Rozprawa doktorska - Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki ...
Rozprawa doktorska - Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki ...
Rozprawa doktorska - Wydział Fizyki, Astronomii i Informatyki ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Uniwersytet Mikołaja Kopernika<br />
Wydział <strong>Fizyki</strong>, <strong>Astronomii</strong> i <strong>Informatyki</strong> Stosowanej<br />
<strong>Rozprawa</strong> <strong>doktorska</strong><br />
Potencjały efektywne dla<br />
rozpraszania elektronów na atomach<br />
Krzysztof Żebrowski<br />
Promotor: Dr hab. Grażyna Staszewska, prof. UMK<br />
Toruń, 2013
Pamięci mojego Dziadka, którego nie dane było mi poznać oraz wspomnieniu mojej<br />
Babci, która pomogła w początkach mojej drogi życiowej pracę niniejszą dedykuję.
Dziękuję Prof. Grażynie Staszewskiej za pomoc i opiekę<br />
naukową. Podziękowania pragnę skierować do całego Zakładu Mechaniki Kwantowej za<br />
okazaną życzliwość i wsparcie.
Spis treści<br />
Spis treści<br />
i<br />
Wstęp 1<br />
1 Rozpraszanie elektronu na atomie 5<br />
1.1 Sprzężone równania . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6<br />
1.2 Potencjał optyczny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7<br />
1.3 Potencjał optyczny drugiego rzędu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9<br />
1.4 Relacja dyspersyjna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11<br />
1.5 Uśredniony potencjał optyczny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11<br />
1.6 Rozpraszanie elastyczne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12<br />
2 Potencjał absorpcyjny oparty na modelu prawie swobodnych elektronów<br />
15<br />
2.1 Model kwaziswobodnego rozpraszania z blokowaniem Pauliego . . . . . . . 15<br />
2.2 Blokowanie Pauliego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17<br />
2.3 Założenia modelu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18<br />
2.4 Przybliżenie bocznego rozpraszania (sideways approximation) . . . . . . . 19<br />
3 Modyfikacje potencjału absorpcyjnego opartego na modelu prawie<br />
swobodnych elektronów 20<br />
3.1 Ogólna postać modelu frywolnego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20<br />
3.2 Oryginalny model frywolny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22<br />
3.3 Frywolny model potencjału wersja 2 i 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22<br />
3.3.1 Wersja 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22<br />
3.3.2 Wersja 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23<br />
3.4 Model frywolny potencjału z przybliżeniem bocznego rozpraszania . . . . 23<br />
3.5 Przeskalowany model frywolny . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23<br />
3.6 Model frywolny z poprawkami . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23<br />
3.6.1 Potencjał V A<br />
fc1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23<br />
i
SPIS TREŚCI<br />
ii<br />
3.6.2 Potencjał V A<br />
fc2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24<br />
3.6.3 Potencjał V A<br />
fc3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25<br />
4 Test nieempirycznych modeli potencjałów efektywnych, elastyczne<br />
rozpraszanie elektronów na atomach neonu 27<br />
4.1 Potencjały polaryzacyjne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28<br />
4.1.1 Potencjał typu Buckingham . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28<br />
4.1.2 Adiabatyczny potencjał polaryzacyjny Hartree-Fock’a . . . . . . . 28<br />
4.1.3 Przybliżona relacja dyspersyjna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29<br />
4.2 Potencjały absorpcyjne . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29<br />
4.2.1 Wersje modelu frywolnego . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29<br />
4.2.2 Potencjał V A<br />
g Green’a, Rio i Uedy . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29<br />
4.2.3 Pominięcie potencjału absorpcyjnego . . . . . . . . . . . . . . . . . 30<br />
4.3 Funkcja błędu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30<br />
4.4 Wyniki i dyskusja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32<br />
5 Poprawki empiryczne do potencjału absorpcyjnego opartego na modelu<br />
kwazi-swobodnego rozpraszania 45<br />
5.1 Wprowadzenie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45<br />
5.2 Teoria i obliczenia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47<br />
5.3 Zbiory danych, funkcja błędu i optymalizacja . . . . . . . . . . . . . . . . 48<br />
5.4 Wyniki i dyskusja . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49<br />
6 Lokalne zależne od energii potencjały otrzymane ze znajomości przekrojów<br />
czynnych 59<br />
6.1 Potencjały . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60<br />
6.2 Parametry potencjałów . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61<br />
6.3 Wyniki . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62<br />
6.4 Podsumowanie i wnioski . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68<br />
Podsumowanie 72<br />
A Wyprowadzenie wzoru na potencjał absorpcyjny dla modelu QFSM 74<br />
B Dane doświadczalne 87<br />
C Algorytm genetyczny 94<br />
D Wyniki obliczeń dla rozpraszania elektronów na atomach helu 96<br />
E Wyniki obliczeń dla rozpraszania elektronów na atomach neonu 100
SPIS TREŚCI<br />
iii<br />
F Wyniki obliczeń dla rozpraszania elektronów na atomach argonu 105<br />
Spis rysunków 111<br />
Spis tabel 115<br />
Bibliografia 117
Wstęp<br />
Rozpraszanie elektronów (pozytonów) na atomach i drobinach jest jednym z podstawowych<br />
zagadnień, którymi zajmuje się mechanika kwantowa od momentu powstania.<br />
W zakresie nierelatywistycznych energii zderzeniowych oraz przy zaniedbaniu magnetycznych<br />
i spinowych oddziaływań, proces rozpraszania elektronów na atomach lub drobinach<br />
opisywany jest nierelatywistycznym równaniem Schrödingera z zadanymi warunkami<br />
brzegowymi. Hamiltonian układu jest sumą operatorów energii kinetycznej cząstek<br />
oraz kulombowskich oddziaływań między naładowanymi cząstkami układu. Nawet w takiej<br />
uproszczonej postaci zagadnienie to jest złożonym kwantowo-mechanicznym problemem<br />
wielu ciał i jego opis musi być przybliżony. Powstało wiele przybliżonych metod,<br />
których stosowalność i efektywność zależy od wielu czynników np. od energii cząstek<br />
padających, od rodzaju tarczy, na której rozpraszane są elektrony lub od rodzaju informacji,<br />
którą chcemy uzyskać [1, 2, 3].<br />
Równanie Schrödingera opisujące rozpraszanie cząstek na złożonej tarczy może być<br />
formalnie przekształcone do postaci nieskończonego układu równań sprzężonych. Macierzą<br />
sprzęgającą jest macierz lokalnego potencjału statycznego i dla elektronów nielokalnego<br />
potencjału wymiennego. Układ ten może zostać przekształcony do równoważnego<br />
skończonego układu równań sprzężonych za cenę pojawienia się dodatkowego wyrazu będącego<br />
skomplikowanym, nielokalnym i zależnym od energii operatorem. Operator ten<br />
pełni rolę podobną do roli potencjału i nosi nazwę potencjału optycznego [4, 5]. Dla energii,<br />
dla których w potencjale optycznym znajdują się kanały otwarte operator ten jest<br />
niehermitowski. Część hermitowska potencjału nosi nazwę potencjału polaryzacyjnego.<br />
Część niehermitowska, która jest operatorem ujemnie określonym nazywa się potencjałem<br />
absorpcyjnym. Część hermitowska i niehermitowska potencjału optycznego powiązane są<br />
relacją dyspersyjną [4, 6, 7]. W ramach tego formalizmu rozpraszanie elastyczne jest<br />
opisane przy pomocy jednego równania mającego postać podobną do równania dla rozpraszania<br />
cząstki bez struktury na potencjale (w którym zawarta jest cała informacja o<br />
tarczy). Formalnie równanie jest ścisłe i nie może być rozwiązane bez przybliżeń. Najczęściej<br />
używane przybliżenia to rozwinięcie potencjału optycznego w szereg i obcięcie<br />
tego szeregu lub znalezienie lokalnego potencjału efektywnego opisującego najważniejsze<br />
1
SPIS TREŚCI 2<br />
dla danej energii efekty polaryzacyjne i absorpcyjne. W zależności od energii kinetycznej<br />
cząstki padającej mogą zachodzić w układzie różne fizyczne procesy [8, 9]. Oznaczmy odpowiednio<br />
przez T , ∆ oraz I energię kinetyczną cząstki padającej, różnicę energii między<br />
stanem podstawowym a pierwszym stanem wzbudzonym oraz energię jonizacji tarczy.<br />
Dla energii bardzo niskich, T < ∆, możliwe jest tylko rozpraszanie elastyczne, istotną<br />
rolę odgrywa rozpraszanie fali s i efektywne są metody wariacyjne.<br />
Dla energii niskich, ∆ < T < I zachodzą również procesy nieelastyczne polegające<br />
na wzbudzeniu tarczy. Metody wariacyjne wymagają uwzględnienia wszystkich kanałów<br />
otwartych a ich efektywność zależy od ich ilości.<br />
Energie pośrednie nie mają już dokładnie określonych granic, przyjmuje się, że obejmują<br />
zakres I < T < 15I. Górna granica jest w przybliżeniu określona energią dla<br />
której można stosować przybliżenie Borna lub inne metody iteracyjne właściwe dla energii<br />
wysokich. W zakresie energii pośrednich możliwe są wszystkie procesy: rozpraszanie<br />
elastyczne, wzbudzenie i jonizacja. Wszystkie kanały są otwarte. Metody wariacyjne przestają<br />
być efektywne a metody iteracyjne nie są jeszcze zbieżne. Metodą opisu najczęściej<br />
stosowaną w zakresie energii pośrednich jest metoda lokalnych potencjałów efektywnych.<br />
Lokalne przybliżenia do potencjału optycznego wypracowane do opisu elastycznego<br />
rozpraszania elektronów na atomach są również szeroko stosowane do opisu elastycznego<br />
rozpraszania elektronów na drobinach, między innymi na drobinach organicznych występujących<br />
w kwasach rybonukleinowym (RNA) i deoksyrybonukleinowym (DNA) takich<br />
jak cytozyna, adenina, guanina, tymina czy uracyl [10, 11, 12, 13].<br />
Potencjał optyczny jest funkcją energii, więc potencjały efektywne też powinny być<br />
funkcją energii. Zależność ta może być jednak bardziej skomplikowana ponieważ lokalizacja<br />
wprowadza dodatkową zależność od energii [2]. Powstaje również pytanie czy relacja<br />
dyspersyjna obowiązująca dla potencjałów nielokalnych może być pomocna przy modelowaniu<br />
potencjałów lokalnych.<br />
Część urojona potencjału optycznego jest trudniejsza do modelowania. Nieempiryczny,<br />
zależny od energii potencjał absorpcyjny oparty na modelu prawie swobodnych elektronów<br />
jest jednym z częściej używanych potencjałów [14]. Jego wadą jest zaniżanie<br />
wartości różniczkowych przekrojów czynnych dla dużych kątów rozpraszania. Ostatnio<br />
ukazało się kilka prac, w których proponuje się zarówno nieempiryczne jak i empiryczne<br />
poprawki do tego modelu [15, 16, 17, 18, 19, 20]. Jak wyjaśnimy w rozdziale drugim potencjał<br />
absorpcyjny oparty na modelu prawie swobodnych elektronów jest znany również<br />
pod nazwą modelu frywolnego.<br />
Poprawność modeli przybliżonych może być sprawdzona przede wszystkim poprzez<br />
porównanie wyników z danymi doświadczalnymi.<br />
Celem niniejszej rozprawy jest zbadanie następujących problemów:
SPIS TREŚCI 3<br />
1. Ocena efektywności pewnych zaproponowanych w literaturze, nieempirycznych, zależnych<br />
od energii potencjałów absorpcyjnych opartych na modelu prawie swobodnych<br />
elektronów [15, 16, 17, 18, 19, 20].<br />
2. Zbadanie możliwości otrzymania potencjałów polaryzacyjnych przy pomocy relacji<br />
dyspersyjnej na podstawie powyższych potencjałów absorpcyjnych.<br />
3. Zbadanie możliwości uzyskania informacji o potencjałach efektywnych poprzez wygenerowanie<br />
ich ze znajomości przekrojów czynnych (odwrotny proces zderzeniowy).<br />
Badania przeprowadzono dla przypadku rozpraszania elektronu na lekkich atomach<br />
gazów szlachetnych takich jak He, Ne i Ar, dla których istnieje największa liczba danych<br />
doświadczalnych. Zbiór tych danych doświadczalnych został umieszczony w dodatku B.<br />
Ocena efektywności poszczególnych potencjałów nie jest zadaniem łatwym, ponieważ<br />
postać funkcyjna obu potencjałów polaryzacyjnego i absorpcyjnego ma wpływ zarówno<br />
na całkowite jak i różniczkowe przekroje czynne.<br />
Układ rozprawy jest następujący:<br />
W rozdziale pierwszym wyprowadzono wyrażenie na potencjał optyczny wychodząc ze<br />
stacjonarnego równania Schrödingera oraz przedyskutowano własności wyprowadzonego<br />
potencjału.<br />
Rozdział drugi został poświęcony wyprowadzeniu potencjału absorpcyjnego opartego<br />
na modelu prawie swobodnych elektronów. Szczegółowe, bardzo żmudne obliczenia<br />
prowadzące do ostatecznej postaci potencjału umieszczono w dodatku A.<br />
W rozdziale trzecim omówiono zaproponowane w literaturze modyfikacje powyższego<br />
potencjału absorpcyjnego.<br />
W następnym rozdziale wprowadzono funkcję błędu służącą do oceny modeli oraz<br />
dla przypadku rozpraszania elektronu na atomach neonu przebadano różne kombinacje<br />
potencjałów polaryzacyjnych i absorpcyjnych. Wprowadzona funkcja błędu może służyć<br />
do optymalizacji parametrów empirycznych zawartych w modelowanych potencjałach z<br />
warunku żądania minimum. Z reguły parametry nieliniowe są dużo bardziej efektywne<br />
ale trudniejsze do znalezienia. Z tego powodu do optymalizacji parametrów zarówno liniowych<br />
jak i nieliniowych występujących w potencjałach użyto algorytmu genetycznego.<br />
W rozdziale piątym przedyskutowano propozycję modyfikacji potencjału absorpcyjnego<br />
polegającą na przemnożeniu oryginalnego potencjału absorpcyjnego pochodzącego z<br />
modelu prawie swobodnych elektronów przez czynnik skalujący zawierający dwa parametry<br />
[20]. Autorzy chcieli aby wartość parametrów była niezależna od tarczy oraz energii<br />
cząstki padającej i wybrali je na postawie badania rozpraszania na wielu tarczach ato-
SPIS TREŚCI 4<br />
mowych i molekularnych. Algorytm genetyczny posłużył nam do reoptymalizacji tych<br />
parametrów dla trzech tarcz He, Ne oraz Ar.<br />
Rozdział szósty poświęcony jest bardzo ważnemu zagadnieniu to jest możliwości<br />
otrzymania informacji o potencjałach ze znajomości przekrojów czynnych. Dla trzech<br />
rozważanych poprzednio tarcz zapostulowano postaci funkcyjne potencjału absorpcyjnego<br />
zawierającego wiele parametrów empirycznych. Zapostulowany potencjał absorpcyjny<br />
jest taką funkcją energii, która pozwala poprzez relację dyspersyjną uzyskać potencjał<br />
polaryzacyjny w postaci analitycznej. Parametry zostały otrzymane przez minimalizację<br />
funkcji błędu przy pomocy algorytmu genetycznego w bardzo szerokim zakresie energii.<br />
Otrzymane wyniki wskazują, że można otrzymać takie lokalne potencjały efektywne,<br />
które dają właściwe wartości wszystkich przekrojów czynnych zarówno całkowitych jak<br />
i różniczkowych w szerokim zakresie energii.<br />
Dysertację kończy podsumowanie, w którym zawarto perspektywiczne możliwości<br />
rozszerzenia przedstawionych badań.
Rozdział 1<br />
Rozpraszanie elektronu na atomie<br />
Rozpatrujemy problem zderzenia elektronu z obojętnym elektrycznie atomem (tarczą)<br />
posiadającym N elektronów. Zakładamy, że jądro atomu ma nieskończoną masę i jest<br />
umieszczone w początku układu odniesienia wprowadzonego do opisu procesu rozproszeniowego.<br />
Ponieważ rozważane w pracy energie elektronu padającego nie mają wysokich<br />
wartości, penetracja jądra atomu nie jest możliwa. Rozpatrujemy zatem energie nierelatywistyczne<br />
a także zaniedbujemy wszelkie oddziaływania magnetyczne i spinowe pomiędzy<br />
elektronami oraz jądrem atomu.<br />
Oznaczmy przez:<br />
• ⃗r i<br />
• σ i<br />
współrzędne przestrzenne i-tego elektronu w atomie (i=1,. . . ,N),<br />
jego współrzędną spinową oraz<br />
• ⃗s i = (⃗r i , σ i )<br />
współrzędne przestrzenno-spinowe i-tego elektronu.<br />
Zastosujmy identyczną konwencję oznaczeń dla elektronu padającego tj. oznaczmy odpowiednie<br />
współrzędne padającego elektronu jako ⃗r, σ oraz ⃗s.<br />
Używamy jednostek atomowych.<br />
Hamiltonian rozpatrywanego układu (atom plus padający elektron) możemy zapisać<br />
w postaci:<br />
Ĥ = ˆT + ĤA + ˆV , (1.1)<br />
gdzie<br />
ˆT = − 1 2 △ ⃗r (1.2)<br />
jest operatorem energii kinetycznej padającego elektronu (operator ten działa jedynie na<br />
funkcje zależne od współrzędnej przestrzennej elektronu tj. ⃗r),<br />
Ĥ A =<br />
N∑<br />
i=1<br />
(− 1 2 △ i − N r i<br />
)<br />
+<br />
N∑<br />
i
ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 6<br />
jest hamiltonianem atomu (indeks i przy operatorze nabla oznacza, że działa on tylko na<br />
funkcje zależne od współrzędnych i-tego elektronu atomowego tj. ⃗r i ) oraz operator<br />
ˆV = − N r + N ∑<br />
i=1<br />
1<br />
|⃗r − ⃗r i |<br />
(1.4)<br />
opisuje oddziaływanie między padającym elektronem i atomem.<br />
1.1 Sprzężone równania<br />
Zakładamy, że znamy układ zupełny stanów własnych atomu tj. znamy rozwiązanie problemu<br />
własnego postaci:<br />
Ĥ A Φ q = ε q Φ q , (1.5)<br />
lub inaczej:<br />
〈Φ q |ĤA|Φ q ′〉 = ε q δ qq ′, (1.6)<br />
gdzie q oznacza zbiór liczb kwantowych wyczerpujących opis stanu atomu. Przyjmujemy<br />
również, że funkcje własne Φ q są funkcjami antysymetrycznymi względem przestawienia<br />
współrzędnych elektronowych.<br />
Funkcja falowa Ψ, opisująca cały układ spełnia stacjonarne równanie Schrödingera:<br />
ĤΨ = EΨ, (1.7)<br />
gdzie E jest energią całkowitą układu, na którą składa się energia stanu początkowego<br />
atomu, ε i , oraz energia kinetyczna elektronu padającego, 1 2 p2 i :<br />
E = ε i + 1 2 p2 i . (1.8)<br />
W trakcie zderzenia stan wewnętrzny tarczy może ulec zmianie. Oznaczmy energie stanu<br />
atomu i elektronu po zderzeniu przez ε f i 1 2 p2 f<br />
energii mamy:<br />
odpowiednio. Na mocy zasady zachowania<br />
1<br />
2 p2 f = 1 2 p2 i + ε i − ε f . (1.9)<br />
Możliwe stany końcowe układu nazywamy kanałami rozpraszania. Kanał rozpraszania<br />
nazywamy otwartym gdy po rozproszeniu zachodzi:<br />
1<br />
2 p2 f 0, (1.10)<br />
w przeciwnym wypadku mamy do czynienia z kanałem zamkniętym. Informacja o rozpraszaniu<br />
zawarta jest w asymptotycznej postaci wieloelektronowej funkcji falowej Ψ.<br />
Składa się ona z sumy fali padającej i rozchodzącej się fali rozproszonej:<br />
lim<br />
r→∞ Ψ(+) i = e i⃗p i·⃗r χ(σ i )Φ i (⃗s 1 , . . . , ⃗s n ) + ∑ f<br />
′<br />
Afi (⃗p i , ⃗p f ) ei⃗p f ·⃗r<br />
χ(σ f )Φ f (⃗s 1 , . . . , ⃗s n ). (1.11)<br />
r
ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 7<br />
Znak prim przy znaku sumacyjnym oznacza, że sumowanie przebiega tylko po kanałach<br />
otwartych. Fala padająca (pierwszy składnik w wyrażeniu (1.11)) jest iloczynem fali płaskiej<br />
reprezentującej padający elektron, funkcji spinowej padającego elektronu, χ(σ i ),<br />
oraz funkcji stanu początkowego atomu. Fala rozproszona (drugi składnik) jest superpozycją<br />
iloczynów rozchodzących się fal kulistych, opisujących elektrony rozproszone,<br />
funkcji spinowej, funkcji energetycznie dozwolonych stanów atomowych oraz amplitud<br />
rozpraszania, A fi , ze stanu początkowego, i, do końcowego, f.<br />
Równanie Schrödingera (1.7) można zamienić na nieskończony układ sprzężonych<br />
równań różniczkowo-całkowych poprzez rozwinięcie funkcji Ψ w bazie stanów własnych<br />
atomu:<br />
Ψ = Â ∑ q<br />
Φ q (⃗s 1 , ⃗s 2 , . . . , ⃗s N )χ(σ)F q (⃗r), (1.12)<br />
gdzie F oznacza funkcję przestrzenną padającego elektronu a<br />
 reprezentuje operator<br />
antysymetryzacji. Operator antysymetryzacji ma następującą postać:<br />
 = 1 −<br />
N∑<br />
i=1<br />
ˆP i , (1.13)<br />
gdzie ˆP i jest operatorem permutującym współrzędną ⃗s i z ⃗s. Operator<br />
 czyni zadość<br />
wymaganiu aby funkcja Ψ była antysymetryczna. Po wstawieniu rozwinięcia (1.12) do<br />
równania (1.7) i przemnożeniu obustronnym przez Φ ∗ αχ ∗ otrzymamy po scałkowaniu<br />
względem d⃗s 1 d⃗s 2 . . . d⃗s N (wszystkich współrzędnych elektronów atomowych) nieskończony<br />
układ równań sprzężonych:<br />
( ˆT + ɛ α − E)F α = − ∑ γ<br />
V SE<br />
αγ F γ . (1.14)<br />
Wprowadzony powyżej operator V SE<br />
αγ<br />
V S αγ i nielokalnego potencjału wymiennego, V E αγ:<br />
składa się z sumy lokalnego potencjału statycznego,<br />
V SE<br />
αγ = V S αγ + V E αγ, (1.15)<br />
które są związane z wielkościami wprowadzonymi wcześniej w następujący sposób:<br />
∫<br />
Vαγ(⃗r) S = d⃗s 1 d⃗s 2 . . . d⃗s N Φ ∗ α(⃗s 1 . . . ⃗s N ) ˆV Φ γ (⃗s 1 . . . ⃗s N ) (1.16)<br />
oraz<br />
∫<br />
VαγF E γ (⃗r) =<br />
d⃗s 1 . . . d⃗s N dσΦ ∗ α(⃗s 1 . . . ⃗s N )χ ∗ (σ)(Ĥ − E) N ∑<br />
i=1<br />
ˆP i Φ γ (⃗s 1 . . . ⃗s N )χ(σ)F γ (⃗r).<br />
(1.17)<br />
1.2 Potencjał optyczny<br />
W celu rozwiązania układu (1.14) dla skończonej ilości n p kanałów, podzielmy przestrzeń,<br />
rozpiętą na wszystkich kanałach, na przestrzenie P i Q. Przestrzeń P zawiera n p kanałów
ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 8<br />
a przestrzeń Q pozostałą ich ilość. Zdefiniujmy dwie macierze jednokolumnowe, których<br />
elementami są składowe funkcji w kanałach α:<br />
(F P ) α = F α , α n p ; (1.18)<br />
oraz pięć macierzy, których elementami są operatory:<br />
(F Q ) α = F α , α > n p (1.19)<br />
(H P ) αβ = (T 0 + ε α )δ αβ + V SE<br />
αβ , α, β n p ; (1.20)<br />
(H Q ) αβ = (T 0 + ε α )δ αβ + V SE<br />
αβ , α, β > n p ; (1.21)<br />
(V SE<br />
P P ) αβ = V SE<br />
αβ , α, β n p ; (1.22)<br />
(V SE<br />
QQ) αβ = V SE<br />
αβ , α, β > n p ; (1.23)<br />
(V SE<br />
P Q) αβ = V SE<br />
αβ , α n p , β > n p . (1.24)<br />
Zapiszmy za pomocą powyższych macierzy układ równań (1.14). Otrzymamy:<br />
(H P − E)F P = −V SE<br />
P QF Q ; (1.25)<br />
(H Q − E)F Q = −(V SE<br />
QP ) † F P . (1.26)<br />
Potraktujmy powyższy układ jak zwykły układ równań i wyznaczając wektor F Q z równania<br />
(1.26) podstawmy go do równania (1.25) co daje w wyniku:<br />
[H P + V SE<br />
P Q(E (+) − H Q ) −1 (V SE<br />
QP ) † − E]F P = 0. (1.27)<br />
W celu przekształcenia równania (1.27) zdefiniujmy macierz diagonalną:<br />
( )<br />
(h) αβ =<br />
T − p2 α<br />
2<br />
gdzie zgodnie ze wzorem (1.8) p 2 α = 2(E − ε α ).<br />
δ αβ , (1.28)<br />
Po wykorzystaniu dwóch powyższych zależności równanie (1.27) przyjmuje postać:<br />
(h + V OP T )F P = 0. (1.29)<br />
Operator V OP T jest operatorem potencjału optycznego, który wyraża się wzorem:<br />
V OP T = V SE<br />
P P + V SE<br />
P Q(E (+) − H Q ) −1 (V SE<br />
QP ) † . (1.30)<br />
Przepiszmy równanie (1.29) w postaci, która ułatwi nam dyskusję nad jego fizyczną<br />
interpretacją:<br />
(T − p2 α<br />
2 )F α = −<br />
n p ∑<br />
γ=1<br />
(V SE<br />
αγ + V C αγ)F γ , α = 1, . . . , n p , (1.31)<br />
gdzie<br />
V C αγ =<br />
∞∑<br />
m=n p+1<br />
V SE<br />
αm<br />
∞∑<br />
n=n p+1<br />
(E (+) − H Q ) −1<br />
mnV SE<br />
nγ . (1.32)
ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 9<br />
Przejście od nieskończonego układu równań (1.14) do układu (1.31) odbyło się bez żadnych<br />
przybliżeń. W przypadku, gdy n p =1 mamy do czynienia z rozpraszaniem elastycznym,<br />
gdy n p ≠1 z rozpraszaniem nieelastycznym. Zaniedbanie wyrazu Vαγ, C określonego<br />
przez (1.32), nosi nazwę przybliżenia silnego sprzężenia (close-coulping approximation).<br />
Polega ono na uwzględnieniu w rozwinięciu (1.12) jedynie n p wyrazów. Omawiane<br />
przybliżenie jest efektywne dla niskich energii pod warunkiem, że przestrzeń P zawiera<br />
wszystkie kanały otwarte. Pominięcie potencjału wymiennego prowadzi do przybliżenia<br />
statycznego. Błąd popełniany w przybliżeniu statycznym jest tym większy im niższa jest<br />
energia padającego elektronu.<br />
Dużą trudność przy rozwiązywaniu układu równań sprzężonych sprawia nielokalność dokładnego<br />
potencjału wymiennego. Z tej przyczyny poszukuje się możliwości opisania<br />
efektów wymiennych przy pomocy przybliżonych lokalnych potencjałów wymiennych.<br />
Potencjał Vαγ C opisuje wpływ jaki mają na proces rozpraszania w przestrzeni P wszystkie<br />
stany wzbudzone i widmo ciągłe zawarte w przestrzeni Q. Jeśli w przestrzeni Q znajdują<br />
się kanały otwarte, to ten potencjał jest zespolony. Część rzeczywista (tzw. potencjał polaryzacyjny)<br />
odpowiada za wirtualne przejścia do kanałów przestrzeni Q, a część urojona<br />
(potencjał absorpcyjny) odpowiada za rzeczywiste przejścia do tych kanałów. Potencjał<br />
Vαγ, C ze względu na swoją postać, może być uwzględniony jedynie w przybliżeniu. Najczęściej<br />
używane przybliżenia to rozwinięcie potencjału Vαγ<br />
C w szereg i uwzględnienie<br />
skończonej liczby wyrazów lub zastąpienie go lokalnym potencjałem efektywnym opisującym<br />
najważniejsze dla danej energii efekty polaryzacyjne i absorpcyjne.<br />
1.3 Potencjał optyczny drugiego rzędu<br />
Zastosujmy jedno z przybliżeń. Rozwińmy mianowicie potencjał V C αγ w szereg względem<br />
potęg V SE<br />
αγ . Weźmy pod uwagę fakt, że macierzowe operatory Greena zdefiniowane jako:<br />
G = (E (+) − H Q ) −1 (1.33)<br />
oraz<br />
G 0 = [E (+) − (H Q − V SE<br />
QQ)] −1 (1.34)<br />
spełniają równanie Lippmanna-Schwingera:<br />
G = G 0 + G 0 V SE<br />
QQG. (1.35)<br />
Powyższa zależność jest przykładem zastosowania równości operatorowej:<br />
 −1 = ˆB −1 + ˆB −1 ( ˆB − Â)Â−1 .<br />
Jak wynika z (1.21) macierz G 0 jest macierzą diagonalną, której elementami są całkowe<br />
operatory Greena dla ruchu swobodnego cząstki:<br />
(G 0 ) mn = G 0 (p 2 n)δ mn , (1.36)
ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 10<br />
gdzie<br />
G 0 (p 2 n)f(⃗r) = − 1 ∫<br />
4π<br />
Rozwiązanie równania (1.35) można otrzymać metodą iteracji:<br />
d⃗r ′ eipn|⃗r−⃗r ′ |<br />
|⃗r − ⃗r ′ | f(⃗r ′ ). (1.37)<br />
G = G 0 + G 0 V SE<br />
QQG 0 + G 0 V SE<br />
QQG 0 V SE<br />
QQG 0 + . . . (1.38)<br />
Ostatecznie równania (1.36)-(1.38) umożliwiają nam przedstawienie potencjału (1.32) w<br />
postaci szeregu:<br />
V C αγ =<br />
∞∑<br />
m=n p+1<br />
V SE<br />
αm G 0 (p 2 m)V SE<br />
∞∑ ∞∑<br />
mγ +<br />
m=n p+1 n=n p+1<br />
V SE<br />
αn G 0 (p 2 n)V SE<br />
nm G 0 (p 2 m)V SE<br />
mγ +. . . (1.39)<br />
Pierwszy wyraz rozwinięcia (1.39) jest drugiego rzędu ze względu na elementy macierzowe<br />
oddziaływania statyczno-wymiennego Vαβ SE . Potencjał obcięty do tego wyrazu nazywany<br />
jest potencjałem optycznym drugiego rzędu Vαγ C(2) ,<br />
V C(2)<br />
αγ =<br />
∞∑<br />
m=n p+1<br />
V SE<br />
αm G 0 (p 2 m)V SE<br />
mγ .<br />
Jest on operatorem nielokalnym. Nielokalność pochodzi zarówno od nielokalnego operatora<br />
całkowego G 0 , jak również od nielokalnych potencjałów wymiennych. Wyraz ten<br />
jest zespolony o ile zawiera kanały otwarte. Wtedy p 2 n jest rzeczywiste, a operator G 0<br />
zespolony. Potencjał optyczny 2-go rzędu pozwala więc opisać ucieczkę strumienia do kanałów<br />
przestrzeni Q. Można także pokazać, że w przybliżeniu abiadatycznym potencjał<br />
ten zmierza do nieskończoności jak −α/2r 4 , gdzie α jest polaryzowalnością atomu [1].<br />
Opisuje on długozasięgowe oddziaływanie indukowanego dipola z ładunkiem. W przybliżeniu<br />
close-coulping nie można otrzymać poprawnego oddziaływania długozasięgowego<br />
nawet wtedy, gdyby było możliwe uzwględnienie wszytskich stanów tarczy (których jest<br />
nieskończona ilość). Jest to spowodowane tym, że część polaryzowalności atomu pochodzi<br />
od widma ciągłego (np. dla atomu wodoru tylko 81,4 procent polaryzowalności pochodzi<br />
od widma dyskretnego [21]). Uwzględnienie wyrazu V C(2)<br />
αγ<br />
powoduje, że najważniejsze<br />
efekty, takie jak polaryzacja i absorpcja są wzięte pod uwagę. Chociaż jest to najniższe<br />
przybliżenie dla potencjału optycznego wyraz V C(2)<br />
αγ<br />
jest bardzo trudny do oszacowania.<br />
Trudność polega na, poza nielokalnością, wykonaniu sumy po nieskończonej ilości stanów<br />
tarczy wraz z widmem ciągłym. Sposobem na pokonanie trudności w obliczeniu tej<br />
sumy jest zastosowanie dodatkowych przybliżeń. Najczęściej stosuje się przybliżenie zamknięcia<br />
(tzw. closure), w którym energię wzbudzenia zastępuje się przez średnią energię<br />
wzbudzenia [22, 23, 24].<br />
Inne przybliżenie polega na wprowadzeniu w miejsce nieskończonej ilości stanów pewnej<br />
ilości pseudostanów, które dobiera się w taki sposób aby imitowały wkład od wszystkich<br />
stanów [22, 24, 25].
ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 11<br />
1.4 Relacja dyspersyjna<br />
Przedstawimy teraz dalsze własności potencjału optycznego (1.32) [26]. Widmo operatora<br />
H Q składa się z części dyskretnej i ciągłej. Widmo ciągłe należy do odcinka [ε np+1, ∞),<br />
a widmo dyskretne leży na zewnątrz tego odcinka i zawiera tylko izolowane wartości<br />
własne. Oznaczmy funkcje własne widma dyskretnego i ciągłego odpowiednio przez ϕ Qn<br />
oraz ϕ Q (λ). Rozkład spektralny operatora (1.33):<br />
oraz relacja:<br />
(E (+) − H Q ) −1 = ∑ n<br />
|ϕ Qn 〉〈ϕ Qn |<br />
E (+) − λ n<br />
+<br />
∫ ∞<br />
dλ |ϕ Q(λ)〉〈ϕ Q (λ)|<br />
ε np+1 E (+) − λ<br />
(1.40)<br />
( )<br />
(E (+) − E 0 ) −1 1<br />
= P<br />
− iπδ(E − E 0 ), (1.41)<br />
E − E 0<br />
gdzie symbol P oznacza wartość główną Cauchy’ego są wykorzystywane do wyrażenia<br />
części rzeczywistej i urojonej potencjału optycznego V OP T w postaci:<br />
A n<br />
E − λ n<br />
+ P<br />
∫ ∞<br />
Re V OP T (E) = V SE<br />
P P + ∑ n<br />
Im V OP T (E) = −πB(λ), E > ε np+1; (1.43)<br />
ε np+1<br />
dλ B(λ)<br />
E − λ ; (1.42)<br />
Im V OP T (E) = 0, E ε np+1. (1.44)<br />
Rzeczywiste, określone dodatnio, operatory A n i B(λ) dane są przez:<br />
A n = V SE<br />
P Q|ϕ Qn 〉〈ϕ Qn |(V SE<br />
QP ) † (1.45)<br />
B(λ) = V SE<br />
P Q|ϕ Q (λ)〉〈ϕ Q (λ)|(V SE<br />
QP ) † . (1.46)<br />
Jak pokazuje zależność (1.44), potencjał optyczny jest rzeczywisty dla E ε np+1 i zespolony<br />
dla E > ε np+1 o czym świadczy równanie (1.43). Urojona część potencjału<br />
optycznego jest operatorem ujemnie określonym, a więc opisuje absorpcję strumienia.<br />
Część rzeczywista posiada bieguny dla E = λ n oraz cięcie dla E > ε p+1 . Po podstawieniu<br />
(1.43) i (1.44) do (1.42) otrzymamy relację dyspersyjną między rzeczywistą i urojoną<br />
częścią potencjału optycznego:<br />
Re V OP T (E) = V SE<br />
P P + ∑ n<br />
1.5 Uśredniony potencjał optyczny<br />
A n<br />
− 1 ∫ ∞<br />
E − λ n π P dλ Im VOP T (λ)<br />
ε np+1<br />
E − λ<br />
. (1.47)<br />
Potencjał optyczny jest zależny od energii. Zależność ta może być wyjątkowo złożona dla<br />
niskich energii ze względu na możliwość występowania stanów rezonansowych. Potencjał<br />
zmieniający się gładko z energią można otrzymać poprzez uśrednienie potencjału po<br />
odcinku energii, I, większym od typowej szerokości stanów rezonansowych. Tego typu<br />
uśrednienie może być wygodnie przeprowadzone przez wymnożenie uśrednionej funkcji<br />
przez rozkład Lorentza:<br />
W (E, E ′ ) = I π<br />
1<br />
(E − E ′ ) 2 + I 2 (1.48)
ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 12<br />
i wycałkowanie po E ′ . Korzystając ze związku<br />
∫<br />
W (E, E ′ )F (E ′ )dE ′ = F (E + iI) (1.49)<br />
otrzymujemy<br />
V OP T (E) = V OP T (E + iI). (1.50)<br />
Jak widać operacja uśrednienia jest równoważna zastąpieniu E przez E + iI co prowadzi<br />
do przesunięcia biegunów z osi rzeczywistej do dolnej półpłaszczyzny o wielkość iI. W<br />
wyniku tego przesunięcia uśredniony potencjał optyczny spełnia relację dyspersyjną, w<br />
której nie występuje suma z biegunami, otrzymujemy:<br />
Re V OP T (E) = V SE<br />
P P − 1 π P ∫ ∞<br />
ε np+1 −I<br />
dλ Im VOP T (λ)<br />
. (1.51)<br />
E − λ<br />
Błąd spowodowany przybliżeniem potencjału optycznego przez uśredniony potencjał<br />
optyczny zależy od energii elektronu padającego. Jest niewielki dla energii leżących powyżej<br />
stanów rezonansowych, gdzie przekroje czynne nie zmieniają się gwałtownie z energią<br />
i wraz ze wzrostem energii maleje. Z tego też powodu zastąpienie dolnej granicy w całce<br />
(1.51) przez ε np+1 niewiele wpływa na wynik całki.<br />
1.6 Rozpraszanie elastyczne<br />
W przypadku gdy w przestrzeni P znajduje się tylko jeden kanał, n p = 1, układ równań<br />
(1.31) redukuje się do jednego równania opisującego rozpraszanie elastyczne (w obecności<br />
procesów nieelastycznych). Wskaźniki macierzowe można opuścić ponieważ przyjmują<br />
tylko jedną wartość α = γ = 1. Otrzymujemy równanie:<br />
( )<br />
ˆT − p2<br />
[<br />
]<br />
F (⃗r) = − V SE (⃗r) + V C (⃗r) F (⃗r). (1.52)<br />
2<br />
Równanie to ma postać równania opisującego rozpraszanie cząstki na potencjale, który<br />
reprezentuje oddziaływania statyczne, wymienne, polaryzację oraz absorpcję i w którym<br />
zawarta jest cała informacja o złożoności układu. Jak wspominaliśmy potencjał ten<br />
w ogólności jest bardzo skomplikowanym, nielokalnym, niehermitowskim, zależnym od<br />
energii operatorem. Nie może być stosowany bez przybliżeń. Jednym z szeroko stosowanych<br />
podejść jest przybliżenie nielokalnych operatorów przez lokalne potencjały efektywne<br />
(zależne lub niezależne od energii) mające za zadanie opisanie efektów wymiennych,<br />
polaryzacyjnych i absorpcyjnych. Lokalność potencjału jest szczególnie użyteczna przy<br />
całkowaniu równania opisującego rozpraszanie. Zastępując w równaniu (1.52) oddziaływania<br />
nielokalne potencjałami efektywnymi,V OP T (⃗r) ≈ V (⃗r), zapisujemy równanie dla<br />
zderzeń elastycznych w postaci<br />
(<br />
)<br />
ˆT − p2<br />
2 + V (⃗r) F (⃗r) = 0, (1.53)<br />
V (⃗r) = V S (⃗r) + V E (⃗r) + V P (⃗r) + iV A (⃗r), (1.54)
ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 13<br />
gdzie dla poszczególnych potencjałów przyjęto powszechnie stosowane oznaczenia, mianowicie<br />
potencjał statyczny, V S , wymienny, V E , polaryzacyjny, V P<br />
V A .<br />
oraz absorpcyjny,<br />
Zastępując w relacji dyspersyjnej potencjały nielokalne lokalnymi potencjałami efektywnymi,<br />
otrzymujemy przybliżoną relację<br />
V P (⃗r, E) = − 1 π P ∫ ∞<br />
wiążącą potencjał polaryzacyjny z absorpcyjnym.<br />
ε 1<br />
dE ′ V A (⃗r, E ′ )<br />
E − E ′ (1.55)<br />
Równanie różniczkowe na część radialną rozproszeniowej funkcji falowej otrzymuje się<br />
przez rozwinięcie jej na funkcje własne całkowitego momentu pędu układu (uogólniona<br />
analiza parcjalna). W przypadku oddziaływań o symetrii sferycznej wygodnie jest przyjąć<br />
układ współrzędnych sferycznych (r, θ, ϕ), w którym oś z jest wyznaczona przez kierunek<br />
pędu cząstki padającej ⃗p.<br />
Wówczas rozwinięcie to sprowadza się do postaci:<br />
F (⃗r) = 1 pr<br />
∞∑<br />
(2l + 1)i l Ψ l (r)P l (cos θ), (1.56)<br />
l=0<br />
gdzie funkcje P l (cos θ) oznaczają wielomiany Legendre’a. Wstawiając (1.56) do (1.53)<br />
otrzymujemy równanie:<br />
[<br />
1 d 2<br />
]<br />
2 dr 2 + p2 l(l + 1)<br />
−<br />
2 2r 2 − V (r) Ψ l (r) = 0, (1.57)<br />
którego rozwiązanie musi spełniać warunek brzegowy [1]:<br />
lim Ψ l(r) = i [<br />
e −i(pr− 1 2 lπ) − S l e i(pr− 1 lπ)] 2 , (1.58)<br />
r→∞ 2<br />
gdzie S l = e 2iδ l<br />
jest elementem macierzy rozpraszania wyrażonym przez przesunięcia<br />
fazowe δ l . Dla potencjałów rzeczywistych opisujących tylko elastyczne rozpraszanie δ l<br />
jest rzeczywiste i |S l | = 1. W przypadku potencjałów zespolonych opisujących ucieczkę<br />
strumienia z kanału elastycznego mamy [1]:<br />
|S l | 1 (1.59)<br />
a przesunięcia fazowe są zespolone<br />
δ l = Re δ l + i Im δ l . (1.60)<br />
Wprowadzając wielkość η l nazywaną czynnikiem absorpcji:<br />
η l = e 2 Im δ l<br />
(1.61)<br />
możemy napisać, że<br />
S l = η l e 2i Re δ l<br />
(1.62)
ROZDZIAŁ 1. ROZPRASZANIE ELEKTRONU NA ATOMIE 14<br />
oraz<br />
0 η l 1 (1.63)<br />
Im δ l 0. (1.64)<br />
Przekroje czynne wyrażają sie w następujący sposób poprzez zespolone przesunięcia fazowe<br />
[1]:<br />
• Różniczkowy przekrój czynny na rozpraszanie elastyczne:<br />
dσ<br />
dΩ = 1<br />
∣ ∣∣∣∣ ∞ ∑<br />
4p 2 (2l + 1)(1 − η l e 2iRe δ l )P l (cos θ)<br />
∣<br />
• Całkowity przekrój czynny na rozpraszanie elastyczne:<br />
l=0<br />
σ el = π p 2<br />
∞ ∑<br />
l=0<br />
• Całkowity przekrój czynny na absorpcję:<br />
σ abs = π p 2<br />
2<br />
, (1.65)<br />
∣<br />
(2l + 1) ∣η l e 2iRe δ l − 1∣ 2 , (1.66)<br />
∞ ∑<br />
l=0<br />
(2l + 1)(1 − η 2 l ) (1.67)<br />
• Całkowity przekrój czynny zawierający zarówno procesy elastyczne jak i nieelastyczne:<br />
σ tot = σ el + σ abs (1.68)<br />
lub<br />
σ tot = 2π<br />
p 2<br />
∞ ∑<br />
l=0<br />
(2l + 1) [1 − η l cos(2Re δ l )] . (1.69)<br />
Zdefiniowane powyżej wielkości są w następnych rozdziałach wyznaczane dla przypadku<br />
rozpraszania elektronów na lekkich atomach gazów szlachetnych.
Rozdział 2<br />
Potencjał absorpcyjny oparty na<br />
modelu prawie swobodnych<br />
elektronów<br />
2.1 Model kwaziswobodnego rozpraszania z blokowaniem Pauliego<br />
Przybliżone wyrażenie na część urojoną lokalnego potencjału zespolonego (potencjał absorpcyjny)<br />
może zostać wyprowadzone przy pomocy pojęcia średniej drogi swobodnej<br />
cząstki padającej przechodzącej przez ośrodek absorpcyjny. W obecnym rozdziale zostanie<br />
umieszczone wspomniane wyprowadzenie.<br />
Jeżeli energia padającej cząstki jest wystarczająco duża, oddziaływanie nie ma praktycznie<br />
wpływu na tor cząstki. Dla potencjałów zespolonych, V = V R + iV I , gdy energia<br />
kinetyczna cząstki padającej E jest dużo większa niż część rzeczywista potencjału V R i<br />
część urojona V I warunek energetyczny może zostać zapisany w następującej postaci:<br />
V I ≪ E − V R (2.1)<br />
Rozwiązanie równania Schrödingera:<br />
[<br />
1<br />
2 ∆ ⃗r + p2<br />
2 − V (⃗r) ]<br />
F (⃗r) = 0 (2.2)<br />
w granicy klasycznej jest dane przez funkcję:<br />
gdzie<br />
F (⃗r) = exp[i<br />
∫ ⃗r<br />
dsκ( ⃗ r ′ )], (2.3)<br />
κ(⃗r) = [2(E − V R (⃗r) − iV I (⃗r))] 1 2 (2.4)<br />
a droga całkowania w (2.3) jest wzięta od punktu ⃗ r ′ wzdłuż linii prostej równoległej do<br />
wektora ⃗p i przechodzącej przez punkt ⃗r. Przybliżona funkcja falowa dana przez (2.3)<br />
15
ROZDZIAŁ 2. POTENCJAŁ ABSORPCYJNY OPARTY NA MODELU PRAWIE<br />
SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 16<br />
nie ma prawidłowej postaci asymptotycznej lecz może reprezentować funkcję falową w<br />
obszarze, w którym potencjał V jest istotny.<br />
W dalszych rozważaniach przydatnym będzie rozdzielenie zespolonej funkcji podcałkowej<br />
w całce po drodze (2.3) na część rzeczywistą i urojoną:<br />
κ(⃗r) = κ R (⃗r) + iκ I (⃗r). (2.5)<br />
Po porównaniu części rzeczywistych i urojonych w (2.4) otrzymujemy układ równań:<br />
κ 2 R − κ 2 I = 2(E − V R )<br />
κ R κ I = −V I . (2.6)<br />
Rozwiązanie tego układu daje:<br />
⎡<br />
κ I = − ⎣−(E − V R ) + (E − V R )<br />
√<br />
1 +<br />
1<br />
2<br />
⎤<br />
VI<br />
2<br />
⎦<br />
(E − V R ) 2<br />
(2.7)<br />
Biorąc pod uwagę warunek (2.1) można dokonać przybliżenia:<br />
√<br />
V 2<br />
I<br />
Powyższe upraszcza wzór (2.7) do postaci:<br />
gdzie<br />
jest lokalną energią kinetyczną cząstki padającej.<br />
Gęstość prawdopodobieństwa<br />
V 2<br />
I<br />
1 +<br />
(E − V R ) 2 ≃ 1 + 1 2 (E − V R ) 2 . (2.8)<br />
κ I (⃗r) = −<br />
V I(⃗r)<br />
, (2.9)<br />
[2T loc (⃗r)] 1 2<br />
T loc (⃗r) = E − V R (⃗r) (2.10)<br />
P (⃗r) = (F (⃗r)) ∗ F (⃗r), (2.11)<br />
znalezienia cząstki w ośrodku absorpcyjnym (np. atomie) wynosi na podstawie (2.3):<br />
P (⃗r) = exp[−2<br />
∫ ⃗r<br />
dsκI ( ⃗ r ′ )]. (2.12)<br />
Z powyższego równania wynika, że P (⃗r) eksponencjalnie zanika wraz z przechodzeniem<br />
cząstek padających przez ośrodek rozpraszający (tarczę). Przedstawione rozważania sugerują,<br />
że urojoną część potencjału można otrzymać ze wzoru (2.9) tj:<br />
V I (⃗r) = −κ I (⃗r)[2T loc (⃗r)] 1 2 . (2.13)<br />
Model umożliwiający uzyskanie κ I zakłada, że atom może być potraktowany jako zbiór<br />
elektronów lokalnie formujących nieoddziałujący gaz Fermiego z gęstością cząstek daną<br />
przez ϱ(⃗r) (jak na przykład w modelu Thomasa-Fermiego dla dużych atomów).
ROZDZIAŁ 2. POTENCJAŁ ABSORPCYJNY OPARTY NA MODELU PRAWIE<br />
SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 17<br />
Stan podstawowy atomu jest tworzony z elektronów, znajdujących się w każdym punkcie<br />
⃗r, posiadających lokalny pęd o wartościach o zera do maksymalnej wartości k F zwanej<br />
pędem Fermiego.<br />
W związku z założeniem, że wszystkie stany aż do k F są obsadzone, wartość k F można<br />
otrzymać z relacji:<br />
k F = [3π 2 ϱ(⃗r)] 1 3 . (2.14)<br />
Miara tego jak daleko padające cząstki przechodzą przez atom może być wyrażona przez<br />
efektywną średnią drogę swobodną λ. Dla jednolitego ośrodka, λ jest zdefiniowane jako<br />
długość drogi po której gęstość prawdopodobieństwa P (⃗r) cząstek poruszających się w<br />
ośrodku absorpcyjnym jest zmniejszona o czynnik e −1 . Z równania (2.12) wynika:<br />
κ I (⃗r) = 1<br />
2λ(⃗r) . (2.15)<br />
Średnia droga swobodna w nieoddziałującym gazie Fermiego jest dana przez:<br />
λ(⃗r) =<br />
1<br />
ϱ(⃗r)σ b (⃗r) , (2.16)<br />
gdzie σ b (⃗r) jest średnim (binarnym) przekrojem czynnym na rozproszenie cząstki padającej<br />
na pojedynczej cząstce w ośrodku rozpraszającym. Podstawienie (2.15) i (2.16) do<br />
(2.13) daje w wyniku:<br />
V I (⃗r) = − 1 √<br />
2<br />
ϱ(⃗r)σ b (⃗r)[T loc (⃗r)] 1 2 . (2.17)<br />
Ostatnie wyrażenie jest szeroko stosowane w fizyce jądrowej [27, 28]. Zaprezentowane<br />
powyżej rozważania sugerowały, że część urojona potencjału optycznego może być otrzymana<br />
ze wzoru (2.17). Goldberger [27] zaprezentował metodę, opartą na fizycznym modelu<br />
zasugerowanym przez Serbera [28], obliczenia średniego dwucząstkowego przekroju<br />
czynnego poprzez potraktowanie tarczy jako zdegenerowany gaz Fermiego. Model zaprezentowany<br />
przez Goldbergera jest często nazywany modelem frywolnym aby podkreślić<br />
prostotę modelu wynikającą z zaniedbania efektów wielociałowych.<br />
2.2 Blokowanie Pauliego<br />
Ważnym elementem w tym modelu jest rola zasady Pauliego ograniczająca dostępną<br />
przestrzeń pędów dla produktów zderzeń dwucząstkowych. Model ten wprowadzony do<br />
fizyki jądrowej został zaadoptowany i zastosowany w fizyce atomowej [14]. Został nazwany<br />
modelem kwaziswobodnego rozpraszania z blokowaniem Pauliego aby podkreślić, że<br />
różniczkowy przekrój czynny na zderzenia binarne jest liczony tak jakby tarcza (atom)<br />
składała się ze swobodnych cząstek a zasada Pauliego była spełniona. W literaturze<br />
do określenia modelu często używany jest skrót QFSM (quasifree scattering model). W
ROZDZIAŁ 2. POTENCJAŁ ABSORPCYJNY OPARTY NA MODELU PRAWIE<br />
SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 18<br />
dalszych częściach pracy model kwaziswobodnego rozpraszania będzie czasami skrótowo<br />
nazywany modelem kwaziswobodnym lub frywolnym. Zgodnie z modelem, absorpcja<br />
strumienia z kanału elastycznego ma miejsce wtedy gdy elektron tarczy a także elektron<br />
padający znajdują się na zewnątrz morza Fermiego po zderzeniu binarnym.<br />
2.3 Założenia modelu<br />
Oznaczmy przez ⃗p i ⃗ k odpowiednio pęd padającego elektronu i elektronu tarczy przed<br />
zderzeniem binarnym a przez ⃗p ′ i ⃗ k ′ pędy po zderzeniu. Warunki wynikające z blokowania<br />
Pauliego przed zderzeniem mogą zostać zapisane jako:<br />
| ⃗ k| k F (2.18)<br />
(elektron tarczy jest wewnątrz morza Fermiego) a po zderzeniu:<br />
⃗p ′2 k 2 F (2.19)<br />
⃗ k<br />
′2<br />
k 2 F + 2∆, (2.20)<br />
gdzie ∆ jest przerwą energetyczną pomiędzy stanem podstawowym tarczy a najniższym<br />
wzbudzonym stanem elektronowym (oba zderzające się elektrony są na zewnątrz morza<br />
Fermiego). Z nierówności (2.20) wynika dodatkowy warunek, że końcowa energia pierwotnie<br />
związanego elektronu musi przekroczyć energię najwyższego obsadzonego stanu<br />
elektronowego przynajmniej o przerwę energetyczną ∆.<br />
Aby otrzymać średni całkowity przekrój czynny na zderzenia binarne trzeba uśrednić<br />
różniczkowy przekrój czynny dla dwóch zderzających się cząstek po dozwolonych obszarach<br />
pędu cząstki, która jest aktualnie związana i wycałkować po kącie bryłowym wokół<br />
pędu końcowego cząstki padającej określonego w układzie środka masy zderzających się<br />
cząstek. Dla wygody prezentacji wyników w układzie labolatoryjnym jest wskazane zamienić<br />
element kąta bryłowego na trójwymiarowy element objętości w przestrzeni pędów<br />
[27]. Prowadzi to do formuły:<br />
σ b (k F , p) = 1 p<br />
∫<br />
∫<br />
d ⃗ kN( ⃗ k, k F )|⃗p − ⃗ k|<br />
d⃗g dσ b(p 0 , ̂p 0 · ̂p f )<br />
dΩ<br />
1<br />
δ(p 0 − p f )Θ(p ′ , k ′ , k F ), (2.21)<br />
p 2 0<br />
gdzie N( ⃗ k, k F ) jest gęstością elektronów tarczy w przestrzeni pędów, ⃗p 0 i ⃗p f oznaczają<br />
odpowiednio początkowy i końcowy pęd padającego elektronu w układzie środka masy<br />
podukładu elektron-elektron, ⃗g jest przekazem pędu:<br />
⃗g = ⃗p − ⃗p ′ = ⃗p f − ⃗p 0 , (2.22)<br />
dσ b<br />
dΩ<br />
jest różniczkowym przekrojem czynnym na binarne zderzenie a Θ jest funkcją, która<br />
jest jedynką dla dozwolonych ze względu na zasadę Pauliego końcowych stanów zderzeń
ROZDZIAŁ 2. POTENCJAŁ ABSORPCYJNY OPARTY NA MODELU PRAWIE<br />
SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 19<br />
binarnych a zerem dla stanów zabronionych.<br />
Dla kwazizdegenerowanego gazu Fermiego mamy:<br />
⎧<br />
⎪⎨<br />
N( ⃗ N k (k F ), k k F<br />
k, k F ) =<br />
⎪⎩ 0, k > k F ,<br />
(2.23)<br />
gdzie<br />
N k (k F ) = 3<br />
4πkF<br />
3 (2.24)<br />
co jest w zgodności z (2.18). Funkcja Θ gwarantuje spełnienie warunków określonych<br />
przez (2.19) oraz (2.20) a jest dana przez:<br />
gdzie H(x) jest funkcją Heaviside’a.<br />
Θ(p ′ , k ′ , k F ) = H(k ′2 − k 2 F − 2∆)H(p ′ − k F ), (2.25)<br />
Różniczkowy przekrój czynny na kulombowskie rozpraszanie dwóch naładowanych cząstek<br />
dany jest wzorem Rutherforda [1], który w układzie laboratoryjnym przyjmuje postać<br />
[29]<br />
Wstawiając to wyrażenie do wzoru (2.21) otrzymujemy<br />
σ b (k F , p) = 2 p<br />
∫<br />
∫<br />
d ⃗ kN( ⃗ k, k F )|⃗p − ⃗ k|<br />
dσ b<br />
dΩ = 2 g 4 . (2.26)<br />
d⃗g 1 1<br />
g 4 p 2 δ(p 0 − p f )Θ(p ′ , k ′ , k F ). (2.27)<br />
0<br />
Zadanie na tym etapie sprowadza się do policzenia całek występujących w powyższym<br />
wyrażeniu. Jak wspomniano we wstępie szczegółowe i żmudne obliczenia prowadzące do<br />
ostatecznej postaci potencjału absorpcyjnego znajdują się w dodatku A.<br />
Model potencjału absorpcyjnego opartego na wzorze (2.27) nazywanym modelem<br />
oryginalnym.<br />
2.4 Przybliżenie bocznego rozpraszania (sideways approximation)<br />
Wzór Rutherforda użyty w powyższym modelu opisuje rozpraszanie kulombowskie cząstek<br />
rozróżnialnych. Dla rozpraszania elektronów powinniśmy użyć formuły Motta [1],<br />
lecz prowadzi to do skomplikowanej poprawki zależnej od energii i kątów. Z powodu<br />
zasady Pauliego rozpraszanie do przodu nie jest możliwe a dla małych kątów mało prawdopodobne,<br />
więc szukamy dobrego przybliżenia dla rozpraszania pod większymi kątami.<br />
Efekt kwantowy dla θ = π 2<br />
redukuje różniczkowy przekrój czynny o czynnik 2 dla wszystkich<br />
energii [1]. Przybliżenie bocznego rozpraszania (sideways approximation) polega na<br />
podzieleniu wzoru Rutherforda przez 2. Model oryginalny wprowadzony w pracy [14]<br />
został omyłkowo nazwany modelem bocznego rozpraszania mimo, że przybliżenie to nie<br />
zostało w tej pracy zastosowane [17].
Rozdział 3<br />
Modyfikacje potencjału<br />
absorpcyjnego opartego na modelu<br />
prawie swobodnych elektronów<br />
W bieżącym rozdziale zostaną przedstawione niektóre znane z literatury nieempiryczne<br />
modyfikacje potencjału absorpcyjnego opartego na modelu prawie swobodnych elektronów<br />
[15, 16, 17, 18, 19].<br />
3.1 Ogólna postać modelu frywolnego<br />
W rozdziale pierwszym pokazano, że redukcja problemu rozpraszania cząstki na złożonym<br />
ośrodku (w naszym przypadku jest to obojętny elektrycznie atom) prowadzi do wprowadzenia<br />
pojęcia potencjału optycznego. W przypadku rozpraszania elastycznego potencjał<br />
optyczny jest nielokalnym, zależnym od energii operatorem. Operator ten jest niehermitowski<br />
dla energii powyżej progu wzbudzenia. Nielokalny operator chcemy przybliżyć<br />
lokalnym potencjałem efektywnym, przy pomocy którego można otrzymać w przybliżeniu<br />
tę samą macierz rozpraszania. W rozdziale drugim przedstawiono lokalny potencjał<br />
absorpcyjny oparty na modelu prawie swobodnych elektronów [14]. Potencjał ten dobrze<br />
opisuje absorpcję strumienia z kanału elastycznego, lecz zaniża wartości różniczkowych<br />
przekrojów czynnych dla dużych kątów rozpraszania. Z tego też względu potencjał ten<br />
doczekał się kilku ulepszeń i modyfikacji.<br />
Na początek przypomnijmy założenia oryginalnego modelu wyprowadzonego w poprzednim<br />
rozdziale. Wyprowadzając kwaziswobodny model potencjału absorpcyjnego<br />
potraktowaliśmy stan podstawowy atomu jako kwaziswobodny zdegenerowany gaz Fermiego.<br />
Założyliśmy również, że wszystkie stany gazu Fermiego są zajęte aż do energii<br />
20
ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />
MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 21<br />
Fermiego danej przez:<br />
E F = k2 F<br />
2 , gdzie k F = (3π 2 ϱ) 1 3 .<br />
Elektron padający o początkowym pędzie ⃗p przechodząc przez gaz zderza się z elektronem<br />
tarczy o pędzie ⃗ k. Poprzednie założenie o zajętości stanów gazu jest spełnione gdy:<br />
k 2 k 2 F .<br />
Zakładamy także, że nieelastyczne procesy w zderzeniu elektron-atom są opisywane przez<br />
zderzenia binarne elektron-elektron, które powodują, że elektron padający i tarczy znajdą<br />
się po zderzeniu poza kulą Fermiego (poza stanem podstawowym), tylko takie procesy<br />
mają wkład do potencjału absorpcyjnego. Założenia powyższe można zapisać jako [15]:<br />
k ′ 2 α , α > k 2 F , (3.1)<br />
p ′ 2 β , β k 2 F , (3.2)<br />
gdzie ⃗ k ′ and ⃗p ′ są końcowymi pędami odpowiednio elektronu tarczy i rozproszonego.<br />
Warto w tym miejscu zauważyć, że α musi być większe od energii Fermiego o pewną<br />
wartość (dla rozpraszania na potencjale Coulomba wybór α = β = k 2 F<br />
prowadzi do nieskończonych<br />
przekrojów czynnych [14]). W [14] ta wartość została określona jako przerwa<br />
energetyczna, ∆, pomiędzy najwyżej obsadzonym orbitalem w stanie podstawowym tarczy<br />
a najniższym nieobsadzonym orbitalem.<br />
Wszystkie ostatnio dyskutowane w literaturze wersje kwaziswobodnego modelu potencjału<br />
absorpcyjnego (modelu frywolnego) mogą być zapisane w postaci:<br />
V A<br />
f (⃗r, E) = − 1 2 C(E)˜ϱ(⃗r) u(⃗r, E) ¯σ b(k F (ϱ(⃗r)), ˜p) , (3.3)<br />
gdzie C(E) jest zależnym od energii czynnikiem skalującym, a u jest lokalną prędkością<br />
elektronu padającego:<br />
u(⃗r, E) = [2(E − V SE )] 1/2 . (3.4)<br />
W zależności od modelu ˜ϱ jest gęstością elektronową tarczy lub efektywną gęstością elektronową<br />
tarczy na jednostkę objętości, ˜p równa się początkowemu lub lokalnemu pędowi<br />
elektronu rozproszonego, ¯σ b jest średnim przekojem czynnym na zderzenia, których nie<br />
wyklucza zasada Pauliego. Wielkości : C(E), ˜ϱ, ˜p, ¯σ b , α, and β zostaną określone dla<br />
każdego modelu. Jak pokazano w dodatku A uśrednienie przekroju czynnego Rutherforda<br />
przy uwzględnieniu warunków (3.1), (3.2) prowadzi do [15]:<br />
gdzie<br />
¯σ b = ¯σ R =<br />
[<br />
4π 5k<br />
3<br />
5kF 3 H(γ) F<br />
˜p2 α − kF<br />
2<br />
− k3 F [5(˜p2 − β) + 2k 2 F ]<br />
(˜p 2 − β) 2<br />
+ H(α + β − ˜p 2 ) 2(α + β − ˜p2 ) 5/2 ]<br />
(˜p 2 − β) 2 , (3.5)<br />
γ = ˜p 2 + k 2 F − α − β (3.6)
ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />
MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 22<br />
a H jest jednostkową funkcją schodkową Heaviside’a. Z powyższej zależności wynika, że<br />
γ zależy od warunków (3.1) oraz (3.2). Potencjał jest ciągły kiedy γ=0 (dla ˜p 2 = α + β-<br />
k 2 F<br />
wyrażenie w nawiasach kwadratowych we wzorze (3.5) jest równe zeru). Ponadto,<br />
aby potencjał absorpcyjny był równy zeru poniżej energii wzbudzenia ∆ i różny od zera<br />
powyżej tej energii, musi zachodzić:<br />
[<br />
]<br />
min α(⃗r, E) + β(⃗r, E) − kF 2 (⃗r) = 2∆<br />
[⃗r]<br />
lub<br />
[<br />
]<br />
min ˜p 2 (⃗r, E) − γ(⃗r, E) = 2∆.<br />
[⃗r]<br />
3.2 Oryginalny model frywolny<br />
Oryginalny model potencjału absorpcyjnego przedstawiony w rozdziale drugim będzie<br />
oznaczony jako Vfo A . Można go uzyskać przez podstawienie w równaniu (3.3) następujących<br />
funkcji:<br />
C(E) = 1,<br />
˜ϱ(⃗r) = ϱ(⃗r),<br />
˜p = p, (3.7)<br />
α = kF 2 + 2∆<br />
β = kF 2 .<br />
3.3 Frywolny model potencjału wersja 2 i 3<br />
Badania przeprowadzone nad wpływem kształtu potencjału absorpcyjnego na różniczkowe<br />
przekroje czynne pokazały, że oryginalny frywolny potencjał jest za głęboki dla<br />
małych wartości r i nie wystarczająco głęboki dla dużych r [15]. Biorąc to pod uwagę<br />
autorzy pracy [15] zaproponowali dwie modyfikacje oryginalnego potencjału polegające<br />
na zmianie funkcji α oraz β.<br />
3.3.1 Wersja 2<br />
Na model oznaczony tutaj jako, Vfv2 A , składają się następujące funkcje:<br />
α = k 2 F + ∆ − 2V SE ,<br />
β = α . (3.8)
ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />
MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 23<br />
3.3.2 Wersja 3<br />
Model, który oznaczmy jako Vfv3 A , charakteryzuje się następującymi funkcjami:<br />
α = k 2 F + 2[∆ − (I − ∆)] − V SE ,<br />
β = k 2 F + 2(I − ∆) − V SE , (3.9)<br />
gdzie I jest potencjałem jonizacyjnym.<br />
3.4 Model frywolny potencjału z przybliżeniem bocznego rozpraszania<br />
Jak wspomniano w paragrafie 2.4 dla nierozróżnialnych cząstek rozpraszanie do przodu<br />
i duża część rozpraszania pod małymi kątami jest wykluczona przez zasadę Pauliego.<br />
Dla kąta rozpraszania θ = π/2 efekt kwantowy redukuje różniczkowe przekroje czynne<br />
o czynnik 2 dla wszystkich energii [1]. Przybliżenie bocznego rozpraszania (sideways approximation)<br />
polegające na podzieleniu wzoru Rutherforda przez 2 dla wszystkich kątów<br />
i energii zostało zaproponowane w pracy [14]. Potencjał absorpcyjny w tym przybliżeniu<br />
jest dany jako:<br />
V A<br />
fs<br />
= 1 2 V A<br />
fo . (3.10)<br />
3.5 Przeskalowany model frywolny<br />
W pracy [16], Raj i Kumar zauważyli, że wybór czynnika C(E) = 2/ √ E prowadzi do<br />
poprawy różniczkowych przekrojów czynnych dla dużych kątów. Potencjał absorpcyjny<br />
tych autorów ma postać:<br />
V A<br />
fr = 2 √<br />
E<br />
V A<br />
fo . (3.11)<br />
3.6 Model frywolny z poprawkami<br />
Blanco i Garcia zaproponowali kilka poprawek modelu frywolnego. Rozważymy trzy z<br />
nich. Oznaczmy je jako Vfc1 A [17], V fc2 A [18], and V<br />
A<br />
fc3 [19].<br />
3.6.1 Potencjał V A<br />
fc1<br />
W pracy [17], wzór Rutherforda dla rozpraszania binarnego elektron-elektron został uzupełniony<br />
przez główny wkład do wyrazu opisującego kwantową interferencję w formule<br />
Motta pochodzący od kąta rozpraszania θ = π 2<br />
. Doprowadziło to do:<br />
¯σ b = ¯σ R + ¯σ c , (3.12)
ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />
MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 24<br />
gdzie<br />
a f δ jest przybliżona [17] przez<br />
¯σ c = − 4<br />
π ˜p˜ϱ H(γ)[ f δ (k F /˜p) − f δ (H(δ)δ 1/2 ) ] (3.13)<br />
gdzie<br />
oraz<br />
f δ (x) = 1 (1 − δ)x(1 − x)−1<br />
4<br />
+ 1<br />
16 (11 − x + (x − 3) δ) ln (1 − x) + (a 1 − δb 1 )x + (a 2 − δb 2 )x 2 , (3.14)<br />
δ = (α + β − ˜p 2 )/˜p 2 (3.15)<br />
a 1 = 0.4353 , a 2 = 0.01233 ,<br />
b 1 = −0.1084 , b 2 = 0.05691 .<br />
Po podstawieniu (3.12) i (A.80) do (3.3) dostajemy potencjał, w którym do oryginalnego<br />
modelu frywolnego została dodana poprawka:<br />
Zmodyfikowany potencjał ma postać<br />
V A<br />
c = − 1 2 ϱ(⃗r)u(⃗r, E)¯σ c.<br />
V A<br />
fc1 = V A<br />
fo + V A<br />
c (3.16)<br />
a pozostałe wielkości charakteryzujące model dane są poprzez (3.7).<br />
3.6.2 Potencjał V A<br />
fc2<br />
W pracy [18], autorzy dokonali dalszych modyfikacji podejścia przedstawionego w pracy<br />
[17] poprzez wzięcie pod uwagę faktu ekranowania wewnętrznych elektronów poprzez<br />
zewnętrzne. Zmodyfikowano także założenia poprzez zastąpienie oryginalnych warunków<br />
blokowania Pauliego dla rozpraszania elektronów przez warunki symetryczne. Powyższe<br />
prowadzi do następujących wyrażeń na potencjał absorpcyjny:<br />
gdzie czynnik ekranujący:<br />
jest wyrażony przez ”głębokość optyczną”<br />
V A<br />
fc2(r) = V A (r)C scr (r), (3.17)<br />
C scr (r) = e λ 0(r) , (3.18)<br />
gdzie<br />
∫∞<br />
λ 0 (r) = 2<br />
r<br />
V A (t)/u(t) dt, (3.19)<br />
V A (r) = V A<br />
fc1(r) (3.20)
ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />
MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 25<br />
przy czym<br />
α = β = kF 2 + ∆ . (3.21)<br />
W praktyce, w pierwszym kroku wyznacza się potencjał V A (r) ze wzoru (3.20) z warunkami<br />
blokowania Pauliego w postaci (3.21). W następnym kroku otrzymuje się czynnik<br />
ekranujący C scr (r) przez numeryczne wykonanie całki występującej we wzorze (3.19).<br />
Końcowe wyrażenie na potencjał absorpcyjny dostaje się ze wzoru (3.17).<br />
Należy tu pokreślić, że potencjał V A (r) mógłby być przybliżony przy pomocy innego<br />
modelu niż ten dany wzorem (3.20).<br />
3.6.3 Potencjał V A<br />
fc3<br />
W pracy [19] zostało wprowadzonych kilka dalszych modyfikacji. ”Głębokość optyczna”<br />
została ustalona bardziej realistycznie. Jako ˜p położono lokalny pęd u. Powoduje to, że<br />
powolny padający elektron pod wpływem potencjału atomowego, V (r), doznaje przyśpieszenia<br />
i spełniając ograniczenia Pauliego jest w stanie usunąć z kanału elastycznego<br />
nawet bardzo ciasno związany elektron wewnętrzny. Aby tego uniknąć autorzy proponują<br />
aby oryginalny warunek blokowania Pauliego zastąpić nowym: rozpraszanie nieelastyczne<br />
jest wykluczone jeżeli energia kinetyczna padającego elektronu jest niższa niż energia<br />
wiązania elektronu w atomie. Energia wiązania została w tym modelu przybliżona przez<br />
potencjał wiązania, który zdefiniowano jako średni potencjał V b (r) działający na każdy<br />
elektron atomowy wytwarzany przez jądro o ładunku Z oraz pozostałe elektrony<br />
V b (r) = Z − 1<br />
Z V (r) − 1 r .<br />
Gęstość elektronowa ϱ(r) została zastąpiona przez efektywną gęstość elektronową ϱ eff (r)<br />
daną wzorem:<br />
gdzie ϱ sat = 1 λ 3<br />
oznacza maksymalną gęstość elektronową tarczy, z którą padający elektron<br />
o lokalnej długości fali 2π u<br />
może oddziaływać. Założenia te doprowadziły do następujących<br />
formuł:<br />
ϱ eff (r) = ϱ sat (1 − e −ϱ/ϱ sat<br />
), (3.22)<br />
V A<br />
fc3(r) = V A<br />
fc2(r) (3.23)<br />
czyli postać potencjału w tym modelu jest też dana wzorem (3.17) ale<br />
λ 0 =<br />
∫∞<br />
r<br />
2V A (t) t<br />
u(t) (t 2 − r 2 dt, (3.24)<br />
) 1/2<br />
˜p = u, (3.25)<br />
γ = E + V b − ∆, (3.26)<br />
˜ϱ = ϱ eff (3.27)
ROZDZIAŁ 3. MODYFIKACJE POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO OPARTEGO NA<br />
MODELU PRAWIE SWOBODNYCH ELEKTRONÓW 26<br />
We wspomnianej publikacji [19] podano także uproszczoną wersję V A<br />
fc3s potencjału<br />
Vfc3 A . Uproszczona wersja opiera się na fakcie, że niektóre wyrazy występujące w V<br />
A<br />
fc3 są<br />
zaniedbywalne.
