiste, a operator G 0<br />

zespolony. Potencjał optyczny 2-go rzędu pozwala więc opisać ucieczkę strumienia do kanałów<br />

przestrzeni Q. Można także pokazać, że w przybliżeniu abiadatycznym potencjał<br />

ten zmierza do nieskończoności jak −α/2r 4 , gdzie α jest polaryzowalnością atomu [1].<br />

Opisuje on długozasięgowe oddziaływanie indukowanego dipola z ładunkiem. W przybliżeniu<br />

close-coulping nie można otrzymać poprawnego oddziaływania długozasięgowego<br />

nawet wtedy, gdyby było możliwe uzwględnienie wszytskich stanów tarczy (których jest<br />

nieskończona ilość). Jest to spowodowane tym, że część polaryzowalności atomu pochodzi<br />

od widma ciągłego (np. dla atomu wodoru tylko 81,4 procent polaryzowalności pochodzi<br />

od widma dyskretnego [21]). Uwzględnienie wyrazu V C(2)<br />

αγ<br />

powoduje, że najważniejsze<br />

efekty, takie jak polaryzacja i absorpcja są wzięte pod uwagę. Chociaż jest to najniższe<br />

przybliżenie dla potencjału optycznego wyraz V C(2)<br />

αγ<br />

jest bardzo trudny do oszacowania.<br />

Trudność polega na, poza nielokalnością, wykonaniu sumy po nieskończonej ilości stanów<br />

tarczy wraz z widmem ciągłym. Sposobem na pokonanie trudności w obliczeniu tej<br />

sumy jest zastosowanie dodatkowych przybliżeń. Najczęściej stosuje się przybliżenie zamknięcia<br />

(tzw. closure), w którym energię wzbudzenia zastępuje się przez średnią energię<br />

wzbudzenia [22, 23, 24].<br />

Inne przybliżenie polega na wprowadzeniu w miejsce nieskończonej ilości stanów pewnej<br />

ilości pseudostanów, które dobiera się w taki sposób aby imitowały wkład od wszystkich<br />

stanów [22, 24, 25].


ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 11<br />

1.4 Relacja dyspersyjna<br />

Przedstawimy teraz dalsze własności potencjału optycznego (1.32) [26]. Widmo operatora<br />

H Q składa się z części dyskretnej i ciągłej. Widmo ciągłe należy do odcinka [ε np+1, ∞),<br />

a widmo dyskretne leży na zewnątrz tego odcinka i zawiera tylko izolowane wartości<br />

własne. Oznaczmy funkcje własne widma dyskretnego i ciągłego odpowiednio przez ϕ Qn<br />

oraz ϕ Q (λ). Rozkład spektralny operatora (1.33):<br />

oraz relacja:<br />

(E (+) − H Q ) −1 = ∑ n<br />

|ϕ Qn 〉〈ϕ Qn |<br />

E (+) − λ n<br />

+<br />

∫ ∞<br />

dλ |ϕ Q(λ)〉〈ϕ Q (λ)|<br />

ε np+1 E (+) − λ<br />

(1.40)<br />

( )<br />

(E (+) − E 0 ) −1 1<br />

= P<br />

− iπδ(E − E 0 ), (1.41)<br />

E − E 0<br />

gdzie symbol P oznacza wartość główną Cauchy’ego są wykorzystywane do wyrażenia<br />

części rzeczywistej i urojonej potencjału optycznego V OP T w postaci:<br />

A n<br />

E − λ n<br />

+ P<br />

∫ ∞<br />

Re V OP T (E) = V SE<br />

P P + ∑ n<br />

Im V OP T (E) = −πB(λ), E > ε np+1; (1.43)<br />

ε np+1<br />

dλ B(λ)<br />

E − λ ; (1.42)<br />

Im V OP T (E) = 0, E ε np+1. (1.44)<br />

Rzeczywiste, określone dodatnio, operatory A n i B(λ) dane są przez:<br />

A n = V SE<br />

P Q|ϕ Qn 〉〈ϕ Qn |(V SE<br />

QP ) † (1.45)<br />

B(λ) = V SE<br />

P Q|ϕ Q (λ)〉〈ϕ Q (λ)|(V SE<br />

QP ) † . (1.46)<br />

Jak pokazuje zależność (1.44), potencjał optyczny jest rzeczywisty dla E ε np+1 i zespolony<br />

dla E > ε np+1 o czym świadczy równanie (1.43). Urojona część potencjału<br />

optycznego jest operatorem ujemnie określonym, a więc opisuje absorpcję strumienia.<br />

Część rzeczywista posiada bieguny dla E = λ n oraz cięcie dla E > ε p+1 . Po podstawieniu<br />

(1.43) i (1.44) do (1.42) otrzymamy relację dyspersyjną między rzeczywistą i urojoną<br />

częścią potencjału optycznego:<br />

Re V OP T (E) = V SE<br />

P P + ∑ n<br />

1.5 Uśredniony potencjał optyczny<br />

A n<br />

− 1 ∫ ∞<br />

E − λ n π P dλ Im VOP T (λ)<br />

ε np+1<br />

E − λ<br />

. (1.47)<br />

Potencjał optyczny jest zależny od energii. Zależność ta może być wyjątkowo złożona dla<br />

niskich energii ze względu na możliwość występowania stanów rezonansowych. Potencjał<br />

zmieniający się gładko z energią można otrzymać poprzez uśrednienie potencjału po<br />

odcinku energii, I, większym od typowej szerokości stanów rezonansowych. Tego typu<br />

uśrednienie może być wygodnie przeprowadzone przez wymnożenie uśrednionej funkcji<br />

przez rozkład Lorentza:<br />

W (E, E ′ ) = I π<br />

1<br />

(E − E ′ ) 2 + I 2 (1.48)


ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 12<br />

i wycałkowanie po E ′ . Korzystając ze związku<br />

∫<br />

W (E, E ′ )F (E ′ )dE ′ = F (E + iI) (1.49)<br />

otrzymujemy<br />

V OP T (E) = V OP T (E + iI). (1.50)<br />

Jak widać operacja uśrednienia jest równoważna zastąpieniu E przez E + iI co prowadzi<br />

do przesunięcia biegunów z osi rzeczywistej do dolnej półpłaszczyzny o wielkość iI. W<br />

wyniku tego przesunięcia uśredniony potencjał optyczny spełnia relację dyspersyjną, w<br />

której nie występuje suma z biegunami, otrzymujemy:<br />

Re V OP T (E) = V SE<br />

P P − 1 π P ∫ ∞<br />

ε np+1 −I<br />

dλ Im VOP T (λ)<br />

. (1.51)<br />

E − λ<br />

Błąd spowodowany przybliżeniem potencjału optycznego przez uśredniony potencjał<br />

optyczny zależy od energii elektronu padającego. Jest niewielki dla energii leżących powyżej<br />

stanów rezonansowych, gdzie przekroje czynne nie zmieniają się gwałtownie z energią<br />

i wraz ze wzrostem energii maleje. Z tego też powodu zastąpienie dolnej granicy w całce<br />

(1.51) przez ε np+1 niewiele wpływa na wynik całki.<br />

1.6 Rozpraszanie elastyczne<br />

W przypadku gdy w przestrzeni P znajduje się tylko jeden kanał, n p = 1, układ równań<br />

(1.31) redukuje się do jednego równania opisującego rozpraszanie elastyczne (w obecności<br />

procesów nieelastycznych). Wskaźniki macierzowe można opuścić ponieważ przyjmują<br />

tylko jedną wartość α = γ = 1. Otrzymujemy równanie:<br />

( )<br />

ˆT − p2<br />

[<br />

]<br />

F (⃗r) = − V SE (⃗r) + V C (⃗r) F (⃗r). (1.52)<br />

2<br />

Równanie to ma postać równania opisującego rozpraszanie cząstki na potencjale, który<br />

reprezentuje oddziaływania statyczne, wymienne, polaryzację oraz absorpcję i w którym<br />

zawarta jest cała informacja o złożoności układu. Jak wspominaliśmy potencjał ten<br />

w ogólności jest bardzo skomplikowanym, nielokalnym, niehermitowskim, zależnym od<br />

energii operatorem. Nie może być stosowany bez przybliżeń. Jednym z szeroko stosowanych<br />

podejść jest przybliżenie nielokalnych operatorów przez lokalne potencjały efektywne<br />

(zależne lub niezależne od energii) mające za zadanie opisanie efektów wymiennych,<br />

polaryzacyjnych i absorpcyjnych. Lokalność potencjału jest szczególnie użyteczna przy<br />

całkowaniu równania opisującego rozpraszanie. Zastępując w równaniu (1.52) oddziaływania<br />

nielokalne potencjałami efektywnymi,V OP T (⃗r) ≈ V (⃗r), zapisujemy równanie dla<br />

zderzeń elastycznych w postaci<br />

(<br />

)<br />

ˆT − p2<br />

2 + V (⃗r) F (⃗r) = 0, (1.53)<br />

V (⃗r) = V S (⃗r) + V E (⃗r) + V P (⃗r) + iV A (⃗r), (1.54)


ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 13<br />

gdzie dla poszczególnych potencjałów przyjęto powszechnie stosowane oznaczenia, mianowicie<br />

potencjał statyczny, V S , wymienny, V E , polaryzacyjny, V P<br />

V A .<br />

oraz absorpcyjny,<br />

Zastępując w relacji dyspersyjnej potencjały nielokalne lokalnymi potencjałami efektywnymi,<br />

otrzymujemy przybliżoną relację<br />

V P (⃗r, E) = − 1 π P ∫ ∞<br />

wiążącą potencjał polaryzacyjny z absorpcyjnym.<br />

ε 1<br />

dE ′ V A (⃗r, E ′ )<br />

E − E ′ (1.55)<br />

Równanie różniczkowe na część radialną rozproszeniowej funkcji falowej otrzymuje się<br />

przez rozwinięcie jej na funkcje własne całkowitego momentu pędu układu (uogólniona<br />

analiza parcjalna). W przypadku oddziaływań o symetrii sferycznej wygodnie jest przyjąć<br />

układ współrzędnych sferycznych (r, θ, ϕ), w którym oś z jest wyznaczona przez kierunek<br />

pędu cząstki padającej ⃗p.<br />

Wówczas rozwinięcie to sprowadza się do postaci:<br />

F (⃗r) = 1 pr<br />

∞∑<br />

(2l + 1)i l Ψ l (r)P l (cos θ), (1.56)<br />

l=0<br />

gdzie funkcje P l (cos θ) oznaczają wielomiany Legendre’a. Wstawiając (1.56) do (1.53)<br />

otrzymujemy równanie:<br />

[<br />

1 d 2<br />

]<br />

2 dr 2 + p2 l(l + 1)<br />

−<br />

2 2r 2 − V (r) Ψ l (r) = 0, (1.57)<br />

którego rozwiązanie musi spełniać warunek brzegowy [1]:<br />

lim Ψ l(r) = i [<br />

e −i(pr− 1 2 lπ) − S l e i(pr− 1 lπ)] 2 , (1.58)<br />

r→∞ 2<br />

gdzie S l = e 2iδ l<br />

jest elementem macierzy rozpraszania wyrażonym przez przesunięcia<br />

fazowe δ l . Dla potencjałów rzeczywistych opisujących tylko elastyczne rozpraszanie δ l<br />

jest rzeczywiste i |S l | = 1. W przypadku potencjałów zespolonych opisujących ucieczkę<br />

strumienia z kanału elastycznego mamy [1]:<br />

|S l | 1 (1.59)<br />

a przesunięcia fazowe są zespolone<br />

δ l = Re δ l + i Im δ l . (1.60)<br />

Wprowadzając wielkość η l nazywaną czynnikiem absorpcji:<br />

η l = e 2 Im δ l<br />

(1.61)<br />

możemy napisać, że<br />

S l = η l e 2i Re δ l<br />

(1.62)


ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 14<br />

oraz<br />

0 η l 1 (1.63)<br />

Im δ l 0. (1.64)<br />

Przekroje czynne wyrażają sie w następujący sposób poprzez zespolone przesunięcia fazowe<br />

[1]:<br />

• Różniczkowy przekrój czynny na rozpraszanie elastyczne:<br />

dσ<br />

dΩ = 1<br />

∣ ∣∣∣∣ ∞ ∑<br />

4p 2 (2l + 1)(1 − η l e 2iRe δ l )P l (cos θ)<br />

∣<br />

• Całkowity przekrój czynny na rozpraszanie elastyczne:<br />

l=0<br />

σ el = π p 2<br />

∞ ∑<br />

l=0<br />

• Całkowity przekrój czynny na absorpcję:<br />

σ abs = π p 2<br />

2<br />

, (1.65)<br />

∣<br />

(2l + 1) ∣η l e 2iRe δ l − 1∣ 2 , (1.66)<br />

∞ ∑<br />

l=0<br />

(2l + 1)(1 − η 2 l ) (1.67)<br />

• Całkowity przekrój czynny zawierający zarówno procesy elastyczne jak i nieelastyczne:<br />

σ tot = σ el + σ abs (1.68)<br />

lub<br />

σ tot = 2π<br />

p 2<br />

∞ ∑<br />

l=0<br />

(2l + 1) [1 − η l cos(2Re δ l )] . (1.69)<br />

Zdefiniowane powyżej wielkości są w następnych rozdziałach wyznaczane dla przypadku<br />

rozpraszania elektronów na lekkich atomach gazów szlachetnych.


Rozdział 2<br />

Potencjał absorpcyjny oparty na<br />

modelu prawie swobodnych<br />

elektronów<br />

2.1 Model kwaziswobodnego rozpraszania z blokowaniem Pauliego<br />

Przybliżone wyrażenie na część urojoną lokalnego potencjału zespolonego (potencjał absorpcyjny)<br />

może zostać wyprowadzone przy pomocy pojęcia średniej drogi swobodnej<br />

cząstki padającej przechodzącej przez ośrodek absorpcyjny. W obecnym rozdziale zostanie<br />

umieszczone wspomniane wyprowadzenie.<br />

Jeżeli energia padającej cząstki jest wystarczająco duża, oddziaływanie nie ma praktycznie<br />

wpływu na tor cząstki. Dla potencjałów zespolonych, V = V R + iV I , gdy energia<br />

kinetyczna cząstki padającej E jest dużo większa niż część rzeczywista potencjału V R i<br />

część urojona V I warunek energetyczny może zostać zapisany w następującej postaci:<br />

V I ≪ E − V R (2.1)<br />

Rozwiązanie równania Schrödingera:<br />

[<br />

1<br />

2 ∆ ⃗r + p2<br />

2 − V (⃗r) ]<br />

F (⃗r) = 0 (2.2)<br />

w granicy klasycznej jest dane przez funkcję:<br />

gdzie<br />

F (⃗r) = exp[i<br />

∫ ⃗r<br />

dsκ( ⃗ r ′ )], (2.3)<br />

κ(⃗r) = [2(E − V R (⃗r) − iV I (⃗r))] 1 2 (2.4)<br />

a droga całkowania w (2.3) jest wzięta od punktu ⃗ r ′ wzdłuż linii prostej równoległej do<br />

wektora ⃗p i przechodzącej przez punkt ⃗r. Przybliżona funkcja falowa dana przez (2.3)<br />

15


ROZDZIAŁ 2. POTENCJAŁ ABSORPCYJNY OPARTY NA MODELU PRAWIE<br />

SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 16<br />

nie ma prawidłowej postaci asymptotycznej lecz może reprezentować funkcję falową w<br />

obszarze, w którym potencjał V jest istotny.<br />

W dalszych rozważaniach przydatnym będzie rozdzielenie zespolonej funkcji podcałkowej<br />

w całce po drodze (2.3) na część rzeczywistą i urojoną:<br />

κ(⃗r) = κ R (⃗r) + iκ I (⃗r). (2.5)<br />

Po porównaniu części rzeczywistych i urojonych w (2.4) otrzymujemy układ równań:<br />

κ 2 R − κ 2 I = 2(E − V R )<br />

κ R κ I = −V I . (2.6)<br />

Rozwiązanie tego układu daje:<br />

⎡<br />

κ I = − ⎣−(E − V R ) + (E − V R )<br />

√<br />

1 +<br />

1<br />

2<br />

⎤<br />

VI<br />

2<br />

⎦<br />

(E − V R ) 2<br />

(2.7)<br />

Biorąc pod uwagę warunek (2.1) można dokonać przybliżenia:<br />

√<br />

V 2<br />

I<br />

Powyższe upraszcza wzór (2.7) do postaci:<br />

gdzie<br />

jest lokalną energią kinetyczną cząstki padającej.<br />

Gęstość prawdopodobieństwa<br />

V 2<br />

I<br />

1 +<br />

(E − V R ) 2 ≃ 1 + 1 2 (E − V R ) 2 . (2.8)<br />

κ I (⃗r) = −<br />

V I(⃗r)<br />

, (2.9)<br />

[2T loc (⃗r)] 1 2<br />

T loc (⃗r) = E − V R (⃗r) (2.10)<br />

P (⃗r) = (F (⃗r)) ∗ F (⃗r), (2.11)<br />

znalezienia cząstki w ośrodku absorpcyjnym (np. atomie) wynosi na podstawie (2.3):<br />

P (⃗r) = exp[−2<br />

∫ ⃗r<br />

dsκI ( ⃗ r ′ )]. (2.12)<br />

Z powyższego równania wynika, że P (⃗r) eksponencjalnie zanika wraz z przechodzeniem<br />

cząstek padających przez ośrodek rozpraszający (tarczę). Przedstawione rozważania sugerują,<br />

że urojoną część potencjału można otrzymać ze wzoru (2.9) tj:<br />

V I (⃗r) = −κ I (⃗r)[2T loc (⃗r)] 1 2 . (2.13)<br />

Model umożliwiający uzyskanie κ I zakłada, że atom może być potraktowany jako zbiór<br />

elektronów lokalnie formujących nieoddziałujący gaz Fermiego z gęstością cząstek daną<br />

przez ϱ(⃗r) (jak na przykład w modelu Thomasa-Fermiego dla dużych atomów).


ROZDZIAŁ 2. POTENCJAŁ ABSORPCYJNY OPARTY NA MODELU PRAWIE<br />

SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 17<br />

Stan podstawowy atomu jest tworzony z elektronów, znajdujących się w każdym punkcie<br />

⃗r, posiadających lokalny pęd o wartościach o zera do maksymalnej wartości k F zwanej<br />

pędem Fermiego.<br />

W związku z założeniem, że wszystkie stany aż do k F są obsadzone, wartość k F można<br />

otrzymać z relacji:<br />

k F = [3π 2 ϱ(⃗r)] 1 3 . (2.14)<br />

Miara tego jak daleko padające cząstki przechodzą przez atom może być wyrażona przez<br />

efektywną średnią drogę swobodną λ. Dla jednolitego ośrodka, λ jest zdefiniowane jako<br />

długość drogi po której gęstość prawdopodobieństwa P (⃗r) cząstek poruszających się w<br />

ośrodku absorpcyjnym jest zmniejszona o czynnik e −1 . Z równania (2.12) wynika:<br />

κ I (⃗r) = 1<br />

2λ(⃗r) . (2.15)<br />

Średnia droga swobodna w nieoddziałującym gazie Fermiego jest dana przez:<br />

λ(⃗r) =<br />

1<br />

ϱ(⃗r)σ b (⃗r) , (2.16)<br />

gdzie σ b (⃗r) jest średnim (binarnym) przekrojem czynnym na rozproszenie cząstki padającej<br />

na pojedynczej cząstce w ośrodku rozpraszającym. Podstawienie (2.15) i (2.16) do<br />

(2.13) daje w wyniku:<br />

V I (⃗r) = − 1 √<br />

2<br />

ϱ(⃗r)σ b (⃗r)[T loc (⃗r)] 1 2 . (2.17)<br />

Ostatnie wyrażenie jest szeroko stosowane w fizyce jądrowej [27, 28]. Zaprezentowane<br />

powyżej rozważania sugerowały, że część urojona potencjału optycznego może być otrzymana<br />

ze wzoru (2.17). Goldberger [27] zaprezentował metodę, opartą na fizycznym modelu<br />

zasugerowanym przez Serbera [28], obliczenia średniego dwucząstkowego przekroju<br />

czynnego poprzez potraktowanie tarczy jako zdegenerowany gaz Fermiego. Model zaprezentowany<br />

przez Goldbergera jest często nazywany modelem frywolnym aby podkreślić<br />

prostotę modelu wynikającą z zaniedbania efektów wielociałowych.<br />

2.2 Blokowanie Pauliego<br />

Ważnym elementem w tym modelu jest rola zasady Pauliego ograniczająca dostępną<br />

przestrzeń pędów dla produktów zderzeń dwucząstkowych. Model ten wprowadzony do<br />

fizyki jądrowej został zaadoptowany i zastosowany w fizyce atomowej [14]. Został nazwany<br />

modelem kwaziswobodnego rozpraszania z blokowaniem Pauliego aby podkreślić, że<br />

różniczkowy przekrój czynny na zderzenia binarne jest liczony tak jakby tarcza (atom)<br />

składała się ze swobodnych cząstek a zasada Pauliego była spełniona. W literaturze<br />

do określenia modelu często używany jest skrót QFSM (quasifree scattering model). W


ROZDZIAŁ 2. POTENCJAŁ ABSORPCYJNY OPARTY NA MODELU PRAWIE<br />

SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 18<br />

dalszych częściach pracy model kwaziswobodnego rozpraszania będzie czasami skrótowo<br />

nazywany modelem kwaziswobodnym lub frywolnym. Zgodnie z modelem, absorpcja<br />

strumienia z kanału elastycznego ma miejsce wtedy gdy elektron tarczy a także elektron<br />

padający znajdują się na zewnątrz morza Fermiego po zderzeniu binarnym.<br />

2.3 Założenia modelu<br />

Oznaczmy przez ⃗p i ⃗ k odpowiednio pęd padającego elektronu i elektronu tarczy przed<br />

zderzeniem binarnym a przez ⃗p ′ i ⃗ k ′ pędy po zderzeniu. Warunki wynikające z blokowania<br />

Pauliego przed zderzeniem mogą zostać zapisane jako:<br />

| ⃗ k| k F (2.18)<br />

(elektron tarczy jest wewnątrz morza Fermiego) a po zderzeniu:<br />

⃗p ′2 k 2 F (2.19)<br />

⃗ k<br />

′2<br />

k 2 F + 2∆, (2.20)<br />

gdzie ∆ jest przerwą energetyczną pomiędzy stanem podstawowym tarczy a najniższym<br />

wzbudzonym stanem elektronowym (oba zderzające się elektrony są na zewnątrz morza<br />

Fermiego). Z nierówności (2.20) wynika dodatkowy warunek, że końcowa energia pierwotnie<br />

związanego elektronu musi przekroczyć energię najwyższego obsadzonego stanu<br />

elektronowego przynajmniej o przerwę energetyczną ∆.<br />

Aby otrzymać średni całkowity przekrój czynny na zderzenia binarne trzeba uśrednić<br />

różniczkowy przekrój czynny dla dwóch zderzających się cząstek po dozwolonych obszarach<br />

pędu cząstki, która jest aktualnie związana i wycałkować po kącie bryłowym wokół<br />

pędu końcowego cząstki padającej określonego w układzie środka masy zderzających się<br />

cząstek. Dla wygody prezentacji wyników w układzie labolatoryjnym jest wskazane zamienić<br />

element kąta bryłowego na trójwymiarowy element objętości w przestrzeni pędów<br />

[27]. Prowadzi to do formuły:<br />

σ b (k F , p) = 1 p<br />

∫<br />

∫<br />

d ⃗ kN( ⃗ k, k F )|⃗p − ⃗ k|<br />

d⃗g dσ b(p 0 , ̂p 0 · ̂p f )<br />

dΩ<br />

1<br />

δ(p 0 − p f )Θ(p ′ , k ′ , k F ), (2.21)<br />

p 2 0<br />

gdzie N( ⃗ k, k F ) jest gęstością elektronów tarczy w przestrzeni pędów, ⃗p 0 i ⃗p f oznaczają<br />

odpowiednio początkowy i końcowy pęd padającego elektronu w układzie środka masy<br />

podukładu elektron-elektron, ⃗g jest przekazem pędu:<br />

⃗g = ⃗p − ⃗p ′ = ⃗p f − ⃗p 0 , (2.22)<br />

dσ b<br />

dΩ<br />

jest różniczkowym przekrojem czynnym na binarne zderzenie a Θ jest funkcją, która<br />

jest jedynką dla dozwolonych ze względu na zasadę Pauliego końcowych stanów zderzeń


ROZDZIAŁ 2. POTENCJAŁ ABSORPCYJNY OPARTY NA MODELU PRAWIE<br />

SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 19<br />

binarnych a zerem dla stanów zabronionych.<br />

Dla kwazizdegenerowanego gazu Fermiego mamy:<br />

⎧<br />

⎪⎨<br />

N( ⃗ N k (k F ), k k F<br />

k, k F ) =<br />

⎪⎩ 0, k > k F ,<br />

(2.23)<br />

gdzie<br />

N k (k F ) = 3<br />

4πkF<br />

3 (2.24)<br />

co jest w zgodności z (2.18). Funkcja Θ gwarantuje spełnienie warunków określonych<br />

przez (2.19) oraz (2.20) a jest dana przez:<br />

gdzie H(x) jest funkcją Heaviside’a.<br />

Θ(p ′ , k ′ , k F ) = H(k ′2 − k 2 F − 2∆)H(p ′ − k F ), (2.25)<br />

Różniczkowy przekrój czynny na kulombowskie rozpraszanie dwóch naładowanych cząstek<br />

dany jest wzorem Rutherforda [1], który w układzie laboratoryjnym przyjmuje postać<br />

[29]<br />

Wstawiając to wyrażenie do wzoru (2.21) otrzymujemy<br />

σ b (k F , p) = 2 p<br />

∫<br />

∫<br />

d ⃗ kN( ⃗ k, k F )|⃗p − ⃗ k|<br />

dσ b<br />

dΩ = 2 g 4 . (2.26)<br />

d⃗g 1 1<br />

g 4 p 2 δ(p 0 − p f )Θ(p ′ , k ′ , k F ). (2.27)<br />

0<br />

Zadanie na tym etapie sprowadza się do policzenia całek występujących w powyższym<br />

wyrażeniu. Jak wspomniano we wstępie szczegółowe i żmudne obliczenia prowadzące do<br />

ostatecznej postaci potencjału absorpcyjnego znajdują się w dodatku A.<br />

Model potencjału absorpcyjnego opartego na wzorze (2.27) nazywanym modelem<br />

oryginalnym.<br />

2.4 Przybliżenie bocznego rozpraszania (sideways approximation)<br />

Wzór Rutherforda użyty w powyższym modelu opisuje rozpraszanie kulombowskie cząstek<br />

rozróżnialnych. Dla rozpraszania elektronów powinniśmy użyć formuły Motta [1],<br />

lecz prowadzi to do skomplikowanej poprawki zależnej od energii i kątów. Z powodu<br />

zasady Pauliego rozpraszanie do przodu nie jest możliwe a dla małych kątów mało prawdopodobne,<br />

więc szukamy dobrego przybliżenia dla rozpraszania pod większymi kątami.<br />

Efekt kwantowy dla θ = π 2<br />

redukuje różniczkowy przekrój czynny o czynnik 2 dla wszystkich<br />

energii [1]. Przybliżenie bocznego rozpraszania (sideways approximation) polega na<br />

podzieleniu wzoru Rutherforda przez 2. Model oryginalny wprowadzony w pracy [14]<br />

został omyłkowo nazwany modelem bocznego rozpraszania mimo, że przybliżenie to nie<br />

zostało w tej pracy zastosowane [17].