Rozdział 4<br />
Test nieempirycznych modeli<br />
potencjałów efektywnych, elastyczne<br />
rozpraszanie elektronów na atomach<br />
neonu<br />
W poprzednim rozdziale zostały przedstawione modyfikacje nieempirycznego potencjału<br />
absorpcyjnego opartego na modelu kwazi-swobodnego rozpraszania. Obecnie, przedstawione<br />
potencjały zostaną poddane ocenie poprzez porównanie obliczonych przekrojów<br />
czynnych z wynikami doświadczalnymi. Potencjały zostały przetestowane przez obliczenie<br />
średniego błędu bezwzględnego przekrojów czynnych na zbiorze 282 danych eksperymentalnych<br />
dla elastycznego rozpraszania elektronów na obojętnym elektrycznie atomie<br />
neonu w zakresie energii 20-3000 eV.<br />
Jak przedstawiono w paragrafie 1.6 aby otrzymać przekroje czynne należy obliczyć<br />
zespolone parcjalne przesunięcia fazowe, δ l dla liczb kwantowych, l, orbitalnego momentu<br />
pędu elektronu padającego, z równania:<br />
[ 1 d 2 l(l + 1)<br />
+ E −<br />
2 dr2 2r 2 − V (r, E)<br />
]Ψ l (r) = 0, E = p2<br />
2 , (4.1)<br />
gdzie V (r, E) oznacza przybliżony, lokalny, zależny od energii zespolony potencjał optyczny,<br />
E jest energią elektronu padającego a p jego pędem. Przypominamy, że potencjał<br />
V (r, E) można zapisać w następującej postaci:<br />
V (r, E) = V S (r) + V E (r, E) + V P (r, E) + iV A (r, E) , (4.2)<br />
gdzie część rzeczywista (4.2) składa się z potencjału statycznego V S , wymiennego V E<br />
i polaryzacyjnego V P a część urojona jest potencjałem absorpcyjnym V A . We wszystkich<br />
przeprowadzonych testach użyto tych samych potencjałów statycznego i wymiennego<br />
[30, 31]. Potencjał statyczny został otrzymany z dopasowania do wyników obliczeń<br />
27
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 28<br />
Hartee-Focka. Nielokalny potencjał wymienny przybliżono lokalnym potencjałem przy<br />
pomocy półklasycznego wyrażenia będącego funkcją gęstości Hartree-Focka oraz statycznego<br />
potencjału Hartree-Focka<br />
V E (r, E) = 1 [ E − V S (r) ] − 1 {[ E − V S (r) ] 2 + η 2 (r) } 1/2 , (4.3)<br />
2<br />
2<br />
gdzie η(r) = 4πϱ(r), a ϱ(r) jest gęstością elektronową atomu tarczy. Lokalne półklasyczne<br />
przybliżenie do potencjału wymiennego dane wzorem (4.3) było wielokrotnie testowane<br />
przez porównanie z dokładnym, nielokalnym potencjałem wymiennym Hartree-Focka.<br />
Pokazano, że dla energii powyżej progu wzbudzenia wyrażenie (4.3) daje bardzo dobrą<br />
zgodność z dokładnym podejściem do potencjału wymiennego [32, 33, 34, 35]. Dla<br />
rozpraszania e-Ne wielkości V S i ϱ zostały wzięte z pracy [31].<br />
4.1 Potencjały polaryzacyjne<br />
Wprowadźmy teraz trzy modele potencjału polaryzacyjnego stosowane do obliczeń.<br />
4.1.1 Potencjał typu Buckingham<br />
Blanco and García zastosowali potencjał polaryzacyjny typu Buckingham [36]:<br />
V P<br />
b =<br />
α d<br />
2(r 2 + r 2 co) 2 , (4.4)<br />
gdzie α d jest atomową polaryzowalnością dipolową a r co jest parametrem obcięcia potencjału<br />
(ang. cut-off parameter). Użycie tego typu potencjału w obliczeniach oznaczono<br />
indeksem b.<br />
4.1.2 Adiabatyczny potencjał polaryzacyjny Hartree-Fock’a<br />
Następnym użytym w obliczeniach modelem potencjału polaryzacyjnego jest adiabatyczny<br />
potencjał Hartree-Fock’a dany wzorem:<br />
V P<br />
a = 〈Ψ|(H A + V )|Ψ〉 − 〈Φ 0 |(H A + V )|Φ 0 〉, (4.5)<br />
gdzie H A jest Hamiltonianem atomu a V jest operatorem oddziaływania elektron-atom.<br />
Poprzez Φ 0 i Ψ oznaczono funkcje falowe Hartree-Fock’a stanu podstawowego atomu i<br />
całego układu (tj. elektron plus atom), odpowiednio. Całkowanie w powyższym wzorze<br />
obejmuje współrzędne elektronów atomu ∗ . Użycie tego typu potencjału w obliczeniach<br />
zaznaczono indeksem a.<br />
∗ Zachowano tutaj konsekwentnie oznaczenia z pierwszego rozdziału.
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 29<br />
4.1.3 Przybliżona relacja dyspersyjna<br />
W obliczeniach użyto także potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z potencjału absorpcyjnego<br />
poprzez zastosowanie przybliżonej postaci relacji dyspersyjnej:<br />
V P<br />
d<br />
= 1 ∫∞<br />
π P<br />
V A (r, E ′ )<br />
E ′ − E dE′ , (4.6)<br />
ε 1<br />
gdzie P oznacza wartość główną całki a ε 1 jest energią najniższego wzbudzonego stanu<br />
elektronowego. Użycie relacji dyspersyjnej do uzyskania potencjału polaryzacyjnego<br />
odnotowano jako indeks d (symbol użytego potencjału absorpcyjnego).<br />
W dalszej części rozdziału zostaną także zaprezentowane wyniki obliczeń, w których<br />
potencjał polaryzacyjny położono równy zeru. Fakt ten jest odnotowany jako ”−” w<br />
miejscu symbolu potencjału polaryzacyjnego.<br />
4.2 Potencjały absorpcyjne<br />
Do obecnie opisywanych obliczeń zastosowano następujące potencjały absorpcyjne:<br />
4.2.1 Wersje modelu frywolnego<br />
Omówione w poprzednim rozdziale wersje potencjału absorpcyjnego opartego na modelu<br />
prawie swobodnych elektronów:<br />
• Oryginalny model frywolny potencjału absorpcyjnego, V A<br />
fo ,<br />
• Model frywolny potencjału wersja 2, V A<br />
fv2 ,<br />
• Model frywolny potencjału wersja 3, V A<br />
fv3 ,<br />
• Model frywolny potencjału z przybliżeniem bocznego rozpraszania, V A<br />
fs ,<br />
• Przeskalowany model frywolny, V A<br />
fr ,<br />
• Modele frywolne z poprawkami, V A<br />
fc1 , V A<br />
fc2 , V A<br />
fc3 oraz V A<br />
fc3s .<br />
4.2.2 Potencjał V A<br />
g<br />
Green’a, Rio i Uedy<br />
Dla porównania wykonano też obliczenia z empirycznym zależnym od energii potencjałem<br />
absorpcyjnym zaproponowanym przez Greena wraz z współpracownikami w pracy [37].<br />
Autorzy przedstawili zależny od energii potencjał absorpcyjny w postaci:<br />
gdzie<br />
V A<br />
g (r, E) = −W (E) [Y 1 (r) − Y 2 (r)] , (4.7)<br />
W (E) = s 3 E −1 ln [s 4 (E/ε 1 − 1) s 5<br />
+ 1] , (4.8)<br />
Y i (r) = r −1 exp (−r/s i ) (4.9)
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 30<br />
a s 1 , . . . , s 5 są parametrami dopasowanymi do doświadczalnych wartości absorpcyjnych<br />
przekrojów czynnych dla zderzenia e-Ne.<br />
4.2.3 Pominięcie potencjału absorpcyjnego<br />
Podobnie jak dla to miało miejsce dla potencjału polaryzacyjnego zbadano również jak<br />
na wynik wpłynie zaniedbanie potencjału absorpcyjnego.<br />
4.3 Funkcja błędu<br />
Wszystkie rozważane modele potencjałów zostały ocenione przez obliczenie średniego<br />
błędu bezwzględnego (SBB), ∆ cs (cs od cross section), na zbiorze doświadczalnych wartości<br />
przekrojów czynnych dla rozpraszania elektronu na atomie neonu. Dla odróżnienia<br />
od teoretycznych oznaczmy przy pomocy tyldy doświadczalne wartości przekrojów czynnych.<br />
Zbiór składa się z elastycznych, ˜σ el , absorpcyjnych, ˜σ abs i różniczkowych, d˜σ<br />
dΩ , przekrojów<br />
czynnych zmierzonych dla wielu energii. Przekroje czynne ze wskaźnikami j, np.<br />
˜σ j el , oznaczają dane dla j-tej energii. Należy wziąć pod uwagę to, że dla pewnych energii<br />
nie wszystkie typy przekrojów czynnych są zmierzone. Ze względu na relację (1.68)<br />
˜σ tot<br />
j<br />
= ˜σ el<br />
j<br />
+ ˜σ abs<br />
j<br />
jeden z tych trzech przekrojów czynnych może być wyznaczony na podstawie znajomości<br />
pozostałych dwóch, o ile są dostępne dla danej energii.<br />
Do opisu zbioru danych doświadczalnych wprowadzamy następujące oznaczenia:<br />
• N e - liczba energii dla których były dostępne wyniki pomiarów,<br />
• N j - liczba przekrojów czynnych wszystkich typów dla j-tej energii elektronu padającego,<br />
• N diff<br />
j<br />
• N abs<br />
e<br />
- liczba różniczkowych przekrojów czynnych dla j-tej energii,<br />
- liczba energii dla których dane są przekroje czynne na absorpcję,<br />
• N el<br />
e<br />
- liczba energii dla których dane są przekroje czynne na rozpraszanie elastyczne,<br />
• N diff<br />
e<br />
- liczba energii dla których dane są różniczkowe przekroje czynne,<br />
• ˜σ α j<br />
- przekrój czynny ˜σel j lub ˜σ j<br />
abs (α=el lub abs).
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 31<br />
Dla j-tej energii liczba N j może przyjmować następujące wartości:<br />
⎧<br />
1, jeśli jedno z ˜σ α j<br />
jest dostępne,<br />
2, jeśli dwa z ˜σ j α są dostępne,<br />
⎪⎨<br />
N j = Nj diff , jeżeli tylko d˜σ(j)<br />
dΩ<br />
są dostępne,<br />
(4.10)<br />
Nj diff + 1, jeśli d˜σ(j)<br />
dΩ oraz jeden z ˜σα j są dostępne,<br />
⎪⎩ Nj diff + 2, jeżeli d˜σ(j)<br />
dΩ oraz dwa z ˜σα j są dostępne.<br />
Wspomniany średni błąd bezwzględny, ∆ cs , dany jest jako:<br />
gdzie<br />
∆ cs = 1 [ ∑ Ne 1 ( dσ ∆<br />
N e N<br />
j=1 j dΩ (j) + ∆σ(j))] , (4.11)<br />
∆ dσ<br />
N diff<br />
j∑<br />
dΩ (j) = dσ(j)<br />
∣ dΩ (θ i)− d˜σ(j)<br />
dΩ (θ i)<br />
∣ , (4.12)<br />
i=1<br />
oznacza sumę błędów bezwzględnych różniczkowych przekrojów czynnych dla j-tej energii,<br />
⎧<br />
0, jeśli tylko d˜σ(j)<br />
dΩ<br />
są dostępne,<br />
⎪⎨<br />
∆σ(j)= ∆σj<br />
el + ∆σabs j , jeśli ˜σ j<br />
el i ˜σ j<br />
abs są dostępne,<br />
(4.13)<br />
⎪⎩ ∆σj α , α= abs lub el jeżeli tylko jedno z ˜σα j jest dostępne<br />
oznacza sumę błędów bezwzględnych całkowitych przekrojów czynnych dla j-tej energii<br />
a ∆σj α = |σα j − ˜σα j | jest błędem bezwzględnym pojedynczego przekroju czynnego. Zostały<br />
również obliczone średnie błędy bezwzględne dla każdego rodzaju przekrojów czynnych:<br />
∆ diff =<br />
∆ α = 1<br />
N α e<br />
N<br />
1<br />
e∑<br />
diff<br />
Ne<br />
diff<br />
j=1<br />
N<br />
∑e<br />
α<br />
j=1<br />
1<br />
N diff<br />
j<br />
∆ dσ (j) , (4.14)<br />
dΩ<br />
|σ α j − ˜σ α j |, (4.15)<br />
gdzie α = el, abs. Zbiór danych doświadczalnych składa się z 282 wartości przekrojów<br />
czynnych dla N e = 20 energii elektronu padającego zawartych w przedziale od 20 do<br />
3000 eV. Liczba ta zawiera N abs<br />
e = 18, absorpcyjnych przekrojów czynnych, N el<br />
e =<br />
17, elastycznych przekrojów czynnych oraz 247 różniczkowych przekrojów czynnych dla<br />
N diff<br />
e = 15 w zakresie kątów od 3 do 150 stopni. Dane te zostały zebrane w Dodatku B.<br />
Obliczono także średnie błędy bezwzględne ∆ cs i ∆ diff dla mniejszych zakresów energii<br />
i kątów rozpraszania.<br />
Przyjęto oznaczenia:<br />
• ∆ cs<br />
1<br />
dla niskich energii 20-100 eV,
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 32<br />
• ∆ cs<br />
2<br />
dla energii pośrednich 150-500 eV,<br />
• ∆ cs<br />
3<br />
dla energii wysokich 700-3000 eV,<br />
oraz dla kątów (w całym zakresie energii):<br />
• ∆ diff<br />
1 dla małych kątów 0 ◦ -30 ◦ ,<br />
• ∆ diff<br />
2 dla kątów 31 ◦ -60 ◦ ,<br />
• ∆ diff<br />
3 dla kątów 61 ◦ -180 ◦ .<br />
4.4 Wyniki i dyskusja<br />
Wyniki obliczeń zostały zaprezentowane w tabelach 4.1, 4.2 oraz na rysunkach 4.1-4.13.<br />
Tabele prezentują średnie błędy bezwzględne (SBB) obliczone dla różnych kombinacji potencjałów<br />
polaryzacyjnych (P) i absorpcyjnych (A). Do porównania modeli należy użyć<br />
wartości zebrane w danej kolumnie tabeli. Pierwszy wiersz tabel zawiera doświadczalne<br />
średnie błędy bezwględne. Przy określaniu tych wartości założono, że błąd doświadczalny<br />
pomiaru całkowitych przekrojów czynnych wynosi 5 procent wartości mierzonej a dla<br />
różniczkowych przekrojów czynnych przyjęto błąd 10 procentowy. Wspomniane ekspertymentalne<br />
SBB są wartościami referencyjnymi, z którymi należy porównywać wartości<br />
SBB dla poszczególnych modeli. Ostatni wiersz tabel 4.1 i 4.2 podaje SBB dla przybliżenia<br />
statyczno-wymiennego. Warto w tym miejscu zauważyć, że zastosowanie tego<br />
najprostszego przybliżenia dało wartość ∆ diff<br />
3 niewiele różniącą się od wartości eksperymentalnej.<br />
W celu umożliwienia szczegółowej dyskusji przedstawiono, w tabeli 4.2 , błędy<br />
dla niskich ∆ cs<br />
1 , średnich ∆cs 2 oraz wysokich energii ∆cs 3 obok błędu dla całego przedziału<br />
energii ∆ cs . Podobnie, w tabeli 4.2 obok błędów dla różniczkowych przekrojów czynnych<br />
obliczonych dla wszystkich kątów i energii znalazły się błędy obliczone dla małych ∆ diff<br />
1 ,<br />
średnich ∆ diff<br />
2 oraz dużych kątów rozpraszania ∆ diff<br />
3 . W tabeli 4.2 zgromadzono ponadto<br />
SBB dla elastycznych przekrojów czynnych ∆ el , przekrojów czynnych na absorpcję ∆ abs<br />
i całkowitych przekrojów czynnych ∆ tot obliczonych dla wszystkich danych energii.<br />
Jeżeli weźmiemy po uwagę zestawienie potencjałów polaryzacyjnego (P) oraz absorpcyjnego<br />
(A), (P=b, a), (A=fo, fv2, fv3, fs, fr, fc1, fc2, fc3, g), to widać, że zastosowanie<br />
oryginalnego potencjału absorpcyjnego fo daje najmniejszy błąd ∆ cs (bf0 - 0.251, afo -<br />
0.274). Spośród modeli nieemiprycznych, oryginalny potencjał absorpcyjny przynosi najmniejszy<br />
błąd dla przekroju czynnego na absorpcję. Wprawdzie jeszcze mniejszy błąd<br />
niesie za sobą zastosowanie potencjału g, jednakże parametry występujące w potencjale<br />
Greena zostały tak dobrane aby jak najlepiej odtworzyć doświadczalne wartości absorpcyjnych<br />
przekrojów czynnych.
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 33<br />
Skierujmy uwagę na modele zawierające potencjał polaryzacyjny typu Buckinghama,<br />
oznaczony jako b. Kombinacja tego potencjału z oryginalnym modelem frywolnym<br />
potencjału absorpcyjnego tj. bfo poprawnie odtwarza doświadczalną zależność od energii<br />
absorpcyjnego przekroju czynnego. Jednakże jak można się przekonać na stosownym<br />
rysunku 4.12 wartości przekroju czynnego na absorpcję są mniejsze od wartości doświadczalnych.<br />
Oznacza to, że zastosowany potencjał ma za mały zasięg [15]. Biorąc pod uwagę<br />
wykresy na rysunkach 4.1-4.3 obrazujące różniczkowe przekroje czynne można zauważyć,<br />
że bfo bardzo dobrze reprodukuje dane doświadczalne w szerokim zakresie kątów rozpraszania<br />
dla energii poniżej 100 eV. Dla wyższych energii różniczkowe przekroje czynne<br />
są za małe, w szczególności dla dużych kątów rozpraszania. Oznacza to, że zależny od<br />
energii potencjał fo staje się za silny dla małych odległości r [15].<br />
Zastosowanie potencjałów oznaczonych jako fv2 i fv3 daje błąd ∆ cs zbliżony wartością<br />
do błędu, które daje zastosowanie potencjału fo.<br />
Najprostsza modyfikacja oryginalnego modelu frywolnego potencjału absorpcyjnego<br />
tj. fs, osłabiająca potencjał fo dla wszystkich wartości r, polepsza różniczkowe przekroje<br />
czynne dla dużych kątów rozpraszania. Jednakże zastosowanie potencjału fs zwiększa<br />
pięciokrotnie wartość błędu przekroju czynnego na absorpcję.<br />
Poprawka V A<br />
c<br />
wprowadzona w modelu fc1 poprawia nieco kształt potencjału. V A<br />
c<br />
osłabia potencjał dla małych r przyjmując dodatnie wartości a dla dużych r przyjmuje<br />
wartości ujemne przyczyniając się do wzmocnienia potencjału. Zmiany te są jednakże<br />
zbyt małe i ogólny błąd jest taki sam jak dla modelu fo. Zmniejszeniu ulega błąd różniczkowych<br />
przekrojów czynnych. Przybliżenie użyte w wyrazie korekcyjnym sprawia, że<br />
potencjał absorpcyjny staje się, przy pewnych energiach, dodatni i nieciągły przy γ = 0.<br />
Problem ten pojawiał się dla niewielkiego przedziału małych r. Potencjał o wartościach<br />
dodatnich nie może opisywać procesu absorpcji. W obliczeniach położono zera jako wartość<br />
potencjału tam gdzie przyjmował on wartości dodatnie uzyskując w ten sposób<br />
ciągłość potencjału.<br />
Model fc2 przynosi największe błędy. Ekranowanie nieznacznie osłabia potencjał,<br />
jednakże osłabienie to nie jest wystarczające.<br />
Zmiana potencjału polaryzacyjnego b na inny powoduje większe zmiany w elastycznych<br />
i różniczkowych przekrojach czynnych niż w przekrojach czynnych na absorpcję nie<br />
wpływa więc znacząco na wnioski dotyczące modeli potencjałów absorpcyjnych.<br />
Modele afo oraz afv2 dają najmniejszy średni błąd bezwzględny. Następny w kolejności<br />
jest model afv2. Warto odnotować fakt, że dla niskich energii rozpraszania afv2<br />
daje najlepszą zgodność z wynikami doświadczalnymi. Dla niskich energii adiabatyczny<br />
potencjał polaryzacyjny (a) prowadzi do najmniejszego błędu dla większości użytych<br />
modeli potencjału absorpcyjnego (poza jednym).
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 34<br />
20 eV<br />
30 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2.8<br />
1.85<br />
0.42<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
3<br />
0.24<br />
0.15<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
40 eV<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
50 eV<br />
5<br />
5<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.06<br />
0.03<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.025<br />
0.0005<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
7e-005<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.1: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV,<br />
obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0, bfc3, bfc3s; dane<br />
doświadczalne (+).<br />
Zastosowanie modelu fc2 dało niestety największe błędy. Potencjał ten jest za głęboki<br />
dla małych r (najgłębszy pośród rozważanych modeli). Pogłębienie wynika z modyfikacji<br />
wartości α i β, im mniejsze α tym potencjał głębszy. Ekranowanie osłabia nieco potencjał,<br />
lecz osłabienie nie przynosi oczekiwanych rezultatów.<br />
Model fc3 wprowadzono jako modyfikację modelu fc2. W celu osłabienia potencjału<br />
fc2 wprowadzono silniejsze ekranowanie wraz z nowymi poprawkami, które wykraczają<br />
poza założenia modelu kwaziswobodnego. Potencjał fc3 w wyniku tych zabiegów stał się<br />
słabszy dla dla małych r. Zwiększył się także zasięg ulepszonego potencjału.<br />
Modyfikacja potencjału absorpcyjnego zaproponowana w modelu fr prowadzi do niepoprawnej<br />
zależności od energii. Jak widać z rysunku 4.14 absorpcyjne przekroje czynne<br />
są zbyt duże dla małych energii i zbyt małe dla dużych energii. Oznacza to, że potencjał<br />
fr jest za silny dla małych energii i za słaby dla energii wysokich. Dzięki osłabieniu<br />
potencjału dla energii wysokich otrzymuje się lepsze wartości różniczkowych przekrojów<br />
czynnych dla dużych kątów rozpraszania ale efekt ten nie jest wynikiem prawidłowo<br />
zmodyfikowanego potencjału.<br />
Modele potencjałów absorpcyjnych bazujące na QFSM, opisane powyżej, przynoszą<br />
poprawę wyników różniczkowych przekrojów czynnych dla niektórych zakresów energii<br />
i kątów rozpraszania. Jednakże nie odnotowano systematycznej poprawy dla szerokiego<br />
zakresu energii i katów rozpraszania. Empiryczny potencjał Greena z parametrami dopa-
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 35<br />
100 eV<br />
150 eV<br />
8.3<br />
8.2<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
1.5<br />
0.07<br />
0.023<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.78<br />
0.08<br />
0.05<br />
0.025<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
200 eV<br />
300 eV<br />
9<br />
10<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.42<br />
0.055<br />
0.025<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.16<br />
0.095<br />
0.035<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.2: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200, 300 eV,<br />
obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0, bfc3, bfc3s; dane<br />
doświadczalne (+).<br />
sowanymi do doświadczalnie wyznaczonych wartości przekrojów czynnych na absorpcję<br />
w szerokim zakresie energii został z powodzeniem użyty do wyznaczenia potencjału polaryzacyjnego<br />
z relacji dyspersyjnej [38].<br />
Jednym z celów tej pracy było zbadanie czy zależność od energii modeli potencjałów<br />
absorpcyjnych modyfikujących QFSM jest wystarczająco dobra aby można było<br />
otrzymać z nich potencjał polaryzacyjny. Analizując wykresy różniczkowych przekrojów<br />
czynnych (rysunki 4.9-4.12) można zobaczyć, że użycie relacji dyspersyjnej do uzyskania<br />
z oryginalnego modelu QFSM (na rysunku d(fo)) potencjału polaryzacyjnego nie przynosi<br />
zadowalających rezultatów. Co gorsza, dla niskich energii, otrzymujemy minima,<br />
które nie znajdują potwierdzenia w doświadczeniu. Model d(fr) jest jednym z najlepiej<br />
odzwierciedlających przebieg danych doświadczalnych. Jednakże, użycie tego modelu ma<br />
mankament polegający na dużej rozbieżności z wynikami doświadczalnymi przekrojów<br />
czynnych na absorpcję, co pokazuje rysunek 4.15. Podsumowując na tym etapie badania<br />
nad użyciem relacji dyspersyjnej do uzyskania potencjałów polaryzacyjnych należy powstrzymać<br />
się od ostatecznych wniosków do czasu zbadania innych tarcz atomowych. Z<br />
tego między innymi powodu w następnych rozdziałach zostaną opisane dalsze badania<br />
obejmujące także inne tarcze atomowe.
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 36<br />
400 eV<br />
500 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.07<br />
0.023<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.04<br />
0.017<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
750 eV<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
800 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.015<br />
0.007<br />
0.003<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.013<br />
0.0055<br />
0.0025<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.3: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750, 800 eV,<br />
obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0, bfc3, bfc3s; dane<br />
doświadczalne (+).<br />
1000 eV<br />
2000 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.008<br />
0.0031<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.0016<br />
0.0006<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
3000 eV<br />
10<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.0006<br />
0.0002<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.4: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000, 3000 eV,<br />
obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0, bfc3, bfc3s; dane<br />
doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 37<br />
5<br />
20 eV<br />
5<br />
30 eV<br />
3<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2.05<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.24<br />
0.13<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
40 eV<br />
50 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
4.1<br />
2.6<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
5<br />
2<br />
0.05<br />
0.012<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.5: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV,<br />
obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs , dane<br />
doświadczalne (+).<br />
100 eV<br />
150 eV<br />
8<br />
8<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
1.2<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.63<br />
0.025<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.05<br />
0.025<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
200 eV<br />
300 eV<br />
9<br />
10<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.33<br />
0.055<br />
0.025<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.11<br />
0.036<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.6: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200, 300<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs , dane<br />
doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 38<br />
400 eV<br />
500 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.053<br />
0.023<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.031<br />
0.016<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
750 eV<br />
800 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.012<br />
0.0065<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.01<br />
0.0055<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.7: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750, 800<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs , dane<br />
doświadczalne (+).<br />
1000 eV<br />
2000 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.0033<br />
0.0006<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
3000 eV<br />
10<br />
dσ/dΩ [a 0<br />
2 /sr]<br />
0.0005<br />
0.0002<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.8: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000, 3000 eV,<br />
obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs , dane<br />
doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 39<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
10<br />
1.21<br />
0.19<br />
0.06<br />
0.0015<br />
20 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
10<br />
5.25<br />
2.3<br />
1.25<br />
0.13<br />
30 eV<br />
0.0002<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.023<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
10<br />
6.75<br />
2.52<br />
1<br />
40 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
10<br />
5.25<br />
2.5<br />
0.9<br />
0.1<br />
50 eV<br />
0.035<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.017<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.9: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV, obliczone<br />
dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów absorpcyjnych poprzez<br />
relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne (+).<br />
100 eV<br />
150 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.05<br />
0.013<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.85<br />
0.055<br />
0.0012<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.02<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
200 eV<br />
300 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.45<br />
0.066<br />
0.032<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.15<br />
0.055<br />
0.03<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.10: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200,<br />
300 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />
absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne<br />
(+).
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 40<br />
400 eV<br />
500 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.08<br />
0.032<br />
0.019<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.048<br />
0.031<br />
0.015<br />
0 40 80 120 160<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
θ [ deg ]<br />
750 eV<br />
800 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.03<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.03<br />
0.009<br />
0.0075<br />
0 40 80 120 160<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.11: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750,<br />
800 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />
absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne<br />
(+).<br />
1000 eV<br />
2000 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.015<br />
0.005<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.0045<br />
0.0013<br />
0 40 80 120 160<br />
0.0013<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
θ [ deg ]<br />
3000 eV<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.002<br />
0.0005<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 4.12: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000,<br />
3000 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />
absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne<br />
(+).
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 41<br />
15<br />
5<br />
σ el [ a 0<br />
2 ]<br />
10<br />
5<br />
σ abs [ a 0<br />
2 ]<br />
3<br />
1<br />
1<br />
50 100 500 1000 3000<br />
energia [ eV ]<br />
50 100 500 1000 3000<br />
energia [ eV ]<br />
σ tot [ a 0<br />
2 ]<br />
5<br />
3<br />
1<br />
50 100 500 1000 3000<br />
energia [ eV ]<br />
Rys. 4.13: Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne<br />
dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego: bfo, bfc1, bfc2, bfc3, bfc3s,<br />
dane doświadczalne (+).<br />
13<br />
3<br />
σ el [ a 0<br />
2 ]<br />
10<br />
5<br />
σ abs [ a 0<br />
2 ]<br />
1<br />
1<br />
50 100 500 1000 3000<br />
energia [ eV ]<br />
50 100 500 1000 3000<br />
energia [ eV ]<br />
13<br />
σ tot [ a 0<br />
2 ]<br />
10<br />
7<br />
5<br />
1<br />
50 100 500 1000 3000<br />
energia [ eV ]<br />
Rys. 4.14: Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />
Ne dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego: bfo, bg, bfr, bfs, dane<br />
doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 42<br />
4<br />
10<br />
3<br />
σ el [ a 0<br />
2 ]<br />
5<br />
σ abs [ a 0<br />
2 ]<br />
2<br />
1<br />
1<br />
15<br />
50 100 500 1000 3000<br />
energia [ eV ]<br />
50 100 500 1000 3000<br />
energia [ eV ]<br />
σ tot [ a 0<br />
2 ]<br />
10<br />
5<br />
50 100 500 1000 3000<br />
energia [ eV ]<br />
Rys. 4.15: Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne,<br />
obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów absorpcyjnych<br />
poprzez relację dyspersyjną: d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne<br />
(+).