Rozdział 3<br />

Modyfikacje potencjału<br />

absorpcyjnego opartego na modelu<br />

prawie swobodnych elektronów<br />

W bieżącym rozdziale zostaną przedstawione niektóre znane z literatury nieempiryczne<br />

modyfikacje potencjału absorpcyjnego opartego na modelu prawie swobodnych elektronów<br />

[15, 16, 17, 18, 19].<br />

3.1 Ogólna postać modelu frywolnego<br />

W rozdziale pierwszym pokazano, że redukcja problemu rozpraszania cząstki na złożonym<br />

ośrodku (w naszym przypadku jest to obojętny elektrycznie atom) prowadzi do wprowadzenia<br />

pojęcia potencjału optycznego. W przypadku rozpraszania elastycznego potencjał<br />

optyczny jest nielokalnym, zależnym od energii operatorem. Operator ten jest niehermitowski<br />

dla energii powyżej progu wzbudzenia. Nielokalny operator chcemy przybliżyć<br />

lokalnym potencjałem efektywnym, przy pomocy którego można otrzymać w przybliżeniu<br />

tę samą macierz rozpraszania. W rozdziale drugim przedstawiono lokalny potencjał<br />

absorpcyjny oparty na modelu prawie swobodnych elektronów [14]. Potencjał ten dobrze<br />

opisuje absorpcję strumienia z kanału elastycznego, lecz zaniża wartości różniczkowych<br />

przekrojów czynnych dla dużych kątów rozpraszania. Z tego też względu potencjał ten<br />

doczekał się kilku ulepszeń i modyfikacji.<br />

Na początek przypomnijmy założenia oryginalnego modelu wyprowadzonego w poprzednim<br />

rozdziale. Wyprowadzając kwaziswobodny model potencjału absorpcyjnego<br />

potraktowaliśmy stan podstawowy atomu jako kwaziswobodny zdegenerowany gaz Fermiego.<br />

Założyliśmy również, że wszystkie stany gazu Fermiego są zajęte aż do energii<br />

20


ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />

MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 21<br />

Fermiego danej przez:<br />

E F = k2 F<br />

2 , gdzie k F = (3π 2 ϱ) 1 3 .<br />

Elektron padający o początkowym pędzie ⃗p przechodząc przez gaz zderza się z elektronem<br />

tarczy o pędzie ⃗ k. Poprzednie założenie o zajętości stanów gazu jest spełnione gdy:<br />

k 2 k 2 F .<br />

Zakładamy także, że nieelastyczne procesy w zderzeniu elektron-atom są opisywane przez<br />

zderzenia binarne elektron-elektron, które powodują, że elektron padający i tarczy znajdą<br />

się po zderzeniu poza kulą Fermiego (poza stanem podstawowym), tylko takie procesy<br />

mają wkład do potencjału absorpcyjnego. Założenia powyższe można zapisać jako [15]:<br />

k ′ 2 α , α > k 2 F , (3.1)<br />

p ′ 2 β , β k 2 F , (3.2)<br />

gdzie ⃗ k ′ and ⃗p ′ są końcowymi pędami odpowiednio elektronu tarczy i rozproszonego.<br />

Warto w tym miejscu zauważyć, że α musi być większe od energii Fermiego o pewną<br />

wartość (dla rozpraszania na potencjale Coulomba wybór α = β = k 2 F<br />

prowadzi do nieskończonych<br />

przekrojów czynnych [14]). W [14] ta wartość została określona jako przerwa<br />

energetyczna, ∆, pomiędzy najwyżej obsadzonym orbitalem w stanie podstawowym tarczy<br />

a najniższym nieobsadzonym orbitalem.<br />

Wszystkie ostatnio dyskutowane w literaturze wersje kwaziswobodnego modelu potencjału<br />

absorpcyjnego (modelu frywolnego) mogą być zapisane w postaci:<br />

V A<br />

f (⃗r, E) = − 1 2 C(E)˜ϱ(⃗r) u(⃗r, E) ¯σ b(k F (ϱ(⃗r)), ˜p) , (3.3)<br />

gdzie C(E) jest zależnym od energii czynnikiem skalującym, a u jest lokalną prędkością<br />

elektronu padającego:<br />

u(⃗r, E) = [2(E − V SE )] 1/2 . (3.4)<br />

W zależności od modelu ˜ϱ jest gęstością elektronową tarczy lub efektywną gęstością elektronową<br />

tarczy na jednostkę objętości, ˜p równa się początkowemu lub lokalnemu pędowi<br />

elektronu rozproszonego, ¯σ b jest średnim przekojem czynnym na zderzenia, których nie<br />

wyklucza zasada Pauliego. Wielkości : C(E), ˜ϱ, ˜p, ¯σ b , α, and β zostaną określone dla<br />

każdego modelu. Jak pokazano w dodatku A uśrednienie przekroju czynnego Rutherforda<br />

przy uwzględnieniu warunków (3.1), (3.2) prowadzi do [15]:<br />

gdzie<br />

¯σ b = ¯σ R =<br />

[<br />

4π 5k<br />

3<br />

5kF 3 H(γ) F<br />

˜p2 α − kF<br />

2<br />

− k3 F [5(˜p2 − β) + 2k 2 F ]<br />

(˜p 2 − β) 2<br />

+ H(α + β − ˜p 2 ) 2(α + β − ˜p2 ) 5/2 ]<br />

(˜p 2 − β) 2 , (3.5)<br />

γ = ˜p 2 + k 2 F − α − β (3.6)


ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />

MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 22<br />

a H jest jednostkową funkcją schodkową Heaviside’a. Z powyższej zależności wynika, że<br />

γ zależy od warunków (3.1) oraz (3.2). Potencjał jest ciągły kiedy γ=0 (dla ˜p 2 = α + β-<br />

k 2 F<br />

wyrażenie w nawiasach kwadratowych we wzorze (3.5) jest równe zeru). Ponadto,<br />

aby potencjał absorpcyjny był równy zeru poniżej energii wzbudzenia ∆ i różny od zera<br />

powyżej tej energii, musi zachodzić:<br />

[<br />

]<br />

min α(⃗r, E) + β(⃗r, E) − kF 2 (⃗r) = 2∆<br />

[⃗r]<br />

lub<br />

[<br />

]<br />

min ˜p 2 (⃗r, E) − γ(⃗r, E) = 2∆.<br />

[⃗r]<br />

3.2 Oryginalny model frywolny<br />

Oryginalny model potencjału absorpcyjnego przedstawiony w rozdziale drugim będzie<br />

oznaczony jako Vfo A . Można go uzyskać przez podstawienie w równaniu (3.3) następujących<br />

funkcji:<br />

C(E) = 1,<br />

˜ϱ(⃗r) = ϱ(⃗r),<br />

˜p = p, (3.7)<br />

α = kF 2 + 2∆<br />

β = kF 2 .<br />

3.3 Frywolny model potencjału wersja 2 i 3<br />

Badania przeprowadzone nad wpływem kształtu potencjału absorpcyjnego na różniczkowe<br />

przekroje czynne pokazały, że oryginalny frywolny potencjał jest za głęboki dla<br />

małych wartości r i nie wystarczająco głęboki dla dużych r [15]. Biorąc to pod uwagę<br />

autorzy pracy [15] zaproponowali dwie modyfikacje oryginalnego potencjału polegające<br />

na zmianie funkcji α oraz β.<br />

3.3.1 Wersja 2<br />

Na model oznaczony tutaj jako, Vfv2 A , składają się następujące funkcje:<br />

α = k 2 F + ∆ − 2V SE ,<br />

β = α . (3.8)


ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />

MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 23<br />

3.3.2 Wersja 3<br />

Model, który oznaczmy jako Vfv3 A , charakteryzuje się następującymi funkcjami:<br />

α = k 2 F + 2[∆ − (I − ∆)] − V SE ,<br />

β = k 2 F + 2(I − ∆) − V SE , (3.9)<br />

gdzie I jest potencjałem jonizacyjnym.<br />

3.4 Model frywolny potencjału z przybliżeniem bocznego rozpraszania<br />

Jak wspomniano w paragrafie 2.4 dla nierozróżnialnych cząstek rozpraszanie do przodu<br />

i duża część rozpraszania pod małymi kątami jest wykluczona przez zasadę Pauliego.<br />

Dla kąta rozpraszania θ = π/2 efekt kwantowy redukuje różniczkowe przekroje czynne<br />

o czynnik 2 dla wszystkich energii [1]. Przybliżenie bocznego rozpraszania (sideways approximation)<br />

polegające na podzieleniu wzoru Rutherforda przez 2 dla wszystkich kątów<br />

i energii zostało zaproponowane w pracy [14]. Potencjał absorpcyjny w tym przybliżeniu<br />

jest dany jako:<br />

V A<br />

fs<br />

= 1 2 V A<br />

fo . (3.10)<br />

3.5 Przeskalowany model frywolny<br />

W pracy [16], Raj i Kumar zauważyli, że wybór czynnika C(E) = 2/ √ E prowadzi do<br />

poprawy różniczkowych przekrojów czynnych dla dużych kątów. Potencjał absorpcyjny<br />

tych autorów ma postać:<br />

V A<br />

fr = 2 √<br />

E<br />

V A<br />

fo . (3.11)<br />

3.6 Model frywolny z poprawkami<br />

Blanco i Garcia zaproponowali kilka poprawek modelu frywolnego. Rozważymy trzy z<br />

nich. Oznaczmy je jako Vfc1 A [17], V fc2 A [18], and V<br />

A<br />

fc3 [19].<br />

3.6.1 Potencjał V A<br />

fc1<br />

W pracy [17], wzór Rutherforda dla rozpraszania binarnego elektron-elektron został uzupełniony<br />

przez główny wkład do wyrazu opisującego kwantową interferencję w formule<br />

Motta pochodzący od kąta rozpraszania θ = π 2<br />

. Doprowadziło to do:<br />

¯σ b = ¯σ R + ¯σ c , (3.12)


ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />

MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 24<br />

gdzie<br />

a f δ jest przybliżona [17] przez<br />

¯σ c = − 4<br />

π ˜p˜ϱ H(γ)[ f δ (k F /˜p) − f δ (H(δ)δ 1/2 ) ] (3.13)<br />

gdzie<br />

oraz<br />

f δ (x) = 1 (1 − δ)x(1 − x)−1<br />

4<br />

+ 1<br />

16 (11 − x + (x − 3) δ) ln (1 − x) + (a 1 − δb 1 )x + (a 2 − δb 2 )x 2 , (3.14)<br />

δ = (α + β − ˜p 2 )/˜p 2 (3.15)<br />

a 1 = 0.4353 , a 2 = 0.01233 ,<br />

b 1 = −0.1084 , b 2 = 0.05691 .<br />

Po podstawieniu (3.12) i (A.80) do (3.3) dostajemy potencjał, w którym do oryginalnego<br />

modelu frywolnego została dodana poprawka:<br />

Zmodyfikowany potencjał ma postać<br />

V A<br />

c = − 1 2 ϱ(⃗r)u(⃗r, E)¯σ c.<br />

V A<br />

fc1 = V A<br />

fo + V A<br />

c (3.16)<br />

a pozostałe wielkości charakteryzujące model dane są poprzez (3.7).<br />

3.6.2 Potencjał V A<br />

fc2<br />

W pracy [18], autorzy dokonali dalszych modyfikacji podejścia przedstawionego w pracy<br />

[17] poprzez wzięcie pod uwagę faktu ekranowania wewnętrznych elektronów poprzez<br />

zewnętrzne. Zmodyfikowano także założenia poprzez zastąpienie oryginalnych warunków<br />

blokowania Pauliego dla rozpraszania elektronów przez warunki symetryczne. Powyższe<br />

prowadzi do następujących wyrażeń na potencjał absorpcyjny:<br />

gdzie czynnik ekranujący:<br />

jest wyrażony przez ”głębokość optyczną”<br />

V A<br />

fc2(r) = V A (r)C scr (r), (3.17)<br />

C scr (r) = e λ 0(r) , (3.18)<br />

gdzie<br />

∫∞<br />

λ 0 (r) = 2<br />

r<br />

V A (t)/u(t) dt, (3.19)<br />

V A (r) = V A<br />

fc1(r) (3.20)


ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />

MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 25<br />

przy czym<br />

α = β = kF 2 + ∆ . (3.21)<br />

W praktyce, w pierwszym kroku wyznacza się potencjał V A (r) ze wzoru (3.20) z warunkami<br />

blokowania Pauliego w postaci (3.21). W następnym kroku otrzymuje się czynnik<br />

ekranujący C scr (r) przez numeryczne wykonanie całki występującej we wzorze (3.19).<br />

Końcowe wyrażenie na potencjał absorpcyjny dostaje się ze wzoru (3.17).<br />

Należy tu pokreślić, że potencjał V A (r) mógłby być przybliżony przy pomocy innego<br />

modelu niż ten dany wzorem (3.20).<br />

3.6.3 Potencjał V A<br />

fc3<br />

W pracy [19] zostało wprowadzonych kilka dalszych modyfikacji. ”Głębokość optyczna”<br />

została ustalona bardziej realistycznie. Jako ˜p położono lokalny pęd u. Powoduje to, że<br />

powolny padający elektron pod wpływem potencjału atomowego, V (r), doznaje przyśpieszenia<br />

i spełniając ograniczenia Pauliego jest w stanie usunąć z kanału elastycznego<br />

nawet bardzo ciasno związany elektron wewnętrzny. Aby tego uniknąć autorzy proponują<br />

aby oryginalny warunek blokowania Pauliego zastąpić nowym: rozpraszanie nieelastyczne<br />

jest wykluczone jeżeli energia kinetyczna padającego elektronu jest niższa niż energia<br />

wiązania elektronu w atomie. Energia wiązania została w tym modelu przybliżona przez<br />

potencjał wiązania, który zdefiniowano jako średni potencjał V b (r) działający na każdy<br />

elektron atomowy wytwarzany przez jądro o ładunku Z oraz pozostałe elektrony<br />

V b (r) = Z − 1<br />

Z V (r) − 1 r .<br />

Gęstość elektronowa ϱ(r) została zastąpiona przez efektywną gęstość elektronową ϱ eff (r)<br />

daną wzorem:<br />

gdzie ϱ sat = 1 λ 3<br />

oznacza maksymalną gęstość elektronową tarczy, z którą padający elektron<br />

o lokalnej długości fali 2π u<br />

może oddziaływać. Założenia te doprowadziły do następujących<br />

formuł:<br />

ϱ eff (r) = ϱ sat (1 − e −ϱ/ϱ sat<br />

), (3.22)<br />

V A<br />

fc3(r) = V A<br />

fc2(r) (3.23)<br />

czyli postać potencjału w tym modelu jest też dana wzorem (3.17) ale<br />

λ 0 =<br />

∫∞<br />

r<br />

2V A (t) t<br />

u(t) (t 2 − r 2 dt, (3.24)<br />

) 1/2<br />

˜p = u, (3.25)<br />

γ = E + V b − ∆, (3.26)<br />

˜ϱ = ϱ eff (3.27)


ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />

MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 26<br />

We wspomnianej publikacji [19] podano także uproszczoną wersję V A<br />

fc3s potencjału<br />

Vfc3 A . Uproszczona wersja opiera się na fakcie, że niektóre wyrazy występujące w V<br />

A<br />

fc3 są<br />

zaniedbywalne.


Rozdział 4<br />

Test nieempirycznych modeli<br />

potencjałów efektywnych, elastyczne<br />

rozpraszanie elektronów na atomach<br />

neonu<br />

W poprzednim rozdziale zostały przedstawione modyfikacje nieempirycznego potencjału<br />

absorpcyjnego opartego na modelu kwazi-swobodnego rozpraszania. Obecnie, przedstawione<br />

potencjały zostaną poddane ocenie poprzez porównanie obliczonych przekrojów<br />

czynnych z wynikami doświadczalnymi. Potencjały zostały przetestowane przez obliczenie<br />

średniego błędu bezwzględnego przekrojów czynnych na zbiorze 282 danych eksperymentalnych<br />

dla elastycznego rozpraszania elektronów na obojętnym elektrycznie atomie<br />

neonu w zakresie energii 20-3000 eV.<br />

Jak przedstawiono w paragrafie 1.6 aby otrzymać przekroje czynne należy obliczyć<br />

zespolone parcjalne przesunięcia fazowe, δ l dla liczb kwantowych, l, orbitalnego momentu<br />

pędu elektronu padającego, z równania:<br />

[ 1 d 2 l(l + 1)<br />

+ E −<br />

2 dr2 2r 2 − V (r, E)<br />

]Ψ l (r) = 0, E = p2<br />

2 , (4.1)<br />

gdzie V (r, E) oznacza przybliżony, lokalny, zależny od energii zespolony potencjał optyczny,<br />

E jest energią elektronu padającego a p jego pędem. Przypominamy, że potencjał<br />

V (r, E) można zapisać w następującej postaci:<br />

V (r, E) = V S (r) + V E (r, E) + V P (r, E) + iV A (r, E) , (4.2)<br />

gdzie część rzeczywista (4.2) składa się z potencjału statycznego V S , wymiennego V E<br />

i polaryzacyjnego V P a część urojona jest potencjałem absorpcyjnym V A . We wszystkich<br />

przeprowadzonych testach użyto tych samych potencjałów statycznego i wymiennego<br />

[30, 31]. Potencjał statyczny został otrzymany z dopasowania do wyników obliczeń<br />

27


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 28<br />

Hartee-Focka. Nielokalny potencjał wymienny przybliżono lokalnym potencjałem przy<br />

pomocy półklasycznego wyrażenia będącego funkcją gęstości Hartree-Focka oraz statycznego<br />

potencjału Hartree-Focka<br />

V E (r, E) = 1 [ E − V S (r) ] − 1 {[ E − V S (r) ] 2 + η 2 (r) } 1/2 , (4.3)<br />

2<br />

2<br />

gdzie η(r) = 4πϱ(r), a ϱ(r) jest gęstością elektronową atomu tarczy. Lokalne półklasyczne<br />

przybliżenie do potencjału wymiennego dane wzorem (4.3) było wielokrotnie testowane<br />

przez porównanie z dokładnym, nielokalnym potencjałem wymiennym Hartree-Focka.<br />

Pokazano, że dla energii powyżej progu wzbudzenia wyrażenie (4.3) daje bardzo dobrą<br />

zgodność z dokładnym podejściem do potencjału wymiennego [32, 33, 34, 35]. Dla<br />

rozpraszania e-Ne wielkości V S i ϱ zostały wzięte z pracy [31].<br />

4.1 Potencjały polaryzacyjne<br />

Wprowadźmy teraz trzy modele potencjału polaryzacyjnego stosowane do obliczeń.<br />

4.1.1 Potencjał typu Buckingham<br />

Blanco and García zastosowali potencjał polaryzacyjny typu Buckingham [36]:<br />

V P<br />

b =<br />

α d<br />

2(r 2 + r 2 co) 2 , (4.4)<br />

gdzie α d jest atomową polaryzowalnością dipolową a r co jest parametrem obcięcia potencjału<br />

(ang. cut-off parameter). Użycie tego typu potencjału w obliczeniach oznaczono<br />

indeksem b.<br />

4.1.2 Adiabatyczny potencjał polaryzacyjny Hartree-Fock’a<br />

Następnym użytym w obliczeniach modelem potencjału polaryzacyjnego jest adiabatyczny<br />

potencjał Hartree-Fock’a dany wzorem:<br />

V P<br />

a = 〈Ψ|(H A + V )|Ψ〉 − 〈Φ 0 |(H A + V )|Φ 0 〉, (4.5)<br />

gdzie H A jest Hamiltonianem atomu a V jest operatorem oddziaływania elektron-atom.<br />

Poprzez Φ 0 i Ψ oznaczono funkcje falowe Hartree-Fock’a stanu podstawowego atomu i<br />

całego układu (tj. elektron plus atom), odpowiednio. Całkowanie w powyższym wzorze<br />

obejmuje współrzędne elektronów atomu ∗ . Użycie tego typu potencjału w obliczeniach<br />

zaznaczono indeksem a.<br />

∗ Zachowano tutaj konsekwentnie oznaczenia z pierwszego rozdziału.


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 29<br />

4.1.3 Przybliżona relacja dyspersyjna<br />

W obliczeniach użyto także potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z potencjału absorpcyjnego<br />

poprzez zastosowanie przybliżonej postaci relacji dyspersyjnej:<br />

V P<br />

d<br />

= 1 ∫∞<br />

π P<br />

V A (r, E ′ )<br />

E ′ − E dE′ , (4.6)<br />

ε 1<br />

gdzie P oznacza wartość główną całki a ε 1 jest energią najniższego wzbudzonego stanu<br />

elektronowego. Użycie relacji dyspersyjnej do uzyskania potencjału polaryzacyjnego<br />

odnotowano jako indeks d (symbol użytego potencjału absorpcyjnego).<br />

W dalszej części rozdziału zostaną także zaprezentowane wyniki obliczeń, w których<br />

potencjał polaryzacyjny położono równy zeru. Fakt ten jest odnotowany jako ”−” w<br />

miejscu symbolu potencjału polaryzacyjnego.<br />

4.2 Potencjały absorpcyjne<br />

Do obecnie opisywanych obliczeń zastosowano następujące potencjały absorpcyjne:<br />

4.2.1 Wersje modelu frywolnego<br />

Omówione w poprzednim rozdziale wersje potencjału absorpcyjnego opartego na modelu<br />

prawie swobodnych elektronów:<br />

• Oryginalny model frywolny potencjału absorpcyjnego, V A<br />

fo ,<br />

• Model frywolny potencjału wersja 2, V A<br />

fv2 ,<br />

• Model frywolny potencjału wersja 3, V A<br />

fv3 ,<br />

• Model frywolny potencjału z przybliżeniem bocznego rozpraszania, V A<br />

fs ,<br />

• Przeskalowany model frywolny, V A<br />

fr ,<br />

• Modele frywolne z poprawkami, V A<br />

fc1 , V A<br />

fc2 , V A<br />

fc3 oraz V A<br />

fc3s .<br />

4.2.2 Potencjał V A<br />

g<br />

Green’a, Rio i Uedy<br />

Dla porównania wykonano też obliczenia z empirycznym zależnym od energii potencjałem<br />

absorpcyjnym zaproponowanym przez Greena wraz z współpracownikami w pracy [37].<br />

Autorzy przedstawili zależny od energii potencjał absorpcyjny w postaci:<br />

gdzie<br />

V A<br />

g (r, E) = −W (E) [Y 1 (r) − Y 2 (r)] , (4.7)<br />

W (E) = s 3 E −1 ln [s 4 (E/ε 1 − 1) s 5<br />

+ 1] , (4.8)<br />

Y i (r) = r −1 exp (−r/s i ) (4.9)


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 30<br />

a s 1 , . . . , s 5 są parametrami dopasowanymi do doświadczalnych wartości absorpcyjnych<br />

przekrojów czynnych dla zderzenia e-Ne.<br />

4.2.3 Pominięcie potencjału absorpcyjnego<br />

Podobnie jak dla to miało miejsce dla potencjału polaryzacyjnego zbadano również jak<br />

na wynik wpłynie zaniedbanie potencjału absorpcyjnego.<br />

4.3 Funkcja błędu<br />

Wszystkie rozważane modele potencjałów zostały ocenione przez obliczenie średniego<br />

błędu bezwzględnego (SBB), ∆ cs (cs od cross section), na zbiorze doświadczalnych wartości<br />

przekrojów czynnych dla rozpraszania elektronu na atomie neonu. Dla odróżnienia<br />

od teoretycznych oznaczmy przy pomocy tyldy doświadczalne wartości przekrojów czynnych.<br />

Zbiór składa się z elastycznych, ˜σ el , absorpcyjnych, ˜σ abs i różniczkowych, d˜σ<br />

dΩ , przekrojów<br />

czynnych zmierzonych dla wielu energii. Przekroje czynne ze wskaźnikami j, np.<br />

˜σ j el , oznaczają dane dla j-tej energii. Należy wziąć pod uwagę to, że dla pewnych energii<br />

nie wszystkie typy przekrojów czynnych są zmierzone. Ze względu na relację (1.68)<br />

˜σ tot<br />

j<br />

= ˜σ el<br />

j<br />

+ ˜σ abs<br />

j<br />

jeden z tych trzech przekrojów czynnych może być wyznaczony na podstawie znajomości<br />

pozostałych dwóch, o ile są dostępne dla danej energii.<br />

Do opisu zbioru danych doświadczalnych wprowadzamy następujące oznaczenia:<br />

• N e - liczba energii dla których były dostępne wyniki pomiarów,<br />

• N j - liczba przekrojów czynnych wszystkich typów dla j-tej energii elektronu padającego,<br />

• N diff<br />

j<br />

• N abs<br />

e<br />

- liczba różniczkowych przekrojów czynnych dla j-tej energii,<br />

- liczba energii dla których dane są przekroje czynne na absorpcję,<br />

• N el<br />

e<br />

- liczba energii dla których dane są przekroje czynne na rozpraszanie elastyczne,<br />

• N diff<br />

e<br />

- liczba energii dla których dane są różniczkowe przekroje czynne,<br />

• ˜σ α j<br />

- przekrój czynny ˜σel j lub ˜σ j<br />

abs (α=el lub abs).


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 31<br />

Dla j-tej energii liczba N j może przyjmować następujące wartości:<br />

⎧<br />

1, jeśli jedno z ˜σ α j<br />

jest dostępne,<br />

2, jeśli dwa z ˜σ j α są dostępne,<br />

⎪⎨<br />

N j = Nj diff , jeżeli tylko d˜σ(j)<br />

dΩ<br />

są dostępne,<br />

(4.10)<br />

Nj diff + 1, jeśli d˜σ(j)<br />

dΩ oraz jeden z ˜σα j są dostępne,<br />

⎪⎩ Nj diff + 2, jeżeli d˜σ(j)<br />

dΩ oraz dwa z ˜σα j są dostępne.<br />

Wspomniany średni błąd bezwzględny, ∆ cs , dany jest jako:<br />

gdzie<br />

∆ cs = 1 [ ∑ Ne 1 ( dσ ∆<br />

N e N<br />

j=1 j dΩ (j) + ∆σ(j))] , (4.11)<br />

∆ dσ<br />

N diff<br />

j∑<br />

dΩ (j) = dσ(j)<br />

∣ dΩ (θ i)− d˜σ(j)<br />

dΩ (θ i)<br />

∣ , (4.12)<br />

i=1<br />

oznacza sumę błędów bezwzględnych różniczkowych przekrojów czynnych dla j-tej energii,<br />

⎧<br />

0, jeśli tylko d˜σ(j)<br />

dΩ<br />

są dostępne,<br />

⎪⎨<br />

∆σ(j)= ∆σj<br />

el + ∆σabs j , jeśli ˜σ j<br />

el i ˜σ j<br />

abs są dostępne,<br />

(4.13)<br />

⎪⎩ ∆σj α , α= abs lub el jeżeli tylko jedno z ˜σα j jest dostępne<br />

oznacza sumę błędów bezwzględnych całkowitych przekrojów czynnych dla j-tej energii<br />

a ∆σj α = |σα j − ˜σα j | jest błędem bezwzględnym pojedynczego przekroju czynnego. Zostały<br />

również obliczone średnie błędy bezwzględne dla każdego rodzaju przekrojów czynnych:<br />

∆ diff =<br />

∆ α = 1<br />

N α e<br />

N<br />

1<br />

e∑<br />

diff<br />

Ne<br />

diff<br />

j=1<br />

N<br />

∑e<br />

α<br />

j=1<br />

1<br />

N diff<br />

j<br />

∆ dσ (j) , (4.14)<br />

dΩ<br />

|σ α j − ˜σ α j |, (4.15)<br />

gdzie α = el, abs. Zbiór danych doświadczalnych składa się z 282 wartości przekrojów<br />

czynnych dla N e = 20 energii elektronu padającego zawartych w przedziale od 20 do<br />

3000 eV. Liczba ta zawiera N abs<br />

e = 18, absorpcyjnych przekrojów czynnych, N el<br />

e =<br />

17, elastycznych przekrojów czynnych oraz 247 różniczkowych przekrojów czynnych dla<br />

N diff<br />

e = 15 w zakresie kątów od 3 do 150 stopni. Dane te zostały zebrane w Dodatku B.<br />

Obliczono także średnie błędy bezwzględne ∆ cs i ∆ diff dla mniejszych zakresów energii<br />

i kątów rozpraszania.<br />

Przyjęto oznaczenia:<br />

• ∆ cs<br />

1<br />

dla niskich energii 20-100 eV,


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 32<br />

• ∆ cs<br />

2<br />

dla energii pośrednich 150-500 eV,<br />

• ∆ cs<br />

3<br />

dla energii wysokich 700-3000 eV,<br />

oraz dla kątów (w całym zakresie energii):<br />

• ∆ diff<br />

1 dla małych kątów 0 ◦ -30 ◦ ,<br />

• ∆ diff<br />

2 dla kątów 31 ◦ -60 ◦ ,<br />

• ∆ diff<br />

3 dla kątów 61 ◦ -180 ◦ .<br />

4.4 Wyniki i dyskusja<br />

Wyniki obliczeń zostały zaprezentowane w tabelach 4.1, 4.2 oraz na rysunkach 4.1-4.13.<br />

Tabele prezentują średnie błędy bezwzględne (SBB) obliczone dla różnych kombinacji potencjałów<br />

polaryzacyjnych (P) i absorpcyjnych (A). Do porównania modeli należy użyć<br />

wartości zebrane w danej kolumnie tabeli. Pierwszy wiersz tabel zawiera doświadczalne<br />

średnie błędy bezwględne. Przy określaniu tych wartości założono, że błąd doświadczalny<br />

pomiaru całkowitych przekrojów czynnych wynosi 5 procent wartości mierzonej a dla<br />

różniczkowych przekrojów czynnych przyjęto błąd 10 procentowy. Wspomniane ekspertymentalne<br />

SBB są wartościami referencyjnymi, z którymi należy porównywać wartości<br />

SBB dla poszczególnych modeli. Ostatni wiersz tabel 4.1 i 4.2 podaje SBB dla przybliżenia<br />

statyczno-wymiennego. Warto w tym miejscu zauważyć, że zastosowanie tego<br />

najprostszego przybliżenia dało wartość ∆ diff<br />

3 niewiele różniącą się od wartości eksperymentalnej.<br />

W celu umożliwienia szczegółowej dyskusji przedstawiono, w tabeli 4.2 , błędy<br />

dla niskich ∆ cs<br />

1 , średnich ∆cs 2 oraz wysokich energii ∆cs 3 obok błędu dla całego przedziału<br />

energii ∆ cs . Podobnie, w tabeli 4.2 obok błędów dla różniczkowych przekrojów czynnych<br />

obliczonych dla wszystkich kątów i energii znalazły się błędy obliczone dla małych ∆ diff<br />

1 ,<br />

średnich ∆ diff<br />

2 oraz dużych kątów rozpraszania ∆ diff<br />

3 . W tabeli 4.2 zgromadzono ponadto<br />

SBB dla elastycznych przekrojów czynnych ∆ el , przekrojów czynnych na absorpcję ∆ abs<br />

i całkowitych przekrojów czynnych ∆ tot obliczonych dla wszystkich danych energii.<br />

Jeżeli weźmiemy po uwagę zestawienie potencjałów polaryzacyjnego (P) oraz absorpcyjnego<br />

(A), (P=b, a), (A=fo, fv2, fv3, fs, fr, fc1, fc2, fc3, g), to widać, że zastosowanie<br />

oryginalnego potencjału absorpcyjnego fo daje najmniejszy błąd ∆ cs (bf0 - 0.251, afo -<br />

0.274). Spośród modeli nieemiprycznych, oryginalny potencjał absorpcyjny przynosi najmniejszy<br />

błąd dla przekroju czynnego na absorpcję. Wprawdzie jeszcze mniejszy błąd<br />

niesie za sobą zastosowanie potencjału g, jednakże parametry występujące w potencjale<br />

Greena zostały tak dobrane aby jak najlepiej odtworzyć doświadczalne wartości absorpcyjnych<br />

przekrojów czynnych.


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 33<br />

Skierujmy uwagę na modele zawierające potencjał polaryzacyjny typu Buckinghama,<br />

oznaczony jako b. Kombinacja tego potencjału z oryginalnym modelem frywolnym<br />

potencjału absorpcyjnego tj. bfo poprawnie odtwarza doświadczalną zależność od energii<br />

absorpcyjnego przekroju czynnego. Jednakże jak można się przekonać na stosownym<br />

rysunku 4.12 wartości przekroju czynnego na absorpcję są mniejsze od wartości doświadczalnych.<br />

Oznacza to, że zastosowany potencjał ma za mały zasięg [15]. Biorąc pod uwagę<br />

wykresy na rysunkach 4.1-4.3 obrazujące różniczkowe przekroje czynne można zauważyć,<br />

że bfo bardzo dobrze reprodukuje dane doświadczalne w szerokim zakresie kątów rozpraszania<br />

dla energii poniżej 100 eV. Dla wyższych energii różniczkowe przekroje czynne<br />

są za małe, w szczególności dla dużych kątów rozpraszania. Oznacza to, że zależny od<br />

energii potencjał fo staje się za silny dla małych odległości r [15].<br />

Zastosowanie potencjałów oznaczonych jako fv2 i fv3 daje błąd ∆ cs zbliżony wartością<br />

do błędu, które daje zastosowanie potencjału fo.<br />

Najprostsza modyfikacja oryginalnego modelu frywolnego potencjału absorpcyjnego<br />

tj. fs, osłabiająca potencjał fo dla wszystkich wartości r, polepsza różniczkowe przekroje<br />

czynne dla dużych kątów rozpraszania. Jednakże zastosowanie potencjału fs zwiększa<br />

pięciokrotnie wartość błędu przekroju czynnego na absorpcję.<br />

Poprawka V A<br />

c<br />

wprowadzona w modelu fc1 poprawia nieco kształt potencjału. V A<br />

c<br />

osłabia potencjał dla małych r przyjmując dodatnie wartości a dla dużych r przyjmuje<br />

wartości ujemne przyczyniając się do wzmocnienia potencjału. Zmiany te są jednakże<br />

zbyt małe i ogólny błąd jest taki sam jak dla modelu fo. Zmniejszeniu ulega błąd różniczkowych<br />

przekrojów czynnych. Przybliżenie użyte w wyrazie korekcyjnym sprawia, że<br />

potencjał absorpcyjny staje się, przy pewnych energiach, dodatni i nieciągły przy γ = 0.<br />

Problem ten pojawiał się dla niewielkiego przedziału małych r. Potencjał o wartościach<br />

dodatnich nie może opisywać procesu absorpcji. W obliczeniach położono zera jako wartość<br />

potencjału tam gdzie przyjmował on wartości dodatnie uzyskując w ten sposób<br />

ciągłość potencjału.<br />

Model fc2 przynosi największe błędy. Ekranowanie nieznacznie osłabia potencjał,<br />

jednakże osłabienie to nie jest wystarczające.<br />

Zmiana potencjału polaryzacyjnego b na inny powoduje większe zmiany w elastycznych<br />

i różniczkowych przekrojach czynnych niż w przekrojach czynnych na absorpcję nie<br />

wpływa więc znacząco na wnioski dotyczące modeli potencjałów absorpcyjnych.<br />

Modele afo oraz afv2 dają najmniejszy średni błąd bezwzględny. Następny w kolejności<br />

jest model afv2. Warto odnotować fakt, że dla niskich energii rozpraszania afv2<br />

daje najlepszą zgodność z wynikami doświadczalnymi. Dla niskich energii adiabatyczny<br />

potencjał polaryzacyjny (a) prowadzi do najmniejszego błędu dla większości użytych<br />

modeli potencjału absorpcyjnego (poza jednym).


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 34<br />

20 eV<br />

30 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2.8<br />

1.85<br />

0.42<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

3<br />

0.24<br />

0.15<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

40 eV<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

50 eV<br />

5<br />

5<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.06<br />

0.03<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.025<br />

0.0005<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

7e-005<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.1: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV,<br />

obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0, bfc3, bfc3s; dane<br />

doświadczalne (+).<br />

Zastosowanie modelu fc2 dało niestety największe błędy. Potencjał ten jest za głęboki<br />

dla małych r (najgłębszy pośród rozważanych modeli). Pogłębienie wynika z modyfikacji<br />

wartości α i β, im mniejsze α tym potencjał głębszy. Ekranowanie osłabia nieco potencjał,<br />

lecz osłabienie nie przynosi oczekiwanych rezultatów.<br />

Model fc3 wprowadzono jako modyfikację modelu fc2. W celu osłabienia potencjału<br />

fc2 wprowadzono silniejsze ekranowanie wraz z nowymi poprawkami, które wykraczają<br />

poza założenia modelu kwaziswobodnego. Potencjał fc3 w wyniku tych zabiegów stał się<br />

słabszy dla dla małych r. Zwiększył się także zasięg ulepszonego potencjału.<br />

Modyfikacja potencjału absorpcyjnego zaproponowana w modelu fr prowadzi do niepoprawnej<br />

zależności od energii. Jak widać z rysunku 4.14 absorpcyjne przekroje czynne<br />

są zbyt duże dla małych energii i zbyt małe dla dużych energii. Oznacza to, że potencjał<br />

fr jest za silny dla małych energii i za słaby dla energii wysokich. Dzięki osłabieniu<br />

potencjału dla energii wysokich otrzymuje się lepsze wartości różniczkowych przekrojów<br />

czynnych dla dużych kątów rozpraszania ale efekt ten nie jest wynikiem prawidłowo<br />

zmodyfikowanego potencjału.<br />

Modele potencjałów absorpcyjnych bazujące na QFSM, opisane powyżej, przynoszą<br />

poprawę wyników różniczkowych przekrojów czynnych dla niektórych zakresów energii<br />

i kątów rozpraszania. Jednakże nie odnotowano systematycznej poprawy dla szerokiego<br />

zakresu energii i katów rozpraszania. Empiryczny potencjał Greena z parametrami dopa-


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 35<br />

100 eV<br />

150 eV<br />

8.3<br />

8.2<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

1.5<br />

0.07<br />

0.023<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.78<br />

0.08<br />

0.05<br />

0.025<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

200 eV<br />

300 eV<br />

9<br />

10<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.42<br />

0.055<br />

0.025<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.16<br />

0.095<br />

0.035<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.2: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200, 300 eV,<br />

obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0, bfc3, bfc3s; dane<br />

doświadczalne (+).<br />

sowanymi do doświadczalnie wyznaczonych wartości przekrojów czynnych na absorpcję<br />

w szerokim zakresie energii został z powodzeniem użyty do wyznaczenia potencjału polaryzacyjnego<br />

z relacji dyspersyjnej [38].<br />

Jednym z celów tej pracy było zbadanie czy zależność od energii modeli potencjałów<br />

absorpcyjnych modyfikujących QFSM jest wystarczająco dobra aby można było<br />

otrzymać z nich potencjał polaryzacyjny. Analizując wykresy różniczkowych przekrojów<br />

czynnych (rysunki 4.9-4.12) można zobaczyć, że użycie relacji dyspersyjnej do uzyskania<br />

z oryginalnego modelu QFSM (na rysunku d(fo)) potencjału polaryzacyjnego nie przynosi<br />

zadowalających rezultatów. Co gorsza, dla niskich energii, otrzymujemy minima,<br />

które nie znajdują potwierdzenia w doświadczeniu. Model d(fr) jest jednym z najlepiej<br />

odzwierciedlających przebieg danych doświadczalnych. Jednakże, użycie tego modelu ma<br />

mankament polegający na dużej rozbieżności z wynikami doświadczalnymi przekrojów<br />

czynnych na absorpcję, co pokazuje rysunek 4.15. Podsumowując na tym etapie badania<br />

nad użyciem relacji dyspersyjnej do uzyskania potencjałów polaryzacyjnych należy powstrzymać<br />

się od ostatecznych wniosków do czasu zbadania innych tarcz atomowych. Z<br />

tego między innymi powodu w następnych rozdziałach zostaną opisane dalsze badania<br />

obejmujące także inne tarcze atomowe.


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 36<br />

400 eV<br />

500 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.07<br />

0.023<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.04<br />

0.017<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

750 eV<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

800 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.015<br />

0.007<br />

0.003<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.013<br />

0.0055<br />

0.0025<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.3: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750, 800 eV,<br />

obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0, bfc3, bfc3s; dane<br />

doświadczalne (+).<br />

1000 eV<br />

2000 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.008<br />

0.0031<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.0016<br />

0.0006<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

3000 eV<br />

10<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.0006<br />

0.0002<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.4: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000, 3000 eV,<br />

obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0, bfc3, bfc3s; dane<br />

doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 37<br />

5<br />

20 eV<br />

5<br />

30 eV<br />

3<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2.05<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.24<br />

0.13<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

40 eV<br />

50 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

4.1<br />

2.6<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

5<br />

2<br />

0.05<br />

0.012<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.5: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV,<br />

obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs , dane<br />

doświadczalne (+).<br />

100 eV<br />

150 eV<br />

8<br />

8<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

1.2<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.63<br />

0.025<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.05<br />

0.025<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

200 eV<br />

300 eV<br />

9<br />

10<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.33<br />

0.055<br />

0.025<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.11<br />

0.036<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.6: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200, 300<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs , dane<br />

doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 38<br />

400 eV<br />

500 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.053<br />

0.023<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.031<br />

0.016<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

750 eV<br />

800 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.012<br />

0.0065<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.01<br />

0.0055<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.7: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750, 800<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs , dane<br />

doświadczalne (+).<br />

1000 eV<br />

2000 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.0033<br />

0.0006<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

3000 eV<br />

10<br />

dσ/dΩ [a 0<br />

2 /sr]<br />

0.0005<br />

0.0002<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.8: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000, 3000 eV,<br />

obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs , dane<br />

doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 39<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

10<br />

1.21<br />

0.19<br />

0.06<br />

0.0015<br />

20 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

10<br />

5.25<br />

2.3<br />

1.25<br />

0.13<br />

30 eV<br />

0.0002<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.023<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

10<br />

6.75<br />

2.52<br />

1<br />

40 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

10<br />

5.25<br />

2.5<br />

0.9<br />

0.1<br />

50 eV<br />

0.035<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.017<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.9: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV, obliczone<br />

dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów absorpcyjnych poprzez<br />

relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne (+).<br />

100 eV<br />

150 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.05<br />

0.013<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.85<br />

0.055<br />

0.0012<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.02<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

200 eV<br />

300 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.45<br />

0.066<br />

0.032<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.15<br />

0.055<br />

0.03<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.10: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200,<br />

300 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />

absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne<br />

(+).


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 40<br />

400 eV<br />

500 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.08<br />

0.032<br />

0.019<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.048<br />

0.031<br />

0.015<br />

0 40 80 120 160<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

θ [ deg ]<br />

750 eV<br />

800 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.03<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.03<br />

0.009<br />

0.0075<br />

0 40 80 120 160<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.11: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750,<br />

800 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />

absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne<br />

(+).<br />

1000 eV<br />

2000 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.015<br />

0.005<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.0045<br />

0.0013<br />

0 40 80 120 160<br />

0.0013<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

θ [ deg ]<br />

3000 eV<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.002<br />

0.0005<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 4.12: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000,<br />

3000 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />

absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne<br />

(+).


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 41<br />

15<br />

5<br />

σ el [ a 0<br />

2 ]<br />

10<br />

5<br />

σ abs [ a 0<br />

2 ]<br />

3<br />

1<br />

1<br />

50 100 500 1000 3000<br />

energia [ eV ]<br />

50 100 500 1000 3000<br />

energia [ eV ]<br />

σ tot [ a 0<br />

2 ]<br />

5<br />

3<br />

1<br />

50 100 500 1000 3000<br />

energia [ eV ]<br />

Rys. 4.13: Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne<br />

dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego: bfo, bfc1, bfc2, bfc3, bfc3s,<br />

dane doświadczalne (+).<br />

13<br />

3<br />

σ el [ a 0<br />

2 ]<br />

10<br />

5<br />

σ abs [ a 0<br />

2 ]<br />

1<br />

1<br />

50 100 500 1000 3000<br />

energia [ eV ]<br />

50 100 500 1000 3000<br />

energia [ eV ]<br />

13<br />

σ tot [ a 0<br />

2 ]<br />

10<br />

7<br />

5<br />

1<br />

50 100 500 1000 3000<br />

energia [ eV ]<br />

Rys. 4.14: Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />

Ne dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego: bfo, bg, bfr, bfs, dane<br />

doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 42<br />

4<br />

10<br />

3<br />

σ el [ a 0<br />

2 ]<br />

5<br />

σ abs [ a 0<br />

2 ]<br />

2<br />

1<br />

1<br />

15<br />

50 100 500 1000 3000<br />

energia [ eV ]<br />

50 100 500 1000 3000<br />

energia [ eV ]<br />

σ tot [ a 0<br />

2 ]<br />

10<br />

5<br />

50 100 500 1000 3000<br />

energia [ eV ]<br />

Rys. 4.15: Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne,<br />

obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów absorpcyjnych<br />

poprzez relację dyspersyjną: d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne<br />

(+).


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 43<br />

Tabela 4.1: Średnie błędy bezwzględne (SBB) przekrojów czynnych dla różnych kombinacji<br />

polaryzacyjnych (P) i absorpcyjnych (A) potencjałów w zależności od zakresu<br />

energii elektronu padającego dla rozpraszania e-Ne.<br />

SBB [a 2 0 ]<br />

∆cs<br />

energia [eV] 20 ÷ 100 150 ÷ 500 700 ÷ 3000 20 ÷ 3000<br />

1 ∆ cs<br />

2 ∆ cs<br />

3 ∆ cs<br />

Błąd doświadczalny 0.195 0.099 0.115 0.147<br />

P A<br />

d(fo) fo 0.399 0.158 0.117 0.254<br />

d(fv2) fv2 0.267 0.163 0.229 0.229<br />

d(fv3) fv3 0.327 0.188 0.223 0.261<br />

d(fs) fs 0.694 0.173 0.175 0.408<br />

d(fr) fr 0.265 0.176 0.230 0.232<br />

d(fc1) fc1 0.468 0.147 0.104 0.278<br />

d(fc2) fc2 1.804 0.353 0.277 0.983<br />

d(fc3) fc3 0.696 0.325 0.386 0.510<br />

d(fc3s) fc3s 0.873 0.323 0.370 0.584<br />

d(g) g 0.334 0.140 0.159 0.233<br />

b fo 0.384 0.137 0.145 0.251<br />

b fv2 0.330 0.118 0.288 0.265<br />

b fv3 0.342 0.117 0.268 0.263<br />

b fs 0.550 0.152 0.201 0.346<br />

b fr 0.395 0.144 0.233 0.284<br />

b fc1 0.395 0.134 0.139 0.253<br />

b fc2 1.001 0.220 0.272 0.587<br />

b fc3 0.491 0.113 0.215 0.314<br />

b fc3s 0.747 0.118 0.198 0.425<br />

b g 0.512 0.150 0.185 0.323<br />

a fo 0.240 0.170 0.413 0.274<br />

a fv2 0.163 0.320 0.706 0.365<br />

a fv3 0.187 0.301 0.676 0.362<br />

a fs 0.470 0.234 0.562 0.439<br />

a fr 0.281 0.250 0.671 0.390<br />

a fc1 0.266 0.163 0.411 0.284<br />

a fc2 0.928 0.297 0.498 0.641<br />

a fc3 0.381 0.228 0.521 0.384<br />

a fc3s 0.677 0.240 0.540 0.527<br />

a g 0.334 0.180 0.529 0.354<br />

b – 0.741 0.234 0.372 0.504<br />

a – 0.880 0.406 0.803 0.793<br />

– fo 0.517 0.197 0.154 0.328<br />

– fv2 0.469 0.155 0.177 0.303<br />

– fv3 0.478 0.162 0.172 0.307<br />

– fs 0.686 0.221 0.194 0.422<br />

– fr 0.564 0.219 0.230 0.378<br />

– fc1 0.529 0.197 0.145 0.330<br />

– fc2 1.104 0.240 0.214 0.621<br />

– fc3 0.612 0.153 0.140 0.355<br />

– fc3s 0.853 0.148 0.115 0.455<br />

– g 0.655 0.204 0.098 0.375<br />

– – 0.868 0.272 0.300 0.548


ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />

ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 44<br />

Tabela 4.2: Średnie błędy bezwzględne (SBB) przekrojów czynnych dla różnych kombinacji<br />

polaryzacyjnych (P) i absorpcyjnych (A) potencjałów w zależności od zakresu kąta<br />

ropraszania dla zderzenia e-Ne.<br />

SBB [a 2 0 ] ∆diff 1 ∆ diff<br />

2 ∆ diff<br />

3 ∆ diff ∆ el ∆ abs<br />

kąt [deg] 3 ÷ 30 31 ÷ 60 61 ÷ 150 3 ÷ 150<br />

Błąd doś. 0.250 0.064 0.026 0.101 0.316 0.100<br />

P A<br />

d(fo) fo 0.405 0.369 0.143 0.229 0.658 0.216<br />

d(fv2) fv2 0.400 0.059 0.034 0.131 0.622 0.596<br />

d(fv3) fv3 0.421 0.071 0.032 0.142 0.674 0.505<br />

d(fs) fs 0.456 0.212 0.071 0.169 0.643 1.027<br />

d(fr) fr 0.333 0.144 0.038 0.135 0.329 0.615<br />

d(fc1) fc1 0.430 0.363 0.139 0.226 0.719 0.281<br />

d(fc2) fc2 1.715 0.320 0.210 0.499 2,230 1.255<br />

d(fc3) fc3 0.842 0.353 0.149 0.400 0.837 0.426<br />

d(fc3s) fc3s 0.980 0.289 0.094 0.382 0.853 0.676<br />

d(g) g 0.457 0.256 0.076 0.204 0.421 0.081<br />

b fo 0.257 0.087 0.038 0.104 0.759 0.222<br />

b fv2 0.345 0.072 0.024 0.135 0.521 0.598<br />

b fv3 0.329 0.070 0.025 0.131 0.548 0.505<br />

b fs 0.269 0.052 0.024 0.098 0.532 1.039<br />

b fr 0.304 0.067 0.032 0.112 0.688 0.610<br />

b fc1 0.250 0.077 0.036 0.102 0.717 0.301<br />

b fc2 0.325 0.131 0.060 0.150 1.030 1.367<br />

b fc3 0.330 0.095 0.034 0.141 0.688 0.399<br />

b fc3s 0.378 0.104 0.043 0.159 0.772 0.609<br />

b g 0.349 0.084 0.046 0.148 0.934 0.106<br />

a fo 0.645 0.192 0.050 0.290 0.222 0.197<br />

a fv2 0.902 0.181 0.041 0.387 0.434 0.594<br />

a fv3 0.880 0.176 0.040 0.377 0.413 0.507<br />

a fs 0.715 0.160 0.038 0.307 0.321 1.026<br />

a fr 0.765 0.168 0.037 0.334 0.362 0.813<br />

a fc1 0.648 0.185 0.048 0.288 0.196 0.279<br />

a fc2 0.704 0.242 0.070 0.332 0.562 1.421<br />

a fc3 0.800 0.202 0.045 0.350 0.313 0.427<br />

a fc3s 0.844 0.207 0.051 0.373 0.516 0.655<br />

a g 0.764 0.183 0.056 0.346 0.438 0.088<br />

b – 0.333 0.049 0.027 0.131 0.482 2.002<br />

a – 0.861 0.180 0.051 0.380 0.795 2.002<br />

– fo 0.381 0.113 0.040 0.134 1.012 0.231<br />

– fv2 0.373 0.098 0.028 0.120 0.716 0.598<br />

– fv3 0.365 0.097 0.027 0.119 0.772 0.507<br />

– fs 0.391 0.082 0.025 0.123 0.776 1.044<br />

– fr 0.416 0.080 0.026 0.130 0.813 0.832<br />

– fc1 0.375 0.106 0.036 0.131 0.952 0.310<br />

– fc2 0.345 0.155 0.063 0.140 1.245 1.345<br />

– fc3 0.360 0.121 0.036 0.128 0.940 0.388<br />

– fc3s 0.389 0.130 0.046 0.139 1.003 0.592<br />

– g 0.383 0.110 0.049 0.135 1.195 0.112<br />

– – 0.430 0.075 0.027 0.139 0.527 2.002


Rozdział 5<br />

Poprawki empiryczne do potencjału<br />

absorpcyjnego opartego na modelu<br />

kwazi-swobodnego rozpraszania<br />

5.1 Wprowadzenie<br />

W poprzednim rozdziale przedstawiono wyniki uzyskane dla elastycznego rozpraszania<br />

elektronów na atomie neonu przy pomocy różnych kombinacji nieempirycznych modeli<br />

potencjałów polaryzacyjnych i opartych na modelu kwazi-swobodnego rozpraszania<br />

potencjałów absorpcyjnych V A<br />

f [39, 40, 38].<br />

Najmniejszy błąd, ∆ cs , policzony na całym zbiorze danych przewyższył założony<br />

doświadczalny SBB o 70%. Wspomniany błąd otrzymano poprzez połączenie polaryzacyjnego<br />

potencjału V P<br />

b<br />

typu Buckinghama [17] i oryginalnego potencjału absorpcyjnego<br />

Vfo A opartego na modelu kwazi-swobodnego rozpraszania [41]. Wersje V<br />

A<br />

fv2 oraz V fv3 A [15]<br />

tego potencjału dają nieco większe błędy. Nieempiryczne modyfikacje potencjału V A<br />

fo ,<br />

dyskutowane w poprzednim rozdziale oraz w [41] , poprawiają oryginalny model dla<br />

pewnych zakresów energii i kątów rozpraszania. Nie dają jednak poprawy dla całego<br />

zbioru danych.<br />

Potencjał Vfo A jest za silny w obszarach wysokiej i za słaby w rejonie niskiej gęstości<br />

elektronowej [20, 15]. Potencjały zależne od parametrów empirycznych dopasowanych<br />

do danych doświadczalnych mogą być pomocne w określeniu formy funkcjonalnej potencjału<br />

a także mogą wskazać kierunek przyszłych modyfikacji. Ostatnio Lee i in. [41]<br />

zaproponowali empiryczną poprawkę do potencjału Vfv3 A [15, 41]. W niniejszym rozdziale<br />

zostanie zaprezentowane rozszerzenie uprzednio opisanych badań na model empiryczny.<br />

Model bazuje na przemnożeniu potencjału absorpcyjnego V A<br />

fv3<br />

przez czynnik skalujący<br />

45


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 46<br />

SF (scaling factor) zawierający dwa parametry empiryczne M oraz N:<br />

SF = 1.0 + Mpr s − N pr s<br />

, (5.1)<br />

gdzie, jak poprzednio, p = √ 2E jest pędem elektronu padającego, r s = [<br />

3<br />

4πϱ(⃗r) ]1/3 oznacza<br />

promień Seitza a ϱ(⃗r) jest gęstością elektronową tarczy. Czynnik skalujący jest bezwymiarowy,<br />

użycie gęstości elektronowej, zamiast r, jako zmiennej niezależnej ma na celu<br />

spowodować jego niezależność od rozmiarów tarczy. Wprowadzone parametry mają być,<br />

z założenia, niezależne od rodzaju tarczy i energii elektronu padającego. Wspomniani<br />

autorzy wybrali tak parametry aby odtworzyć przekrój czynny na absorpcję dla rozpraszania<br />

elektronów na cząsteczce N 2 przy energii 500 eV. Otrzymali wartości M=0.12 i<br />

N=2.2. Z tym wartościami parametrów dla różnych atomów i molekuł uzyskali lepszą<br />

zgodność wyników z danymi doświadczalnymi.<br />

Do oceny powyższego modelu wykorzystaliśmy zdefiniowaną w poprzednim rozdziale<br />

funkcję błędu. Parametry występujące w SF zostały zoptymalizowane poprzez minimalizację<br />

SBB na zbiorze danych zawierającym doświadczalne przekroje czynne dla szerokiego<br />

zakresu energii elektronu padającego i kątów rozpraszania. Obliczenia przeprowadzono<br />

dla trzech tarcz: He (316 danych), Ne (282 danych) oraz Ar (302 danych). Poszukiwanie<br />

minimalnych wartości SBB przeprowadzono przy pomocy algorytmu genetycznego<br />

[42, 43].<br />

Przedziały, w których dokonujemy optymalizacji parametrów M i N powinny być<br />

starannie dobrane. Z powodu znaku minus, występującego we wzorze (5.1), potencjał absorpcyjny<br />

może stać się dodatni dla niektórych wartości r. Potencjał zachowa się wówczas<br />

jak źródło a nie absorbent. Potencjały absorpcyjne, dla tarcz atomowych omawianych w<br />

tym rozdziale, z parametrami rekomendowanymi w [20] stają się dodatnie dla niektórych<br />

energii i odległości. Funkcja błędu, dla He i Ar, osiąga minimum dla małych wartości N,<br />

rzędu 10 −4 . Położenie N = 0 praktycznie nie zmieniło błędu. Dla Ne utrzymanie N ≠ 0<br />

wraz z warunkiem V A (r) < 0 ∀r, nie doprowadziło do poprawy SBB. Z tych przyczyn<br />

położono N = 0 i i zaproponowano czynniki skalujące w następujących postaciach:<br />

gdzie a 1 , c 0 , c 1 są dodatnimi parametrami empirycznymi.<br />

SF 1 = 1.0 + a 1 pr s , (5.2)<br />

SF 2 = c 0 + c 1 pr s , (5.3)<br />

Oba czynniki znacząco doprowadziły do poprawy SBB dla He i Ar. Optymalne wartości<br />

parametrów dla tych atomów nie różnią się wiele od siebie. Dla Ne spadek wartości<br />

SBB nie jest wielki a wartości dopasowanych parametrów występujących w czynnikach<br />

skalujących różnią się znacząco od tych dla He i Ar.<br />

Potencjały absorpcyjne oparte na modelu kwasi-swobodnego rozpraszania zależą od<br />

rzeczywistej części potencjału, V R . W oryginalnym modelu, Vfo A , zależność ta objawia


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 47<br />

się we wzorze na lokalną prędkość elektronu padającego. W modelu V A<br />

fv3<br />

zależność pojawia<br />

się także w warunkach wynikających z zakazu Pauliego. W modelu Vfo A cześć rzeczywista<br />

potencjału jest przybliżona przez sumę potencjału statycznego i wymiennego:<br />

V R = V SE . Stosowane jest również podejście, w którym do potencjału absorpcyjnego<br />

wstawia się V R = V SEP , gdzie potencjał polaryzacyjny, V P , jest dodawany do V SE<br />

[44, 20]. Jednakże użycie potencjału V R = V SEP w potencjale absorpcyjnym powoduje,<br />

że problem uzyskania potencjału V P z relacji dyspersyjnej (wiążącej V P z V A ) ulega<br />

skomplikowaniu. Ważną kwestią zatem staje się zbadanie czy włączenie V P do V A jest<br />

istotne. Mając to na uwadze zaprezentowane zostaną wyniki obliczeń dwóch podejść.<br />

Wyniki te pokażą, że w przypadku rozważanych tutaj tarcz atomowych obecność V P w<br />

V A nie jest znacząca.<br />

W dalszej części bieżącego rozdziału zostaną porównane wyniki obliczeń dla sześciu<br />

wersji potencjału absorpcyjnego dla rozpraszania e-He, e-Ne i e-Ar w szerokim zakresie<br />

energii i kątów rozpraszania.<br />

5.2 Teoria i obliczenia<br />

Szczegółowy opis obliczeń dotyczący rozwiązywania równania opisującego rozpraszanie<br />

jak i postaci potencjałów statycznego i wymiennego oraz polaryzacyjnego potencjału<br />

typu Buckinghama został umieszczony w poprzednim rozdziale.<br />

Warto w tym miejscu przypomnieć postać potencjału absorpcyjnego opartego na modelu<br />

kwaziswobodnego rozpraszania:<br />

gdzie<br />

Vf A 2πϱ(⃗r)u(⃗r, E)<br />

(⃗r, E) = −<br />

5kF 3 H(p 2 + k 2<br />

p2 F − α − β)<br />

×[<br />

5k<br />

3<br />

F<br />

α − k 2 F<br />

− k3 F [5(p2 − β) + 2k 2 F ]<br />

(p 2 − β) 2<br />

+H(α + β − p 2 ) 2(α + β − p2 ) 5/2 ]<br />

(p 2 − β) 2 , (5.4)<br />

u(⃗r, E) = [2(E − V R )] 1/2 , (5.5)<br />

k F = (3πϱ) 1/3 a H jest funkcją skokową Heaviside’a. Wartości α and β [15] są uwarunkowane<br />

zakazem Pauliego i w zależności od modelu są różnymi funkcjami energii progowej<br />

atomu ∆, potencjału jonizacyjnego I, pędu Fermiego k F<br />

oraz części rzeczywistej potencjału<br />

efektywnego V R . Wszystkie modele V A<br />

f<br />

obecnie rozpatrywane otrzymuje się z<br />

równania (5.4) poprzez określenie wartości V R , α oraz β. Idąc dalej niektóre z modeli są<br />

mnożone przez czynnik skalujący, który zależy od dopasowywalnych parametrów.


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 48<br />

Mamy zatem:<br />

Vfo A (SE)— oryginalny frywolny model potencjału<br />

V R = V SE , α = k 2 F + 2∆, β = k 2 F ; (5.6)<br />

Vfv3 A (SE) — frywolny model potencjału, wersja 3 z V<br />

SE<br />

V R = V SE ,<br />

α = k 2 F + 2[∆ − (I − ∆)] − V R<br />

β = k 2 F + 2(I − ∆) − V R ; (5.7)<br />

Vfv3 A (SEP ) — frywolny model potencjału, wersja 3 z V<br />

SEP<br />

V R = V SEP , α = k 2 F + 2[∆ − (I − ∆)] − V R ,<br />

β = k 2 F + 2(I − ∆) − V R . (5.8)<br />

Vfv3sf1 A (SE) — potencjał (5.7) przemnożony przez czynnik skalujący (5.2):<br />

V A<br />

fv3sf1(SE) = SF 1 V A<br />

fv3V (SE) (5.9)<br />

Vfv3sf1 A (SEP ) — potencjał (5.8) przemnożony przez czynnik skalujący (5.2):<br />

V A<br />

fv3sf1(SEP ) = SF1 V A<br />

fv3(SEP ) (5.10)<br />

Vfv3sf2 A (SE) — potencjał (5.7) przemnożony przez czynnik skalujący (5.3):<br />

V A<br />

fv3sf2(SE) = SF2 V A<br />

fv3(SE) (5.11)<br />

Optymalizacji poddane zostały także wersje, w których potencjał Vfo A został przemnożony<br />

przez czynniki skalujące SF1 oraz SF2. Jednakże uzyskane wyniki nie były lepsze<br />

niż przy wykorzystaniu powyżej opisanych modeli.<br />

5.3 Zbiory danych, funkcja błędu i optymalizacja<br />

Obecnie rozważane modele oceniane są w sposób analogiczny do tych opisanych w poprzednim<br />

rozdziale. Średnie błędy bezwzględne (SBB) modeli teoretycznych są liczone<br />

jako odstępstwo od danych doświadczalnych. Innymi słowy, staramy się uzyskać jak najmniejsze<br />

błędy przy użyciu danych doświadczalnych wziętych jako wzorzec. Dla każdej<br />

tarczy atomowej zbiór danych doświadczalnych składa się z elastycznych, absorpcyjnych<br />

oraz różniczkowych przekrojów czynnych. Na całkowitą liczbę N danych dla konkretnego<br />

atomu składa się suma Ne el , Ne<br />

abs oraz N diff . Liczba energii dla których są dostępne elastyczne<br />

i absorpcyjne przekroje czynne a także liczba dostępnych różniczkowych przekrojów<br />

czynnych jest uwidoczniona w tabeli (5.1). Dla przypomnienia N e jest liczbą energii<br />

elektronu padającego, dla której są dostępne doświadczalne przekroje czynne a N diff<br />

e<br />

jest


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 49<br />

Tabela 5.1: Liczba danych doświadczalnych.<br />

N el<br />

e<br />

N ab<br />

e<br />

N el<br />

e N N e N diff<br />

e-He 20 20 276 316 21 15<br />

e-Ne 17 18 247 282 20 15<br />

e-Ar 17 19 266 302 21 13<br />

liczbą energii dla której są dane różniczkowe przekroje czynne. Zbiory danych doświadczalnych<br />

(szczegółowo opisane w dodatku B) pochodzą z prac [45, 46, 47, 48, 49, 50] dla<br />

atomu helu, [51, 52, 53, 50, 54] dla neonu oraz [51, 50, 54, 47, 55] dla argonu.<br />

Średni błąd bezwzględny, liczony dla danego celu atomowego na całym zbiorze danych<br />

doświadczalnych ma podobnie jak wcześniej postać:<br />

∆ cs = 1 ∑N e<br />

(<br />

1<br />

∆ dσ<br />

)<br />

N e N j dΩ (j) + ∆σ(j) , (5.12)<br />

j=1<br />

gdzie N j oznacza liczbę danych dla danej energii. ∆ dσ<br />

dΩ<br />

(j) jest błędem bezwzględnym<br />

różniczkowych przekrojów czynnych a ∆σ(j) jest sumą błędów elastycznych i absorpcyjnych<br />

przekrojów czynnych dla j-tej energii. Dla ułatwienia bardziej szczegółowej dyskusji<br />

nad modelami policzono także SBB dla elastycznych, ∆ el , absorpcyjnych, ∆ abs i różniczkowych<br />

przekrojów czynnych ∆ diff . Obliczenia przeprowadzono dla szerokiego zakresu<br />

energii tj. od 20 do 3000 eV. Mając to na uwadze policzono także SBB dla małych ∆ cs<br />

1<br />

(20-100 eV), średnich ∆ cs<br />

2<br />

(150-500 eV) oraz wysokich ∆cs 3<br />

(600-3000 eV) energii. Podobnie<br />

podzielono zakres kątów rozpraszania: ∆ diff<br />

1 dla kątów (3 ◦ -30 ◦ ), ∆ diff<br />

2 dla kątów<br />

(31 ◦ -60 ◦ ) oraz ∆ diff<br />

3 dla kątów (61 ◦ -180 ◦ ).<br />

W celu optymalizacji parametrów, występujących w czynnikach skalujących, użyto<br />

algorytmu mikrogenetycznego [42]. Optymalizacji dokonano poprzez minimalizację ∆ cs<br />

osobno dla każdego atomu. Użyto fortranowskiej wersji 1.7a kodu Carroll’a, gdzie ∆ cs<br />

została wzięta jako funkcja dopasowania. Zoptymalizowane parametry zostały zebrane<br />

w tabeli 5.2.<br />

5.4 Wyniki i dyskusja<br />

Obliczone średnie błędy bezwzględne dla rozważanych modeli prezentują tabele 5.3 i 5.4.<br />

Do porównywania modeli powinny być użyte liczby w poszczególnych wierszach. Podobnie<br />

jak to miało miejsce poprzednio założono, że błąd doświadczalny dla całkowitych<br />

przekrojów czynnych wynosi 5% a dla różniczkowych przekrojów czynnych 10%.<br />

Porównanie wyników dla Vfo A(SE)<br />

i V fv3 A (SE) pokazuje, że użycie potencjału V<br />

A<br />

fo (SE)<br />

prowadzi do mniejszego błędu ∆ cs dla wszystkich rozważanych atomów. Jednak różnice


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 50<br />

Tabela 5.2: Zoptymalizowane parametry w czynnikach skalujących.<br />

Vfv3sf1 A (SE) 0.1408<br />

(SEP ) 0.1508<br />

V A<br />

fv3sf1<br />

V A<br />

fv3sf2<br />

a 1 c 0 c 1<br />

e-He<br />

(SE) 1.0198 0.1380<br />

Vfv3sf1 A (SE) 0.01249<br />

(SEP ) 0.02311<br />

V A<br />

fv3sf1<br />

V A<br />

fv3sf2<br />

e-Ne<br />

(SE) 0.09949 0.1668<br />

Vfv3sf1 A (SE) 0.1281<br />

(SEP ) 0.1389<br />

V A<br />

fv3sf1<br />

V A<br />

fv3sf2<br />

e-Ar<br />

(SE) 1.1161 0.1158<br />

w błędach przy obu podejściach są raczej małe. Błędy ∆ cs<br />

1 , ∆cs 2 i ∆diff 3 są mniejsze dla<br />

wersji Vfv3 A (SE). Oznacza to, że użycie tej wersji potencjału dla rozważanych atomów<br />

prowadzi do lepszych wyników dla niskich energii i dużych kątów rozpraszania.<br />

Spójrzmy jak uwzględnienie potencjału polaryzacyjnego w potencjale absorpcyjnym<br />

wpływa na wyniki obliczeń.<br />

W tym celu porównajmy wersję Vfv3 A (SE) z V fv3 A (SEP ). Różnice w błędach obu wersji<br />

są małe. Wartym odnotowania jest fakt, że wersja Vfv3 A (SE) ma nieco mniejszy błąd ∆cs<br />

dla wszystkich trzech atomów.<br />

Wprowadzenie czynnika skalującego SF1 (z jednym dopasowywalnym parametrem)<br />

do modelu Vfv3 A (SE) (porównanie trzeciej i czwartej kolumny) obniża w znaczny sposób<br />

∆ cs dla atomów helu i argonu. Warto zauważyć znaczny wpływ czynnika SF1 na przekroje<br />

czynne na absorpcję. Błędy maleją niemalże dziesięciokrotnie. Czynnik SF1 obniża<br />

także błąd przekrojów czynnych dla wysokich energii ∆ cs<br />

3 . Z drugiej zaś strony, poprawa<br />

wyników dla atomu neonu jest nieznaczna.<br />

Różnice pomiędzy modelami Vfv3sf1 A (SE) oraz V<br />

A<br />

fv3sf1 (SEP ) są zaniedbywalne (tabela<br />

5.4).<br />

Czynnik skalujący SF2 daje najmniejsze wartości ∆ cs dla wszystkich trzech atomów.<br />

Jak już wspomniano wcześniej, optymalne wartości parametrów składających się na<br />

czynniki skalujące SF1 i SF2 są, dla helu i argonu, zbliżone. Wartości parametrów dla<br />

neonu są znacząco różne od tych dla helu i argonu. Znaczy to tyle, że parametry czynników<br />

skalujących nie mogą być rozważane niezależnie od tarczy na której rozpraszają się<br />

elektrony.