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 43<br />
Tabela 4.1: Średnie błędy bezwzględne (SBB) przekrojów czynnych dla różnych kombinacji<br />
polaryzacyjnych (P) i absorpcyjnych (A) potencjałów w zależności od zakresu<br />
energii elektronu padającego dla rozpraszania e-Ne.<br />
SBB [a 2 0 ]<br />
∆cs<br />
energia [eV] 20 ÷ 100 150 ÷ 500 700 ÷ 3000 20 ÷ 3000<br />
1 ∆ cs<br />
2 ∆ cs<br />
3 ∆ cs<br />
Błąd doświadczalny 0.195 0.099 0.115 0.147<br />
P A<br />
d(fo) fo 0.399 0.158 0.117 0.254<br />
d(fv2) fv2 0.267 0.163 0.229 0.229<br />
d(fv3) fv3 0.327 0.188 0.223 0.261<br />
d(fs) fs 0.694 0.173 0.175 0.408<br />
d(fr) fr 0.265 0.176 0.230 0.232<br />
d(fc1) fc1 0.468 0.147 0.104 0.278<br />
d(fc2) fc2 1.804 0.353 0.277 0.983<br />
d(fc3) fc3 0.696 0.325 0.386 0.510<br />
d(fc3s) fc3s 0.873 0.323 0.370 0.584<br />
d(g) g 0.334 0.140 0.159 0.233<br />
b fo 0.384 0.137 0.145 0.251<br />
b fv2 0.330 0.118 0.288 0.265<br />
b fv3 0.342 0.117 0.268 0.263<br />
b fs 0.550 0.152 0.201 0.346<br />
b fr 0.395 0.144 0.233 0.284<br />
b fc1 0.395 0.134 0.139 0.253<br />
b fc2 1.001 0.220 0.272 0.587<br />
b fc3 0.491 0.113 0.215 0.314<br />
b fc3s 0.747 0.118 0.198 0.425<br />
b g 0.512 0.150 0.185 0.323<br />
a fo 0.240 0.170 0.413 0.274<br />
a fv2 0.163 0.320 0.706 0.365<br />
a fv3 0.187 0.301 0.676 0.362<br />
a fs 0.470 0.234 0.562 0.439<br />
a fr 0.281 0.250 0.671 0.390<br />
a fc1 0.266 0.163 0.411 0.284<br />
a fc2 0.928 0.297 0.498 0.641<br />
a fc3 0.381 0.228 0.521 0.384<br />
a fc3s 0.677 0.240 0.540 0.527<br />
a g 0.334 0.180 0.529 0.354<br />
b – 0.741 0.234 0.372 0.504<br />
a – 0.880 0.406 0.803 0.793<br />
– fo 0.517 0.197 0.154 0.328<br />
– fv2 0.469 0.155 0.177 0.303<br />
– fv3 0.478 0.162 0.172 0.307<br />
– fs 0.686 0.221 0.194 0.422<br />
– fr 0.564 0.219 0.230 0.378<br />
– fc1 0.529 0.197 0.145 0.330<br />
– fc2 1.104 0.240 0.214 0.621<br />
– fc3 0.612 0.153 0.140 0.355<br />
– fc3s 0.853 0.148 0.115 0.455<br />
– g 0.655 0.204 0.098 0.375<br />
– – 0.868 0.272 0.300 0.548
ROZDZIAŁ 4. TEST NIEEMPIRYCZNYCH MODELI POTENCJAŁÓW EFEKTYWNYCH,<br />
ELASTYCZNE ROZPRASZANIE ELEKTRONÓW NA ATOMACH NEONU 44<br />
Tabela 4.2: Średnie błędy bezwzględne (SBB) przekrojów czynnych dla różnych kombinacji<br />
polaryzacyjnych (P) i absorpcyjnych (A) potencjałów w zależności od zakresu kąta<br />
ropraszania dla zderzenia e-Ne.<br />
SBB [a 2 0 ] ∆diff 1 ∆ diff<br />
2 ∆ diff<br />
3 ∆ diff ∆ el ∆ abs<br />
kąt [deg] 3 ÷ 30 31 ÷ 60 61 ÷ 150 3 ÷ 150<br />
Błąd doś. 0.250 0.064 0.026 0.101 0.316 0.100<br />
P A<br />
d(fo) fo 0.405 0.369 0.143 0.229 0.658 0.216<br />
d(fv2) fv2 0.400 0.059 0.034 0.131 0.622 0.596<br />
d(fv3) fv3 0.421 0.071 0.032 0.142 0.674 0.505<br />
d(fs) fs 0.456 0.212 0.071 0.169 0.643 1.027<br />
d(fr) fr 0.333 0.144 0.038 0.135 0.329 0.615<br />
d(fc1) fc1 0.430 0.363 0.139 0.226 0.719 0.281<br />
d(fc2) fc2 1.715 0.320 0.210 0.499 2,230 1.255<br />
d(fc3) fc3 0.842 0.353 0.149 0.400 0.837 0.426<br />
d(fc3s) fc3s 0.980 0.289 0.094 0.382 0.853 0.676<br />
d(g) g 0.457 0.256 0.076 0.204 0.421 0.081<br />
b fo 0.257 0.087 0.038 0.104 0.759 0.222<br />
b fv2 0.345 0.072 0.024 0.135 0.521 0.598<br />
b fv3 0.329 0.070 0.025 0.131 0.548 0.505<br />
b fs 0.269 0.052 0.024 0.098 0.532 1.039<br />
b fr 0.304 0.067 0.032 0.112 0.688 0.610<br />
b fc1 0.250 0.077 0.036 0.102 0.717 0.301<br />
b fc2 0.325 0.131 0.060 0.150 1.030 1.367<br />
b fc3 0.330 0.095 0.034 0.141 0.688 0.399<br />
b fc3s 0.378 0.104 0.043 0.159 0.772 0.609<br />
b g 0.349 0.084 0.046 0.148 0.934 0.106<br />
a fo 0.645 0.192 0.050 0.290 0.222 0.197<br />
a fv2 0.902 0.181 0.041 0.387 0.434 0.594<br />
a fv3 0.880 0.176 0.040 0.377 0.413 0.507<br />
a fs 0.715 0.160 0.038 0.307 0.321 1.026<br />
a fr 0.765 0.168 0.037 0.334 0.362 0.813<br />
a fc1 0.648 0.185 0.048 0.288 0.196 0.279<br />
a fc2 0.704 0.242 0.070 0.332 0.562 1.421<br />
a fc3 0.800 0.202 0.045 0.350 0.313 0.427<br />
a fc3s 0.844 0.207 0.051 0.373 0.516 0.655<br />
a g 0.764 0.183 0.056 0.346 0.438 0.088<br />
b – 0.333 0.049 0.027 0.131 0.482 2.002<br />
a – 0.861 0.180 0.051 0.380 0.795 2.002<br />
– fo 0.381 0.113 0.040 0.134 1.012 0.231<br />
– fv2 0.373 0.098 0.028 0.120 0.716 0.598<br />
– fv3 0.365 0.097 0.027 0.119 0.772 0.507<br />
– fs 0.391 0.082 0.025 0.123 0.776 1.044<br />
– fr 0.416 0.080 0.026 0.130 0.813 0.832<br />
– fc1 0.375 0.106 0.036 0.131 0.952 0.310<br />
– fc2 0.345 0.155 0.063 0.140 1.245 1.345<br />
– fc3 0.360 0.121 0.036 0.128 0.940 0.388<br />
– fc3s 0.389 0.130 0.046 0.139 1.003 0.592<br />
– g 0.383 0.110 0.049 0.135 1.195 0.112<br />
– – 0.430 0.075 0.027 0.139 0.527 2.002
Rozdział 5<br />
Poprawki empiryczne do potencjału<br />
absorpcyjnego opartego na modelu<br />
kwazi-swobodnego rozpraszania<br />
5.1 Wprowadzenie<br />
W poprzednim rozdziale przedstawiono wyniki uzyskane dla elastycznego rozpraszania<br />
elektronów na atomie neonu przy pomocy różnych kombinacji nieempirycznych modeli<br />
potencjałów polaryzacyjnych i opartych na modelu kwazi-swobodnego rozpraszania<br />
potencjałów absorpcyjnych V A<br />
f [39, 40, 38].<br />
Najmniejszy błąd, ∆ cs , policzony na całym zbiorze danych przewyższył założony<br />
doświadczalny SBB o 70%. Wspomniany błąd otrzymano poprzez połączenie polaryzacyjnego<br />
potencjału V P<br />
b<br />
typu Buckinghama [17] i oryginalnego potencjału absorpcyjnego<br />
Vfo A opartego na modelu kwazi-swobodnego rozpraszania [41]. Wersje V<br />
A<br />
fv2 oraz V fv3 A [15]<br />
tego potencjału dają nieco większe błędy. Nieempiryczne modyfikacje potencjału V A<br />
fo ,<br />
dyskutowane w poprzednim rozdziale oraz w [41] , poprawiają oryginalny model dla<br />
pewnych zakresów energii i kątów rozpraszania. Nie dają jednak poprawy dla całego<br />
zbioru danych.<br />
Potencjał Vfo A jest za silny w obszarach wysokiej i za słaby w rejonie niskiej gęstości<br />
elektronowej [20, 15]. Potencjały zależne od parametrów empirycznych dopasowanych<br />
do danych doświadczalnych mogą być pomocne w określeniu formy funkcjonalnej potencjału<br />
a także mogą wskazać kierunek przyszłych modyfikacji. Ostatnio Lee i in. [41]<br />
zaproponowali empiryczną poprawkę do potencjału Vfv3 A [15, 41]. W niniejszym rozdziale<br />
zostanie zaprezentowane rozszerzenie uprzednio opisanych badań na model empiryczny.<br />
Model bazuje na przemnożeniu potencjału absorpcyjnego V A<br />
fv3<br />
przez czynnik skalujący<br />
45
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 46<br />
SF (scaling factor) zawierający dwa parametry empiryczne M oraz N:<br />
SF = 1.0 + Mpr s − N pr s<br />
, (5.1)<br />
gdzie, jak poprzednio, p = √ 2E jest pędem elektronu padającego, r s = [<br />
3<br />
4πϱ(⃗r) ]1/3 oznacza<br />
promień Seitza a ϱ(⃗r) jest gęstością elektronową tarczy. Czynnik skalujący jest bezwymiarowy,<br />
użycie gęstości elektronowej, zamiast r, jako zmiennej niezależnej ma na celu<br />
spowodować jego niezależność od rozmiarów tarczy. Wprowadzone parametry mają być,<br />
z założenia, niezależne od rodzaju tarczy i energii elektronu padającego. Wspomniani<br />
autorzy wybrali tak parametry aby odtworzyć przekrój czynny na absorpcję dla rozpraszania<br />
elektronów na cząsteczce N 2 przy energii 500 eV. Otrzymali wartości M=0.12 i<br />
N=2.2. Z tym wartościami parametrów dla różnych atomów i molekuł uzyskali lepszą<br />
zgodność wyników z danymi doświadczalnymi.<br />
Do oceny powyższego modelu wykorzystaliśmy zdefiniowaną w poprzednim rozdziale<br />
funkcję błędu. Parametry występujące w SF zostały zoptymalizowane poprzez minimalizację<br />
SBB na zbiorze danych zawierającym doświadczalne przekroje czynne dla szerokiego<br />
zakresu energii elektronu padającego i kątów rozpraszania. Obliczenia przeprowadzono<br />
dla trzech tarcz: He (316 danych), Ne (282 danych) oraz Ar (302 danych). Poszukiwanie<br />
minimalnych wartości SBB przeprowadzono przy pomocy algorytmu genetycznego<br />
[42, 43].<br />
Przedziały, w których dokonujemy optymalizacji parametrów M i N powinny być<br />
starannie dobrane. Z powodu znaku minus, występującego we wzorze (5.1), potencjał absorpcyjny<br />
może stać się dodatni dla niektórych wartości r. Potencjał zachowa się wówczas<br />
jak źródło a nie absorbent. Potencjały absorpcyjne, dla tarcz atomowych omawianych w<br />
tym rozdziale, z parametrami rekomendowanymi w [20] stają się dodatnie dla niektórych<br />
energii i odległości. Funkcja błędu, dla He i Ar, osiąga minimum dla małych wartości N,<br />
rzędu 10 −4 . Położenie N = 0 praktycznie nie zmieniło błędu. Dla Ne utrzymanie N ≠ 0<br />
wraz z warunkiem V A (r) < 0 ∀r, nie doprowadziło do poprawy SBB. Z tych przyczyn<br />
położono N = 0 i i zaproponowano czynniki skalujące w następujących postaciach:<br />
gdzie a 1 , c 0 , c 1 są dodatnimi parametrami empirycznymi.<br />
SF 1 = 1.0 + a 1 pr s , (5.2)<br />
SF 2 = c 0 + c 1 pr s , (5.3)<br />
Oba czynniki znacząco doprowadziły do poprawy SBB dla He i Ar. Optymalne wartości<br />
parametrów dla tych atomów nie różnią się wiele od siebie. Dla Ne spadek wartości<br />
SBB nie jest wielki a wartości dopasowanych parametrów występujących w czynnikach<br />
skalujących różnią się znacząco od tych dla He i Ar.<br />
Potencjały absorpcyjne oparte na modelu kwasi-swobodnego rozpraszania zależą od<br />
rzeczywistej części potencjału, V R . W oryginalnym modelu, Vfo A , zależność ta objawia
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 47<br />
się we wzorze na lokalną prędkość elektronu padającego. W modelu V A<br />
fv3<br />
zależność pojawia<br />
się także w warunkach wynikających z zakazu Pauliego. W modelu Vfo A cześć rzeczywista<br />
potencjału jest przybliżona przez sumę potencjału statycznego i wymiennego:<br />
V R = V SE . Stosowane jest również podejście, w którym do potencjału absorpcyjnego<br />
wstawia się V R = V SEP , gdzie potencjał polaryzacyjny, V P , jest dodawany do V SE<br />
[44, 20]. Jednakże użycie potencjału V R = V SEP w potencjale absorpcyjnym powoduje,<br />
że problem uzyskania potencjału V P z relacji dyspersyjnej (wiążącej V P z V A ) ulega<br />
skomplikowaniu. Ważną kwestią zatem staje się zbadanie czy włączenie V P do V A jest<br />
istotne. Mając to na uwadze zaprezentowane zostaną wyniki obliczeń dwóch podejść.<br />
Wyniki te pokażą, że w przypadku rozważanych tutaj tarcz atomowych obecność V P w<br />
V A nie jest znacząca.<br />
W dalszej części bieżącego rozdziału zostaną porównane wyniki obliczeń dla sześciu<br />
wersji potencjału absorpcyjnego dla rozpraszania e-He, e-Ne i e-Ar w szerokim zakresie<br />
energii i kątów rozpraszania.<br />
5.2 Teoria i obliczenia<br />
Szczegółowy opis obliczeń dotyczący rozwiązywania równania opisującego rozpraszanie<br />
jak i postaci potencjałów statycznego i wymiennego oraz polaryzacyjnego potencjału<br />
typu Buckinghama został umieszczony w poprzednim rozdziale.<br />
Warto w tym miejscu przypomnieć postać potencjału absorpcyjnego opartego na modelu<br />
kwaziswobodnego rozpraszania:<br />
gdzie<br />
Vf A 2πϱ(⃗r)u(⃗r, E)<br />
(⃗r, E) = −<br />
5kF 3 H(p 2 + k 2<br />
p2 F − α − β)<br />
×[<br />
5k<br />
3<br />
F<br />
α − k 2 F<br />
− k3 F [5(p2 − β) + 2k 2 F ]<br />
(p 2 − β) 2<br />
+H(α + β − p 2 ) 2(α + β − p2 ) 5/2 ]<br />
(p 2 − β) 2 , (5.4)<br />
u(⃗r, E) = [2(E − V R )] 1/2 , (5.5)<br />
k F = (3πϱ) 1/3 a H jest funkcją skokową Heaviside’a. Wartości α and β [15] są uwarunkowane<br />
zakazem Pauliego i w zależności od modelu są różnymi funkcjami energii progowej<br />
atomu ∆, potencjału jonizacyjnego I, pędu Fermiego k F<br />
oraz części rzeczywistej potencjału<br />
efektywnego V R . Wszystkie modele V A<br />
f<br />
obecnie rozpatrywane otrzymuje się z<br />
równania (5.4) poprzez określenie wartości V R , α oraz β. Idąc dalej niektóre z modeli są<br />
mnożone przez czynnik skalujący, który zależy od dopasowywalnych parametrów.
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 48<br />
Mamy zatem:<br />
Vfo A (SE)— oryginalny frywolny model potencjału<br />
V R = V SE , α = k 2 F + 2∆, β = k 2 F ; (5.6)<br />
Vfv3 A (SE) — frywolny model potencjału, wersja 3 z V<br />
SE<br />
V R = V SE ,<br />
α = k 2 F + 2[∆ − (I − ∆)] − V R<br />
β = k 2 F + 2(I − ∆) − V R ; (5.7)<br />
Vfv3 A (SEP ) — frywolny model potencjału, wersja 3 z V<br />
SEP<br />
V R = V SEP , α = k 2 F + 2[∆ − (I − ∆)] − V R ,<br />
β = k 2 F + 2(I − ∆) − V R . (5.8)<br />
Vfv3sf1 A (SE) — potencjał (5.7) przemnożony przez czynnik skalujący (5.2):<br />
V A<br />
fv3sf1(SE) = SF 1 V A<br />
fv3V (SE) (5.9)<br />
Vfv3sf1 A (SEP ) — potencjał (5.8) przemnożony przez czynnik skalujący (5.2):<br />
V A<br />
fv3sf1(SEP ) = SF1 V A<br />
fv3(SEP ) (5.10)<br />
Vfv3sf2 A (SE) — potencjał (5.7) przemnożony przez czynnik skalujący (5.3):<br />
V A<br />
fv3sf2(SE) = SF2 V A<br />
fv3(SE) (5.11)<br />
Optymalizacji poddane zostały także wersje, w których potencjał Vfo A został przemnożony<br />
przez czynniki skalujące SF1 oraz SF2. Jednakże uzyskane wyniki nie były lepsze<br />
niż przy wykorzystaniu powyżej opisanych modeli.<br />
5.3 Zbiory danych, funkcja błędu i optymalizacja<br />
Obecnie rozważane modele oceniane są w sposób analogiczny do tych opisanych w poprzednim<br />
rozdziale. Średnie błędy bezwzględne (SBB) modeli teoretycznych są liczone<br />
jako odstępstwo od danych doświadczalnych. Innymi słowy, staramy się uzyskać jak najmniejsze<br />
błędy przy użyciu danych doświadczalnych wziętych jako wzorzec. Dla każdej<br />
tarczy atomowej zbiór danych doświadczalnych składa się z elastycznych, absorpcyjnych<br />
oraz różniczkowych przekrojów czynnych. Na całkowitą liczbę N danych dla konkretnego<br />
atomu składa się suma Ne el , Ne<br />
abs oraz N diff . Liczba energii dla których są dostępne elastyczne<br />
i absorpcyjne przekroje czynne a także liczba dostępnych różniczkowych przekrojów<br />
czynnych jest uwidoczniona w tabeli (5.1). Dla przypomnienia N e jest liczbą energii<br />
elektronu padającego, dla której są dostępne doświadczalne przekroje czynne a N diff<br />
e<br />
jest
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 49<br />
Tabela 5.1: Liczba danych doświadczalnych.<br />
N el<br />
e<br />
N ab<br />
e<br />
N el<br />
e N N e N diff<br />
e-He 20 20 276 316 21 15<br />
e-Ne 17 18 247 282 20 15<br />
e-Ar 17 19 266 302 21 13<br />
liczbą energii dla której są dane różniczkowe przekroje czynne. Zbiory danych doświadczalnych<br />
(szczegółowo opisane w dodatku B) pochodzą z prac [45, 46, 47, 48, 49, 50] dla<br />
atomu helu, [51, 52, 53, 50, 54] dla neonu oraz [51, 50, 54, 47, 55] dla argonu.<br />
Średni błąd bezwzględny, liczony dla danego celu atomowego na całym zbiorze danych<br />
doświadczalnych ma podobnie jak wcześniej postać:<br />
∆ cs = 1 ∑N e<br />
(<br />
1<br />
∆ dσ<br />
)<br />
N e N j dΩ (j) + ∆σ(j) , (5.12)<br />
j=1<br />
gdzie N j oznacza liczbę danych dla danej energii. ∆ dσ<br />
dΩ<br />
(j) jest błędem bezwzględnym<br />
różniczkowych przekrojów czynnych a ∆σ(j) jest sumą błędów elastycznych i absorpcyjnych<br />
przekrojów czynnych dla j-tej energii. Dla ułatwienia bardziej szczegółowej dyskusji<br />
nad modelami policzono także SBB dla elastycznych, ∆ el , absorpcyjnych, ∆ abs i różniczkowych<br />
przekrojów czynnych ∆ diff . Obliczenia przeprowadzono dla szerokiego zakresu<br />
energii tj. od 20 do 3000 eV. Mając to na uwadze policzono także SBB dla małych ∆ cs<br />
1<br />
(20-100 eV), średnich ∆ cs<br />
2<br />
(150-500 eV) oraz wysokich ∆cs 3<br />
(600-3000 eV) energii. Podobnie<br />
podzielono zakres kątów rozpraszania: ∆ diff<br />
1 dla kątów (3 ◦ -30 ◦ ), ∆ diff<br />
2 dla kątów<br />
(31 ◦ -60 ◦ ) oraz ∆ diff<br />
3 dla kątów (61 ◦ -180 ◦ ).<br />
W celu optymalizacji parametrów, występujących w czynnikach skalujących, użyto<br />
algorytmu mikrogenetycznego [42]. Optymalizacji dokonano poprzez minimalizację ∆ cs<br />
osobno dla każdego atomu. Użyto fortranowskiej wersji 1.7a kodu Carroll’a, gdzie ∆ cs<br />
została wzięta jako funkcja dopasowania. Zoptymalizowane parametry zostały zebrane<br />
w tabeli 5.2.<br />
5.4 Wyniki i dyskusja<br />
Obliczone średnie błędy bezwzględne dla rozważanych modeli prezentują tabele 5.3 i 5.4.<br />
Do porównywania modeli powinny być użyte liczby w poszczególnych wierszach. Podobnie<br />
jak to miało miejsce poprzednio założono, że błąd doświadczalny dla całkowitych<br />
przekrojów czynnych wynosi 5% a dla różniczkowych przekrojów czynnych 10%.<br />
Porównanie wyników dla Vfo A(SE)<br />
i V fv3 A (SE) pokazuje, że użycie potencjału V<br />
A<br />
fo (SE)<br />
prowadzi do mniejszego błędu ∆ cs dla wszystkich rozważanych atomów. Jednak różnice
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 50<br />
Tabela 5.2: Zoptymalizowane parametry w czynnikach skalujących.<br />
Vfv3sf1 A (SE) 0.1408<br />
(SEP ) 0.1508<br />
V A<br />
fv3sf1<br />
V A<br />
fv3sf2<br />
a 1 c 0 c 1<br />
e-He<br />
(SE) 1.0198 0.1380<br />
Vfv3sf1 A (SE) 0.01249<br />
(SEP ) 0.02311<br />
V A<br />
fv3sf1<br />
V A<br />
fv3sf2<br />
e-Ne<br />
(SE) 0.09949 0.1668<br />
Vfv3sf1 A (SE) 0.1281<br />
(SEP ) 0.1389<br />
V A<br />
fv3sf1<br />
V A<br />
fv3sf2<br />
e-Ar<br />
(SE) 1.1161 0.1158<br />
w błędach przy obu podejściach są raczej małe. Błędy ∆ cs<br />
1 , ∆cs 2 i ∆diff 3 są mniejsze dla<br />
wersji Vfv3 A (SE). Oznacza to, że użycie tej wersji potencjału dla rozważanych atomów<br />
prowadzi do lepszych wyników dla niskich energii i dużych kątów rozpraszania.<br />
Spójrzmy jak uwzględnienie potencjału polaryzacyjnego w potencjale absorpcyjnym<br />
wpływa na wyniki obliczeń.<br />
W tym celu porównajmy wersję Vfv3 A (SE) z V fv3 A (SEP ). Różnice w błędach obu wersji<br />
są małe. Wartym odnotowania jest fakt, że wersja Vfv3 A (SE) ma nieco mniejszy błąd ∆cs<br />
dla wszystkich trzech atomów.<br />
Wprowadzenie czynnika skalującego SF1 (z jednym dopasowywalnym parametrem)<br />
do modelu Vfv3 A (SE) (porównanie trzeciej i czwartej kolumny) obniża w znaczny sposób<br />
∆ cs dla atomów helu i argonu. Warto zauważyć znaczny wpływ czynnika SF1 na przekroje<br />
czynne na absorpcję. Błędy maleją niemalże dziesięciokrotnie. Czynnik SF1 obniża<br />
także błąd przekrojów czynnych dla wysokich energii ∆ cs<br />
3 . Z drugiej zaś strony, poprawa<br />
wyników dla atomu neonu jest nieznaczna.<br />
Różnice pomiędzy modelami Vfv3sf1 A (SE) oraz V<br />
A<br />
fv3sf1 (SEP ) są zaniedbywalne (tabela<br />
5.4).<br />
Czynnik skalujący SF2 daje najmniejsze wartości ∆ cs dla wszystkich trzech atomów.<br />
Jak już wspomniano wcześniej, optymalne wartości parametrów składających się na<br />
czynniki skalujące SF1 i SF2 są, dla helu i argonu, zbliżone. Wartości parametrów dla<br />
neonu są znacząco różne od tych dla helu i argonu. Znaczy to tyle, że parametry czynników<br />
skalujących nie mogą być rozważane niezależnie od tarczy na której rozpraszają się<br />
elektrony.
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 51<br />
Tabela 5.3: SBB przekrojów czynnych dla różnych potencjałów dla rozpraszania e-He,<br />
e-Ne oraz e-Ar.<br />
SBB [a 2 0 ] Dośw. Model<br />
Vfo A V fv3 A (SE)<br />
e-He<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
∆ cs 0.055 0.182 0.184 0.072 0.072<br />
∆ abs 0.060 0.645 0.663 0.054 0.054<br />
∆ el 0.124 0.110 0.110 0.121 0.121<br />
∆ diff 0.041 0.059 0.060 0.063 0.063<br />
∆ cs 1 0.100 0.294 0.286 0.125 0.125<br />
∆ cs 2 0.027 0.053 0.062 0.043 0.043<br />
∆ cs 3 0.017 0.129 0.139 0.025 0.024<br />
∆ diff 1 0.112 0.196 0.199 0.198 0.198<br />
∆ diff 2 0.032 0.026 0.025 0.027 0.027<br />
∆ diff 3 0.019 0.019 0.017 0.017 0.017<br />
e-Ne<br />
∆ cs 0.147 0.251 0.264 0.254 0.227<br />
∆ abs 0.100 0.222 0.505 0.430 0.236<br />
∆ el 0.316 0.759 0.548 0.556 0.489<br />
∆ diff 0.101 0.105 0.132 0.135 0.155<br />
∆ cs 1 0.195 0.384 0.341 0.329 0.288<br />
∆ cs 2 0.099 0.137 0.118 0.113 0.101<br />
∆ cs 3 0.115 0.146 0.269 0.260 0.240<br />
∆ diff 1 0.250 0.258 0.330 0.337 0.391<br />
∆ diff 2 0.064 0.087 0.070 0.073 0.070<br />
∆ diff 3 0.026 0.038 0.025 0.025 0.022<br />
e-Ar<br />
∆ cs 0.615 1.320 1.532 0.790 0.783<br />
∆ abs 0.369 2.869 3.617 0.355 0.301<br />
∆ el 0.975 1.361 0.871 0.949 0.992<br />
∆ diff 0.531 0.649 0.808 0.979 0.981<br />
∆ cs 1 0.968 2.108 1.897 0.893 0.891<br />
∆ cs 2 0.579 0.867 1.033 1.073 1.076<br />
∆ cs 3 0.284 0.815 1.479 0.511 0.492<br />
∆ diff 1 1.361 1.647 2.073 2.433 2.438<br />
∆ diff 2 0.115 0.173 0.079 0.126 0.131<br />
∆ diff 3 0.047 0.109 0.062 0.057 0.059<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
Na rysunkach 5.1-5.10 porównano z danymi doświadczalnymi różniczkowe przekroje<br />
czynne w zakresie energii 20-3000 eV otrzymane dla rozpraszania e-He, e-Ne i e-Ar przy<br />
pomocy modeli bfo, bfv3SE oraz bfv3sf1SEP.<br />
Jak widać czynnik skalujący, w modelu bfv3sf1SEP, znacząco poprawia kształt potencjału<br />
absorpcyjnego, ponieważ otrzymane różniczkowe przekroje czynne znacznie lepiej<br />
przybliżają wartości doświadczalne dla szerokiego zakresu energii i w dużym zakresie<br />
kątów rozpraszania.<br />
Analogiczne rezultaty otrzymano przy pomocy modeli bfv3sf1SE oraz bfv3sf2SE.