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 51<br />

Tabela 5.3: SBB przekrojów czynnych dla różnych potencjałów dla rozpraszania e-He,<br />

e-Ne oraz e-Ar.<br />

SBB [a 2 0 ] Dośw. Model<br />

Vfo A V fv3 A (SE)<br />

e-He<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

∆ cs 0.055 0.182 0.184 0.072 0.072<br />

∆ abs 0.060 0.645 0.663 0.054 0.054<br />

∆ el 0.124 0.110 0.110 0.121 0.121<br />

∆ diff 0.041 0.059 0.060 0.063 0.063<br />

∆ cs 1 0.100 0.294 0.286 0.125 0.125<br />

∆ cs 2 0.027 0.053 0.062 0.043 0.043<br />

∆ cs 3 0.017 0.129 0.139 0.025 0.024<br />

∆ diff 1 0.112 0.196 0.199 0.198 0.198<br />

∆ diff 2 0.032 0.026 0.025 0.027 0.027<br />

∆ diff 3 0.019 0.019 0.017 0.017 0.017<br />

e-Ne<br />

∆ cs 0.147 0.251 0.264 0.254 0.227<br />

∆ abs 0.100 0.222 0.505 0.430 0.236<br />

∆ el 0.316 0.759 0.548 0.556 0.489<br />

∆ diff 0.101 0.105 0.132 0.135 0.155<br />

∆ cs 1 0.195 0.384 0.341 0.329 0.288<br />

∆ cs 2 0.099 0.137 0.118 0.113 0.101<br />

∆ cs 3 0.115 0.146 0.269 0.260 0.240<br />

∆ diff 1 0.250 0.258 0.330 0.337 0.391<br />

∆ diff 2 0.064 0.087 0.070 0.073 0.070<br />

∆ diff 3 0.026 0.038 0.025 0.025 0.022<br />

e-Ar<br />

∆ cs 0.615 1.320 1.532 0.790 0.783<br />

∆ abs 0.369 2.869 3.617 0.355 0.301<br />

∆ el 0.975 1.361 0.871 0.949 0.992<br />

∆ diff 0.531 0.649 0.808 0.979 0.981<br />

∆ cs 1 0.968 2.108 1.897 0.893 0.891<br />

∆ cs 2 0.579 0.867 1.033 1.073 1.076<br />

∆ cs 3 0.284 0.815 1.479 0.511 0.492<br />

∆ diff 1 1.361 1.647 2.073 2.433 2.438<br />

∆ diff 2 0.115 0.173 0.079 0.126 0.131<br />

∆ diff 3 0.047 0.109 0.062 0.057 0.059<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

Na rysunkach 5.1-5.10 porównano z danymi doświadczalnymi różniczkowe przekroje<br />

czynne w zakresie energii 20-3000 eV otrzymane dla rozpraszania e-He, e-Ne i e-Ar przy<br />

pomocy modeli bfo, bfv3SE oraz bfv3sf1SEP.<br />

Jak widać czynnik skalujący, w modelu bfv3sf1SEP, znacząco poprawia kształt potencjału<br />

absorpcyjnego, ponieważ otrzymane różniczkowe przekroje czynne znacznie lepiej<br />

przybliżają wartości doświadczalne dla szerokiego zakresu energii i w dużym zakresie<br />

kątów rozpraszania.<br />

Analogiczne rezultaty otrzymano przy pomocy modeli bfv3sf1SE oraz bfv3sf2SE.


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 52<br />

20 eV<br />

30 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.69<br />

0.4<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

40 eV<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

50 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.24<br />

0.15<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 5.1: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 20, 30, 40, 50<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bfv3SE,<br />

bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).<br />

70 eV<br />

100 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.066<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

150 eV<br />

0.026<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

200 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.008<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.0035<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 5.2: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 70, 100, 150, 200<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bfv3SE,<br />

bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 53<br />

300 eV<br />

400 eV<br />

2<br />

1<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.0035<br />

0.0013<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

500 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.0008<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

700 eV<br />

2<br />

1<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.00055<br />

0.0004<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 5.3: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 300, 400,<br />

500, 700 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />

bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).<br />

20 eV<br />

30 eV<br />

2<br />

2<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

0.24<br />

0.14<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

40 eV<br />

50 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.062<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.02<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 5.4: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bfv3SE,<br />

bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 54<br />

100 eV<br />

150 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.022<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.05<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

200 eV<br />

300 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.055<br />

0.035<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 5.5: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150,<br />

200, 300 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />

bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).<br />

400 eV<br />

500 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.023<br />

0.016<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

750 eV<br />

800 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.0065<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.0057<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 5.6: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500,<br />

750, 800 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />

bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 55<br />

1000 eV<br />

2000 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.0033<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.00065<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

3000 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

1<br />

0.00022<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 5.7: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000, 3000<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bfv3SE,<br />

bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).<br />

20 eV<br />

50 eV<br />

55<br />

55<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

8.7<br />

2.3<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2.3<br />

0.07<br />

0.03<br />

0.18<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.004<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

100 eV<br />

150 eV<br />

55<br />

55<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2.4<br />

0.18<br />

0.015<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2<br />

0.65<br />

0.18<br />

0.007<br />

0.0005<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 5.8: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 20, 50, 100, 150<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bfv3SE,<br />

bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 56<br />

200 eV<br />

300 eV<br />

55<br />

57<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1.18<br />

0.45<br />

0.03<br />

0.007<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.45<br />

0.22<br />

0.046<br />

0.018<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

400 eV<br />

500 eV<br />

57<br />

57<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.25<br />

0.049<br />

0.021<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.16<br />

0.049<br />

0.019<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 5.9: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 200, 300,<br />

400, 500 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />

bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).<br />

800 eV<br />

1000 eV<br />

65<br />

65<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.036<br />

0.011<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

2000 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.033<br />

0.008<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

3000 eV<br />

75<br />

75<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.0058<br />

0.0012<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.0023<br />

0.0007<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 5.10: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 800, 1000,<br />

2000, 3000 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />

bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 57<br />

e-He<br />

e-Ne<br />

e-Ar<br />

σ tot [ a 0<br />

2 ]<br />

10<br />

5<br />

0<br />

30 300 3000<br />

σ tot [ a 0<br />

2 ]<br />

12<br />

8<br />

4<br />

0<br />

30 300 3000<br />

σ tot [ a 0<br />

2 ]<br />

75<br />

60<br />

45<br />

30<br />

15<br />

0<br />

30 300 3000<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

σ abs [ a 0<br />

2 ]<br />

2<br />

1.5<br />

1<br />

0.5<br />

σ abs [ a 0<br />

2 ]<br />

3<br />

2<br />

1<br />

σ abs [ a 0<br />

2 ]<br />

12<br />

8<br />

4<br />

0<br />

30 300 3000<br />

0<br />

30 300 3000<br />

0<br />

30 300 3000<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

12<br />

75<br />

σ el [ a 0<br />

2 ]<br />

8<br />

4<br />

σ el [ a 0<br />

2 ]<br />

12<br />

8<br />

4<br />

σ el [ a 0<br />

2 ]<br />

60<br />

45<br />

30<br />

15<br />

0<br />

30 300 3000<br />

0<br />

30 300 3000<br />

0<br />

30 300 3000<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

Rys. 5.11: Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />

He, e-Ne, e-Ar obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />

bfv3SE, bfv3sf1SEP, bfv3SEP, dane doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />

OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 58<br />

Tabela 5.4: SBB przekrojów czynnych dla różnych potencjałów dla rozpraszania e-He,<br />

e-Ne oraz e-Ar.<br />

SBB [a 2 0 ] Dośw. Model<br />

Vfv3 A V fv3 A (SEP )<br />

e-He<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

∆ cs 0.055 0.184 0.187 0.072 0.073<br />

∆ abs 0.060 0.663 0.684 0.054 0.056<br />

∆ el 0.124 0.110 0.109 0.121 0.120<br />

∆ diff 0.041 0.060 0.060 0.063 0.063<br />

∆ cs 1 0.100 0.286 0.293 0.125 0.125<br />

∆ cs 2 0.027 0.062 0.063 0.043 0.043<br />

∆ cs 3 0.017 0.139 0.140 0.025 0.027<br />

∆ diff 1 0.112 0.199 0.200 0.198 0.198<br />

∆ diff 2 0.032 0.025 0.025 0.027 0.027<br />

∆ diff 3 0.019 0.017 0.018 0.017 0.017<br />

e-Ne<br />

∆ cs 0.147 0.264 0.271 0.254 0.249<br />

∆ abs 0.100 0.505 0.546 0.430 0.398<br />

∆ el 0.316 0.548 0.531 0.556 0.547<br />

∆ diff 0.101 0.132 0.130 0.135 0.136<br />

∆ cs 1 0.195 0.341 0.355 0.329 0.322<br />

∆ cs 2 0.099 0.118 0.119 0.113 0.111<br />

∆ cs 3 0.115 0.269 0.271 0.260 0.256<br />

∆ diff 1 0.250 0.330 0.327 0.337 0.340<br />

∆ diff 2 0.064 0.070 0.068 0.073 0.074<br />

∆ diff 3 0.026 0.025 0.024 0.025 0.025<br />

e-Ar<br />

∆ cs 0.615 1.532 1.619 0.790 0.797<br />

∆ abs 0.369 3.617 3.873 0.355 0.451<br />

∆ el 0.975 0.871 0.926 0.949 0.878<br />

∆ diff 0.531 0.808 0.804 0.979 0.964<br />

∆ cs 1 0.968 1.897 2.087 0.893 0.921<br />

∆ cs 2 0.579 1.033 1.039 1.073 1.060<br />

∆ cs 3 0.284 1.479 1.514 0.511 0.509<br />

∆ diff 1 1.361 2.073 2.061 2.433 2.400<br />

∆ diff 2 0.115 0.079 0.077 0.126 0.118<br />

∆ diff 3 0.047 0.062 0.067 0.057 0.056<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )


Rozdział 6<br />

Lokalne zależne od energii<br />

potencjały otrzymane ze znajomości<br />

przekrojów czynnych<br />

W poprzednich rozdziałach przeanalizowano kilka modeli potencjałów efektywnych dla<br />

rozpraszania elektronów na atomach helu, neonu oraz argonu. Główny nacisk położono<br />

na przetestowanie różnych modyfikacji potencjału absorpcyjnego opartego na modelu<br />

kwazi-swobodnego rozpraszania.<br />

Rozważane nieempiryczne modele potencjałów absorpcyjnych bazujące na QFSM<br />

prowadziły do poprawy opisu procesu rozpraszania w pewnych zakresach energii lub<br />

dla niektórych zakresów kątów rozpraszania. Żaden z modeli nie doprowadził do poprawy<br />

wyników w szerokim zakresie energii i kątów rozpraszania. Wprowadzenie czynnika<br />

skalującego zawierającego parametry empiryczne znacznie poprawiło jakość potencjału.<br />

Zasadnicze pytanie brzmi, czy można znaleźć takie lokalne potencjały, które w zadowalający<br />

sposób przybliżałyby nielokalne oddziaływania w szerokim zakresie energii i<br />

kątów rozpraszania. Odpowiedzi na to pytanie będziemy poszukiwać w ramach podejścia<br />

tzw. odwrotnego procesu zderzeniowego (inverse scattering problem (isp)) czyli w<br />

bieżącym rozdziale uwaga zostanie skupiona na zbadaniu możliwości otrzymania lokalnych<br />

efektywnych zależnych od energii potencjałów polaryzacyjnych i absorpcyjnych ze<br />

znajomości przekrojów czynnych.<br />

Potencjały te zostaną oznaczone jako Visp P , V isp A , dla podkreślenia, że zostały wygenerowane<br />

ze znajomości danych doświadczalnych. Potencjały absorpcyjny i polaryzacyjny<br />

spełniają w przybliżeniu relację dyspersyjną. Do badań wybrano taką postać funkcyjną<br />

dla potencjału absorpcyjnego aby było możliwe analityczne wykonanie całki występującej<br />

w relacji dyspersyjnej i otrzymanie analitycznego wyrażenia na potencjał polaryzacyjny.<br />

Zapostulowana funkcja zawiera wiele parametrów, których wartości dopasowane są<br />

59


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 60<br />

przy pomocy algorytmu genetycznego do dużego zbioru danych doświadczalnych. Dla<br />

przypomnienia, na zbiór ten składa się 316 danych dla helu, 282 dla neonu oraz 302 dla<br />

argonu, tabela 5.1. Energia elektronu padającego zawiera się w przedziale 20-3000 eV a<br />

kąt rozpraszania 3-150 stopni.<br />

6.1 Potencjały<br />

Zapostulujmy efektywny potencjał polaryzacyjny, w założeniu zależny od energii, jako<br />

sumę dwóch części. Pierwsza to część krótkozasięgowa otrzymana z potencjału absorpcyjnego<br />

poprzez przybliżoną relację dyspersyjną [38, 56, 57]. Na drugą, znaną długozasięgową<br />

część składają się wyrazy do rzędu r −6 włącznie [58, 59]:<br />

V P (r, E) = − 1 ∫ ∞<br />

π P V A (r, E ′ ) dE ′<br />

E ′ − E<br />

ε<br />

− α (<br />

d<br />

r 4 1 − β + γE )<br />

r 2 f c (r) . (6.1)<br />

W powyższym ε jest energią wzbudzenia ze stanu podstawowego do pierwszego stanu<br />

wzbudzonego, f c jest funkcją obcięcia (cutoff):<br />

f c (r) =<br />

(<br />

1 − e δr<br />

2 e −δr) 3<br />

, (6.2)<br />

e δr<br />

2 = 1 + δr + 1 2 (δr)2 . (6.3)<br />

Potraktujmy α d , β, γ oraz δ jako parametry do dopasowania.<br />

Potencjał absorpcyjny jest wzięty w postaci iloczynu [37] dwóch funkcji, jednej zależnej<br />

od energii i drugiej zależnej od odległości:<br />

V A (r, E) = f 1 (E)f 2 (r) . (6.4)<br />

Przyjmijmy taką postać części zależnej od energii aby można było wyliczyć całkę występującą<br />

w (6.1) analitycznie:<br />

⎧<br />

)(<br />

)<br />

⎪⎨ −a<br />

(1 − e −α(E−ε) e −β1E + be −β 2E<br />

dla E ε ,<br />

f 1 (E) =<br />

⎪⎩ 0 dla E < ε.<br />

(6.5)<br />

Funkcja f 2 (r) jest wzięta w postaci zasugerowanej w [37]<br />

f 2 (r) = 1 r<br />

(e −r/d − e −r/s )<br />

. (6.6)<br />

W równaniach (6.5, 6.6) a, α, b, β 1 , β 2 , d oraz s są również parametrami podlegającymi<br />

optymalizacji. Podsumowując, mamy zatem siedem parametrów w potencjale absorpcyjnym<br />

V A oraz jedenaście w polaryzacyjnym V P<br />

potencjałów).<br />

Policzmy wartość główną całki z równania (6.1) tj.<br />

P<br />

∫ ∞<br />

ɛ<br />

V A (r, E ′ )<br />

E ′ − E dE′ .<br />

(siedem z nich jest wspólnych dla obu


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 61<br />

Po podstawieniu wyrażeń zdefiniowanych powyżej i wyciągnięciu przed całkę wyrazów<br />

niezależnych od zmiennej całkowania dostaniemy co następuje:<br />

P<br />

∫ ∞<br />

ɛ<br />

V A (r, E ′ ( ∫<br />

)<br />

∞<br />

E ′ − E dE′ = −af 2 (r) P<br />

−<br />

e αɛ P<br />

ɛ<br />

∫ ∞<br />

e −(α+β 1)E ′<br />

ɛ<br />

E ′ − E<br />

e −β 1E ′ ∫ ∞<br />

E ′ − E dE′ + bP<br />

dE′ − be αɛ P<br />

ɛ<br />

∫ ∞<br />

ɛ<br />

e −β 2E ′<br />

E ′ − E dE′<br />

e −(α+β 2)E ′<br />

E ′ − E dE′ )<br />

.(6.7)<br />

Po wykorzystaniu następującej zależności:<br />

⎧<br />

e<br />

∫ ∞<br />

e<br />

⎪⎨<br />

−ηE Ei(ηE − ηɛ), dla E > ɛ<br />

−ηE′<br />

P<br />

ɛ E ′ − E dE′ =<br />

⎪⎩ e −ηE E 1 (ηɛ − ηE), dla E < ɛ.<br />

(6.8)<br />

oraz wprowadzeniu oznaczenia:<br />

otrzymujemy co następuje:<br />

P<br />

∫ ∞<br />

ɛ<br />

P<br />

∫ ∞<br />

ɛ<br />

e −ηE′<br />

E ′ − E dE′ = E c (E, η, ɛ) (6.9)<br />

V A (r, E ′ (<br />

)<br />

E ′ − E dE′ = − af 2 (r) E c (E, β 1 , ɛ) + bE c (E, β 2 , ɛ)<br />

)<br />

− e αɛ E c (E, α + β 1 , ɛ) − be αɛ E c (E, α + β 2 , ɛ) . (6.10)<br />

Podsumowując, dostajemy następujące analityczne wyrażenie na potencjał polaryzacyjny:<br />

V P (r, E) = af [<br />

2(r)<br />

E c (E, β 1 , ε) + bE c (E, β 2 , ε)<br />

π<br />

]<br />

−e αε E c (E, α + β 1 , ε) − be αε E c (E, α + β 2 , ε)<br />

− α (<br />

d<br />

r 4 1 − β + γE )<br />

r 2 f c (r) , (6.11)<br />

gdzie<br />

∫ ∞<br />

e −ηE′<br />

E c (E, η, ε) = P<br />

ε E ′ − E dE′<br />

⎧<br />

⎪⎨ e −ηE Ei(ηE − ηε) , E < ε ,<br />

= −<br />

⎪⎩ e −ηE E 1 (ηε − ηE) , E ε .<br />

(6.12)<br />

W powyższym Ei(x) oraz E 1 (x) są eksponencjalnymi funkcjami całkowymi.<br />

6.2 Parametry potencjałów<br />

Tak jak miało to miejsce poprzednio, przekroje czynne na rozpraszanie elektronów na<br />

atomach uzyskano poprzez rozwiązywanie równań opisujących rozproszenie (1.57)-(1.58).<br />

Zmianie nie uległy także postaci użytych potencjałów statycznych i wymiennych. Dla każdego<br />

z atomów wszystkie jedenaście parametrów zostało zoptymalizowanych a po tym


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 62<br />

procesie ważność każdego z parametrów została sprawdzona. W tabeli 6.1 zebrano optymalne<br />

wartości parametrów. Obok wartości parametru w nawiasie umieszczono maksymalny<br />

procentowy przyrost ∆ cs spowodowany zmianą parametru o 5% wokół optymalnej<br />

wartości. Dla przykładu, zmiana optymalnej wartości parametru nieliniowego α z 0.2129<br />

na 0.2353 dla atomu helu powoduje wzrost ∆ cs nie przekraczający 15.5% optymalnej<br />

wartości.<br />

Tabela 6.1: Zoptymalizowane parametry dla efektywnych potencjałów absorpcyjnych i<br />

polaryzacyjnych. Liczby w nawiasach odpowiadają największemu przyrostowi procentowemu<br />

∆ cs przy zmianie wartości parametru o ∓5% wokół optymalnej wartości.<br />

Parametr [j.a.] He Ne Ar<br />

a 0.0998 (28.6) 1.9712 (15.0) 0.6553 (22.0)<br />

α 0.2241 (15.5) 0.1830 (7.5) 0.4990 (5.3)<br />

β 1 0.2541 (5.7) 0.0033 (0.8) 0.0041 (1.6)<br />

d 1.9625 (57.4) 0.9793 (199.9) 1.7548 (88.7)<br />

s 0.0020 (0.0) 0.8619 (146.5) 1.0108 (23.9)<br />

b 0.7156 (20.6) 0.8287 (2.6) 0.3922 (2.2)<br />

β 2 0.0068 (1.7) 0.0492 (0.9) 0.0738 (1.2)<br />

α d 1.9003 (0.0) 1.5753 (0.4) 0.3884 (1.0)<br />

β 1.2648 (0.0) 1.8058 (0.0) 55.796 (1.2)<br />

γ 0.2722 (0.0) 0.7413 (0.4) 0.0583 (0.0)<br />

δ 0.1591 (0.1) 1.0119 (2.9) 1.3841 (11.3)<br />

Zatem im większa liczba w nawiasie tym istotniejszy jest stojący przy nawiasie parametr.<br />

Parametr γ wydaje się nie mieć większego znaczenia dla He oraz Ar. Dla tych<br />

atomów położenie γ = 0 zmienia wszystkie SBB o mniej niż 1%. Dla atomu neonu wyzerowanie<br />

parametru γ powoduje zmiany sięgające niemalże 25% a największe zmiany<br />

zachodzą dla małych kątów rozpraszania i dużych energii. Dla przypomnienia parametr<br />

γ wprowadza zależność od energii części asymptotycznej potencjału polaryzacyjnego.<br />

Warto w tym miejscu odnotować jak ważne są parametry d oraz s, szczególnie dla rozpraszania<br />

na atomie neonu i w mniejszym stopniu dla argonu. Pokazuje to jakie znaczenie<br />

ma część zależna od odległości potencjału absorpcyjnego.<br />

6.3 Wyniki<br />

Średnie błędy bezwzględne wszelkiego rodzaju zostały zebrane w tabeli 6.2. Podobnie<br />

jak miało to miejsce wcześniej podano także błędy doświadczalne przy założeniu 5 procentowego<br />

błędu pomiaru całkowitych przekrojów czynnych i 10% dla różniczkowych<br />

przekrojów czynnych. Dla porównania w tabeli 6.2 umieszczono także wyniki dla modeli<br />

Vfo A (SE) oraz V<br />

A<br />

fv3sf2 (SE). Potencjał polaryzacyjny typu Buckinghama został użyty w<br />

obu wymienionych modelach. Tym co odróżnia te dwa modele od siebie to użycie innego


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 63<br />

Tabela 6.2: Średnie błędy bezwzględne SBB dla różnych potencjałów absorpcyjnych dla<br />

rozpraszania e-He, e-Ne oraz e-Ar.<br />

Model<br />

SBB [a 2 0 ] Doświadczenie,1 Omawiany model empiryczny Visp<br />

A<br />

e-He<br />

V A<br />

fo (SE) 2<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE) 3<br />

∆ cs 0.055 0.044 0.182 0.072<br />

∆ abs 0.060 0.013 0.645 0.054<br />

∆ el 0.124 0.094 0.110 0.121<br />

∆ diff 0.041 0.027 0.059 0.063<br />

∆ cs 1 0.100 0.091 0.294 0.125<br />

∆ cs 2 0.027 0.006 0.053 0.043<br />

∆ cs 3 0.017 0.011 0.129 0.024<br />

∆ diff 1 0.112 0.069 0.196 0.198<br />

∆ diff 2 0.032 0.030 0.026 0.027<br />

∆ diff 3 0.019 0.011 0.019 0.017<br />

e-Ne<br />

∆ cs 0.147 0.100 0.251 0.227<br />

∆ abs 0.100 0.098 0.222 0.236<br />

∆ el 0.316 0.352 0.759 0.489<br />

∆ diff 0.101 0.079 0.105 0.155<br />

∆ cs 1 0.195 0.152 0.384 0.288<br />

∆ cs 2 0.099 0.052 0.137 0.101<br />

∆ cs 3 0.115 0.062 0.146 0.240<br />

∆ diff 1 0.250 0.246 0.258 0.391<br />

∆ diff 2 0.064 0.066 0.087 0.070<br />

∆ diff 3 0.026 0.017 0.038 0.022<br />

e-Ar<br />

∆ cs 0.615 0.342 1.320 0.783<br />

∆ abs 0.369 0.278 2.869 0.301<br />

∆ el 0.975 1.073 1.361 0.992<br />

∆ diff 0.531 0.241 0.649 0.981<br />

∆ cs 1 0.968 0.703 2.108 0.891<br />

∆ cs 2 0.579 0.202 0.867 1.076<br />

∆ cs 3 0.284 0.068 0.815 0.492<br />

∆ diff 1 1.361 0.655 1.647 2.438<br />

∆ diff 2 0.115 0.082 0.173 0.131<br />

∆ diff 3 0.047 0.029 0.109 0.059<br />

1 Założono, że doświadczalne SBB wynoszą 5% dla całkowitych przekrojów czynnych oraz 10%<br />

dla różniczkowych przekrojów czynnych.<br />

2 [41, 60].<br />

3 [60].<br />

potencjału absorpcyjnego. Dla przypomnienia w modelu oznaczonym jako Vfo A (SE) (5.6)<br />

użyto oryginalnego frywolnego potencjału absorpcyjnego. Oznaczenie Vfv3sf2 A (SE) (5.11)<br />

wskazuje na użycie trzeciej wersji kwaziswobodnego modelu rozproszeniowego jako potencjału<br />

absorpcyjnego przemnożonego przez czynnik skalujący SF2 (5.3). W obu modelach<br />

potencjał absorpcyjny zależy od potencjału statyczno-wymiennego, stąd oznaczenie SE.<br />

Wymienione potencjały dały najmniejszy globalny błąd spośród rozpatrywanych potencjałów<br />

opisanych szczegółowo w poprzednich rozdziałach.<br />

Identycznie jak miało to miejsce wcześniej w celu porównania modeli należy użyć liczb<br />

w wierszach w tabeli 6.2. Jednym z pierwszych wniosków nasuwających się po przestudiowaniu<br />

wyników zgromadzonych w tabeli 6.2 jest znacząca a niekiedy bardzo znacząca<br />

poprawa wyników otrzymanych przy pomocy omawianego modelu empirycznego w porównaniu<br />

do wyników otrzymanych przy pomocy potencjałów Vfo A (SE) oraz V<br />

A<br />

fv3sf2 (SE)


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 64<br />

(odpowiednio przedostania i ostatnia kolumna tabeli). Różniczkowe przekroje czynne dla<br />

różnych energii i kątów rozpraszania są pokazane na rysunkach 6.1-6.11.<br />

20 eV<br />

30 eV<br />

2.5<br />

3<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.85<br />

0.68<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.41<br />

0.5<br />

0 40 80 120 160<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

θ [ deg ]<br />

40 eV<br />

50 eV<br />

3<br />

3<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.24<br />

0.15<br />

0 40 80 120 160<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.1: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 20, 30, 40 i 50<br />

eV, dane doświadczalne (+).<br />

Zarówno rysunki 6.1-6.11 i tabela 6.2 pokazują, że prezentowany model empiryczny<br />

poprawnie (w granicach błędu doświadczalnego) opisuje proces rozproszeniowy w dużym<br />

zakresie energii i kątów rozpraszania. Jak wiadomo, minimalizacja globalnego błędu (∆ cs )<br />

nie oznacza, że otrzymamy idealną zgodność wszystkich przekrojów czynnych z reprodukowanymi<br />

danymi doświadczalnymi. W omawianym przypadku nieliczne obserwowane<br />

odstępstwa są następujące:<br />

• dla rozpraszania e-Ne, mniej dokładnie są reprodukowane różniczkowe przekroje<br />

czynne dla niskich energii,<br />

• dla rozpraszania e-Ne, obliczenia różniczkowych przekrojów czynnych dały niewielkie<br />

lokalne minimum w okolicach 30 stopni kąta rozpraszania, którego nie wykazują<br />

dane doświadczalne, poza tym niezbyt dokładnie uległy reprodukcji całkowite przekroje<br />

czynne,<br />

• dla rozpraszania e-Ar obserwujemy niedokładności w różniczkowych przekrojach<br />

czynnych dla 20 eV w okolicach 70 stopni kąta rozpraszania oraz dla 100 eV w<br />

okolicach 120 stopnia kąta rozpraszania.


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 65<br />

70 eV<br />

100 eV<br />

3<br />

3<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.07<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.03<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

3<br />

150 eV<br />

3<br />

200 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.011<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.006<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.2: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 70, 100, 150 i<br />

200 eV, dane doświadczalne (+).<br />

3<br />

300 eV<br />

3<br />

400 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.0023<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.0013<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

3<br />

500 eV<br />

3<br />

700 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.017<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.009<br />

0.0008<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.0004<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.3: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 300, 400, 500 i<br />

700 eV, dane doświadczalne (+).<br />

Powyższe odstępstwa są niewielkie ale mogą sugerować, że postulowana dla wygody<br />

obliczeń postać potencjału jest zbyt uproszczona. W szczególności założenie, że potencjał


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 66<br />

1<br />

1000 eV<br />

1<br />

2000 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.0043<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.0011<br />

0.00018<br />

4.5e-005<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

1<br />

3000 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.00049<br />

2e-005<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.4: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 1000, 2000 i<br />

3000 eV, dane doświadczalne (+).<br />

20 eV<br />

30 eV<br />

3<br />

5<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

0.24<br />

0.135<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

40 eV<br />

50 eV<br />

5<br />

5<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

0.054<br />

0.015<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.5: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 20, 30, 40 i 50<br />

eV, dane doświadczalne (+).<br />

jest iloczynem funkcji zależnej od odległości i funkcji zależnej od energii może być zbyt<br />

dużym przybliżeniem.


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 67<br />

100 eV<br />

150 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

0.03<br />

0.07<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

200 eV<br />

300 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

0.08<br />

0.07<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.6: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 100, 150, 200 i<br />

300 eV, dane doświadczalne (+).<br />

400 eV<br />

500 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

0.055<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

0.035<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

750 eV<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

800 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

0.014<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.012<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.7: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 400, 500, 750 i<br />

800 eV, dane doświadczalne (+).


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 68<br />

1000 eV<br />

2000 eV<br />

10<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

0.007<br />

0.0015<br />

0 40 80 120 160<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

θ [ deg ]<br />

10<br />

3000 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1<br />

0.0006<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.8: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 1000, 2000 i<br />

3000 eV, dane doświadczalne (+).<br />

20 eV<br />

50 eV<br />

53<br />

55<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

7.3<br />

2.1<br />

0.92<br />

0.48<br />

0.15<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1.42<br />

0.072<br />

0.025<br />

0 40 80 120 160<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

θ [ deg ]<br />

100 eV<br />

150 eV<br />

64<br />

62<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

2.38<br />

0.52<br />

0.22<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1.65<br />

0.33<br />

0.009<br />

0.0075<br />

0 40 80 120 160<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.9: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar dla energii 20, 50, 100 i 150<br />

eV, dane doświadczalne (+).<br />

6.4 Podsumowanie i wnioski<br />

W bieżącym rozdziale parametry w potencjałach zostały dopasowane do danych doświadczalnych<br />

w zakresie energii od 20 do 3000 eV. Jak zaprezentowano powyżej dla


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 69<br />

200 eV<br />

300 eV<br />

62<br />

62<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

1.05<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.51<br />

0.028<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.049<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

400 eV<br />

500 eV<br />

62<br />

62<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.28<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

0.17<br />

0.054<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.054<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.10: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 200, 300, 400<br />

i 500 eV, dane doświadczalne (+).<br />

800 eV<br />

1000 eV<br />

62<br />

61<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

10<br />

0.04<br />

0.029<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

2000 eV<br />

3000 eV<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

58<br />

10<br />

dσ/dΩ [ a 0<br />

2 /sr ]<br />

37<br />

10<br />

0.006<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

0.0023<br />

0 40 80 120 160<br />

θ [ deg ]<br />

Rys. 6.11: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 800, 1000, 2000<br />

i 3000 eV, dane doświadczalne (+).<br />

wymienionego zakresu energii potencjały bardzo dobrze odtworzyły przekroje czynne.<br />

Z formalnego punktu widzenia równania (6.5) oraz (6.12) mogą być użyte dla energii


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 70<br />

e-He<br />

e-Ne<br />

e-Ar<br />

σ tot [ a 0<br />

2 ]<br />

12<br />

8<br />

4<br />

0<br />

30 300 3000<br />

σ tot [ a 0<br />

2 ]<br />

12<br />

8<br />

4<br />

0<br />

30 300 3000<br />

σ tot [ a 0<br />

2 ]<br />

75<br />

60<br />

45<br />

30<br />

15<br />

0<br />

30 300 3000<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

σ abs [ a 0<br />

2 ]<br />

2<br />

1<br />

σ abs [ a 0<br />

2 ]<br />

3<br />

2<br />

1<br />

σ abs [ a 0<br />

2 ]<br />

12<br />

8<br />

4<br />

0<br />

30 300 3000<br />

0<br />

30 300 3000<br />

0<br />

30 300 3000<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

σ el [ a 0<br />

2 ]<br />

12<br />

8<br />

4<br />

0<br />

30 300 3000<br />

σ el [ a 0<br />

2 ]<br />

12<br />

8<br />

4<br />

0<br />

30 300 3000<br />

σ el [ a 0<br />

2 ]<br />

75<br />

60<br />

45<br />

30<br />

15<br />

0<br />

30 300 3000<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

energia [ eV ]<br />

Rys. 6.12: Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-He,<br />

e-Ne i e-Ar, dane doświadczalne (+).<br />

elektronu padającego poniżej energii progowej (E < ε) lecz parametry z tabeli dają dla<br />

niskich energii większe błędy. W celu poszerzenia zakresu stosowania omawianych potencjałów<br />

o zakres niskich energii należałoby dopasować parametry potencjałów na zbiorze<br />

danych zawierającym doświadczalne przekroje czynne dla energii elektronu padającego<br />

zawierających się w przedziale (0, ε). W szczególności, patrząc na wykresy całkowitych<br />

przekrojów czynnych dla rozpraszania elektronów na neonie (rysunek 6.12) można dojść<br />

do wniosku, że dla niskich energii rozpraszania nie udało się uzyskać wyników bardzo<br />

zbliżonych do danych doświadczalnych.<br />

Zoptymalizowano różne warianty funkcjonalnych postaci potencjałów, które dawały<br />

w rezultacie podobne wartości przekrojów czynnych. Wzięto pod uwagę różne postaci potencjału<br />

polaryzacyjnego zarówno wraz jak i bez daleko-zasięgowej części. Nie przyniosło<br />

to lepszych wyników niż zaprezentowany powyżej model.<br />

Pomimo prostoty założonej zależności od energii rozważanego modelu otrzymane potencjały<br />

mogą być pomocne przy poszukiwaniu nowych doskonalszych modeli. Uproszczeniem<br />

jest postać iloczynu:<br />

V A (r, E) = f 1 (E)f 2 (r) .<br />

W przyszłych badaniach należałoby zastosować bardziej ogólną postać funkcyjną V A (r, E)<br />

lub kombinację liniową wyrazów będących iloczynem. Odwrotny problem zderzeniowy<br />

czyli znajdowanie potencjałów na podstawie przekrojów czynnych jest zagadnieniem bar-


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 71<br />

dzo ważnym, ponieważ wygenerowane potencjały mogą stanowić bazę dla modelowania<br />

bardziej adekwatnych zależności od energii i odległości potencjałów efektywnych.


Podsumowanie<br />

Jednym z celów niniejszej rozprawy była ocena efektywności niektórych zaproponowanych<br />

w literaturze, nieempirycznych, zależnych od energii potencjałów absorpcyjnych<br />

opartych na modelu prawie swobodnych elektronów, QFSM. Przeprowadzono obliczenia<br />

dla różnych kombinacji potencjałów absorpcyjnych i polaryzacyjnych dla elastycznego<br />

rozpraszania elektronów na atomach neonu. Uzyskane wyniki zostały ocenione przez obliczenie<br />

średniego błędu bezwzględnego na zbiorze doświadczalnych wartości przekrojów<br />

czynnych. Stwierdzono, że rozważane nieempiryczne modyfikacje oryginalnego modelu<br />

QFSM prowadzą do poprawy opisu rozpraszania dla pewnych zakresów energii padającego<br />

elektronu oraz pewnych zakresów kąta rozpraszania. Żaden z rozważanych modeli<br />

nie doprowadził do systematycznej poprawy wyników dla całego zakresu rozważanych<br />

energii i kątów.<br />

Następnie badano możliwość uzyskania efektywnych potencjałów polaryzacyjnych ze<br />

znajomości potencjałów absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną. Okazało się, że w<br />

żadnym z rozważanych modeli potencjału absorpcyjnego zależność od energii nie została<br />

skorygowana na tyle wystarczająco aby móc wygenerować z nich poprawny potencjał<br />

polaryzacyjny; obserwuje się znaczne odstępstwa od wartości doświadczalnych szczególnie<br />

dla niskich energii.<br />

W celu uzyskania odpowiedzi na pytanie czy można wymodelować taki lokalny, zależny<br />

od energii potencjał efektywny, który byłby dobrym przybliżeniem nielokalnego<br />

potencjału optycznego w szerokim zakresie energii, przebadano również modele empiryczne<br />

bazujące na modelu QFSM. Do wyznaczenia optymalnych wartości parametrów<br />

empirycznych wykorzystano algorytm genetyczny, który służył do minimalizacji globalnego<br />

średniego błędu bezwzględnego, użytego poprzednio do oceny modeli. Obliczenia<br />

przeprowadzono dla trzech tarcz, helu, neonu i argonu. We wszystkich przypadkach otrzymano<br />

znaczne (nawet kilkukrotne) zmniejszenie błędu i rozszerzenie zakresu stosowalności<br />

rozpatrywanych modeli. Stwierdzono, że parametry czynników skalujących nie mogą<br />

być rozważane niezależnie od tarczy, na której rozpraszają się elektrony.<br />

Ostatnim celem pracy było zbadanie możliwości uzyskania informacji o potencjałach<br />

efektywnych poprzez wygenerowanie ich ze znajomości przekrojów czynnych. Modelo-<br />

72


ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />

ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 73<br />

wany potencjał absorpcyjny przedstawiono w postaci iloczynu funkcji energii i funkcji<br />

współrzędnej, obie funkcje zawierały parametry empiryczne. Potencjał polaryzacyjny<br />

modelowano jednocześnie korzystając z relacji dyspersyjnej. Mimo prostoty modelu uzyskano<br />

bardzo dobrą reprodukcję danych doświadczalnych dla trzech tarcz, dla szerokiego<br />

przedziału energii i w całym zakresie kątów. Nieco mniejszą dokładność uzyskano dla<br />

energii niskich.<br />

Badania te jednak pokazują, że można znaleźć takie lokalne przybliżenie nielokalnego<br />

potencjału, które prowadzi do tych samych wartości przekrojów czynnych.<br />

Studia nad poszukiwaniem informacji o potencjałach poprzez odwrotny problem zderzeniowy<br />

powinny być kontynuowane. Jedną z możliwości rozszerzenia badań jest próba<br />

dopasowania parametrów potencjałów poprzez skonstruowanie funkcji błędu jednocześnie<br />

dla kilku tarcz atomowych (np. gazów szlachetnych).<br />

W przyszłych badaniach powinno się zastosować bardziej ogólną postać funkcyjną<br />

potencjałów. Można także spróbować skonstruować potencjał będący kombinacją liniową<br />

kilku np. N p funkcji:<br />

F (r, E) =<br />

∑<br />

N p<br />

a i f i (r, E),<br />

i=1<br />

gdzie parametry a i podlegałyby również optymalizacji za pomocą algorytmu genetycznego.<br />

Badanie problemu znajdowania potencjałów na podstawie przekrojów czynnych może<br />

stanowić bazę dla modelowania bardziej adekwatnych zależności od energii i odległości<br />

potencjałów efektywnych.<br />

W pracy, w dodatku A, umieszczono pełne wyprowadzenie wzoru na potencjał absorpcyjny,<br />

oparty na modelu prawie swobodnych elektronów, QFSM.


Dodatek A<br />

Wyprowadzenie wzoru na potencjał<br />

absorpcyjny dla modelu QFSM<br />

Obecnie zajmiemy się policzeniem następującego wyrażenia:<br />

σ b = N k<br />

p<br />

∫<br />

⊂S<br />

∫<br />

d ⃗ k|⃗p − ⃗ k| d⃗g dσ b<br />

⊃S dΩ<br />

1<br />

δ(p 0 − p f ).<br />

p 2 0<br />

(A.1)<br />

Na początek przywołajmy jak wielkości występujące w powyższym wyrażeniu są związane<br />

z wielkościami fizycznym:<br />

• N k jest stałą gęstością elektronów tarczy w przestrzeni pędów,<br />

• ⃗p, ⃗ k są pędami elektronu padającego i tarczy przed zderzeniem odpowiednio,<br />

• S jest oznaczeniem sfery Fermiego,<br />

• ⃗p ′ , ⃗ k ′ są pędami elektronu padającego i tarczy po zderzeniu odpowiednio,<br />

• ⃗p 0 , ⃗p f są pędami elektronu rozproszonego, odpowiednio, przed zderzeniem i po zderzeniu<br />

w układzie środka masy podukładu elektron-elektron.<br />

• ⃗g jest przekazem pędu, równym ⃗p ′ − ⃗p lub ⃗p f − ⃗p 0 ,<br />

• ⃗q, ⃗q ′ jest pędem przed i po zderzeniu odpowiednio,<br />

• dσ b<br />

dΩ<br />

jest różniczkowym przekrojem czynnym na binarne zderzenia.<br />

Granice całkowania w wyrażeniu A.1 są, na razie, określone symbolicznie jako ⊂ S (wewnątrz<br />

sfery Fermiego) oraz ⊃ S (na zewnątrz sfery Fermiego). Całkowanie wewnątrz kuli<br />

Fermiego ⊂ S oznacza, że początkowo elektron tarczy jest zlokalizowany w obsadzonym<br />

morzu Fermiego. Można to wyrazić poprzez pierwsze założenie:<br />

k 2 k 2 F .<br />

(A.2)<br />

74


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 75<br />

Następne założenia:<br />

k ′2 α, (A.3)<br />

p ′2 β, (A.4)<br />

oznaczają tyle, że oba elektrony, padający i tarczy, muszą po zderzeniu znaleźć się poza<br />

sferą Fermiego. Parametry α oraz β wprowadzone powyżej mają wymiar energii i są<br />

wprowadzone dla uogólnienia modelu. Innymi słowy parametry te należy określić przy<br />

rachunkach dla sprecyzowanych modeli. Warto nadmienić w tym miejscu, że oryginalny<br />

model otrzymamy dla:<br />

α = k 2 F + 2∆<br />

β = k 2 F . (A.5)<br />

Z warunku (A.3) i pierwszego z warunków (A.5) mamy:<br />

k ′2 k 2 + ω ≡ k 2 + 2∆.<br />

(A.6)<br />

Powyższy warunek mówi tyle, że energia elektronu tarczy po zderzeniu, k ′2 , musi przewyższyć<br />

energię elektronu tarczy przed zderzeniem k 2 o co najmniej wartość ∆. Energia<br />

∆ jest wartością energii konieczną do wzbudzenia atomu ze stanu podstawowego do<br />

pierwszego stanu wzbudzonego. Po podstawieniu do (A.1) wzoru Rutherforda:<br />

otrzymujemy co następuje:<br />

σ b = N k<br />

p<br />

∫<br />

⊂S<br />

dσ b<br />

dΩ = 1<br />

|⃗p ′ − ⃗p| 4 = 1 g 4<br />

∫<br />

d ⃗ k|⃗p − ⃗ k| d⃗g 1 1<br />

⊃S g 4 p 2 δ(p 0 − p f ).<br />

0<br />

(A.7)<br />

(A.8)<br />

Dla dogodności dalszych obliczeń dobrze jest dokonać zamiany kolejności całkowania:<br />

σ b = N k<br />

p<br />

∫<br />

⊃S<br />

∫<br />

d⃗g d ⃗ k|⃗p − ⃗ k| 1 1<br />

⊂S g 4 p 2 δ(p 0 − p f ).<br />

0<br />

(A.9)<br />

Wziąwszy pod uwagę tożsamości ⃗p 0 = ⃗q oraz ⃗p f = ⃗q ′ otrzymujemy:<br />

σ b = N k<br />

p<br />

∫<br />

⊃S<br />

∫<br />

d⃗g d ⃗ k|⃗p − ⃗ k| 1 1<br />

⊂S g 4 q 2 δ(q − q′ ).<br />

(A.10)<br />

Mając na uwadze własność funkcji δ:<br />

δ(q − q ′ ) = 2qδ(q 2 − q ′2 )<br />

(A.11)<br />

a także:<br />

dostajemy:<br />

σ b = 4N k<br />

p<br />

∫<br />

⊃S<br />

q = 1 2 |⃗p − ⃗ k|<br />

d⃗g 1 g 4 ∫<br />

⊂S<br />

d ⃗ kδ(q 2 − q ′2 ).<br />

(A.12)<br />

(A.13)


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 76<br />

Zajmijmy się teraz policzeniem całki:<br />

∫<br />

⊂S<br />

d ⃗ kδ(q 2 − q ′2 ).<br />

(A.14)<br />

Na tym etapie jest dogodne wprowadzenie walcowego układu współrzędnych, którego oś<br />

pionowa (oś z) leży wzdłuż kierunku przekazu pędu ⃗g lecz jest przeciwnie skierowane.<br />

Nazwijmy te współrzędne (R, ϕ, z) wtedy mamy:<br />

∫<br />

∫<br />

d ⃗ kδ(q 2 − q ′2 ) = RdRdϕdzδ(q 2 − q ′2 ).<br />

⊃S<br />

⊃S<br />

(A.15)<br />

Argument funkcji δ w (A.15) może zostać zapisany za pomocą zmiennych przy użyciu<br />

twierdzenia:<br />

δ(f(z) − 0) = | ∂f<br />

∂z |−1 z=z 0<br />

δ(z − z 0 ),<br />

(A.16)<br />

gdzie z 0 jest rozwiązaniem równania f(z)=0. Po skorzystaniu z tożsamości:<br />

⃗q = 1 2 (⃗p − ⃗ k),<br />

⃗q ′ = 1 2 (⃗p ′ − ⃗ k ′ ),<br />

⃗ k<br />

′<br />

= ⃗ k − ⃗g,<br />

⃗p ′ = ⃗g + ⃗p<br />

otrzymujemy:<br />

⃗q ′ = ⃗g + ⃗q,<br />

q 2 = 1 4 p2 + 1 4 k2 − 1 ⃗p · ⃗k<br />

2<br />

q ′2 = g 2 + q 2 + 2⃗g · ⃗q<br />

q 2 − q ′2 = q 2 − g 2 − q 2 − 2⃗q · ⃗g = −g 2 − 2⃗q · ⃗g = −g 2 − ⃗g · (⃗p − ⃗ k) =<br />

= −g 2 − ⃗g · ⃗p + ⃗g · ⃗k<br />

⃗g · ⃗k = gkcos(π − θ) = −gkcos θ,<br />

gdzie θ jest kątem pokazanym na rysunku A.1. Biorąc pod uwagę, że:<br />

z = kcos θ<br />

(A.17)<br />

dostajemy:<br />

q 2 − q ′2 = −g 2 − ⃗g · ⃗p − gz.<br />

(A.18)<br />

Zatem wynika z powyższego, że:<br />

f(z) = −g 2 − ⃗g · ⃗p − gz.<br />

(A.19)<br />

Obliczamy odwrotność bezwzględnej wartości pochodnej funkcji f:<br />

| ∂f<br />

∂z |−1 = 1 g .<br />

(A.20)


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 77<br />

Rys. A.1: Układ współrzędnych używany do obliczenia całki po ⃗ k. Promień kuli jest równy<br />

wartości pędu Fermiego k F .<br />

Rozwiązaniem równania f(z 0) = 0 jest<br />

Policzmy teraz iloczyn skalarny w powyższym wyrażeniu:<br />

a ponieważ<br />

⃗g · ⃗p<br />

z 0 = −g −<br />

g . (A.21)<br />

⃗g · ⃗p = (⃗p ′ − ⃗p) · ⃗p = ⃗p · ⃗p ′ − p 2<br />

g 2 = p ′2 + p 2 − 2⃗p · ⃗p ′<br />

to<br />

⃗p · ⃗p ′ = 1 2 (p ′2 + p 2 − g 2 )<br />

Ostatecznie poszukiwany argument wynosi:<br />

i<br />

⃗g · ⃗p = 1 2 (p ′2 − p 2 − g 2 ).<br />

z 0 = 1<br />

2g (p2 − p ′2 − g 2 ).<br />

(A.22)<br />

Reasumując powyższe wyprowadzenie możemy:<br />

δ(f(z) − 0) = | ∂f<br />

∂z |−1 δ(z − z0),<br />

z=z0<br />

zapisać jako:<br />

δ(q 2 − q ′2 ) = 1 δ(z − z0),<br />

g (A.23)


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 78<br />

gdzie z 0 jest dane przez (A.22).<br />

Na tym etapie zadanie sprowadza się do policzenia całki:<br />

∫<br />

1<br />

RdRdϕdzδ(z − z 0 ).<br />

g ⊂S<br />

(A.24)<br />

Funkcja podcałkowa nie zależy od ϕ możemy zatem od razu wykonać całkowanie po tej<br />

zmiennej, które daje w wyniku:<br />

∫<br />

π R 2 ∫<br />

2<br />

g R1<br />

2<br />

d(R 2 )dzδ(z − z 0 ).<br />

(A.25)<br />

Granice całkowania R 2 1 oraz R2 2<br />

można otrzymać przez żądanie spełnienia warunków:<br />

k 2 k 2 F<br />

|⃗p ′ | β.<br />

Z pierwszego z warunków otrzymujemy:<br />

k 2 = R 2 + z 2 k 2 F ⇒<br />

R 2 k 2 F − z 2 .<br />

Spełnienie drugiego warunku (A.3) daje:<br />

k ′2 = R 2 + (z + g) 2 α ⇒<br />

R 2 α − (z + g) 2 .<br />

Biorąc pod uwagę powyższe dostajemy:<br />

α − (z + g) 2 R 2 k 2 F − z 2 .<br />

Górna granica całki (A.25) to:<br />

R 2 2 = k 2 F − z 2 ,<br />

a dolna granica jest dana poprzez:<br />

⎧<br />

⎪⎨<br />

R1 2 α − (z + g) 2 , jeśli α (z + g) 2<br />

=<br />

⎪⎩ 0, gdy α (z + g) 2 .<br />

Po wycałkowaniu względem zmiennej z dostajemy:<br />

⎧<br />

∫<br />

⎪⎨ kF 2 − z2 0 − α + (z 0 + g) 2 dla α (z 0 + g) 2<br />

d ⃗ kδ(q 2 − q ′2 ) = π<br />

⊂S g (R2 2 − R1) 2 = π g ⎪⎩ kF 2 − z2 0 dla α (z 0 + g) 2<br />

Po podstawieniu z 0 danego przez (A.22) dostajemy:<br />

∫<br />

⎧<br />

⎪⎨<br />

d ⃗ kδ(q 2 − q ′2 ) = π<br />

⊂S g ⎪⎩<br />

k 2 F − α + p2 − p ′2 , dla α (z 0 + g) 2<br />

k 2 F − 1<br />

4g 2 (p 2 − p ′2 − g 2 ) 2 , dla α (z 0 + g) 2 .


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 79<br />

Na tym etapie możemy (A.13) zapisać w postaci:<br />

σ b = 8N kπ<br />

p<br />

∫ d⃗g<br />

g 5 ⎧<br />

⎪⎨<br />

⎪ ⎩<br />

k 2 F − α + p2 − p ′2 , dla α (z 0 + g) 2<br />

k 2 F − 1<br />

4g 2 (p 2 − p ′2 − g 2 ) 2 , dla α (z 0 + g) 2 .<br />

Dla uproszczenia dalszych rozważań wprowadźmy notację:<br />

F 1 = 1 g 5 (k2 F − α + p 2 − p ′2 ) (A.26)<br />

F 2 = 1 g 5 [k2 F − 1<br />

4g 2 (p2 − p ′2 − g 2 ) 2 ]<br />

(A.27)<br />

oraz zamiast całkowania po ⃗g będziemy całkować po ⃗p ′ .<br />

Z faktu, że:<br />

⃗g = ⃗p ′ − ⃗p<br />

mamy:<br />

d⃗g = d⃗p ′<br />

oraz<br />

g 2 = p ′2 + p 2 − 2pp ′ y<br />

y = cos η,<br />

gdzie η jest kątem pomiędzy ⃗p i ⃗p ′ .<br />

Ostatecznie element objętości we współrzędnych sferycznych (p ′ , Ψ, η) wyraża się przez:<br />

d⃗p ′ = p ′2 dp ′ dΨdη.<br />

Tak jak miało to miejsce wcześniej można od razu łatwo wycałkować po Ψ. Otrzymujemy<br />

wtedy:<br />

σ R = 16N kπ 2<br />

p<br />

∫<br />

⎧<br />

⎪⎨<br />

p ′2 dp ′ F 1, dla α (z 0 + g) 2<br />

dη<br />

⎪⎩ F 2, dla α (z 0 + g) 2 .<br />

(A.28)<br />

Granice całkowania po zmiennej η dostaniemy z warunków:<br />

α (z 0 + g) 2 (A.29)<br />

α (z 0 + g) 2 (A.30)<br />

Z równania (A.22) mamy:<br />

z 0 + g = 1<br />

2g (g2 + p 2 − p ′2 ).<br />

Wtedy warunek α (z 0 + g) 2 przyjmie postać:<br />

α 1<br />

4g 2 (g2 + p 2 − p ′2 ) 2 .


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 80<br />

Przekształcajmy dalej powyższą nierówność przyjmując, dla prostoty, oznaczenie g 2 ≡ G:<br />

4Gα G 2 + p 4 + p ′4 + 2g 2 p 2 − 2g 2 p ′2 − 2p 2 p ′2<br />

0 G 2 + G(2p 2 − 2p ′2 − 4α) + p 4 + p ′4 − 2p 2 p ′2<br />

0 G 2 + 2G(p 2 − p ′2 − 2α) + (p 2 − p ′2 ) 2<br />

(G + p 2 − p ′2 − 2α) 2 (p 2 − p ′2 − 2α) 2 − (p 2 − p ′2 ) 2<br />

(G + p 2 − p ′2 − 2α) 2 4α 2 − 4α(p 2 − p ′2 ).<br />

Rozwiązanie istnieje tylko wtedy, gdy prawa strona równania jest dodatnia:<br />

4α(α − (p 2 − p ′2 )) 0 ⇒ α p 2 − p ′2 ⇒ p ′2 p 2 − α.<br />

stąd mamy<br />

√<br />

√<br />

−p 2 + p ′2 + 2α − 2 α 2 − α(p 2 − p ′2 ) G 2 α 2 − α(p 2 + p ′2 ) − p 2 − p ′2 + 2α<br />

więc<br />

[<br />

]<br />

α − (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2 [<br />

]<br />

2 g 2 α + (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

2<br />

Podstawiamy za g 2 :<br />

g 2 = p 2 + p ′2 − 2pp ′ η<br />

[<br />

]<br />

α − α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2 [<br />

]<br />

2 p 2 + p ′2 − 2pp ′ η α + α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

2<br />

(<br />

1<br />

[<br />

] )<br />

2pp ′ p 2 + p ′2 − α + (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

2 η 1 (<br />

[<br />

] )<br />

2pp ′ p 2 + p ′2 − α − (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

2<br />

Ostatecznie otrzymujemy<br />

α 1 η β 1 ,<br />

α 1 =<br />

β 1 =<br />

{<br />

1<br />

[<br />

] }<br />

2pp ′ p 2 + p ′2 − α + (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

2<br />

= 1<br />

pp ′ [<br />

p 2 − α 2 − α(α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

{<br />

1<br />

2pp ′ p 2 + p ′2 −<br />

]<br />

,<br />

[<br />

] }<br />

α − (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

2<br />

= 1<br />

pp ′ [<br />

p 2 − α 2 + α(α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

]<br />

.<br />

Warunek:<br />

α 2 1<br />

4g 2 (g2 + p 2 − p ′2 ) 2<br />

po analogicznym postępowaniu jak powyżej prowadzi do:<br />

(G + p 2 − p ′2 − 2α 2 ) 2 4α 2 [α 2 (p 2 − p ′2 )].