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 52<br />
20 eV<br />
30 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.69<br />
0.4<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
40 eV<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
50 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.24<br />
0.15<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 5.1: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 20, 30, 40, 50<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bfv3SE,<br />
bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).<br />
70 eV<br />
100 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.066<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
150 eV<br />
0.026<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
200 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.008<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.0035<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 5.2: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 70, 100, 150, 200<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bfv3SE,<br />
bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 53<br />
300 eV<br />
400 eV<br />
2<br />
1<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.0035<br />
0.0013<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
500 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.0008<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
700 eV<br />
2<br />
1<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.00055<br />
0.0004<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 5.3: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 300, 400,<br />
500, 700 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />
bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).<br />
20 eV<br />
30 eV<br />
2<br />
2<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
0.24<br />
0.14<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
40 eV<br />
50 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.062<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.02<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 5.4: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bfv3SE,<br />
bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 54<br />
100 eV<br />
150 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.022<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.05<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
200 eV<br />
300 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.055<br />
0.035<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 5.5: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150,<br />
200, 300 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />
bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).<br />
400 eV<br />
500 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.023<br />
0.016<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
750 eV<br />
800 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.0065<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.0057<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 5.6: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500,<br />
750, 800 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />
bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 55<br />
1000 eV<br />
2000 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.0033<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.00065<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
3000 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
1<br />
0.00022<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 5.7: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000, 3000<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bfv3SE,<br />
bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).<br />
20 eV<br />
50 eV<br />
55<br />
55<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
8.7<br />
2.3<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2.3<br />
0.07<br />
0.03<br />
0.18<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.004<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
100 eV<br />
150 eV<br />
55<br />
55<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2.4<br />
0.18<br />
0.015<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2<br />
0.65<br />
0.18<br />
0.007<br />
0.0005<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 5.8: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 20, 50, 100, 150<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bfv3SE,<br />
bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 56<br />
200 eV<br />
300 eV<br />
55<br />
57<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1.18<br />
0.45<br />
0.03<br />
0.007<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.45<br />
0.22<br />
0.046<br />
0.018<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
400 eV<br />
500 eV<br />
57<br />
57<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.25<br />
0.049<br />
0.021<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.16<br />
0.049<br />
0.019<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 5.9: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 200, 300,<br />
400, 500 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />
bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).<br />
800 eV<br />
1000 eV<br />
65<br />
65<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.036<br />
0.011<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
2000 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.033<br />
0.008<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
3000 eV<br />
75<br />
75<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.0058<br />
0.0012<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.0023<br />
0.0007<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 5.10: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 800, 1000,<br />
2000, 3000 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />
bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 57<br />
e-He<br />
e-Ne<br />
e-Ar<br />
σ tot [ a 0<br />
2 ]<br />
10<br />
5<br />
0<br />
30 300 3000<br />
σ tot [ a 0<br />
2 ]<br />
12<br />
8<br />
4<br />
0<br />
30 300 3000<br />
σ tot [ a 0<br />
2 ]<br />
75<br />
60<br />
45<br />
30<br />
15<br />
0<br />
30 300 3000<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
σ abs [ a 0<br />
2 ]<br />
2<br />
1.5<br />
1<br />
0.5<br />
σ abs [ a 0<br />
2 ]<br />
3<br />
2<br />
1<br />
σ abs [ a 0<br />
2 ]<br />
12<br />
8<br />
4<br />
0<br />
30 300 3000<br />
0<br />
30 300 3000<br />
0<br />
30 300 3000<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
12<br />
75<br />
σ el [ a 0<br />
2 ]<br />
8<br />
4<br />
σ el [ a 0<br />
2 ]<br />
12<br />
8<br />
4<br />
σ el [ a 0<br />
2 ]<br />
60<br />
45<br />
30<br />
15<br />
0<br />
30 300 3000<br />
0<br />
30 300 3000<br />
0<br />
30 300 3000<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
Rys. 5.11: Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />
He, e-Ne, e-Ar obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo,<br />
bfv3SE, bfv3sf1SEP, bfv3SEP, dane doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 5. POPRAWKI EMPIRYCZNE DO POTENCJAŁU ABSORPCYJNEGO<br />
OPARTEGO NA MODELU KWAZI-SWOBODNEGO ROZPRASZANIA 58<br />
Tabela 5.4: SBB przekrojów czynnych dla różnych potencjałów dla rozpraszania e-He,<br />
e-Ne oraz e-Ar.<br />
SBB [a 2 0 ] Dośw. Model<br />
Vfv3 A V fv3 A (SEP )<br />
e-He<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
∆ cs 0.055 0.184 0.187 0.072 0.073<br />
∆ abs 0.060 0.663 0.684 0.054 0.056<br />
∆ el 0.124 0.110 0.109 0.121 0.120<br />
∆ diff 0.041 0.060 0.060 0.063 0.063<br />
∆ cs 1 0.100 0.286 0.293 0.125 0.125<br />
∆ cs 2 0.027 0.062 0.063 0.043 0.043<br />
∆ cs 3 0.017 0.139 0.140 0.025 0.027<br />
∆ diff 1 0.112 0.199 0.200 0.198 0.198<br />
∆ diff 2 0.032 0.025 0.025 0.027 0.027<br />
∆ diff 3 0.019 0.017 0.018 0.017 0.017<br />
e-Ne<br />
∆ cs 0.147 0.264 0.271 0.254 0.249<br />
∆ abs 0.100 0.505 0.546 0.430 0.398<br />
∆ el 0.316 0.548 0.531 0.556 0.547<br />
∆ diff 0.101 0.132 0.130 0.135 0.136<br />
∆ cs 1 0.195 0.341 0.355 0.329 0.322<br />
∆ cs 2 0.099 0.118 0.119 0.113 0.111<br />
∆ cs 3 0.115 0.269 0.271 0.260 0.256<br />
∆ diff 1 0.250 0.330 0.327 0.337 0.340<br />
∆ diff 2 0.064 0.070 0.068 0.073 0.074<br />
∆ diff 3 0.026 0.025 0.024 0.025 0.025<br />
e-Ar<br />
∆ cs 0.615 1.532 1.619 0.790 0.797<br />
∆ abs 0.369 3.617 3.873 0.355 0.451<br />
∆ el 0.975 0.871 0.926 0.949 0.878<br />
∆ diff 0.531 0.808 0.804 0.979 0.964<br />
∆ cs 1 0.968 1.897 2.087 0.893 0.921<br />
∆ cs 2 0.579 1.033 1.039 1.073 1.060<br />
∆ cs 3 0.284 1.479 1.514 0.511 0.509<br />
∆ diff 1 1.361 2.073 2.061 2.433 2.400<br />
∆ diff 2 0.115 0.079 0.077 0.126 0.118<br />
∆ diff 3 0.047 0.062 0.067 0.057 0.056<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )
Rozdział 6<br />
Lokalne zależne od energii<br />
potencjały otrzymane ze znajomości<br />
przekrojów czynnych<br />
W poprzednich rozdziałach przeanalizowano kilka modeli potencjałów efektywnych dla<br />
rozpraszania elektronów na atomach helu, neonu oraz argonu. Główny nacisk położono<br />
na przetestowanie różnych modyfikacji potencjału absorpcyjnego opartego na modelu<br />
kwazi-swobodnego rozpraszania.<br />
Rozważane nieempiryczne modele potencjałów absorpcyjnych bazujące na QFSM<br />
prowadziły do poprawy opisu procesu rozpraszania w pewnych zakresach energii lub<br />
dla niektórych zakresów kątów rozpraszania. Żaden z modeli nie doprowadził do poprawy<br />
wyników w szerokim zakresie energii i kątów rozpraszania. Wprowadzenie czynnika<br />
skalującego zawierającego parametry empiryczne znacznie poprawiło jakość potencjału.<br />
Zasadnicze pytanie brzmi, czy można znaleźć takie lokalne potencjały, które w zadowalający<br />
sposób przybliżałyby nielokalne oddziaływania w szerokim zakresie energii i<br />
kątów rozpraszania. Odpowiedzi na to pytanie będziemy poszukiwać w ramach podejścia<br />
tzw. odwrotnego procesu zderzeniowego (inverse scattering problem (isp)) czyli w<br />
bieżącym rozdziale uwaga zostanie skupiona na zbadaniu możliwości otrzymania lokalnych<br />
efektywnych zależnych od energii potencjałów polaryzacyjnych i absorpcyjnych ze<br />
znajomości przekrojów czynnych.<br />
Potencjały te zostaną oznaczone jako Visp P , V isp A , dla podkreślenia, że zostały wygenerowane<br />
ze znajomości danych doświadczalnych. Potencjały absorpcyjny i polaryzacyjny<br />
spełniają w przybliżeniu relację dyspersyjną. Do badań wybrano taką postać funkcyjną<br />
dla potencjału absorpcyjnego aby było możliwe analityczne wykonanie całki występującej<br />
w relacji dyspersyjnej i otrzymanie analitycznego wyrażenia na potencjał polaryzacyjny.<br />
Zapostulowana funkcja zawiera wiele parametrów, których wartości dopasowane są<br />
59
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 60<br />
przy pomocy algorytmu genetycznego do dużego zbioru danych doświadczalnych. Dla<br />
przypomnienia, na zbiór ten składa się 316 danych dla helu, 282 dla neonu oraz 302 dla<br />
argonu, tabela 5.1. Energia elektronu padającego zawiera się w przedziale 20-3000 eV a<br />
kąt rozpraszania 3-150 stopni.<br />
6.1 Potencjały<br />
Zapostulujmy efektywny potencjał polaryzacyjny, w założeniu zależny od energii, jako<br />
sumę dwóch części. Pierwsza to część krótkozasięgowa otrzymana z potencjału absorpcyjnego<br />
poprzez przybliżoną relację dyspersyjną [38, 56, 57]. Na drugą, znaną długozasięgową<br />
część składają się wyrazy do rzędu r −6 włącznie [58, 59]:<br />
V P (r, E) = − 1 ∫ ∞<br />
π P V A (r, E ′ ) dE ′<br />
E ′ − E<br />
ε<br />
− α (<br />
d<br />
r 4 1 − β + γE )<br />
r 2 f c (r) . (6.1)<br />
W powyższym ε jest energią wzbudzenia ze stanu podstawowego do pierwszego stanu<br />
wzbudzonego, f c jest funkcją obcięcia (cutoff):<br />
f c (r) =<br />
(<br />
1 − e δr<br />
2 e −δr) 3<br />
, (6.2)<br />
e δr<br />
2 = 1 + δr + 1 2 (δr)2 . (6.3)<br />
Potraktujmy α d , β, γ oraz δ jako parametry do dopasowania.<br />
Potencjał absorpcyjny jest wzięty w postaci iloczynu [37] dwóch funkcji, jednej zależnej<br />
od energii i drugiej zależnej od odległości:<br />
V A (r, E) = f 1 (E)f 2 (r) . (6.4)<br />
Przyjmijmy taką postać części zależnej od energii aby można było wyliczyć całkę występującą<br />
w (6.1) analitycznie:<br />
⎧<br />
)(<br />
)<br />
⎪⎨ −a<br />
(1 − e −α(E−ε) e −β1E + be −β 2E<br />
dla E ε ,<br />
f 1 (E) =<br />
⎪⎩ 0 dla E < ε.<br />
(6.5)<br />
Funkcja f 2 (r) jest wzięta w postaci zasugerowanej w [37]<br />
f 2 (r) = 1 r<br />
(e −r/d − e −r/s )<br />
. (6.6)<br />
W równaniach (6.5, 6.6) a, α, b, β 1 , β 2 , d oraz s są również parametrami podlegającymi<br />
optymalizacji. Podsumowując, mamy zatem siedem parametrów w potencjale absorpcyjnym<br />
V A oraz jedenaście w polaryzacyjnym V P<br />
potencjałów).<br />
Policzmy wartość główną całki z równania (6.1) tj.<br />
P<br />
∫ ∞<br />
ɛ<br />
V A (r, E ′ )<br />
E ′ − E dE′ .<br />
(siedem z nich jest wspólnych dla obu
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 61<br />
Po podstawieniu wyrażeń zdefiniowanych powyżej i wyciągnięciu przed całkę wyrazów<br />
niezależnych od zmiennej całkowania dostaniemy co następuje:<br />
P<br />
∫ ∞<br />
ɛ<br />
V A (r, E ′ ( ∫<br />
)<br />
∞<br />
E ′ − E dE′ = −af 2 (r) P<br />
−<br />
e αɛ P<br />
ɛ<br />
∫ ∞<br />
e −(α+β 1)E ′<br />
ɛ<br />
E ′ − E<br />
e −β 1E ′ ∫ ∞<br />
E ′ − E dE′ + bP<br />
dE′ − be αɛ P<br />
ɛ<br />
∫ ∞<br />
ɛ<br />
e −β 2E ′<br />
E ′ − E dE′<br />
e −(α+β 2)E ′<br />
E ′ − E dE′ )<br />
.(6.7)<br />
Po wykorzystaniu następującej zależności:<br />
⎧<br />
e<br />
∫ ∞<br />
e<br />
⎪⎨<br />
−ηE Ei(ηE − ηɛ), dla E > ɛ<br />
−ηE′<br />
P<br />
ɛ E ′ − E dE′ =<br />
⎪⎩ e −ηE E 1 (ηɛ − ηE), dla E < ɛ.<br />
(6.8)<br />
oraz wprowadzeniu oznaczenia:<br />
otrzymujemy co następuje:<br />
P<br />
∫ ∞<br />
ɛ<br />
P<br />
∫ ∞<br />
ɛ<br />
e −ηE′<br />
E ′ − E dE′ = E c (E, η, ɛ) (6.9)<br />
V A (r, E ′ (<br />
)<br />
E ′ − E dE′ = − af 2 (r) E c (E, β 1 , ɛ) + bE c (E, β 2 , ɛ)<br />
)<br />
− e αɛ E c (E, α + β 1 , ɛ) − be αɛ E c (E, α + β 2 , ɛ) . (6.10)<br />
Podsumowując, dostajemy następujące analityczne wyrażenie na potencjał polaryzacyjny:<br />
V P (r, E) = af [<br />
2(r)<br />
E c (E, β 1 , ε) + bE c (E, β 2 , ε)<br />
π<br />
]<br />
−e αε E c (E, α + β 1 , ε) − be αε E c (E, α + β 2 , ε)<br />
− α (<br />
d<br />
r 4 1 − β + γE )<br />
r 2 f c (r) , (6.11)<br />
gdzie<br />
∫ ∞<br />
e −ηE′<br />
E c (E, η, ε) = P<br />
ε E ′ − E dE′<br />
⎧<br />
⎪⎨ e −ηE Ei(ηE − ηε) , E < ε ,<br />
= −<br />
⎪⎩ e −ηE E 1 (ηε − ηE) , E ε .<br />
(6.12)<br />
W powyższym Ei(x) oraz E 1 (x) są eksponencjalnymi funkcjami całkowymi.<br />
6.2 Parametry potencjałów<br />
Tak jak miało to miejsce poprzednio, przekroje czynne na rozpraszanie elektronów na<br />
atomach uzyskano poprzez rozwiązywanie równań opisujących rozproszenie (1.57)-(1.58).<br />
Zmianie nie uległy także postaci użytych potencjałów statycznych i wymiennych. Dla każdego<br />
z atomów wszystkie jedenaście parametrów zostało zoptymalizowanych a po tym
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 62<br />
procesie ważność każdego z parametrów została sprawdzona. W tabeli 6.1 zebrano optymalne<br />
wartości parametrów. Obok wartości parametru w nawiasie umieszczono maksymalny<br />
procentowy przyrost ∆ cs spowodowany zmianą parametru o 5% wokół optymalnej<br />
wartości. Dla przykładu, zmiana optymalnej wartości parametru nieliniowego α z 0.2129<br />
na 0.2353 dla atomu helu powoduje wzrost ∆ cs nie przekraczający 15.5% optymalnej<br />
wartości.<br />
Tabela 6.1: Zoptymalizowane parametry dla efektywnych potencjałów absorpcyjnych i<br />
polaryzacyjnych. Liczby w nawiasach odpowiadają największemu przyrostowi procentowemu<br />
∆ cs przy zmianie wartości parametru o ∓5% wokół optymalnej wartości.<br />
Parametr [j.a.] He Ne Ar<br />
a 0.0998 (28.6) 1.9712 (15.0) 0.6553 (22.0)<br />
α 0.2241 (15.5) 0.1830 (7.5) 0.4990 (5.3)<br />
β 1 0.2541 (5.7) 0.0033 (0.8) 0.0041 (1.6)<br />
d 1.9625 (57.4) 0.9793 (199.9) 1.7548 (88.7)<br />
s 0.0020 (0.0) 0.8619 (146.5) 1.0108 (23.9)<br />
b 0.7156 (20.6) 0.8287 (2.6) 0.3922 (2.2)<br />
β 2 0.0068 (1.7) 0.0492 (0.9) 0.0738 (1.2)<br />
α d 1.9003 (0.0) 1.5753 (0.4) 0.3884 (1.0)<br />
β 1.2648 (0.0) 1.8058 (0.0) 55.796 (1.2)<br />
γ 0.2722 (0.0) 0.7413 (0.4) 0.0583 (0.0)<br />
δ 0.1591 (0.1) 1.0119 (2.9) 1.3841 (11.3)<br />
Zatem im większa liczba w nawiasie tym istotniejszy jest stojący przy nawiasie parametr.<br />
Parametr γ wydaje się nie mieć większego znaczenia dla He oraz Ar. Dla tych<br />
atomów położenie γ = 0 zmienia wszystkie SBB o mniej niż 1%. Dla atomu neonu wyzerowanie<br />
parametru γ powoduje zmiany sięgające niemalże 25% a największe zmiany<br />
zachodzą dla małych kątów rozpraszania i dużych energii. Dla przypomnienia parametr<br />
γ wprowadza zależność od energii części asymptotycznej potencjału polaryzacyjnego.<br />
Warto w tym miejscu odnotować jak ważne są parametry d oraz s, szczególnie dla rozpraszania<br />
na atomie neonu i w mniejszym stopniu dla argonu. Pokazuje to jakie znaczenie<br />
ma część zależna od odległości potencjału absorpcyjnego.<br />
6.3 Wyniki<br />
Średnie błędy bezwzględne wszelkiego rodzaju zostały zebrane w tabeli 6.2. Podobnie<br />
jak miało to miejsce wcześniej podano także błędy doświadczalne przy założeniu 5 procentowego<br />
błędu pomiaru całkowitych przekrojów czynnych i 10% dla różniczkowych<br />
przekrojów czynnych. Dla porównania w tabeli 6.2 umieszczono także wyniki dla modeli<br />
Vfo A (SE) oraz V<br />
A<br />
fv3sf2 (SE). Potencjał polaryzacyjny typu Buckinghama został użyty w<br />
obu wymienionych modelach. Tym co odróżnia te dwa modele od siebie to użycie innego
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 63<br />
Tabela 6.2: Średnie błędy bezwzględne SBB dla różnych potencjałów absorpcyjnych dla<br />
rozpraszania e-He, e-Ne oraz e-Ar.<br />
Model<br />
SBB [a 2 0 ] Doświadczenie,1 Omawiany model empiryczny Visp<br />
A<br />
e-He<br />
V A<br />
fo (SE) 2<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE) 3<br />
∆ cs 0.055 0.044 0.182 0.072<br />
∆ abs 0.060 0.013 0.645 0.054<br />
∆ el 0.124 0.094 0.110 0.121<br />
∆ diff 0.041 0.027 0.059 0.063<br />
∆ cs 1 0.100 0.091 0.294 0.125<br />
∆ cs 2 0.027 0.006 0.053 0.043<br />
∆ cs 3 0.017 0.011 0.129 0.024<br />
∆ diff 1 0.112 0.069 0.196 0.198<br />
∆ diff 2 0.032 0.030 0.026 0.027<br />
∆ diff 3 0.019 0.011 0.019 0.017<br />
e-Ne<br />
∆ cs 0.147 0.100 0.251 0.227<br />
∆ abs 0.100 0.098 0.222 0.236<br />
∆ el 0.316 0.352 0.759 0.489<br />
∆ diff 0.101 0.079 0.105 0.155<br />
∆ cs 1 0.195 0.152 0.384 0.288<br />
∆ cs 2 0.099 0.052 0.137 0.101<br />
∆ cs 3 0.115 0.062 0.146 0.240<br />
∆ diff 1 0.250 0.246 0.258 0.391<br />
∆ diff 2 0.064 0.066 0.087 0.070<br />
∆ diff 3 0.026 0.017 0.038 0.022<br />
e-Ar<br />
∆ cs 0.615 0.342 1.320 0.783<br />
∆ abs 0.369 0.278 2.869 0.301<br />
∆ el 0.975 1.073 1.361 0.992<br />
∆ diff 0.531 0.241 0.649 0.981<br />
∆ cs 1 0.968 0.703 2.108 0.891<br />
∆ cs 2 0.579 0.202 0.867 1.076<br />
∆ cs 3 0.284 0.068 0.815 0.492<br />
∆ diff 1 1.361 0.655 1.647 2.438<br />
∆ diff 2 0.115 0.082 0.173 0.131<br />
∆ diff 3 0.047 0.029 0.109 0.059<br />
1 Założono, że doświadczalne SBB wynoszą 5% dla całkowitych przekrojów czynnych oraz 10%<br />
dla różniczkowych przekrojów czynnych.<br />
2 [41, 60].<br />
3 [60].<br />
potencjału absorpcyjnego. Dla przypomnienia w modelu oznaczonym jako Vfo A (SE) (5.6)<br />
użyto oryginalnego frywolnego potencjału absorpcyjnego. Oznaczenie Vfv3sf2 A (SE) (5.11)<br />
wskazuje na użycie trzeciej wersji kwaziswobodnego modelu rozproszeniowego jako potencjału<br />
absorpcyjnego przemnożonego przez czynnik skalujący SF2 (5.3). W obu modelach<br />
potencjał absorpcyjny zależy od potencjału statyczno-wymiennego, stąd oznaczenie SE.<br />
Wymienione potencjały dały najmniejszy globalny błąd spośród rozpatrywanych potencjałów<br />
opisanych szczegółowo w poprzednich rozdziałach.<br />
Identycznie jak miało to miejsce wcześniej w celu porównania modeli należy użyć liczb<br />
w wierszach w tabeli 6.2. Jednym z pierwszych wniosków nasuwających się po przestudiowaniu<br />
wyników zgromadzonych w tabeli 6.2 jest znacząca a niekiedy bardzo znacząca<br />
poprawa wyników otrzymanych przy pomocy omawianego modelu empirycznego w porównaniu<br />
do wyników otrzymanych przy pomocy potencjałów Vfo A (SE) oraz V<br />
A<br />
fv3sf2 (SE)
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 64<br />
(odpowiednio przedostania i ostatnia kolumna tabeli). Różniczkowe przekroje czynne dla<br />
różnych energii i kątów rozpraszania są pokazane na rysunkach 6.1-6.11.<br />
20 eV<br />
30 eV<br />
2.5<br />
3<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.85<br />
0.68<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.41<br />
0.5<br />
0 40 80 120 160<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
θ [ deg ]<br />
40 eV<br />
50 eV<br />
3<br />
3<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.24<br />
0.15<br />
0 40 80 120 160<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.1: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 20, 30, 40 i 50<br />
eV, dane doświadczalne (+).<br />
Zarówno rysunki 6.1-6.11 i tabela 6.2 pokazują, że prezentowany model empiryczny<br />
poprawnie (w granicach błędu doświadczalnego) opisuje proces rozproszeniowy w dużym<br />
zakresie energii i kątów rozpraszania. Jak wiadomo, minimalizacja globalnego błędu (∆ cs )<br />
nie oznacza, że otrzymamy idealną zgodność wszystkich przekrojów czynnych z reprodukowanymi<br />
danymi doświadczalnymi. W omawianym przypadku nieliczne obserwowane<br />
odstępstwa są następujące:<br />
• dla rozpraszania e-Ne, mniej dokładnie są reprodukowane różniczkowe przekroje<br />
czynne dla niskich energii,<br />
• dla rozpraszania e-Ne, obliczenia różniczkowych przekrojów czynnych dały niewielkie<br />
lokalne minimum w okolicach 30 stopni kąta rozpraszania, którego nie wykazują<br />
dane doświadczalne, poza tym niezbyt dokładnie uległy reprodukcji całkowite przekroje<br />
czynne,<br />
• dla rozpraszania e-Ar obserwujemy niedokładności w różniczkowych przekrojach<br />
czynnych dla 20 eV w okolicach 70 stopni kąta rozpraszania oraz dla 100 eV w<br />
okolicach 120 stopnia kąta rozpraszania.
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 65<br />
70 eV<br />
100 eV<br />
3<br />
3<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.07<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.03<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
3<br />
150 eV<br />
3<br />
200 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.011<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.006<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.2: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 70, 100, 150 i<br />
200 eV, dane doświadczalne (+).<br />
3<br />
300 eV<br />
3<br />
400 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.0023<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.0013<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
3<br />
500 eV<br />
3<br />
700 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.017<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.009<br />
0.0008<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.0004<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.3: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 300, 400, 500 i<br />
700 eV, dane doświadczalne (+).<br />
Powyższe odstępstwa są niewielkie ale mogą sugerować, że postulowana dla wygody<br />
obliczeń postać potencjału jest zbyt uproszczona. W szczególności założenie, że potencjał
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 66<br />
1<br />
1000 eV<br />
1<br />
2000 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.0043<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.0011<br />
0.00018<br />
4.5e-005<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
1<br />
3000 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.00049<br />
2e-005<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.4: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 1000, 2000 i<br />
3000 eV, dane doświadczalne (+).<br />
20 eV<br />
30 eV<br />
3<br />
5<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
0.24<br />
0.135<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
40 eV<br />
50 eV<br />
5<br />
5<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
0.054<br />
0.015<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.5: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 20, 30, 40 i 50<br />
eV, dane doświadczalne (+).<br />
jest iloczynem funkcji zależnej od odległości i funkcji zależnej od energii może być zbyt<br />
dużym przybliżeniem.
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 67<br />
100 eV<br />
150 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
0.03<br />
0.07<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
200 eV<br />
300 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
0.08<br />
0.07<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.6: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 100, 150, 200 i<br />
300 eV, dane doświadczalne (+).<br />
400 eV<br />
500 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
0.055<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
0.035<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
750 eV<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
800 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
0.014<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.012<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.7: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 400, 500, 750 i<br />
800 eV, dane doświadczalne (+).
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 68<br />
1000 eV<br />
2000 eV<br />
10<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
0.007<br />
0.0015<br />
0 40 80 120 160<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
θ [ deg ]<br />
10<br />
3000 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1<br />
0.0006<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.8: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 1000, 2000 i<br />
3000 eV, dane doświadczalne (+).<br />
20 eV<br />
50 eV<br />
53<br />
55<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
7.3<br />
2.1<br />
0.92<br />
0.48<br />
0.15<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1.42<br />
0.072<br />
0.025<br />
0 40 80 120 160<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
θ [ deg ]<br />
100 eV<br />
150 eV<br />
64<br />
62<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
2.38<br />
0.52<br />
0.22<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1.65<br />
0.33<br />
0.009<br />
0.0075<br />
0 40 80 120 160<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.9: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar dla energii 20, 50, 100 i 150<br />
eV, dane doświadczalne (+).<br />
6.4 Podsumowanie i wnioski<br />
W bieżącym rozdziale parametry w potencjałach zostały dopasowane do danych doświadczalnych<br />
w zakresie energii od 20 do 3000 eV. Jak zaprezentowano powyżej dla
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 69<br />
200 eV<br />
300 eV<br />
62<br />
62<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
1.05<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.51<br />
0.028<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.049<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
400 eV<br />
500 eV<br />
62<br />
62<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.28<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
0.17<br />
0.054<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.054<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.10: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 200, 300, 400<br />
i 500 eV, dane doświadczalne (+).<br />
800 eV<br />
1000 eV<br />
62<br />
61<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
10<br />
0.04<br />
0.029<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
2000 eV<br />
3000 eV<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
58<br />
10<br />
dσ/dΩ [ a 0<br />
2 /sr ]<br />
37<br />
10<br />
0.006<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
0.0023<br />
0 40 80 120 160<br />
θ [ deg ]<br />
Rys. 6.11: Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 800, 1000, 2000<br />
i 3000 eV, dane doświadczalne (+).<br />
wymienionego zakresu energii potencjały bardzo dobrze odtworzyły przekroje czynne.<br />
Z formalnego punktu widzenia równania (6.5) oraz (6.12) mogą być użyte dla energii
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 70<br />
e-He<br />
e-Ne<br />
e-Ar<br />
σ tot [ a 0<br />
2 ]<br />
12<br />
8<br />
4<br />
0<br />
30 300 3000<br />
σ tot [ a 0<br />
2 ]<br />
12<br />
8<br />
4<br />
0<br />
30 300 3000<br />
σ tot [ a 0<br />
2 ]<br />
75<br />
60<br />
45<br />
30<br />
15<br />
0<br />
30 300 3000<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
σ abs [ a 0<br />
2 ]<br />
2<br />
1<br />
σ abs [ a 0<br />
2 ]<br />
3<br />
2<br />
1<br />
σ abs [ a 0<br />
2 ]<br />
12<br />
8<br />
4<br />
0<br />
30 300 3000<br />
0<br />
30 300 3000<br />
0<br />
30 300 3000<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
σ el [ a 0<br />
2 ]<br />
12<br />
8<br />
4<br />
0<br />
30 300 3000<br />
σ el [ a 0<br />
2 ]<br />
12<br />
8<br />
4<br />
0<br />
30 300 3000<br />
σ el [ a 0<br />
2 ]<br />
75<br />
60<br />
45<br />
30<br />
15<br />
0<br />
30 300 3000<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
energia [ eV ]<br />
Rys. 6.12: Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-He,<br />
e-Ne i e-Ar, dane doświadczalne (+).<br />
elektronu padającego poniżej energii progowej (E < ε) lecz parametry z tabeli dają dla<br />
niskich energii większe błędy. W celu poszerzenia zakresu stosowania omawianych potencjałów<br />
o zakres niskich energii należałoby dopasować parametry potencjałów na zbiorze<br />
danych zawierającym doświadczalne przekroje czynne dla energii elektronu padającego<br />
zawierających się w przedziale (0, ε). W szczególności, patrząc na wykresy całkowitych<br />
przekrojów czynnych dla rozpraszania elektronów na neonie (rysunek 6.12) można dojść<br />
do wniosku, że dla niskich energii rozpraszania nie udało się uzyskać wyników bardzo<br />
zbliżonych do danych doświadczalnych.<br />
Zoptymalizowano różne warianty funkcjonalnych postaci potencjałów, które dawały<br />
w rezultacie podobne wartości przekrojów czynnych. Wzięto pod uwagę różne postaci potencjału<br />
polaryzacyjnego zarówno wraz jak i bez daleko-zasięgowej części. Nie przyniosło<br />
to lepszych wyników niż zaprezentowany powyżej model.<br />
Pomimo prostoty założonej zależności od energii rozważanego modelu otrzymane potencjały<br />
mogą być pomocne przy poszukiwaniu nowych doskonalszych modeli. Uproszczeniem<br />
jest postać iloczynu:<br />
V A (r, E) = f 1 (E)f 2 (r) .<br />
W przyszłych badaniach należałoby zastosować bardziej ogólną postać funkcyjną V A (r, E)<br />
lub kombinację liniową wyrazów będących iloczynem. Odwrotny problem zderzeniowy<br />
czyli znajdowanie potencjałów na podstawie przekrojów czynnych jest zagadnieniem bar-
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 71<br />
dzo ważnym, ponieważ wygenerowane potencjały mogą stanowić bazę dla modelowania<br />
bardziej adekwatnych zależności od energii i odległości potencjałów efektywnych.
Podsumowanie<br />
Jednym z celów niniejszej rozprawy była ocena efektywności niektórych zaproponowanych<br />
w literaturze, nieempirycznych, zależnych od energii potencjałów absorpcyjnych<br />
opartych na modelu prawie swobodnych elektronów, QFSM. Przeprowadzono obliczenia<br />
dla różnych kombinacji potencjałów absorpcyjnych i polaryzacyjnych dla elastycznego<br />
rozpraszania elektronów na atomach neonu. Uzyskane wyniki zostały ocenione przez obliczenie<br />
średniego błędu bezwzględnego na zbiorze doświadczalnych wartości przekrojów<br />
czynnych. Stwierdzono, że rozważane nieempiryczne modyfikacje oryginalnego modelu<br />
QFSM prowadzą do poprawy opisu rozpraszania dla pewnych zakresów energii padającego<br />
elektronu oraz pewnych zakresów kąta rozpraszania. Żaden z rozważanych modeli<br />
nie doprowadził do systematycznej poprawy wyników dla całego zakresu rozważanych<br />
energii i kątów.<br />
Następnie badano możliwość uzyskania efektywnych potencjałów polaryzacyjnych ze<br />
znajomości potencjałów absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną. Okazało się, że w<br />
żadnym z rozważanych modeli potencjału absorpcyjnego zależność od energii nie została<br />
skorygowana na tyle wystarczająco aby móc wygenerować z nich poprawny potencjał<br />
polaryzacyjny; obserwuje się znaczne odstępstwa od wartości doświadczalnych szczególnie<br />
dla niskich energii.<br />
W celu uzyskania odpowiedzi na pytanie czy można wymodelować taki lokalny, zależny<br />
od energii potencjał efektywny, który byłby dobrym przybliżeniem nielokalnego<br />
potencjału optycznego w szerokim zakresie energii, przebadano również modele empiryczne<br />
bazujące na modelu QFSM. Do wyznaczenia optymalnych wartości parametrów<br />
empirycznych wykorzystano algorytm genetyczny, który służył do minimalizacji globalnego<br />
średniego błędu bezwzględnego, użytego poprzednio do oceny modeli. Obliczenia<br />
przeprowadzono dla trzech tarcz, helu, neonu i argonu. We wszystkich przypadkach otrzymano<br />
znaczne (nawet kilkukrotne) zmniejszenie błędu i rozszerzenie zakresu stosowalności<br />
rozpatrywanych modeli. Stwierdzono, że parametry czynników skalujących nie mogą<br />
być rozważane niezależnie od tarczy, na której rozpraszają się elektrony.<br />
Ostatnim celem pracy było zbadanie możliwości uzyskania informacji o potencjałach<br />
efektywnych poprzez wygenerowanie ich ze znajomości przekrojów czynnych. Modelo-<br />
72
ROZDZIAŁ 6. LOKALNE ZALEŻNE OD ENERGII POTENCJAŁY OTRZYMANE ZE<br />
ZNAJOMOŚCI PRZEKROJÓW CZYNNYCH 73<br />
wany potencjał absorpcyjny przedstawiono w postaci iloczynu funkcji energii i funkcji<br />
współrzędnej, obie funkcje zawierały parametry empiryczne. Potencjał polaryzacyjny<br />
modelowano jednocześnie korzystając z relacji dyspersyjnej. Mimo prostoty modelu uzyskano<br />
bardzo dobrą reprodukcję danych doświadczalnych dla trzech tarcz, dla szerokiego<br />
przedziału energii i w całym zakresie kątów. Nieco mniejszą dokładność uzyskano dla<br />
energii niskich.<br />
Badania te jednak pokazują, że można znaleźć takie lokalne przybliżenie nielokalnego<br />
potencjału, które prowadzi do tych samych wartości przekrojów czynnych.<br />
Studia nad poszukiwaniem informacji o potencjałach poprzez odwrotny problem zderzeniowy<br />
powinny być kontynuowane. Jedną z możliwości rozszerzenia badań jest próba<br />
dopasowania parametrów potencjałów poprzez skonstruowanie funkcji błędu jednocześnie<br />
dla kilku tarcz atomowych (np. gazów szlachetnych).<br />
W przyszłych badaniach powinno się zastosować bardziej ogólną postać funkcyjną<br />
potencjałów. Można także spróbować skonstruować potencjał będący kombinacją liniową<br />
kilku np. N p funkcji:<br />
F (r, E) =<br />
∑<br />
N p<br />
a i f i (r, E),<br />
i=1<br />
gdzie parametry a i podlegałyby również optymalizacji za pomocą algorytmu genetycznego.<br />
Badanie problemu znajdowania potencjałów na podstawie przekrojów czynnych może<br />
stanowić bazę dla modelowania bardziej adekwatnych zależności od energii i odległości<br />
potencjałów efektywnych.<br />
W pracy, w dodatku A, umieszczono pełne wyprowadzenie wzoru na potencjał absorpcyjny,<br />
oparty na modelu prawie swobodnych elektronów, QFSM.
Dodatek A<br />
Wyprowadzenie wzoru na potencjał<br />
absorpcyjny dla modelu QFSM<br />
Obecnie zajmiemy się policzeniem następującego wyrażenia:<br />
σ b = N k<br />
p<br />
∫<br />
⊂S<br />
∫<br />
d ⃗ k|⃗p − ⃗ k| d⃗g dσ b<br />
⊃S dΩ<br />
1<br />
δ(p 0 − p f ).<br />
p 2 0<br />
(A.1)<br />
Na początek przywołajmy jak wielkości występujące w powyższym wyrażeniu są związane<br />
z wielkościami fizycznym:<br />
• N k jest stałą gęstością elektronów tarczy w przestrzeni pędów,<br />
• ⃗p, ⃗ k są pędami elektronu padającego i tarczy przed zderzeniem odpowiednio,<br />
• S jest oznaczeniem sfery Fermiego,<br />
• ⃗p ′ , ⃗ k ′ są pędami elektronu padającego i tarczy po zderzeniu odpowiednio,<br />
• ⃗p 0 , ⃗p f są pędami elektronu rozproszonego, odpowiednio, przed zderzeniem i po zderzeniu<br />
w układzie środka masy podukładu elektron-elektron.<br />
• ⃗g jest przekazem pędu, równym ⃗p ′ − ⃗p lub ⃗p f − ⃗p 0 ,<br />
• ⃗q, ⃗q ′ jest pędem przed i po zderzeniu odpowiednio,<br />
• dσ b<br />
dΩ<br />
jest różniczkowym przekrojem czynnym na binarne zderzenia.<br />
Granice całkowania w wyrażeniu A.1 są, na razie, określone symbolicznie jako ⊂ S (wewnątrz<br />
sfery Fermiego) oraz ⊃ S (na zewnątrz sfery Fermiego). Całkowanie wewnątrz kuli<br />
Fermiego ⊂ S oznacza, że początkowo elektron tarczy jest zlokalizowany w obsadzonym<br />
morzu Fermiego. Można to wyrazić poprzez pierwsze założenie:<br />
k 2 k 2 F .<br />
(A.2)<br />
74
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 75<br />
Następne założenia:<br />
k ′2 α, (A.3)<br />
p ′2 β, (A.4)<br />
oznaczają tyle, że oba elektrony, padający i tarczy, muszą po zderzeniu znaleźć się poza<br />
sferą Fermiego. Parametry α oraz β wprowadzone powyżej mają wymiar energii i są<br />
wprowadzone dla uogólnienia modelu. Innymi słowy parametry te należy określić przy<br />
rachunkach dla sprecyzowanych modeli. Warto nadmienić w tym miejscu, że oryginalny<br />
model otrzymamy dla:<br />
α = k 2 F + 2∆<br />
β = k 2 F . (A.5)<br />
Z warunku (A.3) i pierwszego z warunków (A.5) mamy:<br />
k ′2 k 2 + ω ≡ k 2 + 2∆.<br />
(A.6)<br />
Powyższy warunek mówi tyle, że energia elektronu tarczy po zderzeniu, k ′2 , musi przewyższyć<br />
energię elektronu tarczy przed zderzeniem k 2 o co najmniej wartość ∆. Energia<br />
∆ jest wartością energii konieczną do wzbudzenia atomu ze stanu podstawowego do<br />
pierwszego stanu wzbudzonego. Po podstawieniu do (A.1) wzoru Rutherforda:<br />
otrzymujemy co następuje:<br />
σ b = N k<br />
p<br />
∫<br />
⊂S<br />
dσ b<br />
dΩ = 1<br />
|⃗p ′ − ⃗p| 4 = 1 g 4<br />
∫<br />
d ⃗ k|⃗p − ⃗ k| d⃗g 1 1<br />
⊃S g 4 p 2 δ(p 0 − p f ).<br />
0<br />
(A.7)<br />
(A.8)<br />
Dla dogodności dalszych obliczeń dobrze jest dokonać zamiany kolejności całkowania:<br />
σ b = N k<br />
p<br />
∫<br />
⊃S<br />
∫<br />
d⃗g d ⃗ k|⃗p − ⃗ k| 1 1<br />
⊂S g 4 p 2 δ(p 0 − p f ).<br />
0<br />
(A.9)<br />
Wziąwszy pod uwagę tożsamości ⃗p 0 = ⃗q oraz ⃗p f = ⃗q ′ otrzymujemy:<br />
σ b = N k<br />
p<br />
∫<br />
⊃S<br />
∫<br />
d⃗g d ⃗ k|⃗p − ⃗ k| 1 1<br />
⊂S g 4 q 2 δ(q − q′ ).<br />
(A.10)<br />
Mając na uwadze własność funkcji δ:<br />
δ(q − q ′ ) = 2qδ(q 2 − q ′2 )<br />
(A.11)<br />
a także:<br />
dostajemy:<br />
σ b = 4N k<br />
p<br />
∫<br />
⊃S<br />
q = 1 2 |⃗p − ⃗ k|<br />
d⃗g 1 g 4 ∫<br />
⊂S<br />
d ⃗ kδ(q 2 − q ′2 ).<br />
(A.12)<br />
(A.13)
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 76<br />
Zajmijmy się teraz policzeniem całki:<br />
∫<br />
⊂S<br />
d ⃗ kδ(q 2 − q ′2 ).<br />
(A.14)<br />
Na tym etapie jest dogodne wprowadzenie walcowego układu współrzędnych, którego oś<br />
pionowa (oś z) leży wzdłuż kierunku przekazu pędu ⃗g lecz jest przeciwnie skierowane.<br />
Nazwijmy te współrzędne (R, ϕ, z) wtedy mamy:<br />
∫<br />
∫<br />
d ⃗ kδ(q 2 − q ′2 ) = RdRdϕdzδ(q 2 − q ′2 ).<br />
⊃S<br />
⊃S<br />
(A.15)<br />
Argument funkcji δ w (A.15) może zostać zapisany za pomocą zmiennych przy użyciu<br />
twierdzenia:<br />
δ(f(z) − 0) = | ∂f<br />
∂z |−1 z=z 0<br />
δ(z − z 0 ),<br />
(A.16)<br />
gdzie z 0 jest rozwiązaniem równania f(z)=0. Po skorzystaniu z tożsamości:<br />
⃗q = 1 2 (⃗p − ⃗ k),<br />
⃗q ′ = 1 2 (⃗p ′ − ⃗ k ′ ),<br />
⃗ k<br />
′<br />
= ⃗ k − ⃗g,<br />
⃗p ′ = ⃗g + ⃗p<br />
otrzymujemy:<br />
⃗q ′ = ⃗g + ⃗q,<br />
q 2 = 1 4 p2 + 1 4 k2 − 1 ⃗p · ⃗k<br />
2<br />
q ′2 = g 2 + q 2 + 2⃗g · ⃗q<br />
q 2 − q ′2 = q 2 − g 2 − q 2 − 2⃗q · ⃗g = −g 2 − 2⃗q · ⃗g = −g 2 − ⃗g · (⃗p − ⃗ k) =<br />
= −g 2 − ⃗g · ⃗p + ⃗g · ⃗k<br />
⃗g · ⃗k = gkcos(π − θ) = −gkcos θ,<br />
gdzie θ jest kątem pokazanym na rysunku A.1. Biorąc pod uwagę, że:<br />
z = kcos θ<br />
(A.17)<br />
dostajemy:<br />
q 2 − q ′2 = −g 2 − ⃗g · ⃗p − gz.<br />
(A.18)<br />
Zatem wynika z powyższego, że:<br />
f(z) = −g 2 − ⃗g · ⃗p − gz.<br />
(A.19)<br />
Obliczamy odwrotność bezwzględnej wartości pochodnej funkcji f:<br />
| ∂f<br />
∂z |−1 = 1 g .<br />
(A.20)
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 77<br />
Rys. A.1: Układ współrzędnych używany do obliczenia całki po ⃗ k. Promień kuli jest równy<br />
wartości pędu Fermiego k F .<br />
Rozwiązaniem równania f(z 0) = 0 jest<br />
Policzmy teraz iloczyn skalarny w powyższym wyrażeniu:<br />
a ponieważ<br />
⃗g · ⃗p<br />
z 0 = −g −<br />
g . (A.21)<br />
⃗g · ⃗p = (⃗p ′ − ⃗p) · ⃗p = ⃗p · ⃗p ′ − p 2<br />
g 2 = p ′2 + p 2 − 2⃗p · ⃗p ′<br />
to<br />
⃗p · ⃗p ′ = 1 2 (p ′2 + p 2 − g 2 )<br />
Ostatecznie poszukiwany argument wynosi:<br />
i<br />
⃗g · ⃗p = 1 2 (p ′2 − p 2 − g 2 ).<br />
z 0 = 1<br />
2g (p2 − p ′2 − g 2 ).<br />
(A.22)<br />
Reasumując powyższe wyprowadzenie możemy:<br />
δ(f(z) − 0) = | ∂f<br />
∂z |−1 δ(z − z0),<br />
z=z0<br />
zapisać jako:<br />
δ(q 2 − q ′2 ) = 1 δ(z − z0),<br />
g (A.23)
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 78<br />
gdzie z 0 jest dane przez (A.22).<br />
Na tym etapie zadanie sprowadza się do policzenia całki:<br />
∫<br />
1<br />
RdRdϕdzδ(z − z 0 ).<br />
g ⊂S<br />
(A.24)<br />
Funkcja podcałkowa nie zależy od ϕ możemy zatem od razu wykonać całkowanie po tej<br />
zmiennej, które daje w wyniku:<br />
∫<br />
π R 2 ∫<br />
2<br />
g R1<br />
2<br />
d(R 2 )dzδ(z − z 0 ).<br />
(A.25)<br />
Granice całkowania R 2 1 oraz R2 2<br />
można otrzymać przez żądanie spełnienia warunków:<br />
k 2 k 2 F<br />
|⃗p ′ | β.<br />
Z pierwszego z warunków otrzymujemy:<br />
k 2 = R 2 + z 2 k 2 F ⇒<br />
R 2 k 2 F − z 2 .<br />
Spełnienie drugiego warunku (A.3) daje:<br />
k ′2 = R 2 + (z + g) 2 α ⇒<br />
R 2 α − (z + g) 2 .<br />
Biorąc pod uwagę powyższe dostajemy:<br />
α − (z + g) 2 R 2 k 2 F − z 2 .<br />
Górna granica całki (A.25) to:<br />
R 2 2 = k 2 F − z 2 ,<br />
a dolna granica jest dana poprzez:<br />
⎧<br />
⎪⎨<br />
R1 2 α − (z + g) 2 , jeśli α (z + g) 2<br />
=<br />
⎪⎩ 0, gdy α (z + g) 2 .<br />
Po wycałkowaniu względem zmiennej z dostajemy:<br />
⎧<br />
∫<br />
⎪⎨ kF 2 − z2 0 − α + (z 0 + g) 2 dla α (z 0 + g) 2<br />
d ⃗ kδ(q 2 − q ′2 ) = π<br />
⊂S g (R2 2 − R1) 2 = π g ⎪⎩ kF 2 − z2 0 dla α (z 0 + g) 2<br />
Po podstawieniu z 0 danego przez (A.22) dostajemy:<br />
∫<br />
⎧<br />
⎪⎨<br />
d ⃗ kδ(q 2 − q ′2 ) = π<br />
⊂S g ⎪⎩<br />
k 2 F − α + p2 − p ′2 , dla α (z 0 + g) 2<br />
k 2 F − 1<br />
4g 2 (p 2 − p ′2 − g 2 ) 2 , dla α (z 0 + g) 2 .