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 81<br />

Jeśli prawa strona powyższej nierówności jest ujemna to wtedy rozwiązanie istnieje dla<br />

każdego G i mamy:<br />

Jednakże jeżeli prawa strona jest dodatnia:<br />

p ′2 p 2 − α 2 .<br />

p ′2 p 2 − α 2<br />

G + p 2 − p ′2 − 2α 2 2α(α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

G 2α(α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2 − p 2 + p ′2 + 2α 2<br />

g 2 <br />

[<br />

]<br />

α + (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

2 ⇒<br />

⇒ η α 1<br />

lub G + p 2 − p ′2 − 2α 2 −p 2 + p ′2 ) 1 2 ⇒<br />

⇒ η β 1<br />

Stąd otrzymujemy<br />

k 2 F − 1<br />

4g 2 (p2 − p ′2 − g 2 ) 2 0 ⇒<br />

G 2 + 2G(p ′2 − p 2 − 2k 2 F ) + (p 2 − p ′2 ) 2 0<br />

(G + p ′2 − p 2 − 2k 2 F ) 2 4k 2 F (k 2 F − p ′2 + p 2 ). (A.31)<br />

Rozwiązanie ostatniej nierówności istnieje tylko wtedy gdy prawa strona tej nierówności<br />

jest dodatnia:<br />

p ′2 p 2 + k 2 F .<br />

Warunek ten jest zawsze spełniony, gdyż gwarantuje to zasada zachowania energii.<br />

Po rozwiązaniu nierówności α (z 0 + g) 2 otrzymujemy:<br />

α 2 y β 2 ,<br />

gdzie:<br />

α 2 = 1 [<br />

(<br />

pp ′ p ′2 − kF 2 − k F kF 2 − p ′2 + p 2) ]<br />

1<br />

2<br />

,<br />

Reasumując, otrzymaliśmy co następuje:<br />

β 2 = 1<br />

pp ′ [<br />

p ′2 − k 2 F + k F<br />

(<br />

k 2 F − p ′2 + p 2) 1 2<br />

1. Warunek α (z 0 + g) 2 jest spełniony tylko dla:<br />

]<br />

.<br />

p ′2 p 2 − α<br />

(A.32)<br />

oraz w tym przypadku gdy:<br />

α 1 η β 1 , gdzie: (A.33)<br />

α 1 = 1 [<br />

]<br />

pp ′ p 2 − α − (α 2 − α(p 2 + p ′2 )) 1 2 , (A.34)<br />

β 1 = 1<br />

pp ′ [<br />

p 2 − α + (α 2 − α(p 2 + p ′2 )) 1 2<br />

]<br />

. (A.35)


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 82<br />

Wkład do całki, pochodzący od funkcji F1, ma miejsce tylko dla p ′2 p 2 − α<br />

a całkowanie po zmiennej η powinno zostać przeprowadzone w granicach danych<br />

przez (A.33).<br />

2. Z warunku α (z 0 + g) 2 otrzymujemy, że:<br />

a) dla p ′2 p 2 − α warunek α (z 0 + g) 2 jest zawsze spełniony tj. wszystkie<br />

wartości η są dozwolone. Dodatkowe ograniczenia w tym przypadku wynikają<br />

z warunku kF 2 − z2 0 0.<br />

b) dla p ′2 p 2 − α warunek α (z 0 + g) 2 jest spełniony tylko dla:<br />

y α 1 lub y β 1 ,<br />

(A.36)<br />

gdzie α 1 i β 1 są dane odpowiednio przez (32) i (33). Dodatkowe ograniczenia<br />

w tym przypadku wynikają z warunku kF 2 − z2 0 0.<br />

3. Warunek kF 2 −z2 0 0 jest spełniony dla wszystkich wartości p ′2 , które są dozwolone<br />

przez zasadę zachowania energii, nakłada to ograniczenie na granice całkowania po<br />

zmiennej y:<br />

α 2 y β 2 , gdzie : (A.37)<br />

α 2 = 1 [<br />

]<br />

pp ′ p ′2 − kF 2 − k F (kF 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2 , (A.38)<br />

β 2 = 1<br />

pp ′ [<br />

p ′2 − k 2 F + k F (k 2 F − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />

4. Można pokazać, że poniższa nierówność jest zawsze spełniona:<br />

]<br />

. (A.39)<br />

−1 < α 2 α 2 < β 1 β 2 < 1.<br />

Możemy teraz zapisać (A.28) jako:<br />

σ R = 32N kπ 2<br />

p<br />

∫<br />

⎧<br />

⎪⎨ ∫ β2<br />

p ′2 dp ′ α 2<br />

dηF 2,<br />

gdy p ′2 p 2 − α<br />

⎪ ∫ ⎩ α1<br />

α 2<br />

dηF 2 + ∫ β 1<br />

α 1<br />

dηF 1 + ∫ β 2<br />

β 1<br />

dηF 2, gdy p ′2 p 2 − α.<br />

(A.40)<br />

Obecnie zajmiemy się policzeniem dwóch całek:<br />

∫<br />

1)<br />

∫<br />

2)<br />

dηF 1,<br />

dηF 2.<br />

(A.41)<br />

(A.42)<br />

Musimy policzyć powyższe całki w różnych granicach, lecz najpierw policzymy całki<br />

nieoznaczone.<br />

Dla całki oznaczonej 1) mamy:<br />

F 1 = 1 g 5 (k2 f − α + p 2 − p ′2 ), gdzie<br />

(A.43)


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 83<br />

Wprowadźmy oznaczenia:<br />

g = (p 2 + p ′2 − 2pp ′ η) 1 2 .<br />

(A.44)<br />

a = p 2 + p ′2 , (A.45)<br />

b = −2pp ′ (A.46)<br />

zatem<br />

g = (a + bη) 1 2 (A.47)<br />

Stąd otrzymujemy<br />

∫<br />

dηF 1 =<br />

∫ k<br />

2<br />

f − α + p 2 − p ′2<br />

dη = − 2 kf 2 − α + p2 − p ′2<br />

(a + bη) 5 2<br />

3b (a + bη) 3 2<br />

(A.48)<br />

Przypadek całki 2):<br />

Zapiszmy powyższą funkcję w postaci:<br />

F 2 = 1 g 5 [<br />

k 2 F − 1<br />

4g 2 (p2 − p ′2 − g 2 ) 2 ]<br />

. (A.49)<br />

F 2 =<br />

gdzie:<br />

1<br />

(α ′ + β ′ η + γ ′ η 2 ), (A.50)<br />

(a + bη) 7 2<br />

α ′ = (p ′2 + p 2 )k 2 F − p ′4 , (A.51)<br />

β ′ = 2pp ′ (p ′2 − k 2 F ), (A.52)<br />

γ ′ = −p 2 p ′2 (A.53)<br />

Otrzymujemy:<br />

∫<br />

dηF 2 =<br />

gdzie:<br />

∫ α ′ + β ′ η + γ ′ η 2<br />

(a + bη) 7 2<br />

dη = Aη2 + Bη + C<br />

, (A.54)<br />

15b 3 (a + bη) 5 2<br />

A = −30γ ′ b 2 (A.55)<br />

B = −10β ′ b 2 − 40γ ′ ab (A.56)<br />

C = −6b 2 α ′ − 4abηβ ′ − 16a 2 γ ′ . (A.57)<br />

Granice pierwszej całki z F1 to (α 1 , β 1 ). Drugą całkę z F2 należy policzyć w granicach<br />

(α 2 , β 2 ), (α 2 , α 1 ) i (β 1 , β 2 ).<br />

Gdy podstawimy te granice do (A.48) i (A.54) otrzymamy wtedy bardzo skomplikowane<br />

wyrażenie gdyż wzory na α 1 , α 2 , β 1 , β 2 są skomplikowane. Można to uprościć wprowadzając<br />

oznaczenia:<br />

ξ = p2 − p ′2<br />

k 2 F<br />

ξ 1 = p2 − p ′2<br />

. (A.58)<br />

α


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 84<br />

Otrzymamy wtedy:<br />

(a + bα 1 ) n 2 = α<br />

n<br />

2 [1 + (1 − ξ1 ) 1 2 ]<br />

n<br />

(a + bα 2 ) n 2 = k<br />

n<br />

F [1 + (1 + ξ) 1 2 ]<br />

n<br />

(a + bβ 1 ) n 2 = α<br />

n<br />

2 [1 − (1 − ξ1 ) 1 2 ]<br />

n<br />

(a + bβ 2 ) n 2 = k<br />

n<br />

F [(1 + ξ) 1 2 − 1]<br />

n<br />

Aα 2 1 + Bα 1 + C = η 1 [7ξ 2 1 − 30ξ 1 + 20 + 20(1 − ξ 1 )(1 − ξ 1 ) 1 2 ]<br />

Aβ 2 1 + Bβ 1 + C = η 1 [7ξ 2 1 − 30ξ 1 + 20 − 20(1 − ξ 1 )(1 − ξ 1 ) 1 2 ]<br />

Aα 2 2 + Bα 2 + C = η[2ξ 2 − 20ξ + 20 + 10(2 − ξ)(1 − ξ) 1 2 ]<br />

Aβ 2 2 + Bβ 2 + C = η[2ξ 2 + 20ξ + 20 − 10(2 − ξ)(1 − ξ) 1 2 ],<br />

(A.59)<br />

(A.60)<br />

(A.61)<br />

(A.62)<br />

(A.63)<br />

(A.64)<br />

(A.65)<br />

(A.66)<br />

Po podstawieniu powyższego do (A.40) otrzymamy:<br />

⎧<br />

σ b = 8N kπ 2 ∫ ⎪⎨<br />

15p 2 d(p ′2 )<br />

⎪⎩<br />

gdzie η = 8p 2 p ′2 k 4 F η 1 = 8p 2 p ′2 α 2 .<br />

4(5ξ+4)<br />

k F ξ 3 , gdy p ′2 p 2 − α<br />

4(5ξ+4)<br />

k F ξ<br />

+ (1−ξ 1) 1 2<br />

(4ξ 2 3 α 2 1 ξ1<br />

3 1 + ξ 1(22 − 10k2 F<br />

α ) − 56 + 40 k2 F<br />

α<br />

), gdy p ′2 p 2 − α.<br />

(A.67)<br />

Granice ostatniej całki po zmiennej p ′2 są dane z warunków:<br />

1) p ′2 β<br />

2) k ′2 − k 2 ω p 2 − p ′2 γ p ′2 p 2 − γ.<br />

Warunek 2) razem z zasadą zachowania energii p 2 + k 2 = p ′2 + k ′2 daje nierówność<br />

p ′2 p 2 − ω, ponieważ p 2 − p ′2 = k ′2 − k 2 ω zatem:<br />

β p ′2 p 2 − ω.<br />

(A.68)<br />

Z powyższego wynika, że wkład do całki jest możliwy tylko dla takiej energii cząstki<br />

padającej, dla której zachodzi:<br />

β p 2 − ω ⇒ p 2 β + ω. (A.69)<br />

Wyrażenie (A.67) można zapisać w innej formie:<br />

⎧<br />

∫ ⎪⎨<br />

σ b = A d(p ′2 G1, gdy p ′2 p 2 − α<br />

)<br />

⎪⎩ G2, gdy p ′2 p 2 − α,<br />

(A.70)<br />

gdzie:<br />

A = 16π2 N k<br />

15p 2 ,<br />

G1 =<br />

G2 =<br />

4(5ξ + 4)<br />

k F ξ 3 ,<br />

4(5ξ + 4)<br />

k F ξ 3 + (1 − ξ 1) 1 2<br />

(4ξ 2<br />

α 1 2 ξ1<br />

3 1 + ξ 1 (22 − 10k2 F<br />

α<br />

) − 56 + 40k2 F<br />

α ).


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 85<br />

Musimy teraz rozważyć kilka przypadków:<br />

1.<br />

α ω<br />

(A.71)<br />

a) z (A.67) mamy:<br />

β p ′2 p 2 − α ⇒<br />

β p 2 − α ⇒ p 2 α + β<br />

a mając na uwadze także (A.69) dostajemy<br />

p 2 max(β + ω, α + β).<br />

(A.72)<br />

Całka (A.67) powinna być liczona tylko dla energii cząstki padającej spełniającej<br />

nierówność (A.72).<br />

Przypadek (A.71) i (A.72) nazwijmy I.<br />

Dla I mamy:<br />

σ R = A<br />

[ ∫ p 2 −α<br />

β<br />

∫ ]<br />

p 2<br />

d(p ′2 −ω<br />

)G1 + d(p ′2 )G2 . (A.73)<br />

p 2 −α<br />

b)<br />

β + ω p 2 α + β.<br />

(A.74)<br />

Przypadek (A.71) i (A.74) oznaczmy II.<br />

2.<br />

Dla II mamy:<br />

∫ p 2<br />

σ R −ω<br />

= A d(p ′2 )G2.<br />

β<br />

α ω.<br />

(A.75)<br />

(A.76)<br />

a) Przypadek (A.76) oraz (A.72) nazwijmy III. Z (A.73) wynika, że drugi człon<br />

nie daje wkładu w proces zderzenia a ponieważ:<br />

zatem mamy dla III:<br />

p 2 − ω p 2 − α<br />

∫ p 2<br />

σ R −ω<br />

= A d(p ′2 )G1.<br />

β<br />

(A.77)<br />

b) Z (A.75) można wywnioskować, że w tym przypadku nie mamy wkładu w<br />

proces zderzenia pochodzącego od funkcji G2.<br />

Posumowując, otrzymaliśmy co następuje:<br />

⎧<br />

∫ p 2 −α<br />

⎪⎨ β<br />

d(p ′2 )G1 + ∫ p 2 −ω<br />

p 2 −α d(p ′2 )G2, gdy p 2 max(β + ω, α + β) i α ω<br />

σ R ∫<br />

= A p 2 −ω<br />

β<br />

d(p ′2 )G2, gdy β + ω p 2 α + β i α ω<br />

⎪⎩<br />

∫ p 2 −ω<br />

β<br />

d(p ′2 )G1, gdy p 2 max(β + ω, α + β) i α ω.<br />

(A.78)


DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />

MODELU QFSM 86<br />

Po wycałkowaniu otrzymujemy:<br />

σ R = 64π2 N k<br />

15p 2<br />

⎧⎪ ⎨<br />

⎪ ⎩<br />

5k 3 F<br />

5k 3 F<br />

5k 3 F<br />

( ) (<br />

)<br />

1<br />

ω − 1 + 2k 5 1 1<br />

p 2 −kF<br />

2 F ω<br />

− − 2<br />

2 (p 2 −kF 2 )2 ω<br />

(k 2 2 F − ω) 5 2 + 2(2k2 F −p2 ) 5 2<br />

,<br />

(p 2 −kF 2 )2<br />

(<br />

1<br />

ω − 1<br />

p 2 −k 2 F<br />

gdy p 2 max(kF 2 ) (<br />

+ ω, 2k2 F ) i k2 F ω<br />

+ 2kF<br />

5<br />

)<br />

1 1<br />

ω<br />

− 2 (p 2 −kF 2 )2<br />

gdy kF 2 + ω p2 2kF 2 ( ) (<br />

i )<br />

k2 F ω<br />

1<br />

ω − 1 + 2k 5 1 1<br />

p 2 −kF<br />

2 F ω<br />

− ,<br />

2 (p 2 −kF 2 )2<br />

Powyższy wynik można zapisać w ogólnej postaci:<br />

− 2<br />

ω 2 (k 2 F − ω) 5 2 ,<br />

gdy p 2 max(k 2 F + ω, 2k2 F ) i k2 F ω.<br />

(A.79)<br />

[<br />

σ R 4π<br />

5k<br />

=<br />

5kF 3 p2 H(p2 + kF 2 3<br />

− α − β) F<br />

α − kF<br />

2 − k3 F [5(p2 − β) + 2kF 2 ]<br />

(p 2 − β) 2<br />

+ H(α + β − p 2 ) 2(α + β − p2 ) 5/2 ]<br />

(p 2 − β) 2 , (A.80)<br />

gdzie H jest jednostkową funkcją schodkową Heaviside’a.


Dodatek B<br />

Dane doświadczalne<br />

87


DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 88<br />

Tabela B.1: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-He część I.<br />

energia [eV] 20 30 40 50 60 70 80 90 100 150 200<br />

˜σ el [a 2 0 ] 10.52 7.987 5.998 4.946 4.578 3.154 2.841 2.346 2.18 1.369 0.99775<br />

˜σ abs [a 2 0 ] 0.8151 1.271 1.527 1.73 1.791 1.849 1.879 1.889 1.78 1.648<br />

θ [deg]<br />

d˜σ/dΩ [a 2 0<br />

3 2.64 3.07 3.44 /sr]<br />

2.73<br />

5 2.95 3.18 3.16 2.79 2.38 2.01 1.68<br />

8 2.42 2.72 2.81 1.97<br />

10 1.76 1.36 1.08<br />

15 2.3354 0.944 0.739<br />

20 2.0640 1.8998 1.01 0.682 0.528<br />

24 1.4712<br />

25 1.7783 1.6141 0.792 0.503 0.385<br />

30 1.5248 1.3391 1.2784 1.1070 0.588 0.375 0.281<br />

35 1.3070 1.1177 1.0284 0.465 0.283 0.205<br />

36 1.4391 0.8249<br />

40 1.1355 0.9249 0.8356 0.350 0.215 0.151<br />

45 0.9606 0.7534 0.6642 0.293 0.168 0.114<br />

48 1.0856 0.4856 0.1535<br />

50 0.8463 0.6356 0.5535 0.231 0.135 0.0885<br />

53.8 0.0742<br />

54 0.113<br />

55 0.7463 0.5499 0.4678<br />

60 0.8499 0.6427 0.4642 0.3928 0.3071 0.161 0.0857 0.05713<br />

65 0.5820 0.3963 0.3256<br />

70 0.5178 0.3517 0.2874 0.120<br />

72 0.6999 0.2106 0.04999 0.03356<br />

75 0.4785 0.3153 0.2531<br />

80 0.4228 0.2849 0.2289 0.0899<br />

84 0.6320 0.1571 0.03749 0.02249<br />

85 0.4213 0.2642 0.2106<br />

90 0.4035 0.2517 0.1935 0.0680<br />

95 0.3963 0.2406 0.1853<br />

96 0.6106 0.1249 0.02606 0.01571<br />

100 0.3892 0.2346 0.1781 0.0573<br />

105 0.3963 0.2296 0.1721<br />

108 0.6249 0.1071 0.02035 0.01178<br />

110 0.3999 0.2289 0.1681 0.0486<br />

115 0.4071 0.2274 0.1667<br />

120 0.6785 0.4142 0.2285 0.1635 0.0999 0.0410 0.01678 0.00999<br />

125 0.4249 0.2278 0.1596<br />

128 0.2285 0.1599<br />

130 0.0364<br />

132 0.7213 0.4356 0.1749 0.0964 0.01571 0.008927<br />

140 0.0320<br />

144 0.7677 0.4606 0.1892 0.0999 0.01464 0.008570<br />

156 0.8142 0.4963 0.1999 0.1035 0.01464 0.008213<br />

168 0.8749 0.5499 0.2178 0.1071 0.01428 0.007856


DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 89<br />

Tabela B.2: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-He część II.<br />

energia [eV] 300 400 500 600 700 800 900 1000 2000 3000<br />

˜σ el [a 2 0 ] 0.6029 0.4433 0.3467 0.3141 0.2357 0.2335 0.2149 0.1487 0.1125<br />

˜σ abs [a 2 0 ] 1.374 1.163 1.011 0.8893 0.8019 0.7271 0.6671 0.6139 0.3482 0.249<br />

θ [deg] d˜σ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

3<br />

5 1.28 1.06 0.906 0.706 0.585 0.435 0.367<br />

6 1.1427 0.9820<br />

10 0.787 0.644 0.55 0.436 0.338 0.195 0.127<br />

15 0.538 0.430 0.355 0.26 0.138 0.0816 0.0451<br />

20 0.365 0.289 0.229 0.154 0.0977 0.0354 0.0183<br />

25 0.247 0.192 0.146 0.0906 0.054 0.0173 0.00839<br />

30 0.169 0.128 0.0933 0.0556 0.0312 0.00938 0.00433<br />

35 0.121 0.0864 0.0612 0.0352 0.019 0.00539 0.00244<br />

36 0.07499<br />

40 0.0885 0.0597 0.0412 0.0230 0.0119 0.00333 0.00146<br />

45 0.0601 0.0422 0.0285 0.0159 0.00787 0.00216 0.000904<br />

48 0.0535 0.03285<br />

50 0.0450 0.0306 0.0203 0.0111 0.00559 0.00140 0.000584<br />

53.8 0.00889 0.00431 0.0011 0.000506<br />

54.2 0.0384 0.024 0.0165<br />

60 0.0282 0.0167<br />

72 0.0178 0.0085<br />

84 0.0117 0.0053<br />

96 0.00857 0.0035<br />

108 0.00642 0.00249<br />

120 0.00571 0.00196<br />

132 0.00499 0.00192<br />

144 0.004285 0.00167<br />

156 0.003928 0.00167<br />

168 0.003571 0.001642


DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 90<br />

Tabela B.3: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ne I.<br />

energia [eV] 20 30 40 50 60 70 80 90 100 150<br />

˜σ el [a 2 0 ] 11.32 10.71 10.82 10.40 9.987 9.57 9.154 8.737 6.196<br />

˜σ abs [a 2 0 ] 0.7539 1.348 1.853 2.242 2.528 2.712 2.850 2.923 3.052<br />

θ [deg] 10 /sr]<br />

7.11<br />

15 4.75<br />

20 1.83 1.90 2.35 2.67 4.70 3.32<br />

25 3.35 2.22<br />

30 1.87 1.87 1.98 2.13 2.49 1.54<br />

35 1.58 1.07<br />

40 1.91 1.77 1.55 1.72 1.20 0.771<br />

45 0.525<br />

50 1.88 1.65 1.47 1.35 0.672 0.382<br />

60 1.74 1.43 1.16 1.06 0.408 0.183<br />

70 1.49 1.12 0.853 0.778 0.236 0.094<br />

80 1.13 0.796 0.539 0.419 0.119 0.076<br />

90 0.753 0.458 0.282 0.156 0.0480 0.075<br />

92 0.0375<br />

94 0.0346<br />

96 0.0325<br />

98 0.0327<br />

100 0.472 0.226 0.101 0.0291 0.0378 0.089<br />

102 0.0205 0.471<br />

104 0.0682 0.0182<br />

106 0.162 0.0645 0.0161<br />

108 0.149 0.0148<br />

110 0.268 0.143 0.0768 0.0217 0.103 0.133<br />

112 0.148 0.0413<br />

114 0.157 0.0824<br />

116 0.174<br />

118 0.191<br />

120 0.236 0.236 0.251 0.229 0.279 0.201<br />

130 0.390 0.539 0.633 0.636 0.454 0.278<br />

140 0.662 0.930 1.02 1.18 0.726 0.370<br />

150 0.861 1.45 1.49 1.87 0.992 0.412


DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 91<br />

Tabela B.4: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ne II.<br />

energia [eV] 200 300 400 500 700 750 800 1000 2000 3000<br />

˜σ el [a 2 0 ] 4.994 4.00 3.215 2.721 2.211 1.627 1.02 0.748<br />

˜σ abs [a 2 0 ] 2.985 2.621 2.298 2.050 1.673 1.535 1.314 0.7579 0.5489<br />

3 7.55<br />

4 6.72<br />

5 7.51 6.75 6.30 5.44 5.08<br />

6 5.34<br />

8 4.24<br />

10 5.65 5.39 4.55 3.96 3.40 3.48 2.41 1.84<br />

12 2.65<br />

15 4.31 3.40 3.11 2.39 2.17 1.78 0.992 0.662<br />

20 2.89 2.08 1.96 1.53 1.19 1.00 0.908 0.442 0.277<br />

25 1.92 1.26 1.15 0.903 0.670 0.547 0.498 0.223 0.135<br />

30 1.26 0.865 0.729 0.580 0.401 0.332 0.293 0.127 0.0727<br />

35 0.863 0.559 0.479 0.379 0.256 0.217 0.188 0.0784 0.0433<br />

40 0.580 0.386 0.340 0.262 0.174 0.153 0.128 0.0513 0.0276<br />

45 0.304 0.243 0.180 0.128 0.0906 0.0354 0.0184<br />

50 0.297 0.229 0.169 0.127 0.0978 0.0847 0.0683 0.0253 0.132<br />

60 0.177 0.138 0.103 0.079 0.0546<br />

70 0.118 0.102 0.082 0.059 0.0375<br />

80 0.0974 0.084 0.067 0.048 0.0282<br />

90 0.102 0.071 0.057 0.042 0.0226<br />

100 0.113 0.070 0.051 0.038 0.0189<br />

110 0.138 0.071 0.050 0.033 0.0164<br />

120 0.176 0.078 0.048 0.031 0.0146<br />

130 0.235 0.087 0.047 0.030 0.0135<br />

140 0.274 0.111 0.047 0.029 0.0132<br />

150 0.317 0.153 0.046 0.029 0.0129


DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 92<br />

Tabela B.5: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ar I.<br />

energia [eV] 20 30 40 50 60 70 80 100 150 200<br />

[a 2 0<br />

/sr]<br />

˜σ el [a 2 0 ] 74.150 49.8 33.96 27.65 24.28 21.95 19.6 17.36 13.55 11.43<br />

˜σ abs [a 2 0 ] 4.115 9.224 11.61 12.17 21.71 12.55 12.2 11.21 9.932<br />

θ [deg] d˜σ/dΩ 5 45.3 /sr]<br />

48.9 47.1 44.0<br />

8 35.3 35.9 28.6<br />

10 30.1 27.8 23.8 20.9<br />

12 38.5 25.5 21.4 15.6<br />

14 37.2 22.4 16.9 11.5<br />

15 20.4 15.0 12.5 10.1<br />

20 33.2 14.3 8.73 6.65 4.94<br />

25 28.3 9.84 4.89 3.49 2.58<br />

30 23.4 6.91 2.72 1.89 1.32<br />

35 18.7 4.78 1.50 1.07 0.789<br />

40 14.3 3.05 0.857 0.666 0.555<br />

45 10.2 1.87 0.490 0.462 0.439<br />

50 6.62 1.04 0.298 0.369 0.376<br />

54.5 0.331<br />

55 4.18 0.484 0.210 0.336<br />

60 2.27 0.143 0.191 0.310<br />

65 1.06 0.0321 0.224 0.284<br />

70 0.577 0.0949 0.281 0.264<br />

75 0.483 0.268 0.351 0.239<br />

80 0.701 0.525 0.202<br />

85 1.06 0.793 0.462 0.168<br />

90 1.53 1.03 0.481 0.128<br />

95 1.82 1.17 0.449 0.0951<br />

100 2.04 1.25 0.398 0.0633<br />

105 2.05 1.22 0.313 0.0391<br />

110 1.88 1.08 0.212 0.0295<br />

115 1.61 0.866 0.116 0.0371<br />

120 1.40 0.649 0.0463 0.0664<br />

125 1.22 0.421 0.0313 0.119<br />

130 1.23 0.238 0.0826 0.197<br />

135 1.46 0.129 0.216 0.286<br />

140 1.95 0.105 0.437 0.404<br />

145 2.62 0.188 0.747 0.542<br />

150 3.60 0.356 1.08 0.649


DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 93<br />

Tabela B.6: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ar II.<br />

energia [eV] 300 400 500 600 700 750 800 900 1000 2000 3000<br />

˜σ el [a 2 0 ] 8.809 7.555 6.734 5.33 4.55 2.87 2.05<br />

˜σ abs [a 2 0 ] 7.996 6.716 5.775 4.946 4.426 4.022 3.705 3.41 1.95 1.415<br />

θ [deg] 5 37.2 34.3 35.5 d˜σ/dΩ 30.5 /sr]<br />

29.0 29.4 24.6 19.8<br />

8 22.8 17.6<br />

10 18.3 16.5 16.4 12.8 12.9 11.0 6.31 3.98<br />

12 11.1 7.55<br />

14 7.63 5.25<br />

15 8.81 7.42 6.5 4.87 4.39 3.88 1.86 1.17<br />

20 4.18 3.40 2.83 2.07 1.82 1.64 0.781 0.484<br />

25 2.08 1.72 1.45 1.09 0.906 0.865 0.407 0.245<br />

30 1.17 1.01 0.905 0.668 0.577 0.518 0.226 0.139<br />

35 0.766 0.688 0.642 0.442 0.387 0.331 0.136 0.0857<br />

40 0.572 0.515 0.44 0.301 0.267 0.221 0.0930 0.0574<br />

45 0.454 0.321 0.209 0.19 0.155 0.0630 0.0409<br />

50 0.365 0.305 0.244 0.156 0.138 0.116 0.0416 0.0301<br />

53.8 0.0924 0.0403<br />

53.9 0.0230<br />

54 0.253 0.124<br />

54.1 0.289<br />

55 0.188 0.106<br />

60 0.144 0.082<br />

65 0.118 0.0666<br />

70 0.0958 0.0569<br />

75 0.0791 0.0494<br />

80 0.0692 0.0445<br />

85 0.0619 0.0416<br />

90 0.0567 0.039<br />

95 0.0532 0.0379<br />

100 0.0522 0.0373<br />

105 0.0552 0.0374<br />

110 0.0594 0.0383<br />

115 0.0649 0.0391<br />

120 0.0396<br />

125 0.0816 0.0410<br />

130 0.0933<br />

135 0.105 0.0451<br />

140 0.117 0.0468<br />

145 0.0495<br />

150 0.141 0.0516


Dodatek C<br />

Algorytm genetyczny<br />

W niniejszym dodatku zostanie umieszczony lakoniczny opis algorytmu genetycznego<br />

pochodzący z książki Davida E. Goldberg’a [61]. Lakoniczność wynika z faktu, że algorytm<br />

genetyczny został wykorzystany tylko jako narzędzie do uzyskania wyników obliczeń,<br />

które zostały opisane w poprzednich rozdziałach. Z wyżej wymienionej książki<br />

pochodzi definicja algorytmu genetycznego jako algorytmu poszukiwania opartym na<br />

mechanizmach doboru naturalnego oraz dziedziczności. Zajmijmy się teraz opisem poszczególnych<br />

etapów algorytmu wraz z interpretacją fizyczną wyników uzyskiwanych w<br />

kolejnych krokach. W pierwszej kolejności algorytm losuje pewną populację początkową.<br />

W naszym przypadku określamy dolną i górną granicę parametrów określających postać<br />

potencjału efektywnego. Kolejny krok to selekcja (ocena) populacji. Z określonego<br />

przez nas przedziału jest losowana wartość parametru z której tworzony jest potencjał<br />

efektywny. Następnie program liczy wartość wielkości rozproszeniowych (np. całkowitego<br />

przekroju czynnego) dla rozpraszania elektronu na lokalnym potencjale efektywnym.<br />

Ocena populacji w tym przypadku polega na minimalizacji tzw. funkcji dopasowania<br />

(ang. fitness function):<br />

∆ cs = 1 [ ∑ Ne 1 ( dσ ∆<br />

N e N<br />

j=1 j dΩ (j) + ∆σ(j))] ,<br />

(C.1)<br />

gdzie<br />

∆ dσ<br />

Nj∑<br />

diff<br />

dΩ (j) = dσ(j)<br />

∣ dΩ (θ i)− d˜σ(j)<br />

dΩ (θ i)<br />

∣ ,<br />

i=1<br />

(C.2)<br />

⎧<br />

0, jeśli tylko d˜σ(j)/dΩ są dostępne,<br />

⎪⎨<br />

∆σ(j)= ∆σ el j + ∆σabs j , jeśli ˜σ el j i ˜σ abs j są dostępne,<br />

(C.3)<br />

⎪⎩<br />

∆σj α , α= abs lub el jeżeli ˜σα j jest tylko dostępne<br />

94


DODATEK C. ALGORYTM GENETYCZNY 95<br />

i ∆σ α j<br />

= |σα j − ˜σα j |. N j stanowi liczbę przekrojów czynnych w zbiorze danych odpowiadających<br />

j-tej energii elektronu padającego:<br />

⎧<br />

gdzie N diff<br />

j<br />

padającego.<br />

1, jeśli jedno z ˜σ α j<br />

jest dostępne,<br />

2, jeśli dwa z ˜σ j ⎪⎨<br />

α są dostępne,<br />

N j = N diff j , jeżeli tylko d˜σ(j)/dΩ są dostępne,<br />

(C.4)<br />

N diff j + 1, jeśli d˜σ(j)/dΩ oraz jeden z ˜σ j są dostępne,<br />

⎪⎩ N diff j + 2, jeżeli d˜σ(j)/dΩ i dwa z ˜σ j α są dostępne,<br />

oznacza liczbę różniczkowych przekrojów czynnych dla j-tej energii elektronu<br />

Algorytm genetyczny wybiera te wartości parametrów, które dla danej populacji dają<br />

najmniejszą wartość funkcji dopasowania. Wybrane wartości parametrów stają się ”rodzicami”<br />

kolejnego pokolenia parametrów. Następne pokolenie przechodzi także mutację,<br />

która w praktyce polega na wprowadzeniu drobnych losowych zmian. Wszystkie te zabiegi<br />

mają na celu stworzenie nowego, lepszego zestawu parametrów, który w kolejnym<br />

etapie jest poddawany selekcji. Algorytm powtarza procedurę tyle razy aż zostanie wyczerpana<br />

liczba pokoleń ustalona na początku obliczeń. Program może także skończyć<br />

swoją pracę w wypadku uzyskania zadowalających wyników np. w przypadku osiągnięcia<br />

założonego stopnia dokładności obliczeń.


Dodatek D<br />

Wyniki obliczeń dla rozpraszania<br />

elektronów na atomach helu<br />

96


DODATEK D. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH HELU 97<br />

Tabela D.1: e-He 50eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 4.946 4.798 4.571 4.577 4.571 4.654 4.643 4.651<br />

σ abs [a 2 0 ] 1.527 1.522 1.458 1.442 1.458 0.647 0.747 0.706<br />

σ tot[a 2 0 ] 6.473 6.321 6.029 6.020 6.029 5.301 5.390 5.357<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 3.160 2.958 2.505 2.508 2.504 2.376 2.397 2.395<br />

25 1.614 1.223 1.307 1.306 1.307 1.294 1.262 1.260<br />

30 1.278 1.019 1.101 1.100 1.102 1.071 1.076 1.074<br />

35 1.028 0.859 0.924 0.923 0.924 0.913 0.915 0.913<br />

40 0.836 0.729 0.774 0.772 0.774 0.778 0.776 0.775<br />

45 0.664 0.623 0.647 0.646 0.647 0.663 0.659 0.658<br />

50 0.553 0.535 0.543 0.542 0.543 0.566 0.560 0.560<br />

55 0.468 0.463 0.458 0.457 0.458 0.485 0.478 0.479<br />

60 0.393 0.403 0.390 0.389 0.390 0.418 0.411 0.412<br />

65 0.326 0.355 0.336 0.335 0.336 0.364 0.357 0.358<br />

70 0.287 0.316 0.293 0.293 0.293 0.320 0.313 0.314<br />

75 0.253 0.284 0.259 0.260 0.260 0.284 0.278 0.280<br />

80 0.229 0.258 0.233 0.234 0.233 0.256 0.251 0.252<br />

85 0.211 0.237 0.213 0.214 0.213 0.233 0.229 0.230<br />

90 0.193 0.220 0.197 0.198 0.197 0.215 0.212 0.213<br />

95 0.185 0.206 0.186 0.187 0.185 0.200 0.198 0.120<br />

100 0.178 0.195 0.176 0.178 0.176 0.189 0.188 0.189<br />

105 0.172 0.187 0.170 0.171 0.169 0.180 0.179 0.181<br />

110 0.168 0.179 0.164 0.166 0.164 0.173 0.173 0.174<br />

115 0.167 0.174 0.160 0.162 0.160 0.167 0.168 0.169<br />

120 0.163 0.169 0.157 0.159 0.157 0.162 0.164 0.165<br />

125 0.160 0.165 0.155 0.156 0.155 0.159 0.160 0.161<br />

128 0.160 0.163 0.154 0.155 0.154 0.157 0.159 0.160<br />

132 0.175 0.161 0.153 0.154 0.153 0.155 0.157 0.158<br />

144 0.189 0.156 0.150 0.151 0.150 0.150 0.153 0.154<br />

156 0.120 0.153 0.149 0.150 0.149 0.148 0.151 0.152<br />

168 0.218 0.152 0.148 0.149 0.148 0.146 0.150 0.151<br />

Tabela D.2: e-He 100eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 2.180 2.229 2.132 2.135 2.132 2.144 2.164 2.168<br />

σ abs [a 2 0 ] 1.889 1.889 1.881 1.884 1.881 1.010 0.985 0.947<br />

σ tot[a 2 0 ] 4.069 4.118 4.014 4.019 4.013 3.154 3.150 3.116<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

3 2.730 2.743 2.483 2.490 2.482 2.268 2.311 2.311<br />

5 2.380 2.466 2.246 2.253 2.244 2.034 2.073 2.072<br />

8 1.970 1.999 1.950 1.956 1.950 1.753 1.787 1.786<br />

10 1.760 1.728 1.780 1.785 1.779 1.597 1.628 1.626<br />

20 1.010 0.946 1.109 1.109 1.109 1.022 1.036 1.034<br />

25 0.792 0.739 0.863 0.862 0.863 0.818 0.825 0.823<br />

30 0.588 0.587 0.666 0.664 0.666 0.652 0.654 0.652<br />

35 0.465 0.468 0.511 0.509 0.511 0.518 0.516 0.515<br />

40 0.350 0.376 0.392 0.390 0.392 0.411 0.406 0.405<br />

45 0.293 0.303 0.302 0.301 0.302 0.326 0.320 0.320<br />

50 0.231 0.247 0.234 0.233 0.234 0.260 0.253 0.254<br />

60 0.161 0.168 0.146 0.146 0.146 0.168 0.163 0.164<br />

70 0.120 0.119 0.097 0.097 0.097 0.114 0.111 0.111<br />

80 0.090 0.089 0.070 0.070 0.070 0.081 0.080 0.081<br />

90 0.068 0.070 0.055 0.055 0.055 0.061 0.062 0.063<br />

100 0.057 0.057 0.046 0.046 0.046 0.049 0.051 0.052<br />

110 0.049 0.048 0.040 0.041 0.040 0.041 0.044 0.045<br />

120 0.041 0.042 0.037 0.038 0.037 0.035 0.040 0.040<br />

130 0.036 0.038 0.035 0.035 0.035 0.032 0.037 0.037<br />

140 0.032 0.035 0.033 0.034 0.033 0.030 0.035 0.035


DODATEK D. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH HELU 98<br />

Tabela D.3: e-He 200eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 0.998 0.992 0.999 1.000 0.999 0.938 1.001 1.003<br />

σ abs [a 2 0 ] 1.648 1.621 1.577 1.593 1.574 0.893 0.763 0.740<br />

σ tot[a 2 0 ] 2.646 2.613 2.576 2.593 2.573 1.831 1.764 1.742<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 1.680 1.679 1.904 1.913 1.902 1.623 1.706 1.706<br />

10 1.080 1.059 1.358 1.363 1.357 1.145 1.206 1.205<br />

15 0.739 0.737 0.961 0.963 0.960 0.828 0.871 0.870<br />

20 0.528 0.536 0.670 0.670 0.670 0.601 0.631 0.630<br />

25 0.385 0.394 0.463 0.462 0.463 0.435 0.454 0.454<br />

30 0.281 0.290 0.319 0.318 0.319 0.313 0.326 0.326<br />

35 0.205 0.215 0.222 0.221 0.222 0.226 0.234 0.234<br />

40 0.151 0.160 0.156 0.155 0.156 0.164 0.169 0.169<br />

45 0.114 0.121 0.111 0.111 0.111 0.120 0.124 0.124<br />

50 0.088 0.093 0.081 0.081 0.081 0.089 0.092 0.092<br />

60 0.057 0.057 0.046 0.046 0.046 0.051 0.054 0.054<br />

72 0.033 0.034 0.027 0.027 0.027 0.028 0.031 0.031<br />

84 0.022 0.023 0.018 0.018 0.018 0.017 0.020 0.020<br />

96 0.016 0.016 0.013 0.013 0.013 0.011 0.014 0.015<br />

108 0.012 0.012 0.010 0.010 0.010 0.008 0.011 0.011<br />

120 0.010 0.001 0.008 0.008 0.008 0.006 0.009 0.009<br />

132 0.009 0.008 0.007 0.007 0.007 0.005 0.008 0.008<br />

144 0.008 0.007 0.007 0.007 0.007 0.004 0.007 0.007<br />

156 0.008 0.006 0.006 0.006 0.006 0.004 0.007 0.007<br />

168 0.008 0.006 0.006 0.006 0.006 0.003 0.006 0.006<br />

Tabela D.4: e-He 400eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 0.443 0.446 0.478 0.478 0.478 0.440 0.474 0.475<br />

σ abs [a 2 0 ] 1.163 1.138 1.107 1.126 1.102 0.547 0.457 0.444<br />

σ tot[a 2 0 ] 1.606 1.584 1.585 1.604 1.580 0.987 6 0.931 0.919<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 1.060 1.064 1.574 1.583 1.572 1.326 1.392 1.391<br />

6 0.982 0.948 1.425 1.433 1.423 1.195 1.256 1.255<br />

10 0.644 0.653 0.957 0.960 0.956 0.808 0.851 0.850<br />

15 0.430 0.433 0.576 0.576 0.576 0.509 0.538 0.537<br />

20 0.289 0.286 0.343 0.342 0.343 0.321 0.338 0.338<br />

25 0.192 0.188 0.206 0.206 0.207 0.202 0.214 0.214<br />

30 0.128 0.125 0.127 0.127 0.127 0.129 0.136 0.136<br />

35 0.086 0.084 0.081 0.080 0.081 0.083 0.089 0.089<br />

36 0.075 0.078 0.074 0.074 0.074 0.077 0.082 0.082<br />

40 0.060 0.058 0.053 0.053 0.053 0.055 0.060 0.060<br />

45 0.042 0.041 0.036 0.036 0.036 0.038 0.041 0.041<br />

48 0.033 0.034 0.029 0.029 0.029 0.030 0.033 0.034<br />

50 0.030 0.030 0.026 0.026 0.026 0.026 0.029 0.029<br />

60 0.017 0.017 0.014 0.014 0.014 0.014 0.016 0.016<br />

72 0.008 0.009 0.008 0.008 0.008 0.007 0.009 0.009<br />

84 0.005 0.006 0.005 0.005 0.005 0.004 0.006 0.006<br />

96 0.003 0.004 0.003 0.003 0.003 0.003 0.004 0.004<br />

108 0.002 0.003 0.002 0.002 0.002 0.002 0.003 0.003<br />

120 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.001 0.002 0.002<br />

132 0.002 0.002 0.002 0.002 0.001 0.001 0.002 0.002<br />

144 0.002 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001<br />

156 0.002 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001<br />

168 0.002 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001


DODATEK D. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH HELU 99<br />

Tabela D.5: e-He 500eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 0.347 0.347 0.379 0.379 0.379 0.354 0.375 0.376<br />

σ abs [a 2 0 ] 1.011 0.997 0.972 0.990 0.967 0.445 0.376 0.365<br />

σ tot[a 2 0 ] 1.358 1.343 1.351 1.370 1.346 0.799 0.751 0.741<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 0.906 0.921 1.473 1.481 1.471 1.112 1.302 1.301<br />

10 0.550 0.565 0.839 0.842 0.839 0.722 0.753 0.752<br />

15 0.355 0.361 0.474 0.474 0.474 0.431 0.450 0.449<br />

20 0.229 0.228 0.268 0.267 0.268 0.258 0.269 0.269<br />

25 0.146 0.144 0.154 0.154 0.154 0.155 0.162 0.162<br />

30 0.093 0.092 0.092 0.092 0.092 0.095 0.099 0.091<br />

35 0.061 0.060 0.057 0.057 0.057 0.060 0.063 0.063<br />

40 0.041 0.040 0.037 0.037 0.037 0.039 0.041 0.028<br />

45 0.028 0.028 0.025 0.025 0.025 0.026 0.028 0.028<br />

50 0.020 0.020 0.018 0.018 0.018 0.018 0.020 0.020<br />

Tabela D.6: e-He 700eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 0.236 0.238 0.268 0.269 0.268 0.254 0.265 0.265<br />

σ abs [a 2 0 ] 0.802 0.804 0.794 0.811 0.789 0.324 0.276 0.268<br />

σ tot[a 2 0 ] 1.038 1.042 1.062 1.080 1.057 0.578 0.541 0.534<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 0.706 0.752 1.320 1.328 1.318 1.137 1.168 1.167<br />

10 0.436 0.454 0.676 0.678 0.675 0.600 0.617 0.617<br />

15 0.260 0.270 0.344 0.344 0.344 0.326 0.336 0.335<br />

20 0.154 0.157 0.178 0.178 0.178 0.179 0.184 0.184<br />

25 0.090 0.092 0.096 0.096 0.096 0.100 0.103 0.103<br />

30 0.056 0.055 0.055 0.055 0.055 0.058 0.060 0.060<br />

35 0.035 0.035 0.033 0.033 0.033 0.035 0.037 0.037<br />

40 0.023 0.023 0.021 0.021 0.021 0.022 0.024 0.024<br />

45 0.016 0.015 0.014 0.014 0.014 0.015 0.016 0.016<br />

50 0.011 0.010 0.009 0.009 0.009 0.010 0.011 0.011<br />

Tabela D.7: e-He 1000eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 0.149 0.160 0.186 0.187 0.186 0.179 0.184 0.184<br />

σ abs [a 2 0 ] 0.614 0.625 0.639 0.655 0.634 0.229 0.197 0.191<br />

σ tot[a 2 0 ] 0.762 0.785 0.826 0.842 0.820 0.407 0.381 0.375<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 0.585 0.620 1.158 1.164 1.155 1.009 1.028 1.027<br />

10 0.338 0.3562 0.519 0.520 0.519 0.477 0.486 0.486<br />

15 0.183 0.1905 0.235 0.235 0.235 0.232 0.236 0.236<br />

20 0.098 0.100 0.112 0.111 0.112 0.115 0.117 0.117<br />

25 0.054 0.054 0.057 0.057 0.057 0.060 0.061 0.061<br />

30 0.031 0.031 0.031 0.031 0.031 0.033 0.034 0.034<br />

35 0.019 0.019 0.018 0.018 0.018 0.019 0.020 0.020<br />

40 0.012 0.012 0.011 0.011 0.011 0.012 0.013 0.013<br />

45 0.008 0.008 0.007 0.007 0.007 0.008 0.008 0.008<br />

50 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.006 0.006


Dodatek E<br />

Wyniki obliczeń dla rozpraszania<br />

elektronów na atomach neonu<br />

100


DODATEK E. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH NEONU 101<br />

Tabela E.1: e-Ne 50eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 10.820 11.487 10.711 10.736 10.838 10.783 10.738 10.788<br />

σ abs [a 2 0 ] 1.853 2.071 2.117 2.106 2.160 1.651 1.977 1.857<br />

σ tot[a 2 0 ] 12.673 13.558 12.829 12.842 12.998 12.435 12.715 12.646<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

20 2.670 3.487 3.279 3.279 3.280 3.165 3.248 3.225<br />

30 2.130 2.147 2.327 2.321 2.282 2.295 2.317 2.306<br />

40 1.720 1.489 1.627 1.621 1.589 1.647 1.630 1.629<br />

50 1.350 1.129 1.165 1.163 1.156 1.202 1.172 1.179<br />

60 1.060 0.875 0.852 0.854 0.866 0.885 0.859 0.869<br />

70 0.778 0.634 0.597 0.601 0.620 0.617 0.602 0.612<br />

80 0.419 0.386 0.361 0.365 0.380 0.36 0.364 0.371<br />

90 0.156 0.164 0.158 0.160 0.169 0.158 0.159 0.163<br />

100 0.029 0.030 0.035 0.036 0.039 0.033 0.035 0.036<br />

102 0.020 0.019 0.025 0.026 0.028 0.023 0.025 0.026<br />

104 0.018 0.014 0.020 0.021 0.022 0.019 0.020 0.021<br />

106 0.016 0.016 0.021 0.022 0.023 0.020 0.021 0.022<br />

108 0.015 0.025 0.028 0.029 0.029 0.042 0.029 0.029<br />

110 0.022 0.040 0.042 0.042 0.043 0.042 0.042 0.042<br />

112 0.041 0.063 0.062 0.062 0.063 0.063 0.063 0.063<br />

114 0.082 0.093 0.088 0.089 0.090 0.091 0.089 0.089<br />

120 0.229 0.225 0.207 0.207 0.211 0.212 0.209 0.210<br />

130 0.636 0.577 0.523 0.526 0.536 0.535 0.528 0.532<br />

140 1.180 1.047 0.949 0.954 0.976 0.968 0.528 0.966<br />

150 1.870 1.555 1.414 1.423 1.457 1.440 1.427 1.440<br />

Tabela E.2: e-Ne 100eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 8.737 8.226 7.405 7.428 7.591 7.199 7.430 7.478<br />

σ abs [a 2 0 ] 2.923 2.877 2.631 2.648 2.675 2.594 2.465 2.349<br />

σ tot[a 2 0 ] 11.660 11.103 10.037 10.076 10.266 9.794 9.895 9.827<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

20 4.700 3.672 3.800 3.804 3.764 3.707 3.767 3.750<br />

25 3.350 2.592 2.843 2.839 2.765 2.824 2.057 2.821<br />

30 2.490 1.857 2.055 2.048 1.978 2.085 3.695 2.054<br />

35 1.580 1.346 1.447 1.440 1.393 1.498 1.456 1.458<br />

40 1.200 0.989 1.005 0.999 0.981 1.056 1.015 1.022<br />

50 0.672 0.562 0.497 0.497 0.518 0.521 0.506 0.515<br />

60 0.408 0.336 0.279 0.281 0.309 0.273 0.284 0.292<br />

70 0.236 0.196 0.169 0.171 0.190 0.150 0.172 0.177<br />

80 0.119 0.099 0.091 0.093 0.100 0.075 0.093 0.095<br />

90 0.048 0.042 0.037 0.037 0.039 0.031 0.037 0.038<br />

92 0.037 0.037 0.022 0.030 0.032 0.026 0.030 0.031<br />

94 0.034 0.034 0.022 0.025 0.027 0.024 0.026 0.026<br />

96 0.032 0.033 0.022 0.022 0.024 0.023 0.023 0.023<br />

98 0.033 0.035 0.021 0.021 0.023 0.024 0.022 0.022<br />

100 0.038 0.039 0.023 0.023 0.025 0.027 0.024 0.024<br />

102 0.047 0.046 0.027 0.027 0.030 0.033 .028 0.029<br />

110 0.103 0.102 0.071 0.071 0.078 0.078 0.073 0.074<br />

120 0.279 0.233 0.189 0.190 0.205 0.189 0.192 0.195<br />

130 0.454 0.420 0.370 0.373 0.397 0.352 0.375 0.381<br />

140 0.726 0.641 0.591 0.596 0.630 0.547 0.598 0.607<br />

150 0.992 0.864 0.821 0.828 0.871 0.748 0.830 0.843


DODATEK E. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH NEONU 102<br />

Tabela E.3: e-Ne 200eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 4.994 5.236 4.909 4.916 5.015 4.410 4.926 4.950<br />

σ abs [a 2 0 ] 2.985 3.019 2.220 2.266 2.491 2.686 2.063 1.984<br />

σ tot[a 2 0 ] 7.979 8.255 7.128 7.182 7.506 7.096 6.989 6.934<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

15 4.310 4.226 4.658 4.673 4.693 4.370 4.611 4.592<br />

20 2.890 2.722 3.222 3.220 3.133 3.102 3.208 3.199<br />

25 1.920 1.776 2.105 2.097 2.000 2.087 2.110 2.109<br />

30 1.260 1.165 1.314 1.306 1.244 1.339 1.32 1.330<br />

35 0.863 0.772 0.797 0.792 0.771 0.827 0.810 0.817<br />

40 0.580 0.522 0.483 0.481 0.489 0.498 0.494 0.501<br />

50 0.297 0.264 0.208 0.208 0.234 0.183 0.213 0.219<br />

60 0.177 0.157 0.128 0.129 0.147 0.086 0.131 0.134<br />

70 0.118 0.109 0.099 0.100 0.108 0.060 0.101 0.103<br />

80 0.097 0.087 0.082 0.082 0.086 0.054 0.083 0.084<br />

90 0.102 0.083 0.073 0.073 0.078 0.055 0.074 0.075<br />

100 0.113 0.093 0.077 0.077 0.085 0.063 0.078 0.080<br />

110 0.138 0.116 0.096 0.097 0.107 0.079 0.098 0.100<br />

120 0.176 0.148 0.131 0.131 0.143 0.104 0.133 0.135<br />

130 0.235 0.186 0.176 0.177 0.188 0.135 0.178 0.181<br />

140 0.274 0.227 0.227 0.228 0.238 0.169 0.230 0.232<br />

150 0.317 0.264 0.277 0.278 0.286 0.203 0.280 0.283<br />

Tabela E.4: e-Ne 400eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 3.215 3.262 3.230 3.229 3.273 2.533 3.243 3.252<br />

σ abs [a 2 0 ] 2.298 2.416 1.518 1.576 2.009 2.182 1.385 1.338<br />

σ tot[a 2 0 ] 5.513 5.678 4.748 4.806 5.282 4.715 4.629 4.590<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

10 5.390 5.081 5.863 5.896 6.166 5.085 5.794 5.774<br />

15 3.110 3.059 3.752 3.753 3.718 3.322 3.736 3.727<br />

20 1.960 1.840 2.228 2.219 2.114 2.021 2.238 2.237<br />

25 1.150 1.106 1.262 1.254 1.181 1.169 1.278 1.282<br />

30 0.729 0.678 0.708 0.704 0.674 0.659 0.722 0.727<br />

35 0.479 0.433 0.413 0.411 0.410 0.373 0.422 0.427<br />

40 0.340 0.294 0.261 0.260 0.273 0.218 0.267 0.541<br />

45 0.243 0.212 0.183 0.183 0.198 0.134 0.188 0.271<br />

50 0.169 0.162 0.142 0.142 0.155 0.088 0.145 0.147<br />

60 0.103 0.109 0.101 0.101 0.108 0.048 0.103 0.104<br />

70 0.082 0.083 0.081 0.080 0.084 0.033 0.082 0.082<br />

80 0.067 0.069 0.068 0.068 0.070 0.026 0.069 0.069<br />

90 0.057 0.062 0.060 0.060 0.062 0.024 0.061 0.062<br />

100 0.051 0.058 0.057 0.057 0.059 0.023 0.057 0.058<br />

110 0.050 0.056 0.056 0.056 0.057 0.024 0.056 0.057<br />

120 0.048 0.056 0.056 0.056 0.057 0.024 0.057 0.057<br />

130 0.047 0.057 0.057 0.057 0.058 0.025 0.058 0.059<br />

140 0.047 0.057 0.059 0.059 0.060 0.027 0.060 0.060<br />

150 0.046 0.058 0.061 0.061 0.061 0.028 0.061 0.062


DODATEK E. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH NEONU 103<br />

Tabela E.5: e-Ne 500eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 2.721 2.804 2.824 2.822 2.851 2.213 2.835 2.842<br />

σ abs [a 2 0 ] 2.050 2.122 1.298 1.357 1.838 1.884 1.175 1.135<br />

σ tot[a 2 0 ] 4.771 4.926 4.122 4.179 4.689 4.097 4.010 3.977<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 7.510 7.951 8.595 8.668 9.476 7.418 8.472 8.449<br />

10 4.550 4.666 5.632 5.658 5.900 4.905 5.575 5.558<br />

15 2.390 2.768 3.412 3.410 3.350 3.024 3.407 3.401<br />

20 1.530 1.614 1.922 1.913 1.810 1.732 1.936 1.938<br />

25 0.903 0.943 1.047 1.040 0.978 0.950 1.062 1.067<br />

30 0.580 0.570 0.580 0.577 0.556 0.517 0.592 0.597<br />

35 0.379 0.364 0.345 0.343 0.345 0.289 0.352 0.356<br />

40 0.262 0.249 0.226 0.226 0.236 0.171 0.231 0.234<br />

45 0.180 0.182 0.165 0.164 0.175 0.109 0.168 0.170<br />

50 0.127 0.140 0.129 0.129 0.137 0.075 0.131 0.133<br />

60 0.079 0.094 0.090 0.090 0.094 0.042 0.092 0.093<br />

70 0.059 0.070 0.069 0.069 0.071 0.029 0.070 0.071<br />

80 0.048 0.057 0.056 0.056 0.057 0.022 0.057 0.058<br />

90 0.042 0.048 0.048 0.048 0.049 0.019 0.049 0.049<br />

100 0.038 0.043 0.043 0.049 0.044 0.017 0.044 0.044<br />

110 0.033 0.040 0.040 0.043 0.041 0.016 0.041 0.041<br />

120 0.031 0.038 0.038 0.038 0.039 0.016 0.039 0.039<br />

130 0.030 0.036 0.037 0.037 0.037 0.016 0.037 0.038<br />

140 0.029 0.036 0.037 0.036 0.036 0.016 0.037 0.037<br />

150 0.029 0.035 0.036 0.036 0.036 0.016 0.036 0.037<br />

Tabela E.6: e-Ne 750eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 2.121 2.198 2.195 2.204 1.763 2.206 2.210<br />

σ abs [a 2 0 ] 1.586 0.947 1.004 1.539 1.387 0.841 0.813<br />

σ tot[a 2 0 ] 3.707 3.145 3.199 3.743 3.150 3.047 3.023<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 6.750 6.748 8.609 8.677 9.523 7.563 8.499 8.478<br />

10 3.960 4.084 5.132 5.146 5.293 4.540 5.099 5.088<br />

15 2.170 2.290 2.777 2.769 2.670 2.482 2.787 2.785<br />

20 1.190 1.238 1.419 1.410 1.321 1.268 1.435 1.438<br />

25 0.670 0.688 0.733 0.728 0.688 0.639 0.745 0.750<br />

30 0.401 0.408 0.408 0.406 0.396 0.335 0.416 0.419<br />

35 0.256 0.261 0.253 0.252 0.254 0.189 0.257 0.260<br />

40 0.174 0.180 0.174 0.173 0.177 0.117 0.176 0.178<br />

45 0.128 0.131 0.128 0.128 0.131 0.078 0.130 0.131<br />

50 0.098 0.101 0.099 0.099 0.101 0.056 0.101 0.101


DODATEK E. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH NEONU 104<br />

Tabela E.7: e-Ne 1000eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 1.627 1.726 1.821 1.819 1.819 1.488 1.828 1.830<br />

σ abs [a 2 0 ] 1.314 1.257 0.745 0.799 1.347 1.099 0.651 0.629<br />

σ tot[a 2 0 ] 2.941 2.983 2.567 2.618 3.166 2.586 2.479 2.459<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 6.300 6.137 8.528 8.589 9.408 7.574 8.431 8.413<br />

10 3.480 3.737 4.690 4.695 4.758 4.186 4.674 4.666<br />

15 1.780 1.946 2.321 2.311 2.200 2.077 2.335 2.336<br />

20 0.908 0.990 1.110 1.103 1.031 0.977 1.125 1.128<br />

25 0.498 0.532 0.560 0.557 0.530 0.469 0.569 0.573<br />

30 0.293 0.311 0.315 0.314 0.308 0.244 0.320 0.322<br />

35 0.188 0.198 0.199 0.198 0.198 0.140 0.202 0.203<br />

40 0.128 0.135 0.137 0.136 0.137 0.089 0.138 0.139<br />

45 0.090 0.098 0.099 0.099 0.099 0.061 0.100 0.101<br />

50 0.068 0.074 0.075 0.075 0.075 0.045 0.076 0.076


Dodatek F<br />

Wyniki obliczeń dla rozpraszania<br />

elektronów na atomach argonu<br />

105


DODATEK F. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH ARGONU 106<br />

Tabela F.1: e-Ar 50eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 27.650 28.169 27.372 27.604 27.246 28.995 28.799 29.084<br />

σ abs [a 2 0 ] 12.170 11.911 12.310 11.921 12.519 6.627 7.437 6.864<br />

σ tot[a 2 0 ] 39.820 40.080 39.683 39.525 39.766 35.623 36.236 35.949<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 45.300 48.669 43.278 43.227 43.323 37.430 38.712 38.498<br />

8 35.300 40.127 38.357 38.264 38.423 33.146 34.224 33.995<br />

10 30.100 34.469 35.082 34.969 35.158 30.486 31.402 31.174<br />

12 25.500 29.380 31.894 31.769 31.976 28.019 28.761 28.545<br />

14 22.400 25.007 28.747 28.617 28.830 25.648 26.210 26.014<br />

15 20.400 23.092 27.190 19.780 27.272 24.483 24.956 24.772<br />

20 14.300 15.779 19.886 19.780 19.949 19.008 19.073 18.962<br />

25 9.840 11.047 13.699 13.639 13.728 14.128 13.906 13.872<br />

30 6.910 7.757 8.907 8.899 8.902 9.996 9.642 9.670<br />

35 4.780 5.338 5.477 5.508 5.449 6.691 6.339 6.405<br />

40 3.050 3.519 3.177 3.229 3.139 4.191 3.925 4.004<br />

45 1.870 2.158 1.714 1.768 1.678 2.403 2.249 2.323<br />

50 1.040 1.177 0.826 0.871 0.800 1.204 1.146 1.203<br />

55 0.484 0.521 0.324 0.352 0.309 0.475 0.475 0.509<br />

60 0.143 0.151 0.081 0.093 0.076 0.111 0.128 0.142<br />

65 0.032 0.025 0.024 0.023 0.025 0.025 0.026 0.027<br />

70 0.095 0.097 0.104 0.097 0.106 0.141 0.111 0.106<br />

75 0.2680 0.312 0.282 0.277 0.282 0.388 0.328 0.325<br />

80 0.525 0.606 0.519 0.522 0.514 0.699 0.621 0.628<br />

85 0.793 0.918 0.774 0.789 0.763 1.012 0.935 0.954<br />

90 1.030 1.187 1.004 1.032 0.987 1.274 1.214 1.247<br />

95 1.170 1.367 1.171 1.210 1.148 1.441 1.412 1.457<br />

100 1.250 1.431 1.246 1.294 1.222 1.491 1.497 1.549<br />

105 1.220 1.371 1.218 1.269 1.194 1.418 1.473 1.510<br />

110 1.080 1.199 1.091 1.140 1.070 1.236 1.296 1.348<br />

115 0.866 0.948 0.888 0.930 0.870 0.977 1.047 1.091<br />

120 0.649 0.662 0.643 0.675 0.630 0.686 0.752 0.784<br />

125 0.421 0.391 0.399 0.420 0.391 0.409 0.461 0.482<br />

130 0.238 0.184 0.200 0.211 0.197 0.195 0.227 0.237<br />

135 0.129 0.079 0.085 0.089 0.084 0.082 0.093 0.097<br />

140 0.105 0.099 0.078 0.080 0.077 0.093 0.089 0.091<br />

145 0.188 0.249 0.189 0.194 0.186 0.234 0.225 0.231<br />

150 0.356 0.514 0.410 0.423 0.403 0.491 0.490 0.505


DODATEK F. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH ARGONU 107<br />

Tabela F.2: e-Ar 100eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 17.360 16.751 16.344 16.486 16.259 14.368 17.199 17.392<br />

σ abs [a 2 0 ] 12.200 12.332 11.719 11.493 11.857 8.769 6.945 6.510<br />

σ tot[a 2 0 ] 29.560 29.083 28.063 27.980 28.116 23.137 24.144 23.901<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 48.900 49.505 47.089 47.180 47.044 35.596 40.980 40.857<br />

8 35.900 35.646 38.683 38.697 38.696 29.261 33.592 33.443<br />

10 27.800 28.032 33.416 33.392 33.459 25.642 29.296 29.152<br />

12 21.400 22.041 28.366 28.316 28.429 22.289 25.290 25.161<br />

14 16.900 17.438 23.672 23.609 23.744 19.209 21.606 21.500<br />

15 15.000 15.557 21.471 21.405 21.543 17.754 19.868 19.776<br />

20 8.730 8.996 12.318 12.271 12.366 11.441 12.417 12.395<br />

25 4.890 5.264 6.313 6.305 6.321 6.765 7.076 7.106<br />

30 2.720 3.036 2.921 2.942 2.903 3.651 3.694 3.748<br />

35 1.500 1.712 1.258 1.288 1.232 1.790 1.803 1.857<br />

40 0.857 0.948 0.552 0.579 0.531 0.797 0.867 0.909<br />

45 0.490 0.528 0.295 0.315 0.282 0.333 0.455 0.483<br />

50 0.298 0.316 0.215 0.228 0.208 0.333 0.295 0.312<br />

55 0.210 0.231 0.193 0.200 0.190 0.333 0.244 0.254<br />

60 0.191 0.226 0.191 0.196 0.189 0.179 0.241 0.249<br />

65 0.224 0.270 0.204 0.209 0.200 0.241 0.267 0.275<br />

70 0.281 0.340 0.232 0.239 0.226 0.300 0.313 0.324<br />

75 0.351 0.414 0.273 0.283 0.265 0.344 0.371 0.385<br />

85 0.462 0.504 0.358 0.373 0.347 0.358 0.470 0.490<br />

90 0.481 0.497 0.376 0.392 0.365 0.327 0.484 0.505<br />

95 0.449 0.449 0.366 0.381 0.356 0.275 0.462 0.481<br />

100 0.398 0.369 0.325 0.381 0.317 0.210 0.402 0.418<br />

105 0.313 0.266 0.257 0.267 0.252 0.141 .312 0.324<br />

110 0.212 0.159 0.175 0.181 0.171 0.078 0.207 0.214<br />

115 0.116 0.069 0.093 0.097 0.092 0.034 0.089 0.110<br />

120 0.046 0.016 0.033 0.034 0.033 0.016 0.035 0.036<br />

125 0.031 0.017 0.014 0.014 0.014 0.031 0.015 0.014<br />

130 0.082 0.086 0.052 0.052 0.051 0.084 0.065 0.066<br />

135 0.216 0.228 0.158 0.161 0.154 0.174 0.196 0.202<br />

140 0.437 0.440 0.334 0.344 0.327 0.299 0.412 0.425<br />

145 0.747 0.713 0.576 0.593 0.564 0.451 0.705 0.727<br />

150 1.080 1.0285 0.869 0.895 0.852 0.621 1.057 1.089


DODATEK F. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH ARGONU 108<br />

Tabela F.3: e-Ar 200eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 11.430 10.912 11.233 11.282 9.255 9.017 11.804 11.888<br />

σ abs [a 2 0 ] 9.932 9.799 9.024 8.937 9.053 6.760 4.793 4.532<br />

σ tot[a 2 0 ] 21.362 20.711 20.257 20.220 20.242 15.777 16.597 16.420<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 44.000 41.859 50.212 50.253 50.046 36.664 42.946 42.777<br />