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 79<br />
Na tym etapie możemy (A.13) zapisać w postaci:<br />
σ b = 8N kπ<br />
p<br />
∫ d⃗g<br />
g 5 ⎧<br />
⎪⎨<br />
⎪ ⎩<br />
k 2 F − α + p2 − p ′2 , dla α (z 0 + g) 2<br />
k 2 F − 1<br />
4g 2 (p 2 − p ′2 − g 2 ) 2 , dla α (z 0 + g) 2 .<br />
Dla uproszczenia dalszych rozważań wprowadźmy notację:<br />
F 1 = 1 g 5 (k2 F − α + p 2 − p ′2 ) (A.26)<br />
F 2 = 1 g 5 [k2 F − 1<br />
4g 2 (p2 − p ′2 − g 2 ) 2 ]<br />
(A.27)<br />
oraz zamiast całkowania po ⃗g będziemy całkować po ⃗p ′ .<br />
Z faktu, że:<br />
⃗g = ⃗p ′ − ⃗p<br />
mamy:<br />
d⃗g = d⃗p ′<br />
oraz<br />
g 2 = p ′2 + p 2 − 2pp ′ y<br />
y = cos η,<br />
gdzie η jest kątem pomiędzy ⃗p i ⃗p ′ .<br />
Ostatecznie element objętości we współrzędnych sferycznych (p ′ , Ψ, η) wyraża się przez:<br />
d⃗p ′ = p ′2 dp ′ dΨdη.<br />
Tak jak miało to miejsce wcześniej można od razu łatwo wycałkować po Ψ. Otrzymujemy<br />
wtedy:<br />
σ R = 16N kπ 2<br />
p<br />
∫<br />
⎧<br />
⎪⎨<br />
p ′2 dp ′ F 1, dla α (z 0 + g) 2<br />
dη<br />
⎪⎩ F 2, dla α (z 0 + g) 2 .<br />
(A.28)<br />
Granice całkowania po zmiennej η dostaniemy z warunków:<br />
α (z 0 + g) 2 (A.29)<br />
α (z 0 + g) 2 (A.30)<br />
Z równania (A.22) mamy:<br />
z 0 + g = 1<br />
2g (g2 + p 2 − p ′2 ).<br />
Wtedy warunek α (z 0 + g) 2 przyjmie postać:<br />
α 1<br />
4g 2 (g2 + p 2 − p ′2 ) 2 .
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 80<br />
Przekształcajmy dalej powyższą nierówność przyjmując, dla prostoty, oznaczenie g 2 ≡ G:<br />
4Gα G 2 + p 4 + p ′4 + 2g 2 p 2 − 2g 2 p ′2 − 2p 2 p ′2<br />
0 G 2 + G(2p 2 − 2p ′2 − 4α) + p 4 + p ′4 − 2p 2 p ′2<br />
0 G 2 + 2G(p 2 − p ′2 − 2α) + (p 2 − p ′2 ) 2<br />
(G + p 2 − p ′2 − 2α) 2 (p 2 − p ′2 − 2α) 2 − (p 2 − p ′2 ) 2<br />
(G + p 2 − p ′2 − 2α) 2 4α 2 − 4α(p 2 − p ′2 ).<br />
Rozwiązanie istnieje tylko wtedy, gdy prawa strona równania jest dodatnia:<br />
4α(α − (p 2 − p ′2 )) 0 ⇒ α p 2 − p ′2 ⇒ p ′2 p 2 − α.<br />
stąd mamy<br />
√<br />
√<br />
−p 2 + p ′2 + 2α − 2 α 2 − α(p 2 − p ′2 ) G 2 α 2 − α(p 2 + p ′2 ) − p 2 − p ′2 + 2α<br />
więc<br />
[<br />
]<br />
α − (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2 [<br />
]<br />
2 g 2 α + (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
2<br />
Podstawiamy za g 2 :<br />
g 2 = p 2 + p ′2 − 2pp ′ η<br />
[<br />
]<br />
α − α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2 [<br />
]<br />
2 p 2 + p ′2 − 2pp ′ η α + α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
2<br />
(<br />
1<br />
[<br />
] )<br />
2pp ′ p 2 + p ′2 − α + (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
2 η 1 (<br />
[<br />
] )<br />
2pp ′ p 2 + p ′2 − α − (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
2<br />
Ostatecznie otrzymujemy<br />
α 1 η β 1 ,<br />
α 1 =<br />
β 1 =<br />
{<br />
1<br />
[<br />
] }<br />
2pp ′ p 2 + p ′2 − α + (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
2<br />
= 1<br />
pp ′ [<br />
p 2 − α 2 − α(α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
{<br />
1<br />
2pp ′ p 2 + p ′2 −<br />
]<br />
,<br />
[<br />
] }<br />
α − (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
2<br />
= 1<br />
pp ′ [<br />
p 2 − α 2 + α(α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
]<br />
.<br />
Warunek:<br />
α 2 1<br />
4g 2 (g2 + p 2 − p ′2 ) 2<br />
po analogicznym postępowaniu jak powyżej prowadzi do:<br />
(G + p 2 − p ′2 − 2α 2 ) 2 4α 2 [α 2 (p 2 − p ′2 )].
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 81<br />
Jeśli prawa strona powyższej nierówności jest ujemna to wtedy rozwiązanie istnieje dla<br />
każdego G i mamy:<br />
Jednakże jeżeli prawa strona jest dodatnia:<br />
p ′2 p 2 − α 2 .<br />
p ′2 p 2 − α 2<br />
G + p 2 − p ′2 − 2α 2 2α(α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
G 2α(α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2 − p 2 + p ′2 + 2α 2<br />
g 2 <br />
[<br />
]<br />
α + (α 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
2 ⇒<br />
⇒ η α 1<br />
lub G + p 2 − p ′2 − 2α 2 −p 2 + p ′2 ) 1 2 ⇒<br />
⇒ η β 1<br />
Stąd otrzymujemy<br />
k 2 F − 1<br />
4g 2 (p2 − p ′2 − g 2 ) 2 0 ⇒<br />
G 2 + 2G(p ′2 − p 2 − 2k 2 F ) + (p 2 − p ′2 ) 2 0<br />
(G + p ′2 − p 2 − 2k 2 F ) 2 4k 2 F (k 2 F − p ′2 + p 2 ). (A.31)<br />
Rozwiązanie ostatniej nierówności istnieje tylko wtedy gdy prawa strona tej nierówności<br />
jest dodatnia:<br />
p ′2 p 2 + k 2 F .<br />
Warunek ten jest zawsze spełniony, gdyż gwarantuje to zasada zachowania energii.<br />
Po rozwiązaniu nierówności α (z 0 + g) 2 otrzymujemy:<br />
α 2 y β 2 ,<br />
gdzie:<br />
α 2 = 1 [<br />
(<br />
pp ′ p ′2 − kF 2 − k F kF 2 − p ′2 + p 2) ]<br />
1<br />
2<br />
,<br />
Reasumując, otrzymaliśmy co następuje:<br />
β 2 = 1<br />
pp ′ [<br />
p ′2 − k 2 F + k F<br />
(<br />
k 2 F − p ′2 + p 2) 1 2<br />
1. Warunek α (z 0 + g) 2 jest spełniony tylko dla:<br />
]<br />
.<br />
p ′2 p 2 − α<br />
(A.32)<br />
oraz w tym przypadku gdy:<br />
α 1 η β 1 , gdzie: (A.33)<br />
α 1 = 1 [<br />
]<br />
pp ′ p 2 − α − (α 2 − α(p 2 + p ′2 )) 1 2 , (A.34)<br />
β 1 = 1<br />
pp ′ [<br />
p 2 − α + (α 2 − α(p 2 + p ′2 )) 1 2<br />
]<br />
. (A.35)
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 82<br />
Wkład do całki, pochodzący od funkcji F1, ma miejsce tylko dla p ′2 p 2 − α<br />
a całkowanie po zmiennej η powinno zostać przeprowadzone w granicach danych<br />
przez (A.33).<br />
2. Z warunku α (z 0 + g) 2 otrzymujemy, że:<br />
a) dla p ′2 p 2 − α warunek α (z 0 + g) 2 jest zawsze spełniony tj. wszystkie<br />
wartości η są dozwolone. Dodatkowe ograniczenia w tym przypadku wynikają<br />
z warunku kF 2 − z2 0 0.<br />
b) dla p ′2 p 2 − α warunek α (z 0 + g) 2 jest spełniony tylko dla:<br />
y α 1 lub y β 1 ,<br />
(A.36)<br />
gdzie α 1 i β 1 są dane odpowiednio przez (32) i (33). Dodatkowe ograniczenia<br />
w tym przypadku wynikają z warunku kF 2 − z2 0 0.<br />
3. Warunek kF 2 −z2 0 0 jest spełniony dla wszystkich wartości p ′2 , które są dozwolone<br />
przez zasadę zachowania energii, nakłada to ograniczenie na granice całkowania po<br />
zmiennej y:<br />
α 2 y β 2 , gdzie : (A.37)<br />
α 2 = 1 [<br />
]<br />
pp ′ p ′2 − kF 2 − k F (kF 2 − p 2 + p ′2 ) 1 2 , (A.38)<br />
β 2 = 1<br />
pp ′ [<br />
p ′2 − k 2 F + k F (k 2 F − p 2 + p ′2 ) 1 2<br />
4. Można pokazać, że poniższa nierówność jest zawsze spełniona:<br />
]<br />
. (A.39)<br />
−1 < α 2 α 2 < β 1 β 2 < 1.<br />
Możemy teraz zapisać (A.28) jako:<br />
σ R = 32N kπ 2<br />
p<br />
∫<br />
⎧<br />
⎪⎨ ∫ β2<br />
p ′2 dp ′ α 2<br />
dηF 2,<br />
gdy p ′2 p 2 − α<br />
⎪ ∫ ⎩ α1<br />
α 2<br />
dηF 2 + ∫ β 1<br />
α 1<br />
dηF 1 + ∫ β 2<br />
β 1<br />
dηF 2, gdy p ′2 p 2 − α.<br />
(A.40)<br />
Obecnie zajmiemy się policzeniem dwóch całek:<br />
∫<br />
1)<br />
∫<br />
2)<br />
dηF 1,<br />
dηF 2.<br />
(A.41)<br />
(A.42)<br />
Musimy policzyć powyższe całki w różnych granicach, lecz najpierw policzymy całki<br />
nieoznaczone.<br />
Dla całki oznaczonej 1) mamy:<br />
F 1 = 1 g 5 (k2 f − α + p 2 − p ′2 ), gdzie<br />
(A.43)
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 83<br />
Wprowadźmy oznaczenia:<br />
g = (p 2 + p ′2 − 2pp ′ η) 1 2 .<br />
(A.44)<br />
a = p 2 + p ′2 , (A.45)<br />
b = −2pp ′ (A.46)<br />
zatem<br />
g = (a + bη) 1 2 (A.47)<br />
Stąd otrzymujemy<br />
∫<br />
dηF 1 =<br />
∫ k<br />
2<br />
f − α + p 2 − p ′2<br />
dη = − 2 kf 2 − α + p2 − p ′2<br />
(a + bη) 5 2<br />
3b (a + bη) 3 2<br />
(A.48)<br />
Przypadek całki 2):<br />
Zapiszmy powyższą funkcję w postaci:<br />
F 2 = 1 g 5 [<br />
k 2 F − 1<br />
4g 2 (p2 − p ′2 − g 2 ) 2 ]<br />
. (A.49)<br />
F 2 =<br />
gdzie:<br />
1<br />
(α ′ + β ′ η + γ ′ η 2 ), (A.50)<br />
(a + bη) 7 2<br />
α ′ = (p ′2 + p 2 )k 2 F − p ′4 , (A.51)<br />
β ′ = 2pp ′ (p ′2 − k 2 F ), (A.52)<br />
γ ′ = −p 2 p ′2 (A.53)<br />
Otrzymujemy:<br />
∫<br />
dηF 2 =<br />
gdzie:<br />
∫ α ′ + β ′ η + γ ′ η 2<br />
(a + bη) 7 2<br />
dη = Aη2 + Bη + C<br />
, (A.54)<br />
15b 3 (a + bη) 5 2<br />
A = −30γ ′ b 2 (A.55)<br />
B = −10β ′ b 2 − 40γ ′ ab (A.56)<br />
C = −6b 2 α ′ − 4abηβ ′ − 16a 2 γ ′ . (A.57)<br />
Granice pierwszej całki z F1 to (α 1 , β 1 ). Drugą całkę z F2 należy policzyć w granicach<br />
(α 2 , β 2 ), (α 2 , α 1 ) i (β 1 , β 2 ).<br />
Gdy podstawimy te granice do (A.48) i (A.54) otrzymamy wtedy bardzo skomplikowane<br />
wyrażenie gdyż wzory na α 1 , α 2 , β 1 , β 2 są skomplikowane. Można to uprościć wprowadzając<br />
oznaczenia:<br />
ξ = p2 − p ′2<br />
k 2 F<br />
ξ 1 = p2 − p ′2<br />
. (A.58)<br />
α
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 84<br />
Otrzymamy wtedy:<br />
(a + bα 1 ) n 2 = α<br />
n<br />
2 [1 + (1 − ξ1 ) 1 2 ]<br />
n<br />
(a + bα 2 ) n 2 = k<br />
n<br />
F [1 + (1 + ξ) 1 2 ]<br />
n<br />
(a + bβ 1 ) n 2 = α<br />
n<br />
2 [1 − (1 − ξ1 ) 1 2 ]<br />
n<br />
(a + bβ 2 ) n 2 = k<br />
n<br />
F [(1 + ξ) 1 2 − 1]<br />
n<br />
Aα 2 1 + Bα 1 + C = η 1 [7ξ 2 1 − 30ξ 1 + 20 + 20(1 − ξ 1 )(1 − ξ 1 ) 1 2 ]<br />
Aβ 2 1 + Bβ 1 + C = η 1 [7ξ 2 1 − 30ξ 1 + 20 − 20(1 − ξ 1 )(1 − ξ 1 ) 1 2 ]<br />
Aα 2 2 + Bα 2 + C = η[2ξ 2 − 20ξ + 20 + 10(2 − ξ)(1 − ξ) 1 2 ]<br />
Aβ 2 2 + Bβ 2 + C = η[2ξ 2 + 20ξ + 20 − 10(2 − ξ)(1 − ξ) 1 2 ],<br />
(A.59)<br />
(A.60)<br />
(A.61)<br />
(A.62)<br />
(A.63)<br />
(A.64)<br />
(A.65)<br />
(A.66)<br />
Po podstawieniu powyższego do (A.40) otrzymamy:<br />
⎧<br />
σ b = 8N kπ 2 ∫ ⎪⎨<br />
15p 2 d(p ′2 )<br />
⎪⎩<br />
gdzie η = 8p 2 p ′2 k 4 F η 1 = 8p 2 p ′2 α 2 .<br />
4(5ξ+4)<br />
k F ξ 3 , gdy p ′2 p 2 − α<br />
4(5ξ+4)<br />
k F ξ<br />
+ (1−ξ 1) 1 2<br />
(4ξ 2 3 α 2 1 ξ1<br />
3 1 + ξ 1(22 − 10k2 F<br />
α ) − 56 + 40 k2 F<br />
α<br />
), gdy p ′2 p 2 − α.<br />
(A.67)<br />
Granice ostatniej całki po zmiennej p ′2 są dane z warunków:<br />
1) p ′2 β<br />
2) k ′2 − k 2 ω p 2 − p ′2 γ p ′2 p 2 − γ.<br />
Warunek 2) razem z zasadą zachowania energii p 2 + k 2 = p ′2 + k ′2 daje nierówność<br />
p ′2 p 2 − ω, ponieważ p 2 − p ′2 = k ′2 − k 2 ω zatem:<br />
β p ′2 p 2 − ω.<br />
(A.68)<br />
Z powyższego wynika, że wkład do całki jest możliwy tylko dla takiej energii cząstki<br />
padającej, dla której zachodzi:<br />
β p 2 − ω ⇒ p 2 β + ω. (A.69)<br />
Wyrażenie (A.67) można zapisać w innej formie:<br />
⎧<br />
∫ ⎪⎨<br />
σ b = A d(p ′2 G1, gdy p ′2 p 2 − α<br />
)<br />
⎪⎩ G2, gdy p ′2 p 2 − α,<br />
(A.70)<br />
gdzie:<br />
A = 16π2 N k<br />
15p 2 ,<br />
G1 =<br />
G2 =<br />
4(5ξ + 4)<br />
k F ξ 3 ,<br />
4(5ξ + 4)<br />
k F ξ 3 + (1 − ξ 1) 1 2<br />
(4ξ 2<br />
α 1 2 ξ1<br />
3 1 + ξ 1 (22 − 10k2 F<br />
α<br />
) − 56 + 40k2 F<br />
α ).
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 85<br />
Musimy teraz rozważyć kilka przypadków:<br />
1.<br />
α ω<br />
(A.71)<br />
a) z (A.67) mamy:<br />
β p ′2 p 2 − α ⇒<br />
β p 2 − α ⇒ p 2 α + β<br />
a mając na uwadze także (A.69) dostajemy<br />
p 2 max(β + ω, α + β).<br />
(A.72)<br />
Całka (A.67) powinna być liczona tylko dla energii cząstki padającej spełniającej<br />
nierówność (A.72).<br />
Przypadek (A.71) i (A.72) nazwijmy I.<br />
Dla I mamy:<br />
σ R = A<br />
[ ∫ p 2 −α<br />
β<br />
∫ ]<br />
p 2<br />
d(p ′2 −ω<br />
)G1 + d(p ′2 )G2 . (A.73)<br />
p 2 −α<br />
b)<br />
β + ω p 2 α + β.<br />
(A.74)<br />
Przypadek (A.71) i (A.74) oznaczmy II.<br />
2.<br />
Dla II mamy:<br />
∫ p 2<br />
σ R −ω<br />
= A d(p ′2 )G2.<br />
β<br />
α ω.<br />
(A.75)<br />
(A.76)<br />
a) Przypadek (A.76) oraz (A.72) nazwijmy III. Z (A.73) wynika, że drugi człon<br />
nie daje wkładu w proces zderzenia a ponieważ:<br />
zatem mamy dla III:<br />
p 2 − ω p 2 − α<br />
∫ p 2<br />
σ R −ω<br />
= A d(p ′2 )G1.<br />
β<br />
(A.77)<br />
b) Z (A.75) można wywnioskować, że w tym przypadku nie mamy wkładu w<br />
proces zderzenia pochodzącego od funkcji G2.<br />
Posumowując, otrzymaliśmy co następuje:<br />
⎧<br />
∫ p 2 −α<br />
⎪⎨ β<br />
d(p ′2 )G1 + ∫ p 2 −ω<br />
p 2 −α d(p ′2 )G2, gdy p 2 max(β + ω, α + β) i α ω<br />
σ R ∫<br />
= A p 2 −ω<br />
β<br />
d(p ′2 )G2, gdy β + ω p 2 α + β i α ω<br />
⎪⎩<br />
∫ p 2 −ω<br />
β<br />
d(p ′2 )G1, gdy p 2 max(β + ω, α + β) i α ω.<br />
(A.78)
DODATEK A. WYPROWADZENIE WZORU NA POTENCJAŁ ABSORPCYJNY DLA<br />
MODELU QFSM 86<br />
Po wycałkowaniu otrzymujemy:<br />
σ R = 64π2 N k<br />
15p 2<br />
⎧⎪ ⎨<br />
⎪ ⎩<br />
5k 3 F<br />
5k 3 F<br />
5k 3 F<br />
( ) (<br />
)<br />
1<br />
ω − 1 + 2k 5 1 1<br />
p 2 −kF<br />
2 F ω<br />
− − 2<br />
2 (p 2 −kF 2 )2 ω<br />
(k 2 2 F − ω) 5 2 + 2(2k2 F −p2 ) 5 2<br />
,<br />
(p 2 −kF 2 )2<br />
(<br />
1<br />
ω − 1<br />
p 2 −k 2 F<br />
gdy p 2 max(kF 2 ) (<br />
+ ω, 2k2 F ) i k2 F ω<br />
+ 2kF<br />
5<br />
)<br />
1 1<br />
ω<br />
− 2 (p 2 −kF 2 )2<br />
gdy kF 2 + ω p2 2kF 2 ( ) (<br />
i )<br />
k2 F ω<br />
1<br />
ω − 1 + 2k 5 1 1<br />
p 2 −kF<br />
2 F ω<br />
− ,<br />
2 (p 2 −kF 2 )2<br />
Powyższy wynik można zapisać w ogólnej postaci:<br />
− 2<br />
ω 2 (k 2 F − ω) 5 2 ,<br />
gdy p 2 max(k 2 F + ω, 2k2 F ) i k2 F ω.<br />
(A.79)<br />
[<br />
σ R 4π<br />
5k<br />
=<br />
5kF 3 p2 H(p2 + kF 2 3<br />
− α − β) F<br />
α − kF<br />
2 − k3 F [5(p2 − β) + 2kF 2 ]<br />
(p 2 − β) 2<br />
+ H(α + β − p 2 ) 2(α + β − p2 ) 5/2 ]<br />
(p 2 − β) 2 , (A.80)<br />
gdzie H jest jednostkową funkcją schodkową Heaviside’a.
Dodatek B<br />
Dane doświadczalne<br />
87
DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 88<br />
Tabela B.1: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-He część I.<br />
energia [eV] 20 30 40 50 60 70 80 90 100 150 200<br />
˜σ el [a 2 0 ] 10.52 7.987 5.998 4.946 4.578 3.154 2.841 2.346 2.18 1.369 0.99775<br />
˜σ abs [a 2 0 ] 0.8151 1.271 1.527 1.73 1.791 1.849 1.879 1.889 1.78 1.648<br />
θ [deg]<br />
d˜σ/dΩ [a 2 0<br />
3 2.64 3.07 3.44 /sr]<br />
2.73<br />
5 2.95 3.18 3.16 2.79 2.38 2.01 1.68<br />
8 2.42 2.72 2.81 1.97<br />
10 1.76 1.36 1.08<br />
15 2.3354 0.944 0.739<br />
20 2.0640 1.8998 1.01 0.682 0.528<br />
24 1.4712<br />
25 1.7783 1.6141 0.792 0.503 0.385<br />
30 1.5248 1.3391 1.2784 1.1070 0.588 0.375 0.281<br />
35 1.3070 1.1177 1.0284 0.465 0.283 0.205<br />
36 1.4391 0.8249<br />
40 1.1355 0.9249 0.8356 0.350 0.215 0.151<br />
45 0.9606 0.7534 0.6642 0.293 0.168 0.114<br />
48 1.0856 0.4856 0.1535<br />
50 0.8463 0.6356 0.5535 0.231 0.135 0.0885<br />
53.8 0.0742<br />
54 0.113<br />
55 0.7463 0.5499 0.4678<br />
60 0.8499 0.6427 0.4642 0.3928 0.3071 0.161 0.0857 0.05713<br />
65 0.5820 0.3963 0.3256<br />
70 0.5178 0.3517 0.2874 0.120<br />
72 0.6999 0.2106 0.04999 0.03356<br />
75 0.4785 0.3153 0.2531<br />
80 0.4228 0.2849 0.2289 0.0899<br />
84 0.6320 0.1571 0.03749 0.02249<br />
85 0.4213 0.2642 0.2106<br />
90 0.4035 0.2517 0.1935 0.0680<br />
95 0.3963 0.2406 0.1853<br />
96 0.6106 0.1249 0.02606 0.01571<br />
100 0.3892 0.2346 0.1781 0.0573<br />
105 0.3963 0.2296 0.1721<br />
108 0.6249 0.1071 0.02035 0.01178<br />
110 0.3999 0.2289 0.1681 0.0486<br />
115 0.4071 0.2274 0.1667<br />
120 0.6785 0.4142 0.2285 0.1635 0.0999 0.0410 0.01678 0.00999<br />
125 0.4249 0.2278 0.1596<br />
128 0.2285 0.1599<br />
130 0.0364<br />
132 0.7213 0.4356 0.1749 0.0964 0.01571 0.008927<br />
140 0.0320<br />
144 0.7677 0.4606 0.1892 0.0999 0.01464 0.008570<br />
156 0.8142 0.4963 0.1999 0.1035 0.01464 0.008213<br />
168 0.8749 0.5499 0.2178 0.1071 0.01428 0.007856
DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 89<br />
Tabela B.2: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-He część II.<br />
energia [eV] 300 400 500 600 700 800 900 1000 2000 3000<br />
˜σ el [a 2 0 ] 0.6029 0.4433 0.3467 0.3141 0.2357 0.2335 0.2149 0.1487 0.1125<br />
˜σ abs [a 2 0 ] 1.374 1.163 1.011 0.8893 0.8019 0.7271 0.6671 0.6139 0.3482 0.249<br />
θ [deg] d˜σ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
3<br />
5 1.28 1.06 0.906 0.706 0.585 0.435 0.367<br />
6 1.1427 0.9820<br />
10 0.787 0.644 0.55 0.436 0.338 0.195 0.127<br />
15 0.538 0.430 0.355 0.26 0.138 0.0816 0.0451<br />
20 0.365 0.289 0.229 0.154 0.0977 0.0354 0.0183<br />
25 0.247 0.192 0.146 0.0906 0.054 0.0173 0.00839<br />
30 0.169 0.128 0.0933 0.0556 0.0312 0.00938 0.00433<br />
35 0.121 0.0864 0.0612 0.0352 0.019 0.00539 0.00244<br />
36 0.07499<br />
40 0.0885 0.0597 0.0412 0.0230 0.0119 0.00333 0.00146<br />
45 0.0601 0.0422 0.0285 0.0159 0.00787 0.00216 0.000904<br />
48 0.0535 0.03285<br />
50 0.0450 0.0306 0.0203 0.0111 0.00559 0.00140 0.000584<br />
53.8 0.00889 0.00431 0.0011 0.000506<br />
54.2 0.0384 0.024 0.0165<br />
60 0.0282 0.0167<br />
72 0.0178 0.0085<br />
84 0.0117 0.0053<br />
96 0.00857 0.0035<br />
108 0.00642 0.00249<br />
120 0.00571 0.00196<br />
132 0.00499 0.00192<br />
144 0.004285 0.00167<br />
156 0.003928 0.00167<br />
168 0.003571 0.001642
DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 90<br />
Tabela B.3: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ne I.<br />
energia [eV] 20 30 40 50 60 70 80 90 100 150<br />
˜σ el [a 2 0 ] 11.32 10.71 10.82 10.40 9.987 9.57 9.154 8.737 6.196<br />
˜σ abs [a 2 0 ] 0.7539 1.348 1.853 2.242 2.528 2.712 2.850 2.923 3.052<br />
θ [deg] 10 /sr]<br />
7.11<br />
15 4.75<br />
20 1.83 1.90 2.35 2.67 4.70 3.32<br />
25 3.35 2.22<br />
30 1.87 1.87 1.98 2.13 2.49 1.54<br />
35 1.58 1.07<br />
40 1.91 1.77 1.55 1.72 1.20 0.771<br />
45 0.525<br />
50 1.88 1.65 1.47 1.35 0.672 0.382<br />
60 1.74 1.43 1.16 1.06 0.408 0.183<br />
70 1.49 1.12 0.853 0.778 0.236 0.094<br />
80 1.13 0.796 0.539 0.419 0.119 0.076<br />
90 0.753 0.458 0.282 0.156 0.0480 0.075<br />
92 0.0375<br />
94 0.0346<br />
96 0.0325<br />
98 0.0327<br />
100 0.472 0.226 0.101 0.0291 0.0378 0.089<br />
102 0.0205 0.471<br />
104 0.0682 0.0182<br />
106 0.162 0.0645 0.0161<br />
108 0.149 0.0148<br />
110 0.268 0.143 0.0768 0.0217 0.103 0.133<br />
112 0.148 0.0413<br />
114 0.157 0.0824<br />
116 0.174<br />
118 0.191<br />
120 0.236 0.236 0.251 0.229 0.279 0.201<br />
130 0.390 0.539 0.633 0.636 0.454 0.278<br />
140 0.662 0.930 1.02 1.18 0.726 0.370<br />
150 0.861 1.45 1.49 1.87 0.992 0.412
DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 91<br />
Tabela B.4: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ne II.<br />
energia [eV] 200 300 400 500 700 750 800 1000 2000 3000<br />
˜σ el [a 2 0 ] 4.994 4.00 3.215 2.721 2.211 1.627 1.02 0.748<br />
˜σ abs [a 2 0 ] 2.985 2.621 2.298 2.050 1.673 1.535 1.314 0.7579 0.5489<br />
3 7.55<br />
4 6.72<br />
5 7.51 6.75 6.30 5.44 5.08<br />
6 5.34<br />
8 4.24<br />
10 5.65 5.39 4.55 3.96 3.40 3.48 2.41 1.84<br />
12 2.65<br />
15 4.31 3.40 3.11 2.39 2.17 1.78 0.992 0.662<br />
20 2.89 2.08 1.96 1.53 1.19 1.00 0.908 0.442 0.277<br />
25 1.92 1.26 1.15 0.903 0.670 0.547 0.498 0.223 0.135<br />
30 1.26 0.865 0.729 0.580 0.401 0.332 0.293 0.127 0.0727<br />
35 0.863 0.559 0.479 0.379 0.256 0.217 0.188 0.0784 0.0433<br />
40 0.580 0.386 0.340 0.262 0.174 0.153 0.128 0.0513 0.0276<br />
45 0.304 0.243 0.180 0.128 0.0906 0.0354 0.0184<br />
50 0.297 0.229 0.169 0.127 0.0978 0.0847 0.0683 0.0253 0.132<br />
60 0.177 0.138 0.103 0.079 0.0546<br />
70 0.118 0.102 0.082 0.059 0.0375<br />
80 0.0974 0.084 0.067 0.048 0.0282<br />
90 0.102 0.071 0.057 0.042 0.0226<br />
100 0.113 0.070 0.051 0.038 0.0189<br />
110 0.138 0.071 0.050 0.033 0.0164<br />
120 0.176 0.078 0.048 0.031 0.0146<br />
130 0.235 0.087 0.047 0.030 0.0135<br />
140 0.274 0.111 0.047 0.029 0.0132<br />
150 0.317 0.153 0.046 0.029 0.0129
DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 92<br />
Tabela B.5: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ar I.<br />
energia [eV] 20 30 40 50 60 70 80 100 150 200<br />
[a 2 0<br />
/sr]<br />
˜σ el [a 2 0 ] 74.150 49.8 33.96 27.65 24.28 21.95 19.6 17.36 13.55 11.43<br />
˜σ abs [a 2 0 ] 4.115 9.224 11.61 12.17 21.71 12.55 12.2 11.21 9.932<br />
θ [deg] d˜σ/dΩ 5 45.3 /sr]<br />
48.9 47.1 44.0<br />
8 35.3 35.9 28.6<br />
10 30.1 27.8 23.8 20.9<br />
12 38.5 25.5 21.4 15.6<br />
14 37.2 22.4 16.9 11.5<br />
15 20.4 15.0 12.5 10.1<br />
20 33.2 14.3 8.73 6.65 4.94<br />
25 28.3 9.84 4.89 3.49 2.58<br />
30 23.4 6.91 2.72 1.89 1.32<br />
35 18.7 4.78 1.50 1.07 0.789<br />
40 14.3 3.05 0.857 0.666 0.555<br />
45 10.2 1.87 0.490 0.462 0.439<br />
50 6.62 1.04 0.298 0.369 0.376<br />
54.5 0.331<br />
55 4.18 0.484 0.210 0.336<br />
60 2.27 0.143 0.191 0.310<br />
65 1.06 0.0321 0.224 0.284<br />
70 0.577 0.0949 0.281 0.264<br />
75 0.483 0.268 0.351 0.239<br />
80 0.701 0.525 0.202<br />
85 1.06 0.793 0.462 0.168<br />
90 1.53 1.03 0.481 0.128<br />
95 1.82 1.17 0.449 0.0951<br />
100 2.04 1.25 0.398 0.0633<br />
105 2.05 1.22 0.313 0.0391<br />
110 1.88 1.08 0.212 0.0295<br />
115 1.61 0.866 0.116 0.0371<br />
120 1.40 0.649 0.0463 0.0664<br />
125 1.22 0.421 0.0313 0.119<br />
130 1.23 0.238 0.0826 0.197<br />
135 1.46 0.129 0.216 0.286<br />
140 1.95 0.105 0.437 0.404<br />
145 2.62 0.188 0.747 0.542<br />
150 3.60 0.356 1.08 0.649
DODATEK B. DANE DOŚWIADCZALNE 93<br />
Tabela B.6: Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ar II.<br />
energia [eV] 300 400 500 600 700 750 800 900 1000 2000 3000<br />
˜σ el [a 2 0 ] 8.809 7.555 6.734 5.33 4.55 2.87 2.05<br />
˜σ abs [a 2 0 ] 7.996 6.716 5.775 4.946 4.426 4.022 3.705 3.41 1.95 1.415<br />
θ [deg] 5 37.2 34.3 35.5 d˜σ/dΩ 30.5 /sr]<br />
29.0 29.4 24.6 19.8<br />
8 22.8 17.6<br />
10 18.3 16.5 16.4 12.8 12.9 11.0 6.31 3.98<br />
12 11.1 7.55<br />
14 7.63 5.25<br />
15 8.81 7.42 6.5 4.87 4.39 3.88 1.86 1.17<br />
20 4.18 3.40 2.83 2.07 1.82 1.64 0.781 0.484<br />
25 2.08 1.72 1.45 1.09 0.906 0.865 0.407 0.245<br />
30 1.17 1.01 0.905 0.668 0.577 0.518 0.226 0.139<br />
35 0.766 0.688 0.642 0.442 0.387 0.331 0.136 0.0857<br />
40 0.572 0.515 0.44 0.301 0.267 0.221 0.0930 0.0574<br />
45 0.454 0.321 0.209 0.19 0.155 0.0630 0.0409<br />
50 0.365 0.305 0.244 0.156 0.138 0.116 0.0416 0.0301<br />
53.8 0.0924 0.0403<br />
53.9 0.0230<br />
54 0.253 0.124<br />
54.1 0.289<br />
55 0.188 0.106<br />
60 0.144 0.082<br />
65 0.118 0.0666<br />
70 0.0958 0.0569<br />
75 0.0791 0.0494<br />
80 0.0692 0.0445<br />
85 0.0619 0.0416<br />
90 0.0567 0.039<br />
95 0.0532 0.0379<br />
100 0.0522 0.0373<br />
105 0.0552 0.0374<br />
110 0.0594 0.0383<br />
115 0.0649 0.0391<br />
120 0.0396<br />
125 0.0816 0.0410<br />
130 0.0933<br />
135 0.105 0.0451<br />
140 0.117 0.0468<br />
145 0.0495<br />
150 0.141 0.0516
Dodatek C<br />
Algorytm genetyczny<br />
W niniejszym dodatku zostanie umieszczony lakoniczny opis algorytmu genetycznego<br />
pochodzący z książki Davida E. Goldberg’a [61]. Lakoniczność wynika z faktu, że algorytm<br />
genetyczny został wykorzystany tylko jako narzędzie do uzyskania wyników obliczeń,<br />
które zostały opisane w poprzednich rozdziałach. Z wyżej wymienionej książki<br />
pochodzi definicja algorytmu genetycznego jako algorytmu poszukiwania opartym na<br />
mechanizmach doboru naturalnego oraz dziedziczności. Zajmijmy się teraz opisem poszczególnych<br />
etapów algorytmu wraz z interpretacją fizyczną wyników uzyskiwanych w<br />
kolejnych krokach. W pierwszej kolejności algorytm losuje pewną populację początkową.<br />
W naszym przypadku określamy dolną i górną granicę parametrów określających postać<br />
potencjału efektywnego. Kolejny krok to selekcja (ocena) populacji. Z określonego<br />
przez nas przedziału jest losowana wartość parametru z której tworzony jest potencjał<br />
efektywny. Następnie program liczy wartość wielkości rozproszeniowych (np. całkowitego<br />
przekroju czynnego) dla rozpraszania elektronu na lokalnym potencjale efektywnym.<br />
Ocena populacji w tym przypadku polega na minimalizacji tzw. funkcji dopasowania<br />
(ang. fitness function):<br />
∆ cs = 1 [ ∑ Ne 1 ( dσ ∆<br />
N e N<br />
j=1 j dΩ (j) + ∆σ(j))] ,<br />
(C.1)<br />
gdzie<br />
∆ dσ<br />
Nj∑<br />
diff<br />
dΩ (j) = dσ(j)<br />
∣ dΩ (θ i)− d˜σ(j)<br />
dΩ (θ i)<br />
∣ ,<br />
i=1<br />
(C.2)<br />
⎧<br />
0, jeśli tylko d˜σ(j)/dΩ są dostępne,<br />
⎪⎨<br />
∆σ(j)= ∆σ el j + ∆σabs j , jeśli ˜σ el j i ˜σ abs j są dostępne,<br />
(C.3)<br />
⎪⎩<br />
∆σj α , α= abs lub el jeżeli ˜σα j jest tylko dostępne<br />
94
DODATEK C. ALGORYTM GENETYCZNY 95<br />
i ∆σ α j<br />
= |σα j − ˜σα j |. N j stanowi liczbę przekrojów czynnych w zbiorze danych odpowiadających<br />
j-tej energii elektronu padającego:<br />
⎧<br />
gdzie N diff<br />
j<br />
padającego.<br />
1, jeśli jedno z ˜σ α j<br />
jest dostępne,<br />
2, jeśli dwa z ˜σ j ⎪⎨<br />
α są dostępne,<br />
N j = N diff j , jeżeli tylko d˜σ(j)/dΩ są dostępne,<br />
(C.4)<br />
N diff j + 1, jeśli d˜σ(j)/dΩ oraz jeden z ˜σ j są dostępne,<br />
⎪⎩ N diff j + 2, jeżeli d˜σ(j)/dΩ i dwa z ˜σ j α są dostępne,<br />
oznacza liczbę różniczkowych przekrojów czynnych dla j-tej energii elektronu<br />
Algorytm genetyczny wybiera te wartości parametrów, które dla danej populacji dają<br />
najmniejszą wartość funkcji dopasowania. Wybrane wartości parametrów stają się ”rodzicami”<br />
kolejnego pokolenia parametrów. Następne pokolenie przechodzi także mutację,<br />
która w praktyce polega na wprowadzeniu drobnych losowych zmian. Wszystkie te zabiegi<br />
mają na celu stworzenie nowego, lepszego zestawu parametrów, który w kolejnym<br />
etapie jest poddawany selekcji. Algorytm powtarza procedurę tyle razy aż zostanie wyczerpana<br />
liczba pokoleń ustalona na początku obliczeń. Program może także skończyć<br />
swoją pracę w wypadku uzyskania zadowalających wyników np. w przypadku osiągnięcia<br />
założonego stopnia dokładności obliczeń.
Dodatek D<br />
Wyniki obliczeń dla rozpraszania<br />
elektronów na atomach helu<br />
96
DODATEK D. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH HELU 97<br />
Tabela D.1: e-He 50eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 4.946 4.798 4.571 4.577 4.571 4.654 4.643 4.651<br />
σ abs [a 2 0 ] 1.527 1.522 1.458 1.442 1.458 0.647 0.747 0.706<br />
σ tot[a 2 0 ] 6.473 6.321 6.029 6.020 6.029 5.301 5.390 5.357<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 3.160 2.958 2.505 2.508 2.504 2.376 2.397 2.395<br />
25 1.614 1.223 1.307 1.306 1.307 1.294 1.262 1.260<br />
30 1.278 1.019 1.101 1.100 1.102 1.071 1.076 1.074<br />
35 1.028 0.859 0.924 0.923 0.924 0.913 0.915 0.913<br />
40 0.836 0.729 0.774 0.772 0.774 0.778 0.776 0.775<br />
45 0.664 0.623 0.647 0.646 0.647 0.663 0.659 0.658<br />
50 0.553 0.535 0.543 0.542 0.543 0.566 0.560 0.560<br />
55 0.468 0.463 0.458 0.457 0.458 0.485 0.478 0.479<br />
60 0.393 0.403 0.390 0.389 0.390 0.418 0.411 0.412<br />
65 0.326 0.355 0.336 0.335 0.336 0.364 0.357 0.358<br />
70 0.287 0.316 0.293 0.293 0.293 0.320 0.313 0.314<br />
75 0.253 0.284 0.259 0.260 0.260 0.284 0.278 0.280<br />
80 0.229 0.258 0.233 0.234 0.233 0.256 0.251 0.252<br />
85 0.211 0.237 0.213 0.214 0.213 0.233 0.229 0.230<br />
90 0.193 0.220 0.197 0.198 0.197 0.215 0.212 0.213<br />
95 0.185 0.206 0.186 0.187 0.185 0.200 0.198 0.120<br />
100 0.178 0.195 0.176 0.178 0.176 0.189 0.188 0.189<br />
105 0.172 0.187 0.170 0.171 0.169 0.180 0.179 0.181<br />
110 0.168 0.179 0.164 0.166 0.164 0.173 0.173 0.174<br />
115 0.167 0.174 0.160 0.162 0.160 0.167 0.168 0.169<br />
120 0.163 0.169 0.157 0.159 0.157 0.162 0.164 0.165<br />
125 0.160 0.165 0.155 0.156 0.155 0.159 0.160 0.161<br />
128 0.160 0.163 0.154 0.155 0.154 0.157 0.159 0.160<br />
132 0.175 0.161 0.153 0.154 0.153 0.155 0.157 0.158<br />
144 0.189 0.156 0.150 0.151 0.150 0.150 0.153 0.154<br />
156 0.120 0.153 0.149 0.150 0.149 0.148 0.151 0.152<br />
168 0.218 0.152 0.148 0.149 0.148 0.146 0.150 0.151<br />
Tabela D.2: e-He 100eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 2.180 2.229 2.132 2.135 2.132 2.144 2.164 2.168<br />
σ abs [a 2 0 ] 1.889 1.889 1.881 1.884 1.881 1.010 0.985 0.947<br />
σ tot[a 2 0 ] 4.069 4.118 4.014 4.019 4.013 3.154 3.150 3.116<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
3 2.730 2.743 2.483 2.490 2.482 2.268 2.311 2.311<br />
5 2.380 2.466 2.246 2.253 2.244 2.034 2.073 2.072<br />
8 1.970 1.999 1.950 1.956 1.950 1.753 1.787 1.786<br />
10 1.760 1.728 1.780 1.785 1.779 1.597 1.628 1.626<br />
20 1.010 0.946 1.109 1.109 1.109 1.022 1.036 1.034<br />
25 0.792 0.739 0.863 0.862 0.863 0.818 0.825 0.823<br />
30 0.588 0.587 0.666 0.664 0.666 0.652 0.654 0.652<br />
35 0.465 0.468 0.511 0.509 0.511 0.518 0.516 0.515<br />
40 0.350 0.376 0.392 0.390 0.392 0.411 0.406 0.405<br />
45 0.293 0.303 0.302 0.301 0.302 0.326 0.320 0.320<br />
50 0.231 0.247 0.234 0.233 0.234 0.260 0.253 0.254<br />
60 0.161 0.168 0.146 0.146 0.146 0.168 0.163 0.164<br />
70 0.120 0.119 0.097 0.097 0.097 0.114 0.111 0.111<br />
80 0.090 0.089 0.070 0.070 0.070 0.081 0.080 0.081<br />
90 0.068 0.070 0.055 0.055 0.055 0.061 0.062 0.063<br />
100 0.057 0.057 0.046 0.046 0.046 0.049 0.051 0.052<br />
110 0.049 0.048 0.040 0.041 0.040 0.041 0.044 0.045<br />
120 0.041 0.042 0.037 0.038 0.037 0.035 0.040 0.040<br />
130 0.036 0.038 0.035 0.035 0.035 0.032 0.037 0.037<br />
140 0.032 0.035 0.033 0.034 0.033 0.030 0.035 0.035
DODATEK D. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH HELU 98<br />
Tabela D.3: e-He 200eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 0.998 0.992 0.999 1.000 0.999 0.938 1.001 1.003<br />
σ abs [a 2 0 ] 1.648 1.621 1.577 1.593 1.574 0.893 0.763 0.740<br />
σ tot[a 2 0 ] 2.646 2.613 2.576 2.593 2.573 1.831 1.764 1.742<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 1.680 1.679 1.904 1.913 1.902 1.623 1.706 1.706<br />
10 1.080 1.059 1.358 1.363 1.357 1.145 1.206 1.205<br />
15 0.739 0.737 0.961 0.963 0.960 0.828 0.871 0.870<br />
20 0.528 0.536 0.670 0.670 0.670 0.601 0.631 0.630<br />
25 0.385 0.394 0.463 0.462 0.463 0.435 0.454 0.454<br />
30 0.281 0.290 0.319 0.318 0.319 0.313 0.326 0.326<br />
35 0.205 0.215 0.222 0.221 0.222 0.226 0.234 0.234<br />
40 0.151 0.160 0.156 0.155 0.156 0.164 0.169 0.169<br />
45 0.114 0.121 0.111 0.111 0.111 0.120 0.124 0.124<br />
50 0.088 0.093 0.081 0.081 0.081 0.089 0.092 0.092<br />
60 0.057 0.057 0.046 0.046 0.046 0.051 0.054 0.054<br />
72 0.033 0.034 0.027 0.027 0.027 0.028 0.031 0.031<br />
84 0.022 0.023 0.018 0.018 0.018 0.017 0.020 0.020<br />
96 0.016 0.016 0.013 0.013 0.013 0.011 0.014 0.015<br />
108 0.012 0.012 0.010 0.010 0.010 0.008 0.011 0.011<br />
120 0.010 0.001 0.008 0.008 0.008 0.006 0.009 0.009<br />
132 0.009 0.008 0.007 0.007 0.007 0.005 0.008 0.008<br />
144 0.008 0.007 0.007 0.007 0.007 0.004 0.007 0.007<br />
156 0.008 0.006 0.006 0.006 0.006 0.004 0.007 0.007<br />
168 0.008 0.006 0.006 0.006 0.006 0.003 0.006 0.006<br />
Tabela D.4: e-He 400eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 0.443 0.446 0.478 0.478 0.478 0.440 0.474 0.475<br />
σ abs [a 2 0 ] 1.163 1.138 1.107 1.126 1.102 0.547 0.457 0.444<br />
σ tot[a 2 0 ] 1.606 1.584 1.585 1.604 1.580 0.987 6 0.931 0.919<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 1.060 1.064 1.574 1.583 1.572 1.326 1.392 1.391<br />
6 0.982 0.948 1.425 1.433 1.423 1.195 1.256 1.255<br />
10 0.644 0.653 0.957 0.960 0.956 0.808 0.851 0.850<br />
15 0.430 0.433 0.576 0.576 0.576 0.509 0.538 0.537<br />
20 0.289 0.286 0.343 0.342 0.343 0.321 0.338 0.338<br />
25 0.192 0.188 0.206 0.206 0.207 0.202 0.214 0.214<br />
30 0.128 0.125 0.127 0.127 0.127 0.129 0.136 0.136<br />
35 0.086 0.084 0.081 0.080 0.081 0.083 0.089 0.089<br />
36 0.075 0.078 0.074 0.074 0.074 0.077 0.082 0.082<br />
40 0.060 0.058 0.053 0.053 0.053 0.055 0.060 0.060<br />
45 0.042 0.041 0.036 0.036 0.036 0.038 0.041 0.041<br />
48 0.033 0.034 0.029 0.029 0.029 0.030 0.033 0.034<br />
50 0.030 0.030 0.026 0.026 0.026 0.026 0.029 0.029<br />
60 0.017 0.017 0.014 0.014 0.014 0.014 0.016 0.016<br />
72 0.008 0.009 0.008 0.008 0.008 0.007 0.009 0.009<br />
84 0.005 0.006 0.005 0.005 0.005 0.004 0.006 0.006<br />
96 0.003 0.004 0.003 0.003 0.003 0.003 0.004 0.004<br />
108 0.002 0.003 0.002 0.002 0.002 0.002 0.003 0.003<br />
120 0.002 0.002 0.002 0.002 0.002 0.001 0.002 0.002<br />
132 0.002 0.002 0.002 0.002 0.001 0.001 0.002 0.002<br />
144 0.002 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001<br />
156 0.002 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001<br />
168 0.002 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001 0.001
DODATEK D. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH HELU 99<br />
Tabela D.5: e-He 500eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 0.347 0.347 0.379 0.379 0.379 0.354 0.375 0.376<br />
σ abs [a 2 0 ] 1.011 0.997 0.972 0.990 0.967 0.445 0.376 0.365<br />
σ tot[a 2 0 ] 1.358 1.343 1.351 1.370 1.346 0.799 0.751 0.741<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 0.906 0.921 1.473 1.481 1.471 1.112 1.302 1.301<br />
10 0.550 0.565 0.839 0.842 0.839 0.722 0.753 0.752<br />
15 0.355 0.361 0.474 0.474 0.474 0.431 0.450 0.449<br />
20 0.229 0.228 0.268 0.267 0.268 0.258 0.269 0.269<br />
25 0.146 0.144 0.154 0.154 0.154 0.155 0.162 0.162<br />
30 0.093 0.092 0.092 0.092 0.092 0.095 0.099 0.091<br />
35 0.061 0.060 0.057 0.057 0.057 0.060 0.063 0.063<br />
40 0.041 0.040 0.037 0.037 0.037 0.039 0.041 0.028<br />
45 0.028 0.028 0.025 0.025 0.025 0.026 0.028 0.028<br />
50 0.020 0.020 0.018 0.018 0.018 0.018 0.020 0.020<br />
Tabela D.6: e-He 700eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 0.236 0.238 0.268 0.269 0.268 0.254 0.265 0.265<br />
σ abs [a 2 0 ] 0.802 0.804 0.794 0.811 0.789 0.324 0.276 0.268<br />
σ tot[a 2 0 ] 1.038 1.042 1.062 1.080 1.057 0.578 0.541 0.534<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 0.706 0.752 1.320 1.328 1.318 1.137 1.168 1.167<br />
10 0.436 0.454 0.676 0.678 0.675 0.600 0.617 0.617<br />
15 0.260 0.270 0.344 0.344 0.344 0.326 0.336 0.335<br />
20 0.154 0.157 0.178 0.178 0.178 0.179 0.184 0.184<br />
25 0.090 0.092 0.096 0.096 0.096 0.100 0.103 0.103<br />
30 0.056 0.055 0.055 0.055 0.055 0.058 0.060 0.060<br />
35 0.035 0.035 0.033 0.033 0.033 0.035 0.037 0.037<br />
40 0.023 0.023 0.021 0.021 0.021 0.022 0.024 0.024<br />
45 0.016 0.015 0.014 0.014 0.014 0.015 0.016 0.016<br />
50 0.011 0.010 0.009 0.009 0.009 0.010 0.011 0.011<br />
Tabela D.7: e-He 1000eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 0.149 0.160 0.186 0.187 0.186 0.179 0.184 0.184<br />
σ abs [a 2 0 ] 0.614 0.625 0.639 0.655 0.634 0.229 0.197 0.191<br />
σ tot[a 2 0 ] 0.762 0.785 0.826 0.842 0.820 0.407 0.381 0.375<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 0.585 0.620 1.158 1.164 1.155 1.009 1.028 1.027<br />
10 0.338 0.3562 0.519 0.520 0.519 0.477 0.486 0.486<br />
15 0.183 0.1905 0.235 0.235 0.235 0.232 0.236 0.236<br />
20 0.098 0.100 0.112 0.111 0.112 0.115 0.117 0.117<br />
25 0.054 0.054 0.057 0.057 0.057 0.060 0.061 0.061<br />
30 0.031 0.031 0.031 0.031 0.031 0.033 0.034 0.034<br />
35 0.019 0.019 0.018 0.018 0.018 0.019 0.020 0.020<br />
40 0.012 0.012 0.011 0.011 0.011 0.012 0.013 0.013<br />
45 0.008 0.008 0.007 0.007 0.007 0.008 0.008 0.008<br />
50 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.006 0.006
Dodatek E<br />
Wyniki obliczeń dla rozpraszania<br />
elektronów na atomach neonu<br />
100
DODATEK E. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH NEONU 101<br />
Tabela E.1: e-Ne 50eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 10.820 11.487 10.711 10.736 10.838 10.783 10.738 10.788<br />
σ abs [a 2 0 ] 1.853 2.071 2.117 2.106 2.160 1.651 1.977 1.857<br />
σ tot[a 2 0 ] 12.673 13.558 12.829 12.842 12.998 12.435 12.715 12.646<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
20 2.670 3.487 3.279 3.279 3.280 3.165 3.248 3.225<br />
30 2.130 2.147 2.327 2.321 2.282 2.295 2.317 2.306<br />
40 1.720 1.489 1.627 1.621 1.589 1.647 1.630 1.629<br />
50 1.350 1.129 1.165 1.163 1.156 1.202 1.172 1.179<br />
60 1.060 0.875 0.852 0.854 0.866 0.885 0.859 0.869<br />
70 0.778 0.634 0.597 0.601 0.620 0.617 0.602 0.612<br />
80 0.419 0.386 0.361 0.365 0.380 0.36 0.364 0.371<br />
90 0.156 0.164 0.158 0.160 0.169 0.158 0.159 0.163<br />
100 0.029 0.030 0.035 0.036 0.039 0.033 0.035 0.036<br />
102 0.020 0.019 0.025 0.026 0.028 0.023 0.025 0.026<br />
104 0.018 0.014 0.020 0.021 0.022 0.019 0.020 0.021<br />
106 0.016 0.016 0.021 0.022 0.023 0.020 0.021 0.022<br />
108 0.015 0.025 0.028 0.029 0.029 0.042 0.029 0.029<br />
110 0.022 0.040 0.042 0.042 0.043 0.042 0.042 0.042<br />
112 0.041 0.063 0.062 0.062 0.063 0.063 0.063 0.063<br />
114 0.082 0.093 0.088 0.089 0.090 0.091 0.089 0.089<br />
120 0.229 0.225 0.207 0.207 0.211 0.212 0.209 0.210<br />
130 0.636 0.577 0.523 0.526 0.536 0.535 0.528 0.532<br />
140 1.180 1.047 0.949 0.954 0.976 0.968 0.528 0.966<br />
150 1.870 1.555 1.414 1.423 1.457 1.440 1.427 1.440<br />
Tabela E.2: e-Ne 100eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 8.737 8.226 7.405 7.428 7.591 7.199 7.430 7.478<br />
σ abs [a 2 0 ] 2.923 2.877 2.631 2.648 2.675 2.594 2.465 2.349<br />
σ tot[a 2 0 ] 11.660 11.103 10.037 10.076 10.266 9.794 9.895 9.827<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
20 4.700 3.672 3.800 3.804 3.764 3.707 3.767 3.750<br />
25 3.350 2.592 2.843 2.839 2.765 2.824 2.057 2.821<br />
30 2.490 1.857 2.055 2.048 1.978 2.085 3.695 2.054<br />
35 1.580 1.346 1.447 1.440 1.393 1.498 1.456 1.458<br />
40 1.200 0.989 1.005 0.999 0.981 1.056 1.015 1.022<br />
50 0.672 0.562 0.497 0.497 0.518 0.521 0.506 0.515<br />
60 0.408 0.336 0.279 0.281 0.309 0.273 0.284 0.292<br />
70 0.236 0.196 0.169 0.171 0.190 0.150 0.172 0.177<br />
80 0.119 0.099 0.091 0.093 0.100 0.075 0.093 0.095<br />
90 0.048 0.042 0.037 0.037 0.039 0.031 0.037 0.038<br />
92 0.037 0.037 0.022 0.030 0.032 0.026 0.030 0.031<br />
94 0.034 0.034 0.022 0.025 0.027 0.024 0.026 0.026<br />
96 0.032 0.033 0.022 0.022 0.024 0.023 0.023 0.023<br />
98 0.033 0.035 0.021 0.021 0.023 0.024 0.022 0.022<br />
100 0.038 0.039 0.023 0.023 0.025 0.027 0.024 0.024<br />
102 0.047 0.046 0.027 0.027 0.030 0.033 .028 0.029<br />
110 0.103 0.102 0.071 0.071 0.078 0.078 0.073 0.074<br />
120 0.279 0.233 0.189 0.190 0.205 0.189 0.192 0.195<br />
130 0.454 0.420 0.370 0.373 0.397 0.352 0.375 0.381<br />
140 0.726 0.641 0.591 0.596 0.630 0.547 0.598 0.607<br />
150 0.992 0.864 0.821 0.828 0.871 0.748 0.830 0.843
DODATEK E. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH NEONU 102<br />
Tabela E.3: e-Ne 200eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 4.994 5.236 4.909 4.916 5.015 4.410 4.926 4.950<br />
σ abs [a 2 0 ] 2.985 3.019 2.220 2.266 2.491 2.686 2.063 1.984<br />
σ tot[a 2 0 ] 7.979 8.255 7.128 7.182 7.506 7.096 6.989 6.934<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
15 4.310 4.226 4.658 4.673 4.693 4.370 4.611 4.592<br />
20 2.890 2.722 3.222 3.220 3.133 3.102 3.208 3.199<br />
25 1.920 1.776 2.105 2.097 2.000 2.087 2.110 2.109<br />
30 1.260 1.165 1.314 1.306 1.244 1.339 1.32 1.330<br />
35 0.863 0.772 0.797 0.792 0.771 0.827 0.810 0.817<br />
40 0.580 0.522 0.483 0.481 0.489 0.498 0.494 0.501<br />
50 0.297 0.264 0.208 0.208 0.234 0.183 0.213 0.219<br />
60 0.177 0.157 0.128 0.129 0.147 0.086 0.131 0.134<br />
70 0.118 0.109 0.099 0.100 0.108 0.060 0.101 0.103<br />
80 0.097 0.087 0.082 0.082 0.086 0.054 0.083 0.084<br />
90 0.102 0.083 0.073 0.073 0.078 0.055 0.074 0.075<br />
100 0.113 0.093 0.077 0.077 0.085 0.063 0.078 0.080<br />
110 0.138 0.116 0.096 0.097 0.107 0.079 0.098 0.100<br />
120 0.176 0.148 0.131 0.131 0.143 0.104 0.133 0.135<br />
130 0.235 0.186 0.176 0.177 0.188 0.135 0.178 0.181<br />
140 0.274 0.227 0.227 0.228 0.238 0.169 0.230 0.232<br />
150 0.317 0.264 0.277 0.278 0.286 0.203 0.280 0.283<br />
Tabela E.4: e-Ne 400eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 3.215 3.262 3.230 3.229 3.273 2.533 3.243 3.252<br />
σ abs [a 2 0 ] 2.298 2.416 1.518 1.576 2.009 2.182 1.385 1.338<br />
σ tot[a 2 0 ] 5.513 5.678 4.748 4.806 5.282 4.715 4.629 4.590<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
10 5.390 5.081 5.863 5.896 6.166 5.085 5.794 5.774<br />
15 3.110 3.059 3.752 3.753 3.718 3.322 3.736 3.727<br />
20 1.960 1.840 2.228 2.219 2.114 2.021 2.238 2.237<br />
25 1.150 1.106 1.262 1.254 1.181 1.169 1.278 1.282<br />
30 0.729 0.678 0.708 0.704 0.674 0.659 0.722 0.727<br />
35 0.479 0.433 0.413 0.411 0.410 0.373 0.422 0.427<br />
40 0.340 0.294 0.261 0.260 0.273 0.218 0.267 0.541<br />
45 0.243 0.212 0.183 0.183 0.198 0.134 0.188 0.271<br />
50 0.169 0.162 0.142 0.142 0.155 0.088 0.145 0.147<br />
60 0.103 0.109 0.101 0.101 0.108 0.048 0.103 0.104<br />
70 0.082 0.083 0.081 0.080 0.084 0.033 0.082 0.082<br />
80 0.067 0.069 0.068 0.068 0.070 0.026 0.069 0.069<br />
90 0.057 0.062 0.060 0.060 0.062 0.024 0.061 0.062<br />
100 0.051 0.058 0.057 0.057 0.059 0.023 0.057 0.058<br />
110 0.050 0.056 0.056 0.056 0.057 0.024 0.056 0.057<br />
120 0.048 0.056 0.056 0.056 0.057 0.024 0.057 0.057<br />
130 0.047 0.057 0.057 0.057 0.058 0.025 0.058 0.059<br />
140 0.047 0.057 0.059 0.059 0.060 0.027 0.060 0.060<br />
150 0.046 0.058 0.061 0.061 0.061 0.028 0.061 0.062
DODATEK E. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH NEONU 103<br />
Tabela E.5: e-Ne 500eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 2.721 2.804 2.824 2.822 2.851 2.213 2.835 2.842<br />
σ abs [a 2 0 ] 2.050 2.122 1.298 1.357 1.838 1.884 1.175 1.135<br />
σ tot[a 2 0 ] 4.771 4.926 4.122 4.179 4.689 4.097 4.010 3.977<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 7.510 7.951 8.595 8.668 9.476 7.418 8.472 8.449<br />
10 4.550 4.666 5.632 5.658 5.900 4.905 5.575 5.558<br />
15 2.390 2.768 3.412 3.410 3.350 3.024 3.407 3.401<br />
20 1.530 1.614 1.922 1.913 1.810 1.732 1.936 1.938<br />
25 0.903 0.943 1.047 1.040 0.978 0.950 1.062 1.067<br />
30 0.580 0.570 0.580 0.577 0.556 0.517 0.592 0.597<br />
35 0.379 0.364 0.345 0.343 0.345 0.289 0.352 0.356<br />
40 0.262 0.249 0.226 0.226 0.236 0.171 0.231 0.234<br />
45 0.180 0.182 0.165 0.164 0.175 0.109 0.168 0.170<br />
50 0.127 0.140 0.129 0.129 0.137 0.075 0.131 0.133<br />
60 0.079 0.094 0.090 0.090 0.094 0.042 0.092 0.093<br />
70 0.059 0.070 0.069 0.069 0.071 0.029 0.070 0.071<br />
80 0.048 0.057 0.056 0.056 0.057 0.022 0.057 0.058<br />
90 0.042 0.048 0.048 0.048 0.049 0.019 0.049 0.049<br />
100 0.038 0.043 0.043 0.049 0.044 0.017 0.044 0.044<br />
110 0.033 0.040 0.040 0.043 0.041 0.016 0.041 0.041<br />
120 0.031 0.038 0.038 0.038 0.039 0.016 0.039 0.039<br />
130 0.030 0.036 0.037 0.037 0.037 0.016 0.037 0.038<br />
140 0.029 0.036 0.037 0.036 0.036 0.016 0.037 0.037<br />
150 0.029 0.035 0.036 0.036 0.036 0.016 0.036 0.037<br />
Tabela E.6: e-Ne 750eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 2.121 2.198 2.195 2.204 1.763 2.206 2.210<br />
σ abs [a 2 0 ] 1.586 0.947 1.004 1.539 1.387 0.841 0.813<br />
σ tot[a 2 0 ] 3.707 3.145 3.199 3.743 3.150 3.047 3.023<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 6.750 6.748 8.609 8.677 9.523 7.563 8.499 8.478<br />
10 3.960 4.084 5.132 5.146 5.293 4.540 5.099 5.088<br />
15 2.170 2.290 2.777 2.769 2.670 2.482 2.787 2.785<br />
20 1.190 1.238 1.419 1.410 1.321 1.268 1.435 1.438<br />
25 0.670 0.688 0.733 0.728 0.688 0.639 0.745 0.750<br />
30 0.401 0.408 0.408 0.406 0.396 0.335 0.416 0.419<br />
35 0.256 0.261 0.253 0.252 0.254 0.189 0.257 0.260<br />
40 0.174 0.180 0.174 0.173 0.177 0.117 0.176 0.178<br />
45 0.128 0.131 0.128 0.128 0.131 0.078 0.130 0.131<br />
50 0.098 0.101 0.099 0.099 0.101 0.056 0.101 0.101
DODATEK E. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH NEONU 104<br />
Tabela E.7: e-Ne 1000eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 1.627 1.726 1.821 1.819 1.819 1.488 1.828 1.830<br />
σ abs [a 2 0 ] 1.314 1.257 0.745 0.799 1.347 1.099 0.651 0.629<br />
σ tot[a 2 0 ] 2.941 2.983 2.567 2.618 3.166 2.586 2.479 2.459<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 6.300 6.137 8.528 8.589 9.408 7.574 8.431 8.413<br />
10 3.480 3.737 4.690 4.695 4.758 4.186 4.674 4.666<br />
15 1.780 1.946 2.321 2.311 2.200 2.077 2.335 2.336<br />
20 0.908 0.990 1.110 1.103 1.031 0.977 1.125 1.128<br />
25 0.498 0.532 0.560 0.557 0.530 0.469 0.569 0.573<br />
30 0.293 0.311 0.315 0.314 0.308 0.244 0.320 0.322<br />
35 0.188 0.198 0.199 0.198 0.198 0.140 0.202 0.203<br />
40 0.128 0.135 0.137 0.136 0.137 0.089 0.138 0.139<br />
45 0.090 0.098 0.099 0.099 0.099 0.061 0.100 0.101<br />
50 0.068 0.074 0.075 0.075 0.075 0.045 0.076 0.076
Dodatek F<br />
Wyniki obliczeń dla rozpraszania<br />
elektronów na atomach argonu<br />
105
DODATEK F. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH ARGONU 106<br />
Tabela F.1: e-Ar 50eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 27.650 28.169 27.372 27.604 27.246 28.995 28.799 29.084<br />
σ abs [a 2 0 ] 12.170 11.911 12.310 11.921 12.519 6.627 7.437 6.864<br />
σ tot[a 2 0 ] 39.820 40.080 39.683 39.525 39.766 35.623 36.236 35.949<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 45.300 48.669 43.278 43.227 43.323 37.430 38.712 38.498<br />
8 35.300 40.127 38.357 38.264 38.423 33.146 34.224 33.995<br />
10 30.100 34.469 35.082 34.969 35.158 30.486 31.402 31.174<br />
12 25.500 29.380 31.894 31.769 31.976 28.019 28.761 28.545<br />
14 22.400 25.007 28.747 28.617 28.830 25.648 26.210 26.014<br />
15 20.400 23.092 27.190 19.780 27.272 24.483 24.956 24.772<br />
20 14.300 15.779 19.886 19.780 19.949 19.008 19.073 18.962<br />
25 9.840 11.047 13.699 13.639 13.728 14.128 13.906 13.872<br />
30 6.910 7.757 8.907 8.899 8.902 9.996 9.642 9.670<br />
35 4.780 5.338 5.477 5.508 5.449 6.691 6.339 6.405<br />
40 3.050 3.519 3.177 3.229 3.139 4.191 3.925 4.004<br />
45 1.870 2.158 1.714 1.768 1.678 2.403 2.249 2.323<br />
50 1.040 1.177 0.826 0.871 0.800 1.204 1.146 1.203<br />
55 0.484 0.521 0.324 0.352 0.309 0.475 0.475 0.509<br />
60 0.143 0.151 0.081 0.093 0.076 0.111 0.128 0.142<br />
65 0.032 0.025 0.024 0.023 0.025 0.025 0.026 0.027<br />
70 0.095 0.097 0.104 0.097 0.106 0.141 0.111 0.106<br />
75 0.2680 0.312 0.282 0.277 0.282 0.388 0.328 0.325<br />
80 0.525 0.606 0.519 0.522 0.514 0.699 0.621 0.628<br />
85 0.793 0.918 0.774 0.789 0.763 1.012 0.935 0.954<br />
90 1.030 1.187 1.004 1.032 0.987 1.274 1.214 1.247<br />
95 1.170 1.367 1.171 1.210 1.148 1.441 1.412 1.457<br />
100 1.250 1.431 1.246 1.294 1.222 1.491 1.497 1.549<br />
105 1.220 1.371 1.218 1.269 1.194 1.418 1.473 1.510<br />
110 1.080 1.199 1.091 1.140 1.070 1.236 1.296 1.348<br />
115 0.866 0.948 0.888 0.930 0.870 0.977 1.047 1.091<br />
120 0.649 0.662 0.643 0.675 0.630 0.686 0.752 0.784<br />
125 0.421 0.391 0.399 0.420 0.391 0.409 0.461 0.482<br />
130 0.238 0.184 0.200 0.211 0.197 0.195 0.227 0.237<br />
135 0.129 0.079 0.085 0.089 0.084 0.082 0.093 0.097<br />
140 0.105 0.099 0.078 0.080 0.077 0.093 0.089 0.091<br />
145 0.188 0.249 0.189 0.194 0.186 0.234 0.225 0.231<br />
150 0.356 0.514 0.410 0.423 0.403 0.491 0.490 0.505
DODATEK F. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH ARGONU 107<br />
Tabela F.2: e-Ar 100eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 17.360 16.751 16.344 16.486 16.259 14.368 17.199 17.392<br />
σ abs [a 2 0 ] 12.200 12.332 11.719 11.493 11.857 8.769 6.945 6.510<br />
σ tot[a 2 0 ] 29.560 29.083 28.063 27.980 28.116 23.137 24.144 23.901<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 48.900 49.505 47.089 47.180 47.044 35.596 40.980 40.857<br />
8 35.900 35.646 38.683 38.697 38.696 29.261 33.592 33.443<br />
10 27.800 28.032 33.416 33.392 33.459 25.642 29.296 29.152<br />
12 21.400 22.041 28.366 28.316 28.429 22.289 25.290 25.161<br />
14 16.900 17.438 23.672 23.609 23.744 19.209 21.606 21.500<br />
15 15.000 15.557 21.471 21.405 21.543 17.754 19.868 19.776<br />
20 8.730 8.996 12.318 12.271 12.366 11.441 12.417 12.395<br />
25 4.890 5.264 6.313 6.305 6.321 6.765 7.076 7.106<br />
30 2.720 3.036 2.921 2.942 2.903 3.651 3.694 3.748<br />
35 1.500 1.712 1.258 1.288 1.232 1.790 1.803 1.857<br />
40 0.857 0.948 0.552 0.579 0.531 0.797 0.867 0.909<br />
45 0.490 0.528 0.295 0.315 0.282 0.333 0.455 0.483<br />
50 0.298 0.316 0.215 0.228 0.208 0.333 0.295 0.312<br />
55 0.210 0.231 0.193 0.200 0.190 0.333 0.244 0.254<br />
60 0.191 0.226 0.191 0.196 0.189 0.179 0.241 0.249<br />
65 0.224 0.270 0.204 0.209 0.200 0.241 0.267 0.275<br />
70 0.281 0.340 0.232 0.239 0.226 0.300 0.313 0.324<br />
75 0.351 0.414 0.273 0.283 0.265 0.344 0.371 0.385<br />
85 0.462 0.504 0.358 0.373 0.347 0.358 0.470 0.490<br />
90 0.481 0.497 0.376 0.392 0.365 0.327 0.484 0.505<br />
95 0.449 0.449 0.366 0.381 0.356 0.275 0.462 0.481<br />
100 0.398 0.369 0.325 0.381 0.317 0.210 0.402 0.418<br />
105 0.313 0.266 0.257 0.267 0.252 0.141 .312 0.324<br />
110 0.212 0.159 0.175 0.181 0.171 0.078 0.207 0.214<br />
115 0.116 0.069 0.093 0.097 0.092 0.034 0.089 0.110<br />
120 0.046 0.016 0.033 0.034 0.033 0.016 0.035 0.036<br />
125 0.031 0.017 0.014 0.014 0.014 0.031 0.015 0.014<br />
130 0.082 0.086 0.052 0.052 0.051 0.084 0.065 0.066<br />
135 0.216 0.228 0.158 0.161 0.154 0.174 0.196 0.202<br />
140 0.437 0.440 0.334 0.344 0.327 0.299 0.412 0.425<br />
145 0.747 0.713 0.576 0.593 0.564 0.451 0.705 0.727<br />
150 1.080 1.0285 0.869 0.895 0.852 0.621 1.057 1.089
DODATEK F. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH ARGONU 108<br />
Tabela F.3: e-Ar 200eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 11.430 10.912 11.233 11.282 9.255 9.017 11.804 11.888<br />
σ abs [a 2 0 ] 9.932 9.799 9.024 8.937 9.053 6.760 4.793 4.532<br />
σ tot[a 2 0 ] 21.362 20.711 20.257 20.220 20.242 15.777 16.597 16.420<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 44.000 41.859 50.212 50.253 50.046 36.664 42.946 42.777<br />
8 28.600 26.925 37.517 37.475 37.470 27.694 32.488 32.328<br />
10 20.900 20.181 29.981 29.908 29.994 22.795 26.667 26.536<br />
12 15.600 15.332 23.252 23.169 23.300 18.443 21.462 21.367<br />
14 11.500 11.757 17.559 17.484 17.619 14.679 16.955 16.899<br />
15 10.100 10.313 15.099 15.032 15.159 12.996 14.943 14.905<br />
20 4.940 5.330 6.510 6.499 6.535 6.607 7.391 7.418<br />
25 2.580 2.711 2.526 2.548 2.519 3.044 3.315 3.364<br />
30 1.320 1.420 1.013 1.039 0.996 1.352 1.487 1.530<br />
35 0.789 0.830 0.538 0.557 0.523 0.650 0.792 0.821<br />
40 0.555 0.570 0.406 0.418 0.396 0.384 0.554 0.573<br />
45 0.439 0.450 0.354 0.362 0.347 0.280 0.460 0.472<br />
50 0.376 0.387 0.314 0.320 0.309 0.230 0.403 0.413<br />
55 0.336 0.347 0.277 0.283 0.272 0.198 0.358 0.367<br />
60 0.310 0.317 0.247 0.253 0.243 0.173 0.320 0.054<br />
65 0.284 0.292 0.225 0.231 0.221 0.153 0.291 0.329<br />
70 0.264 0.265 0.207 0.212 0.202 0.134 0.265 0.272<br />
75 0.239 0.235 0.188 0.192 0.184 0.115 0.238 0.244<br />
80 0.202 0.200 0.166 0.169 0.162 0.095 0.208 0.213<br />
85 0.168 0.161 0.139 0.142 0.136 0.074 0.173 0.177<br />
90 0.128 0.122 0.109 0.111 0.107 0.052 0.135 0.138<br />
96 0.095 0.078 0.073 0.075 0.072 0.030 0.090 0.092<br />
100 0.063 0.053 0.052 0.053 0.051 0.018 0.064 0.066<br />
105 0.0391 0.033 0.033 0.033 0.032 0.009 0.040 0.066<br />
110 0.029 0.028 0.024 0.025 0.024 0.008 0.030 0.031<br />
115 0.037 0.041 0.031 0.031 0.030 0.015 0.038 0.039<br />
120 0.066 0.074 0.055 0.056 0.054 0.031 0.068 0.070<br />
125 0.119 0.127 0.098 0.010 0.097 0.056 0.120 0.123<br />
130 0.197 0.198 0.160 0.163 0.158 0.089 0.195 0.199<br />
135 0.286 0.286 0.240 0.243 0.236 0.129 0.290 0.199<br />
140 0.404 0.387 0.334 0.338 0.329 0.173 0.525 0.409<br />
145 0.542 0.495 0.438 0.444 0.432 0.220 0.525 0.534<br />
150 0.649 0.606 0.546 0.554 0.540 0.267 0.654 0.665<br />
Tabela F.4: e-Ar 400eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 7.555 7.581 8.124 6.234 8.106 6.575 8.519 8.553<br />
σ abs [a 2 0 ] 6.716 6.489 6.255 8.138 6.199 4.303 2.784 2.635<br />
σ tot[a 2 0 ] 14.271 14.070 14.379 14.372 14.305 10.879 11.303 11.188<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 34.300 34.236 52.405 52.412 52.126 39.537 45.222 45.054<br />
10 16.500 15.794 24.380 24.291 24.400 20.163 23.163 23.092<br />
15 7.420 7.373 9.176 9.154 9.220 8.894 10.192 10.213<br />
20 3.400 3.335 3.188 3.211 3.194 3.523 4.075 4.121<br />
25 1.720 1.634 1.325 1.348 1.315 1.468 1.788 1.823<br />
30 1.010 0.958 0.790 0.802 0.780 0.763 1.018 1.038<br />
35 0.688 0.658 0.577 0.582 0.571 0.486 0.710 0.072<br />
40 0.515 0.489 0.440 0.443 0.436 0.335 0.534 0.541<br />
50 0.305 0.293 0.262 0.264 0.259 0.158 0.316 0.320<br />
54 0.253 0.242 0.217 0.219 0.216 0.119 0.261 0.264
DODATEK F. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH ARGONU 109<br />
Tabela F.5: e-Ar 500eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 6.734 6.744 7.299 7.307 7.287 5.881 7.638 7.664<br />
σ abs [a 2 0 ] 5.775 5.585 5.501 5.493 5.428 3.685 2.292 2.169<br />
σ tot[a 2 0 ] 12.509 12.329 12.800 12.801 12.714 9.567 9.930 9.833<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 35.500 32.480 52.582 52.583 52.285 40.054 45.755 45.601<br />
8 22.800 20.149 32.371 32.287 32.322 25.942 29.842 29.747<br />
10 16.400 14.789 22.173 22.091 22.205 18.801 21.689 21.642<br />
12 11.100 10.752 14.693 14.641 14.749 13.264 15.346 15.340<br />
14 7.630 7.720 9.504 14.640 9.553 9.119 10.596 10.619<br />
15 6.500 6.519 7.597 7.592 7.637 7.496 8.737 8.770<br />
20 2.830 2.833 2.602 2.627 2.604 2.785 3.359 3.402<br />
25 1.450 1.410 1.198 1.215 1.190 1.198 1.549 1.576<br />
30 0.905 0.853 0.765 0.772 0.759 0.671 0.936 0.948<br />
35 0.642 0.586 0.546 0.548 0.542 0.436 0.650 0.656<br />
40 0.440 0.425 0.397 0.399 0.395 0.289 0.471 0.476<br />
45 0.321 0.316 0.294 0.295 0.292 0.187 0.348 0.351<br />
50 0.244 0.239 0.222 0.223 0.221 0.121 0.262 0.264<br />
55 0.188 0.184 0.173 0.174 0.173 0.082 0.203 0.205<br />
60 0.144 0.145 0.138 0.138 0.137 0.060 0.160 0.162<br />
65 0.118 0.116 0.111 0.111 0.111 0.049 0.129 0.130<br />