8 28.600 26.925 37.517 37.475 37.470 27.694 32.488 32.328<br />

10 20.900 20.181 29.981 29.908 29.994 22.795 26.667 26.536<br />

12 15.600 15.332 23.252 23.169 23.300 18.443 21.462 21.367<br />

14 11.500 11.757 17.559 17.484 17.619 14.679 16.955 16.899<br />

15 10.100 10.313 15.099 15.032 15.159 12.996 14.943 14.905<br />

20 4.940 5.330 6.510 6.499 6.535 6.607 7.391 7.418<br />

25 2.580 2.711 2.526 2.548 2.519 3.044 3.315 3.364<br />

30 1.320 1.420 1.013 1.039 0.996 1.352 1.487 1.530<br />

35 0.789 0.830 0.538 0.557 0.523 0.650 0.792 0.821<br />

40 0.555 0.570 0.406 0.418 0.396 0.384 0.554 0.573<br />

45 0.439 0.450 0.354 0.362 0.347 0.280 0.460 0.472<br />

50 0.376 0.387 0.314 0.320 0.309 0.230 0.403 0.413<br />

55 0.336 0.347 0.277 0.283 0.272 0.198 0.358 0.367<br />

60 0.310 0.317 0.247 0.253 0.243 0.173 0.320 0.054<br />

65 0.284 0.292 0.225 0.231 0.221 0.153 0.291 0.329<br />

70 0.264 0.265 0.207 0.212 0.202 0.134 0.265 0.272<br />

75 0.239 0.235 0.188 0.192 0.184 0.115 0.238 0.244<br />

80 0.202 0.200 0.166 0.169 0.162 0.095 0.208 0.213<br />

85 0.168 0.161 0.139 0.142 0.136 0.074 0.173 0.177<br />

90 0.128 0.122 0.109 0.111 0.107 0.052 0.135 0.138<br />

96 0.095 0.078 0.073 0.075 0.072 0.030 0.090 0.092<br />

100 0.063 0.053 0.052 0.053 0.051 0.018 0.064 0.066<br />

105 0.0391 0.033 0.033 0.033 0.032 0.009 0.040 0.066<br />

110 0.029 0.028 0.024 0.025 0.024 0.008 0.030 0.031<br />

115 0.037 0.041 0.031 0.031 0.030 0.015 0.038 0.039<br />

120 0.066 0.074 0.055 0.056 0.054 0.031 0.068 0.070<br />

125 0.119 0.127 0.098 0.010 0.097 0.056 0.120 0.123<br />

130 0.197 0.198 0.160 0.163 0.158 0.089 0.195 0.199<br />

135 0.286 0.286 0.240 0.243 0.236 0.129 0.290 0.199<br />

140 0.404 0.387 0.334 0.338 0.329 0.173 0.525 0.409<br />

145 0.542 0.495 0.438 0.444 0.432 0.220 0.525 0.534<br />

150 0.649 0.606 0.546 0.554 0.540 0.267 0.654 0.665<br />

Tabela F.4: e-Ar 400eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 7.555 7.581 8.124 6.234 8.106 6.575 8.519 8.553<br />

σ abs [a 2 0 ] 6.716 6.489 6.255 8.138 6.199 4.303 2.784 2.635<br />

σ tot[a 2 0 ] 14.271 14.070 14.379 14.372 14.305 10.879 11.303 11.188<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 34.300 34.236 52.405 52.412 52.126 39.537 45.222 45.054<br />

10 16.500 15.794 24.380 24.291 24.400 20.163 23.163 23.092<br />

15 7.420 7.373 9.176 9.154 9.220 8.894 10.192 10.213<br />

20 3.400 3.335 3.188 3.211 3.194 3.523 4.075 4.121<br />

25 1.720 1.634 1.325 1.348 1.315 1.468 1.788 1.823<br />

30 1.010 0.958 0.790 0.802 0.780 0.763 1.018 1.038<br />

35 0.688 0.658 0.577 0.582 0.571 0.486 0.710 0.072<br />

40 0.515 0.489 0.440 0.443 0.436 0.335 0.534 0.541<br />

50 0.305 0.293 0.262 0.264 0.259 0.158 0.316 0.320<br />

54 0.253 0.242 0.217 0.219 0.216 0.119 0.261 0.264


DODATEK F. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH ARGONU 109<br />

Tabela F.5: e-Ar 500eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 6.734 6.744 7.299 7.307 7.287 5.881 7.638 7.664<br />

σ abs [a 2 0 ] 5.775 5.585 5.501 5.493 5.428 3.685 2.292 2.169<br />

σ tot[a 2 0 ] 12.509 12.329 12.800 12.801 12.714 9.567 9.930 9.833<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 35.500 32.480 52.582 52.583 52.285 40.054 45.755 45.601<br />

8 22.800 20.149 32.371 32.287 32.322 25.942 29.842 29.747<br />

10 16.400 14.789 22.173 22.091 22.205 18.801 21.689 21.642<br />

12 11.100 10.752 14.693 14.641 14.749 13.264 15.346 15.340<br />

14 7.630 7.720 9.504 14.640 9.553 9.119 10.596 10.619<br />

15 6.500 6.519 7.597 7.592 7.637 7.496 8.737 8.770<br />

20 2.830 2.833 2.602 2.627 2.604 2.785 3.359 3.402<br />

25 1.450 1.410 1.198 1.215 1.190 1.198 1.549 1.576<br />

30 0.905 0.853 0.765 0.772 0.759 0.671 0.936 0.948<br />

35 0.642 0.586 0.546 0.548 0.542 0.436 0.650 0.656<br />

40 0.440 0.425 0.397 0.399 0.395 0.289 0.471 0.476<br />

45 0.321 0.316 0.294 0.295 0.292 0.187 0.348 0.351<br />

50 0.244 0.239 0.222 0.223 0.221 0.121 0.262 0.264<br />

55 0.188 0.184 0.173 0.174 0.173 0.082 0.203 0.205<br />

60 0.144 0.145 0.138 0.138 0.137 0.060 0.160 0.162<br />

65 0.118 0.116 0.111 0.111 0.111 0.049 0.129 0.130<br />

70 0.096 0.095 0.091 0.091 0.091 0.042 0.105 0.106<br />

75 0.079 0.079 0.076 0.076 0.075 0.037 0.088 0.089<br />

80 0.069 0.068 0.065 0.065 0.064 0.033 0.075 0.076<br />

85 0.062 0.060 0.057 0.057 0.057 0.029 0.066 0.066<br />

90 0.057 0.055 0.052 0.052 0.051 0.025 0.060 0.060<br />

95 0.053 0.053 0.049 0.049 0.049 0.022 0.057 0.057<br />

100 0.052 0.053 0.049 0.049 0.049 0.020 0.057 0.057<br />

105 0.055 0.056 0.051 0.051 0.051 0.019 0.059 0.059<br />

110 0.059 0.060 0.055 0.055 0.055 0.020 0.063 0.064<br />

115 0.065 0.067 0.060 0.061 0.060 0.022 0.070 0.070<br />

125 0.081 0.084 0.076 0.077 0.076 0.029 0.088 0.088<br />

130 0.093 0.094 0.086 0.086 0.085 0.034 0.099 0.099<br />

135 0.105 0.105 0.096 0.096 0.096 0.040 0.110 0.111<br />

140 0.117 0.116 0.107 0.107 0.106 0.047 0.122 0.123<br />

150 0.141 0.137 0.127 0.128 0.127 0.061 0.146 0.147<br />

Tabela F.6: e-Ar 750eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 5.330 5.398 5.925 5.929 5.920 4.699 6.173 6.188<br />

σ abs [a 2 0 ] 4.214 4.337 4.345 4.243 2.767 1.590 1.504<br />

σ tot[a 2 0 ] 9.612 10.263 10.274 10.163 7.466 7.763 7.692<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 30.500 30.031 51.595 51.584 51.301 39.934 45.836 45.714<br />

10 12.800 12.832 17.854 17.797 17.908 15.647 18.462 18.455<br />

15 4.870 4.950 5.267 5.283 5.295 5.098 6.325 6.365<br />

20 2.070 2.052 1.909 1.928 1.908 1.771 2.383 2.412<br />

25 1.090 1.060 1.019 1.025 1.015 0.849 1.206 1.217<br />

30 0.668 0.650 0.647 0.648 0.646 0.512 0.742 0.747<br />

35 0.442 0.431 0.427 0.428 0.427 0.320 0.489 0.491<br />

40 0.301 0.297 0.292 0.292 0.291 0.193 0.334 0.336<br />

45 0.209 0.212 0.207 0.207 0.207 0.114 0.236 0.238<br />

50 0.156 0.156 0.152 0.152 0.152 0.068 0.173 0.174<br />

54 0.124 0.126 0.122 0.122 0.122 0.049 0.139 0.140


DODATEK F. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />

ATOMACH ARGONU 110<br />

Tabela F.7: e-Ar 1000eV.<br />

Dośw.<br />

V A<br />

isp<br />

V A<br />

fv3sf1 (SE)<br />

V A<br />

fv3sf1 (SEP )<br />

V A<br />

fv3sf2 (SE)<br />

V A<br />

fo (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SE)<br />

V A<br />

fv3 (SEP )<br />

σ el [a 2 0 ] 4.550 4.562 5.047 5.049 5.045 3.939 5.240 5.250<br />

σ abs [a 2 0 ] 3.410 3.437 3.659 3.674 3.558 2.252 1.219 1.153<br />

σ tot[a 2 0 ] 7.960 7.999 8.707 8.723 8.603 6.191 6.459 6.403<br />

θ [deg]<br />

dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />

5 29.400 28.641 49.658 49.635 49.395 38.812 44.935 44.837<br />

10 11.000 11.183 14.699 14.665 14.762 12.964 15.763 15.775<br />

15 3.880 3.897 4.035 4.055 4.055 3.654 4.876 4.911<br />

20 1.640 1.599 1.581 1.590 1.580 1.281 1.875 1.892<br />

25 0.865 0.838 0.866 0.867 0.865 0.667 0.977 0.982<br />

30 0.518 0.505 0.523 0.522 0.523 0.404 0.584 0.587<br />

35 0.331 0.325 0.329 0.329 0.329 0.242 0.370 0.371<br />

40 0.221 0.219 0.218 0.218 0.218 0.138 0.245 0.246<br />

45 0.155 0.155 0.152 0.152 0.152 0.078 0.171 0.172<br />

50 0.116 0.114 0.112 0.112 0.112 0.045 0.125 0.126


Spis rysunków<br />

4.1 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV,<br />

obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0, bfc3,<br />

bfc3s; dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34<br />

4.2 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200, 300<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0,<br />

bfc3, bfc3s; dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35<br />

4.3 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750, 800<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0,<br />

bfc3, bfc3s; dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36<br />

4.4 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000, 3000<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0,<br />

bfc3, bfc3s; dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36<br />

4.5 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV,<br />

obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs<br />

, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37<br />

4.6 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200, 300<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr,<br />

bfs , dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37<br />

4.7 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750, 800<br />

eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr,<br />

bfs , dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38<br />

4.8 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000, 3000 eV,<br />

obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs<br />

, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38<br />

4.9 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV,<br />

obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów absorpcyjnych<br />

poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne<br />

(+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39<br />

111


SPIS RYSUNKÓW 112<br />

4.10 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200,<br />

300 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />

absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3),<br />

d(fs), dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39<br />

4.11 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750,<br />

800 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />

absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3),<br />

d(fs), dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40<br />

4.12 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000,<br />

3000 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />

absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3),<br />

d(fs), dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40<br />

4.13 Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />

Ne dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego: bfo, bfc1, bfc2,<br />

bfc3, bfc3s, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41<br />

4.14 Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />

Ne dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego: bfo, bg, bfr,<br />

bfs, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41<br />

4.15 Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />

Ne, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />

absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną: d(fo), d(g), d(fr), d(fc3),<br />

d(fs), dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42<br />

5.1 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 20, 30, 40,<br />

50 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 52<br />

5.2 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 70, 100, 150,<br />

200 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 52<br />

5.3 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 300, 400, 500,<br />

700 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 53<br />

5.4 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40,<br />

50 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 53<br />

5.5 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200,<br />

300 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 54


SPIS RYSUNKÓW 113<br />

5.6 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750,<br />

800 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 54<br />

5.7 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000,<br />

3000 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 55<br />

5.8 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 20, 50, 100,<br />

150 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 55<br />

5.9 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 200, 300, 400,<br />

500 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 56<br />

5.10 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 800, 1000,<br />

2000, 3000 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . 56<br />

5.11 Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />

He, e-Ne, e-Ar obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />

bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, bfv3SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . 57<br />

6.1 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 20, 30, 40 i<br />

50 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64<br />

6.2 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 70, 100, 150<br />

i 200 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65<br />

6.3 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 300, 400, 500<br />

i 700 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65<br />

6.4 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 1000, 2000 i<br />

3000 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66<br />

6.5 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 20, 30, 40 i<br />

50 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66<br />

6.6 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 100, 150, 200<br />

i 300 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67<br />

6.7 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 400, 500, 750<br />

i 800 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67<br />

6.8 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 1000, 2000 i<br />

3000 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68<br />

6.9 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar dla energii 20, 50, 100 i<br />

150 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68


SPIS RYSUNKÓW 114<br />

6.10 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 200, 300, 400<br />

i 500 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69<br />

6.11 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 800, 1000,<br />

2000 i 3000 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69<br />

6.12 Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />

He, e-Ne i e-Ar, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70<br />

A.1 Układ współrzędnych używany do obliczenia całki po ⃗ k. Promień kuli jest<br />

równy wartości pędu Fermiego k F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77


Spis tabel<br />

4.1 Średnie błędy bezwzględne (SBB) przekrojów czynnych dla różnych kombinacji<br />

polaryzacyjnych (P) i absorpcyjnych (A) potencjałów w zależności od<br />

zakresu energii elektronu padającego dla rozpraszania e-Ne. . . . . . . . . . . 43<br />

4.2 Średnie błędy bezwzględne (SBB) przekrojów czynnych dla różnych kombinacji<br />

polaryzacyjnych (P) i absorpcyjnych (A) potencjałów w zależności od<br />

zakresu kąta ropraszania dla zderzenia e-Ne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44<br />

5.1 Liczba danych doświadczalnych. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49<br />

5.2 Zoptymalizowane parametry w czynnikach skalujących. . . . . . . . . . . . . . 50<br />

5.3 SBB przekrojów czynnych dla różnych potencjałów dla rozpraszania e-He,<br />

e-Ne oraz e-Ar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51<br />

5.4 SBB przekrojów czynnych dla różnych potencjałów dla rozpraszania e-He,<br />

e-Ne oraz e-Ar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58<br />

6.1 Zoptymalizowane parametry dla efektywnych potencjałów absorpcyjnych i<br />

polaryzacyjnych. Liczby w nawiasach odpowiadają największemu przyrostowi<br />

procentowemu ∆ cs przy zmianie wartości parametru o ∓5% wokół optymalnej<br />

wartości. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62<br />

6.2 Średnie błędy bezwzględne SBB dla różnych potencjałów absorpcyjnych dla<br />

rozpraszania e-He, e-Ne oraz e-Ar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63<br />

B.1 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-He część I. . . . . . . . . . . . . . . . 88<br />

B.2 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-He część II. . . . . . . . . . . . . . . . 89<br />

B.3 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ne I. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90<br />

B.4 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ne II. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91<br />

B.5 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ar I. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92<br />

B.6 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ar II. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93<br />

D.1 e-He 50eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97<br />

D.2 e-He 100eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97<br />

115


SPIS TABEL 116<br />

D.3 e-He 200eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98<br />

D.4 e-He 400eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98<br />

D.5 e-He 500eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99<br />

D.6 e-He 700eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99<br />

D.7 e-He 1000eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99<br />

E.1 e-Ne 50eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101<br />

E.2 e-Ne 100eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101<br />

E.3 e-Ne 200eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102<br />

E.4 e-Ne 400eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102<br />

E.5 e-Ne 500eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103<br />

E.6 e-Ne 750eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103<br />

E.7 e-Ne 1000eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104<br />

F.1 e-Ar 50eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106<br />

F.2 e-Ar 100eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107<br />

F.3 e-Ar 200eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108<br />

F.4 e-Ar 400eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108<br />

F.5 e-Ar 500eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109<br />

F.6 e-Ar 750eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109<br />

F.7 e-Ar 1000eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110


Bibliografia<br />

[1] Joachain C.J. Quantum Collision Theory. North-Holland, Amsterdam, 1975.<br />

[cytowanie na str. 1, 10, 13, 14, 19, 23]<br />

[2] N. F. Mott i S. W. Massey. Thoery of atomic collisions. Oxford, London, 1965.<br />

[cytowanie na str. 1, 2]<br />

[3] B. H. Brasden. Atomic Collision Theory. Benjamin, 1983. [cytowanie na str. 1]<br />

[4] Herman and Feshbach. Unified theory of nuclear reactions. Annals of Physics, 5(4):357 –<br />

390, 1958. [cytowanie na str. 1]<br />

[5] Herman and Feshbach. A unified theory of nuclear reactions. ii. Annals of Physics, 19(2):287<br />

– 313, 1962. [cytowanie na str. 1]<br />

[6] M. Bertero and G. Passatore. A mathematical approach to the derivation of the theoretical<br />

optical potential. Nuovo Cimento A Serie, 2:579–604, April 1971. [cytowanie na str. 1]<br />

[7] S. Boffi, Giulio. Passatore, and Istituto nazionale di fisica nucleare. Nuclear optical model<br />

potential : proceedings of the meeting held in Pavia, April 8 and 9, 1976 / edited by S. Boffi<br />

and G. Passatore. Springer-Verlag, Berlin ; New York :, 1976. [cytowanie na str. 1]<br />

[8] Grażyna Staszewska. Model optyczny dla rozpraszania elektronów na atomach i drobinach.<br />

UMK, Toruń, 1989. praca habilitacyjna. [cytowanie na str. 2]<br />

[9] D. G. Truhlar. Semiempirical Methods of Electronic Structure Calculations, Part B: Applications,<br />

chapter 7. Plenum Press, New York, 1977. [cytowanie na str. 2]<br />

[10] C. J. Colyer, S. M. Bellm, F. Blanco, G. Garc´, and B. Lohmann. Elastic electron scattering<br />

from the dna bases cytosine and thymine. Phys. Rev. A, 84:042707, Oct 2011.<br />

[cytowanie na str. 2]<br />

[11] F. Blanco and G. García. Calculated cross sections for electron elastic and inelastic scattering<br />

from {DNA} and {RNA} bases. Physics Letters A, 360(6):707 – 712, 2007. [cytowanie na str. 2]<br />

[12] Paweł Możejko and Léon Sanche. Cross sections for electron scattering from selected components<br />

of {DNA} and {RNA}. Radiation Physics and Chemistry, 73(2):77 – 84, 2005.<br />

[cytowanie na str. 2]<br />

117


BIBLIOGRAFIA 118<br />

[13] Paweł Możejko and Léon Sanche. Cross section calculations for electron scattering<br />

from dna and rna bases. Radiation and Environmental Biophysics, 42(3):201–211, 2003.<br />

[cytowanie na str. 2]<br />

[14] Grażyna Staszewska, David W. Schwenke, Devarajan Thirumalai, and Donald G. Truhlar.<br />

Quasifree-scattering model for the imaginary part of the optical potential for electron scattering.<br />

Phys. Rev. A, 28:2740–2751, Nov 1983. [cytowanie na str. 2, 17, 19, 20, 21, 23]<br />

[15] Grażyna Staszewska, David W. Schwenke, and Donald G. Truhlar. Investigation of the shape<br />

of the imaginary part of the optical-model potential for electron scattering by rare gases.<br />

Phys. Rev. A, 29:3078–3091, Jun 1984. [cytowanie na str. 2, 3, 20, 21, 22, 33, 45, 47]<br />

[16] Deo Raj and Ashok Kumar. Elastic scattering of electrons by molecular oxygen. Physics<br />

Letters A, 282(4-5):284 – 287, 2001. [cytowanie na str. 2, 3, 20, 23]<br />

[17] F. Blanco and G. García. Improved non-empirical absorption potential for electron scattering<br />

at intermediate and high energies: 30–10000 ev. Physics Letters A, 255(3):147 – 153, 1999.<br />

[cytowanie na str. 2, 3, 19, 20, 23, 24, 45]<br />

[18] F Blanco and G García. Improvements on the imaginary part of a non-empirical model<br />

potential for electron scattering (30 to 10000 ev energies). Physics Letters A, 295(4):178 –<br />

184, 2002. [cytowanie na str. 2, 3, 20, 23, 24]<br />

[19] F. Blanco and G. García. Improvements on the quasifree absorption model for electron<br />

scattering. Phys. Rev. A, 67:022701, Feb 2003. [cytowanie na str. 2, 3, 20, 23, 25, 26]<br />

[20] M.-T. Lee, I. Iga, L.E. Machado, L.M. Brescansin, E.A. y Castro, I.P. Sanches, and G.L.C.<br />

de Souza. Improvement on the complex optical potential for electron collisions with atoms<br />

and molecules. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 155(1-3):14 – 20,<br />

2007. [cytowanie na str. 2, 3, 45, 46, 47]<br />

[21] L. Castillejo, I. C. Percival, and M. J. Seaton. On the theory of elastic collisions between<br />

electrons and hydrogen atoms. Proceedings of the Royal Society of London. Series A.<br />

Mathematical and Physical Sciences, 254(1277):259–272, 1960. [cytowanie na str. 10]<br />

[22] H.R.J. and Walters. Perturbative methods in electron- and positron-atom scattering. Physics<br />

Reports, 116(1–2):1 – 102, 1984. [cytowanie na str. 10]<br />

[23] H. S. W. Massey and C. B. O. Mohr. The collisions of slow electrons with atoms. iv. Proceedings<br />

of the Royal Society of London. Series A, 146(859):880–900, 1934. [cytowanie na str. 10]<br />

[24] B H Bransden and D P Dewangan. Pseudo-state expansions and the second born approximation<br />

for excitation of atomic hydrogen by proton impact. Journal of Physics B: Atomic<br />

and Molecular Physics, 12(8):1377, 1979. [cytowanie na str. 10]<br />

[25] R Damburg and E Karule. A modification of the close-coupling approximation for e-h scattering<br />

allowing for the long-range interactions. Proceedings of the Physical Society, 90(3):637,<br />

1967. [cytowanie na str. 10]


BIBLIOGRAFIA 119<br />

[26] M. Bertero. On the spectrum of an operator introduced by feshbach in the formulation of the<br />

optical potential. Il Nuovo Cimento A (1971-1996), 2:605–614, 1971. 10.1007/BF02736737.<br />

[cytowanie na str. 11]<br />

[27] M. L. Goldberger. The interaction of high energy neutrons and heavy nuclei. Phys. Rev.,<br />

74:1269–1277, Nov 1948. [cytowanie na str. 17, 18]<br />

[28] R. Serber. Nuclear reactions at high energies. Phys. Rev., 72:1114–1115, Dec 1947.<br />

[cytowanie na str. 17]<br />

[29] Fred A. Morse and Richard B. Bernstein. Velocity dependence of the differential cross<br />

sections for the scattering of atomic beams of k and cs by hg. The Journal of Chemical<br />

Physics, 37(9):2019–2027, 1962. [cytowanie na str. 19]<br />

[30] Merle E. Riley and Donald G. Truhlar. Effects of the pauli principle on electron scattering by<br />

open-shell targets. The Journal of Chemical Physics, 65(2):792–800, 1976. [cytowanie na str. 27]<br />

[31] T. G. Strand and R. A. Bonham. Analytical expressions for the hartree—fock potential of<br />

neutral atoms and for the corresponding scattering factors for x rays and electrons. The<br />

Journal of Chemical Physics, 40(6):1686–1691, 1964. [cytowanie na str. 27, 28]<br />

[32] R Curík and F A Gianturco. A computational analysis of low-energy electron scattering<br />

from gaseous cyclopropane. Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics,<br />

35(3):717, 2002. [cytowanie na str. 28]<br />

[33] P. Politzer, D.G. Truhlar, and American Chemical Society. Chemical applications of atomic<br />

and molecular electrostatic potentials: reactivity, structure, scattering, and energetics of<br />

organic, inorganic, and biological systems. Plenum Press, 1981. [cytowanie na str. 28]<br />

[34] G.A. Segal. Semiempirical methods of electronic structure calculation. Number t.<br />

2 in Semiempirical Methods of Electronic Structure Calculation. Plenum Press, 1977.<br />

[cytowanie na str. 28]<br />

[35] Francesc Salvat, Aleksander Jablonski, and Cedric J. Powell. elsepa—dirac partial-wave calculation<br />

of elastic scattering of electrons and positrons by atoms, positive ions and molecules.<br />

Computer Physics Communications, 165(2):157 – 190, 2005. [cytowanie na str. 28]<br />

[36] R. A. Buckingham. The quantum theory of atomic polarization. i. polarization by a uniform<br />

field. Proceedings of the Royal Society of London. Series A - Mathematical and Physical<br />

Sciences, 160(900):94–113, 1937. [cytowanie na str. 28]<br />

[37] A. E. S. Green, D. E. Rio, and T. Ueda. Analytic velocity-dependent potential for bound<br />

and scattering states of electrons and atoms. Phys. Rev. A, 24:3010–3018, Dec 1981.<br />

[cytowanie na str. 29, 60]<br />

[38] Grażyna Staszewska, David W. Schwenke, and Donald G. Truhlar. Dispersion-equation<br />

approach to obtaining polarization potentials for quantum-mechanical electron-scattering<br />

calculations. Phys. Rev. A, 28:169–175, Jul 1983. [cytowanie na str. 35, 45, 60]


BIBLIOGRAFIA 120<br />

[39] Grazyna Staszewska, David W. Schwenke, and Donald G. Truhlar. Optical model for electron<br />

scattering by ar at 30–3000 ev: Test of the adiabatic model for charge polarization and a<br />

quasi-free scattering model for inelastic effects. International Journal of Quantum Chemistry,<br />

24(S17):163–176, 1983. [cytowanie na str. 45]<br />

[40] G Staszewska, D W Schwenke, D Thirumalai, and D G Truhlar. Non-empirical model for<br />

the imaginary part of the optical potential for electron scattering. Journal of Physics B:<br />

Atomic and Molecular Physics, 16(9):L281, 1983. [cytowanie na str. 45]<br />

[41] Grażyna Staszewska, Przemysław Staszewski, and Krzysztof Żebrowski. Effective nonempirical<br />

absorption potentials based on quasifree-scattering model. Journal of Electron<br />

Spectroscopy and Related Phenomena, 162(2):56 – 66, 2008. [cytowanie na str. 45, 63]<br />

[42] L. Carroll D.˙ Developments in Theoretical and Applied Mechanics, volume XVIII, pages<br />

411–424. School of Engineering, University of Alabama, 1996. [cytowanie na str. 46, 49]<br />

[43] L. Carroll D.˙ Fortran genetic algorithm driver. http://cuaerospace.com/carroll/ga.html.<br />

[cytowanie na str. 46]<br />

[44] J B Furness and I E McCarthy. Semiphenomenological optical model for electron scattering<br />

on atoms. Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 6(11):2280, 1973.<br />

[cytowanie na str. 47]<br />

[45] M J Brunger, S J Buckman, L J Allen, I E McCarthy, and K Ratnavelu. Elastic electron<br />

scattering from helium: absolute experimental cross sections, theory and derived interaction<br />

potentials. Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics, 25(8):1823, 1992.<br />

[cytowanie na str. 49]<br />

[46] F J de Heer and R H J Jansen. Total cross sections for electron scattering by he. Journal<br />

of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 10(18):3741, 1977. [cytowanie na str. 49]<br />

[47] R W Wagenaar, A de Boer, T van Tubergen, J Los, and F J de Heer. Absolute differential<br />

cross sections for elastic scattering of electrons over small angles from noble-gas atoms.<br />

Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 19(19):3121, 1986. [cytowanie na str. 49]<br />

[48] T. W. Shyn. Angular distribution of electrons elastically scattered from gases: 2-400 ev on<br />

he. i. Phys. Rev. A, 22:916–922, Sep 1980. [cytowanie na str. 49]<br />

[49] H J Blaauw, F J de Heer, R W Wagenaar, and D H Barends. Total cross sections for<br />

electron scattering from n 2 and he. Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics,<br />

10(8):L299, 1977. [cytowanie na str. 49]<br />

[50] R H J Jansen, F J de Heer, H J Luyken, B van Wingerden, and H J Blaauw. Absolute<br />

differential cross sections for elastic scattering of electrons by helium, neon, argon and<br />

molecular nitrogen. Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 9(2):185, 1976.<br />

[cytowanie na str. 49]<br />

[51] F J de Heer, R H J Jansen, and W van der Kaay. Total cross sections for electron scattering<br />

by ne, ar, kr and xe. Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 12(6):979, 1979.<br />

[cytowanie na str. 49]


BIBLIOGRAFIA 121<br />

[52] J F Williams and A Crowe. The scattering of electrons from inert gases. ii. absolute differential<br />

elastic cross sections for neon, krypton and xenon atoms. Journal of Physics B:<br />

Atomic and Molecular Physics, 8(13):2233, 1975. [cytowanie na str. 49]<br />

[53] S C Gupta and J A Rees. Differential cross sections for the elastic scattering of electrons<br />

by neon. Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 8(3):417, 1975.<br />

[cytowanie na str. 49]<br />

[54] R D DuBois and M E Rudd. Differential cross sections for elastic scattering of electrons from<br />

argon, neon, nitrogen and carbon monoxide. Journal of Physics B: Atomic and Molecular<br />

Physics, 9(15):2657, 1976. [cytowanie na str. 49]<br />

[55] I Iga, Lee Mu-Tao, J C Nogueira, and R S Barbieri. Elastic differential cross section measurements<br />

for electron scattering from ar and o 2 in the intermediate-energy range. Journal<br />

of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 20(5):1095, 1987. [cytowanie na str. 49]<br />

[56] Devarajan Thirumalai and Donald G. Truhlar. Energy-dependent polarization potential,<br />

dispersion-relation absorption potential, and matrix effective potential for electron-neon<br />

scattering at 10 ¯ 100 ev. Phys. Rev. A, 26:793–807, Aug 1982. [cytowanie na str. 60]<br />

[57] Steven M. Valone, Donald G. Truhlar, and Devarajan Thirumalai. Localized second-order<br />

optical potential for electron scattering in terms of imaginary-frequency susceptibilities.<br />

Phys. Rev. A, 25:3003–3014, Jun 1982. [cytowanie na str. 60]<br />

[58] M J Seaton and L Steenman-Clark. Effective potentials for electron-atom scattering below<br />

inelastic thresholds. i. asymptotic forms. Journal of Physics B: Atomic and Molecular<br />

Physics, 10(13):2639, 1977. [cytowanie na str. 60]<br />

[59] R J Drachman. Asymptotic effective potentials for electron-hydrogen scattering. Journal of<br />

Physics B: Atomic and Molecular Physics, 12(22):L699, 1979. [cytowanie na str. 60]<br />

[60] Grażyna Staszewska, Przemysław Staszewski, and Krzysztof Żebrowski. On an improved<br />

model of a complex optical potential for electron elastic scattering. Journal of Electron<br />

Spectroscopy and Related Phenomena, 168(1-3):40 – 43, 2008. [cytowanie na str. 63]<br />

[61] David E. Goldberg. Algorytmy genetyczne i ich zastosowania. WNT, 2003.<br />

[cytowanie na str. 94]

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!