70 0.096 0.095 0.091 0.091 0.091 0.042 0.105 0.106<br />
75 0.079 0.079 0.076 0.076 0.075 0.037 0.088 0.089<br />
80 0.069 0.068 0.065 0.065 0.064 0.033 0.075 0.076<br />
85 0.062 0.060 0.057 0.057 0.057 0.029 0.066 0.066<br />
90 0.057 0.055 0.052 0.052 0.051 0.025 0.060 0.060<br />
95 0.053 0.053 0.049 0.049 0.049 0.022 0.057 0.057<br />
100 0.052 0.053 0.049 0.049 0.049 0.020 0.057 0.057<br />
105 0.055 0.056 0.051 0.051 0.051 0.019 0.059 0.059<br />
110 0.059 0.060 0.055 0.055 0.055 0.020 0.063 0.064<br />
115 0.065 0.067 0.060 0.061 0.060 0.022 0.070 0.070<br />
125 0.081 0.084 0.076 0.077 0.076 0.029 0.088 0.088<br />
130 0.093 0.094 0.086 0.086 0.085 0.034 0.099 0.099<br />
135 0.105 0.105 0.096 0.096 0.096 0.040 0.110 0.111<br />
140 0.117 0.116 0.107 0.107 0.106 0.047 0.122 0.123<br />
150 0.141 0.137 0.127 0.128 0.127 0.061 0.146 0.147<br />
Tabela F.6: e-Ar 750eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 5.330 5.398 5.925 5.929 5.920 4.699 6.173 6.188<br />
σ abs [a 2 0 ] 4.214 4.337 4.345 4.243 2.767 1.590 1.504<br />
σ tot[a 2 0 ] 9.612 10.263 10.274 10.163 7.466 7.763 7.692<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 30.500 30.031 51.595 51.584 51.301 39.934 45.836 45.714<br />
10 12.800 12.832 17.854 17.797 17.908 15.647 18.462 18.455<br />
15 4.870 4.950 5.267 5.283 5.295 5.098 6.325 6.365<br />
20 2.070 2.052 1.909 1.928 1.908 1.771 2.383 2.412<br />
25 1.090 1.060 1.019 1.025 1.015 0.849 1.206 1.217<br />
30 0.668 0.650 0.647 0.648 0.646 0.512 0.742 0.747<br />
35 0.442 0.431 0.427 0.428 0.427 0.320 0.489 0.491<br />
40 0.301 0.297 0.292 0.292 0.291 0.193 0.334 0.336<br />
45 0.209 0.212 0.207 0.207 0.207 0.114 0.236 0.238<br />
50 0.156 0.156 0.152 0.152 0.152 0.068 0.173 0.174<br />
54 0.124 0.126 0.122 0.122 0.122 0.049 0.139 0.140
DODATEK F. WYNIKI OBLICZEŃ DLA ROZPRASZANIA ELEKTRONÓW NA<br />
ATOMACH ARGONU 110<br />
Tabela F.7: e-Ar 1000eV.<br />
Dośw.<br />
V A<br />
isp<br />
V A<br />
fv3sf1 (SE)<br />
V A<br />
fv3sf1 (SEP )<br />
V A<br />
fv3sf2 (SE)<br />
V A<br />
fo (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SE)<br />
V A<br />
fv3 (SEP )<br />
σ el [a 2 0 ] 4.550 4.562 5.047 5.049 5.045 3.939 5.240 5.250<br />
σ abs [a 2 0 ] 3.410 3.437 3.659 3.674 3.558 2.252 1.219 1.153<br />
σ tot[a 2 0 ] 7.960 7.999 8.707 8.723 8.603 6.191 6.459 6.403<br />
θ [deg]<br />
dσ/dΩ [a 2 0 /sr]<br />
5 29.400 28.641 49.658 49.635 49.395 38.812 44.935 44.837<br />
10 11.000 11.183 14.699 14.665 14.762 12.964 15.763 15.775<br />
15 3.880 3.897 4.035 4.055 4.055 3.654 4.876 4.911<br />
20 1.640 1.599 1.581 1.590 1.580 1.281 1.875 1.892<br />
25 0.865 0.838 0.866 0.867 0.865 0.667 0.977 0.982<br />
30 0.518 0.505 0.523 0.522 0.523 0.404 0.584 0.587<br />
35 0.331 0.325 0.329 0.329 0.329 0.242 0.370 0.371<br />
40 0.221 0.219 0.218 0.218 0.218 0.138 0.245 0.246<br />
45 0.155 0.155 0.152 0.152 0.152 0.078 0.171 0.172<br />
50 0.116 0.114 0.112 0.112 0.112 0.045 0.125 0.126
Spis rysunków<br />
4.1 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV,<br />
obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0, bfc3,<br />
bfc3s; dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34<br />
4.2 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200, 300<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0,<br />
bfc3, bfc3s; dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35<br />
4.3 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750, 800<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0,<br />
bfc3, bfc3s; dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36<br />
4.4 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000, 3000<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, p0a0,<br />
bfc3, bfc3s; dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36<br />
4.5 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV,<br />
obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs<br />
, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37<br />
4.6 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200, 300<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr,<br />
bfs , dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37<br />
4.7 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750, 800<br />
eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr,<br />
bfs , dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38<br />
4.8 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000, 3000 eV,<br />
obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego bfo, bg, bfr, bfs<br />
, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38<br />
4.9 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40, 50 eV,<br />
obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów absorpcyjnych<br />
poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3), d(fs), dane doświadczalne<br />
(+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39<br />
111
SPIS RYSUNKÓW 112<br />
4.10 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200,<br />
300 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />
absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3),<br />
d(fs), dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39<br />
4.11 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750,<br />
800 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />
absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3),<br />
d(fs), dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40<br />
4.12 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000,<br />
3000 eV, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />
absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną d(fo), d(g), d(fr), d(fc3),<br />
d(fs), dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40<br />
4.13 Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />
Ne dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego: bfo, bfc1, bfc2,<br />
bfc3, bfc3s, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41<br />
4.14 Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />
Ne dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego: bfo, bg, bfr,<br />
bfs, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41<br />
4.15 Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />
Ne, obliczone dla potencjału polaryzacyjnego otrzymanego z różnych potencjałów<br />
absorpcyjnych poprzez relację dyspersyjną: d(fo), d(g), d(fr), d(fc3),<br />
d(fs), dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42<br />
5.1 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 20, 30, 40,<br />
50 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 52<br />
5.2 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 70, 100, 150,<br />
200 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 52<br />
5.3 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He, dla energii 300, 400, 500,<br />
700 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 53<br />
5.4 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 20, 30, 40,<br />
50 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 53<br />
5.5 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 100, 150, 200,<br />
300 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 54
SPIS RYSUNKÓW 113<br />
5.6 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 400, 500, 750,<br />
800 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 54<br />
5.7 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne, dla energii 1000, 2000,<br />
3000 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 55<br />
5.8 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 20, 50, 100,<br />
150 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 55<br />
5.9 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 200, 300, 400,<br />
500 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . 56<br />
5.10 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar, dla energii 800, 1000,<br />
2000, 3000 eV, obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . 56<br />
5.11 Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />
He, e-Ne, e-Ar obliczone dla kombinacji potencjału polaryzacyjnego i absorpcyjnego<br />
bfo, bfv3SE, bfv3sf1SEP, bfv3SEP, dane doświadczalne (+). . . . . . 57<br />
6.1 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 20, 30, 40 i<br />
50 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64<br />
6.2 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 70, 100, 150<br />
i 200 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65<br />
6.3 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 300, 400, 500<br />
i 700 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65<br />
6.4 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-He dla energii 1000, 2000 i<br />
3000 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66<br />
6.5 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 20, 30, 40 i<br />
50 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66<br />
6.6 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 100, 150, 200<br />
i 300 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67<br />
6.7 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 400, 500, 750<br />
i 800 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67<br />
6.8 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 1000, 2000 i<br />
3000 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68<br />
6.9 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ar dla energii 20, 50, 100 i<br />
150 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68
SPIS RYSUNKÓW 114<br />
6.10 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 200, 300, 400<br />
i 500 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69<br />
6.11 Różniczkowe przekroje czynne dla rozpraszania e-Ne dla energii 800, 1000,<br />
2000 i 3000 eV, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69<br />
6.12 Elastyczne, absorpcyjne oraz całkowite przekroje czynne dla rozpraszania e-<br />
He, e-Ne i e-Ar, dane doświadczalne (+). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70<br />
A.1 Układ współrzędnych używany do obliczenia całki po ⃗ k. Promień kuli jest<br />
równy wartości pędu Fermiego k F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
Spis tabel<br />
4.1 Średnie błędy bezwzględne (SBB) przekrojów czynnych dla różnych kombinacji<br />
polaryzacyjnych (P) i absorpcyjnych (A) potencjałów w zależności od<br />
zakresu energii elektronu padającego dla rozpraszania e-Ne. . . . . . . . . . . 43<br />
4.2 Średnie błędy bezwzględne (SBB) przekrojów czynnych dla różnych kombinacji<br />
polaryzacyjnych (P) i absorpcyjnych (A) potencjałów w zależności od<br />
zakresu kąta ropraszania dla zderzenia e-Ne. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44<br />
5.1 Liczba danych doświadczalnych. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49<br />
5.2 Zoptymalizowane parametry w czynnikach skalujących. . . . . . . . . . . . . . 50<br />
5.3 SBB przekrojów czynnych dla różnych potencjałów dla rozpraszania e-He,<br />
e-Ne oraz e-Ar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51<br />
5.4 SBB przekrojów czynnych dla różnych potencjałów dla rozpraszania e-He,<br />
e-Ne oraz e-Ar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58<br />
6.1 Zoptymalizowane parametry dla efektywnych potencjałów absorpcyjnych i<br />
polaryzacyjnych. Liczby w nawiasach odpowiadają największemu przyrostowi<br />
procentowemu ∆ cs przy zmianie wartości parametru o ∓5% wokół optymalnej<br />
wartości. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62<br />
6.2 Średnie błędy bezwzględne SBB dla różnych potencjałów absorpcyjnych dla<br />
rozpraszania e-He, e-Ne oraz e-Ar. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63<br />
B.1 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-He część I. . . . . . . . . . . . . . . . 88<br />
B.2 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-He część II. . . . . . . . . . . . . . . . 89<br />
B.3 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ne I. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90<br />
B.4 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ne II. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91<br />
B.5 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ar I. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 92<br />
B.6 Dane doświadczalne dla rozpraszania e-Ar II. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93<br />
D.1 e-He 50eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97<br />
D.2 e-He 100eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97<br />
115
SPIS TABEL 116<br />
D.3 e-He 200eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98<br />
D.4 e-He 400eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98<br />
D.5 e-He 500eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99<br />
D.6 e-He 700eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99<br />
D.7 e-He 1000eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99<br />
E.1 e-Ne 50eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101<br />
E.2 e-Ne 100eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101<br />
E.3 e-Ne 200eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102<br />
E.4 e-Ne 400eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102<br />
E.5 e-Ne 500eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103<br />
E.6 e-Ne 750eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103<br />
E.7 e-Ne 1000eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104<br />
F.1 e-Ar 50eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106<br />
F.2 e-Ar 100eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107<br />
F.3 e-Ar 200eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108<br />
F.4 e-Ar 400eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108<br />
F.5 e-Ar 500eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109<br />
F.6 e-Ar 750eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109<br />
F.7 e-Ar 1000eV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110
Bibliografia<br />
[1] Joachain C.J. Quantum Collision Theory. North-Holland, Amsterdam, 1975.<br />
[cytowanie na str. 1, 10, 13, 14, 19, 23]<br />
[2] N. F. Mott i S. W. Massey. Thoery of atomic collisions. Oxford, London, 1965.<br />
[cytowanie na str. 1, 2]<br />
[3] B. H. Brasden. Atomic Collision Theory. Benjamin, 1983. [cytowanie na str. 1]<br />
[4] Herman and Feshbach. Unified theory of nuclear reactions. Annals of Physics, 5(4):357 –<br />
390, 1958. [cytowanie na str. 1]<br />
[5] Herman and Feshbach. A unified theory of nuclear reactions. ii. Annals of Physics, 19(2):287<br />
– 313, 1962. [cytowanie na str. 1]<br />
[6] M. Bertero and G. Passatore. A mathematical approach to the derivation of the theoretical<br />
optical potential. Nuovo Cimento A Serie, 2:579–604, April 1971. [cytowanie na str. 1]<br />
[7] S. Boffi, Giulio. Passatore, and Istituto nazionale di fisica nucleare. Nuclear optical model<br />
potential : proceedings of the meeting held in Pavia, April 8 and 9, 1976 / edited by S. Boffi<br />
and G. Passatore. Springer-Verlag, Berlin ; New York :, 1976. [cytowanie na str. 1]<br />
[8] Grażyna Staszewska. Model optyczny dla rozpraszania elektronów na atomach i drobinach.<br />
UMK, Toruń, 1989. praca habilitacyjna. [cytowanie na str. 2]<br />
[9] D. G. Truhlar. Semiempirical Methods of Electronic Structure Calculations, Part B: Applications,<br />
chapter 7. Plenum Press, New York, 1977. [cytowanie na str. 2]<br />
[10] C. J. Colyer, S. M. Bellm, F. Blanco, G. Garc´, and B. Lohmann. Elastic electron scattering<br />
from the dna bases cytosine and thymine. Phys. Rev. A, 84:042707, Oct 2011.<br />
[cytowanie na str. 2]<br />
[11] F. Blanco and G. García. Calculated cross sections for electron elastic and inelastic scattering<br />
from {DNA} and {RNA} bases. Physics Letters A, 360(6):707 – 712, 2007. [cytowanie na str. 2]<br />
[12] Paweł Możejko and Léon Sanche. Cross sections for electron scattering from selected components<br />
of {DNA} and {RNA}. Radiation Physics and Chemistry, 73(2):77 – 84, 2005.<br />
[cytowanie na str. 2]<br />
117
BIBLIOGRAFIA 118<br />
[13] Paweł Możejko and Léon Sanche. Cross section calculations for electron scattering<br />
from dna and rna bases. Radiation and Environmental Biophysics, 42(3):201–211, 2003.<br />
[cytowanie na str. 2]<br />
[14] Grażyna Staszewska, David W. Schwenke, Devarajan Thirumalai, and Donald G. Truhlar.<br />
Quasifree-scattering model for the imaginary part of the optical potential for electron scattering.<br />
Phys. Rev. A, 28:2740–2751, Nov 1983. [cytowanie na str. 2, 17, 19, 20, 21, 23]<br />
[15] Grażyna Staszewska, David W. Schwenke, and Donald G. Truhlar. Investigation of the shape<br />
of the imaginary part of the optical-model potential for electron scattering by rare gases.<br />
Phys. Rev. A, 29:3078–3091, Jun 1984. [cytowanie na str. 2, 3, 20, 21, 22, 33, 45, 47]<br />
[16] Deo Raj and Ashok Kumar. Elastic scattering of electrons by molecular oxygen. Physics<br />
Letters A, 282(4-5):284 – 287, 2001. [cytowanie na str. 2, 3, 20, 23]<br />
[17] F. Blanco and G. García. Improved non-empirical absorption potential for electron scattering<br />
at intermediate and high energies: 30–10000 ev. Physics Letters A, 255(3):147 – 153, 1999.<br />
[cytowanie na str. 2, 3, 19, 20, 23, 24, 45]<br />
[18] F Blanco and G García. Improvements on the imaginary part of a non-empirical model<br />
potential for electron scattering (30 to 10000 ev energies). Physics Letters A, 295(4):178 –<br />
184, 2002. [cytowanie na str. 2, 3, 20, 23, 24]<br />
[19] F. Blanco and G. García. Improvements on the quasifree absorption model for electron<br />
scattering. Phys. Rev. A, 67:022701, Feb 2003. [cytowanie na str. 2, 3, 20, 23, 25, 26]<br />
[20] M.-T. Lee, I. Iga, L.E. Machado, L.M. Brescansin, E.A. y Castro, I.P. Sanches, and G.L.C.<br />
de Souza. Improvement on the complex optical potential for electron collisions with atoms<br />
and molecules. Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena, 155(1-3):14 – 20,<br />
2007. [cytowanie na str. 2, 3, 45, 46, 47]<br />
[21] L. Castillejo, I. C. Percival, and M. J. Seaton. On the theory of elastic collisions between<br />
electrons and hydrogen atoms. Proceedings of the Royal Society of London. Series A.<br />
Mathematical and Physical Sciences, 254(1277):259–272, 1960. [cytowanie na str. 10]<br />
[22] H.R.J. and Walters. Perturbative methods in electron- and positron-atom scattering. Physics<br />
Reports, 116(1–2):1 – 102, 1984. [cytowanie na str. 10]<br />
[23] H. S. W. Massey and C. B. O. Mohr. The collisions of slow electrons with atoms. iv. Proceedings<br />
of the Royal Society of London. Series A, 146(859):880–900, 1934. [cytowanie na str. 10]<br />
[24] B H Bransden and D P Dewangan. Pseudo-state expansions and the second born approximation<br />
for excitation of atomic hydrogen by proton impact. Journal of Physics B: Atomic<br />
and Molecular Physics, 12(8):1377, 1979. [cytowanie na str. 10]<br />
[25] R Damburg and E Karule. A modification of the close-coupling approximation for e-h scattering<br />
allowing for the long-range interactions. Proceedings of the Physical Society, 90(3):637,<br />
1967. [cytowanie na str. 10]
BIBLIOGRAFIA 119<br />
[26] M. Bertero. On the spectrum of an operator introduced by feshbach in the formulation of the<br />
optical potential. Il Nuovo Cimento A (1971-1996), 2:605–614, 1971. 10.1007/BF02736737.<br />
[cytowanie na str. 11]<br />
[27] M. L. Goldberger. The interaction of high energy neutrons and heavy nuclei. Phys. Rev.,<br />
74:1269–1277, Nov 1948. [cytowanie na str. 17, 18]<br />
[28] R. Serber. Nuclear reactions at high energies. Phys. Rev., 72:1114–1115, Dec 1947.<br />
[cytowanie na str. 17]<br />
[29] Fred A. Morse and Richard B. Bernstein. Velocity dependence of the differential cross<br />
sections for the scattering of atomic beams of k and cs by hg. The Journal of Chemical<br />
Physics, 37(9):2019–2027, 1962. [cytowanie na str. 19]<br />
[30] Merle E. Riley and Donald G. Truhlar. Effects of the pauli principle on electron scattering by<br />
open-shell targets. The Journal of Chemical Physics, 65(2):792–800, 1976. [cytowanie na str. 27]<br />
[31] T. G. Strand and R. A. Bonham. Analytical expressions for the hartree—fock potential of<br />
neutral atoms and for the corresponding scattering factors for x rays and electrons. The<br />
Journal of Chemical Physics, 40(6):1686–1691, 1964. [cytowanie na str. 27, 28]<br />
[32] R Curík and F A Gianturco. A computational analysis of low-energy electron scattering<br />
from gaseous cyclopropane. Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics,<br />
35(3):717, 2002. [cytowanie na str. 28]<br />
[33] P. Politzer, D.G. Truhlar, and American Chemical Society. Chemical applications of atomic<br />
and molecular electrostatic potentials: reactivity, structure, scattering, and energetics of<br />
organic, inorganic, and biological systems. Plenum Press, 1981. [cytowanie na str. 28]<br />
[34] G.A. Segal. Semiempirical methods of electronic structure calculation. Number t.<br />
2 in Semiempirical Methods of Electronic Structure Calculation. Plenum Press, 1977.<br />
[cytowanie na str. 28]<br />
[35] Francesc Salvat, Aleksander Jablonski, and Cedric J. Powell. elsepa—dirac partial-wave calculation<br />
of elastic scattering of electrons and positrons by atoms, positive ions and molecules.<br />
Computer Physics Communications, 165(2):157 – 190, 2005. [cytowanie na str. 28]<br />
[36] R. A. Buckingham. The quantum theory of atomic polarization. i. polarization by a uniform<br />
field. Proceedings of the Royal Society of London. Series A - Mathematical and Physical<br />
Sciences, 160(900):94–113, 1937. [cytowanie na str. 28]<br />
[37] A. E. S. Green, D. E. Rio, and T. Ueda. Analytic velocity-dependent potential for bound<br />
and scattering states of electrons and atoms. Phys. Rev. A, 24:3010–3018, Dec 1981.<br />
[cytowanie na str. 29, 60]<br />
[38] Grażyna Staszewska, David W. Schwenke, and Donald G. Truhlar. Dispersion-equation<br />
approach to obtaining polarization potentials for quantum-mechanical electron-scattering<br />
calculations. Phys. Rev. A, 28:169–175, Jul 1983. [cytowanie na str. 35, 45, 60]
BIBLIOGRAFIA 120<br />
[39] Grazyna Staszewska, David W. Schwenke, and Donald G. Truhlar. Optical model for electron<br />
scattering by ar at 30–3000 ev: Test of the adiabatic model for charge polarization and a<br />
quasi-free scattering model for inelastic effects. International Journal of Quantum Chemistry,<br />
24(S17):163–176, 1983. [cytowanie na str. 45]<br />
[40] G Staszewska, D W Schwenke, D Thirumalai, and D G Truhlar. Non-empirical model for<br />
the imaginary part of the optical potential for electron scattering. Journal of Physics B:<br />
Atomic and Molecular Physics, 16(9):L281, 1983. [cytowanie na str. 45]<br />
[41] Grażyna Staszewska, Przemysław Staszewski, and Krzysztof Żebrowski. Effective nonempirical<br />
absorption potentials based on quasifree-scattering model. Journal of Electron<br />
Spectroscopy and Related Phenomena, 162(2):56 – 66, 2008. [cytowanie na str. 45, 63]<br />
[42] L. Carroll D.˙ Developments in Theoretical and Applied Mechanics, volume XVIII, pages<br />
411–424. School of Engineering, University of Alabama, 1996. [cytowanie na str. 46, 49]<br />
[43] L. Carroll D.˙ Fortran genetic algorithm driver. http://cuaerospace.com/carroll/ga.html.<br />
[cytowanie na str. 46]<br />
[44] J B Furness and I E McCarthy. Semiphenomenological optical model for electron scattering<br />
on atoms. Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 6(11):2280, 1973.<br />
[cytowanie na str. 47]<br />
[45] M J Brunger, S J Buckman, L J Allen, I E McCarthy, and K Ratnavelu. Elastic electron<br />
scattering from helium: absolute experimental cross sections, theory and derived interaction<br />
potentials. Journal of Physics B: Atomic, Molecular and Optical Physics, 25(8):1823, 1992.<br />
[cytowanie na str. 49]<br />
[46] F J de Heer and R H J Jansen. Total cross sections for electron scattering by he. Journal<br />
of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 10(18):3741, 1977. [cytowanie na str. 49]<br />
[47] R W Wagenaar, A de Boer, T van Tubergen, J Los, and F J de Heer. Absolute differential<br />
cross sections for elastic scattering of electrons over small angles from noble-gas atoms.<br />
Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 19(19):3121, 1986. [cytowanie na str. 49]<br />
[48] T. W. Shyn. Angular distribution of electrons elastically scattered from gases: 2-400 ev on<br />
he. i. Phys. Rev. A, 22:916–922, Sep 1980. [cytowanie na str. 49]<br />
[49] H J Blaauw, F J de Heer, R W Wagenaar, and D H Barends. Total cross sections for<br />
electron scattering from n 2 and he. Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics,<br />
10(8):L299, 1977. [cytowanie na str. 49]<br />
[50] R H J Jansen, F J de Heer, H J Luyken, B van Wingerden, and H J Blaauw. Absolute<br />
differential cross sections for elastic scattering of electrons by helium, neon, argon and<br />
molecular nitrogen. Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 9(2):185, 1976.<br />
[cytowanie na str. 49]<br />
[51] F J de Heer, R H J Jansen, and W van der Kaay. Total cross sections for electron scattering<br />
by ne, ar, kr and xe. Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 12(6):979, 1979.<br />
[cytowanie na str. 49]
BIBLIOGRAFIA 121<br />
[52] J F Williams and A Crowe. The scattering of electrons from inert gases. ii. absolute differential<br />
elastic cross sections for neon, krypton and xenon atoms. Journal of Physics B:<br />
Atomic and Molecular Physics, 8(13):2233, 1975. [cytowanie na str. 49]<br />
[53] S C Gupta and J A Rees. Differential cross sections for the elastic scattering of electrons<br />
by neon. Journal of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 8(3):417, 1975.<br />
[cytowanie na str. 49]<br />
[54] R D DuBois and M E Rudd. Differential cross sections for elastic scattering of electrons from<br />
argon, neon, nitrogen and carbon monoxide. Journal of Physics B: Atomic and Molecular<br />
Physics, 9(15):2657, 1976. [cytowanie na str. 49]<br />
[55] I Iga, Lee Mu-Tao, J C Nogueira, and R S Barbieri. Elastic differential cross section measurements<br />
for electron scattering from ar and o 2 in the intermediate-energy range. Journal<br />
of Physics B: Atomic and Molecular Physics, 20(5):1095, 1987. [cytowanie na str. 49]<br />
[56] Devarajan Thirumalai and Donald G. Truhlar. Energy-dependent polarization potential,<br />
dispersion-relation absorption potential, and matrix effective potential for electron-neon<br />
scattering at 10 ¯ 100 ev. Phys. Rev. A, 26:793–807, Aug 1982. [cytowanie na str. 60]<br />
[57] Steven M. Valone, Donald G. Truhlar, and Devarajan Thirumalai. Localized second-order<br />
optical potential for electron scattering in terms of imaginary-frequency susceptibilities.<br />
Phys. Rev. A, 25:3003–3014, Jun 1982. [cytowanie na str. 60]<br />
[58] M J Seaton and L Steenman-Clark. Effective potentials for electron-atom scattering below<br />
inelastic thresholds. i. asymptotic forms. Journal of Physics B: Atomic and Molecular<br />
Physics, 10(13):2639, 1977. [cytowanie na str. 60]<br />
[59] R J Drachman. Asymptotic effective potentials for electron-hydrogen scattering. Journal of<br />
Physics B: Atomic and Molecular Physics, 12(22):L699, 1979. [cytowanie na str. 60]<br />
[60] Grażyna Staszewska, Przemysław Staszewski, and Krzysztof Żebrowski. On an improved<br />
model of a complex optical potential for electron elastic scattering. Journal of Electron<br />
Spectroscopy and Related Phenomena, 168(1-3):40 – 43, 2008. [cytowanie na str. 63]<br />
[61] David E. Goldberg. Algorytmy genetyczne i ich zastosowania. WNT, 2003.<br />
[cytowanie na str. 94]