I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
1. K.A. Askerov, Prospective photodetectors for visible and near-IR spectral range // XVI Int.<br />
Sci. and Techn. Conference on Photoelectronics and Night Viewing Devices. May 25-27,<br />
2000, Moscow, Part IV, p. SB13.<br />
2. Z.D. Kovalyuk, O.A. Politanskaya, O.N. Sidor, V.T. Maslyuk, Electrical and photoelectric<br />
characteristics of structures based on layered InSe and GaSe semiconductors under irradiation<br />
with electrons of energy 12.5 MeV // Fizika Tekhnika Poluprovodnikov 42(11), p. 1321-1326<br />
(2008) (in Russian).<br />
3. M.S. Brodin, I.V. Blonsky, Excitonic Processes in Layered Crystals. Naukova Dumka,<br />
Kiev 1986 (in Russian).<br />
4. J.C.J.M. Terhell, Polytypism in the III-VI layer compounds // Progr. Cryst. Growth and<br />
Characterization of Polytype Struct. 7, p. 55-110 (1983).<br />
5. Kuk Y., Sulverman P.J. Scanning tunneling microscope instrumentation // Rev. Sci.<br />
Instrum. – 1989. - V. 60, No. 2. - P. 165 – 180.<br />
6. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. -М:Техносфера, 2005. -<br />
144с.<br />
Cd 1-x Zn x S 1-y Te y NAZİK TƏBƏQƏLƏRİNİN OPTİK XASSƏLƏRİ<br />
Ə.Ș.Abdinov, H.M.Məmmədov, V.U.Məmmədov<br />
Bakı Dövlət <strong>Universiteti</strong>, Az1148, Z.Xəlilov küç.23, Bakı<br />
E-mail: mhhuseyng@gmail.com mammadovv@gmail.com<br />
Elektrokimyəvi çökdürülmə üsulu ilə alınmıș Cd 1-x Zn x S 1-y Te y nazik təbəqələrinin optik<br />
xassələri hava, oksigen və arqon mühitlərində termik ișlənmə rejimlərindən asılı olaraq<br />
tədqiq edilmișdir. Müəyyən edilmișdir ki, 350 0 C temperaturda arqon mühitində 7-8 dəqiqə<br />
ərzində termik ișlənmədən sonra spektrin 600-1000 nm dalğa uzunluğu oblastında nazik<br />
təbəqələrin optik buraxma əmsalı optimal qiymətə malik olur (45-87 %). Nazik təbəqələrin<br />
tərkibində sinkin konsentrasiyasının artması və tellurun konsentrasiyasının azalması ilə<br />
spektrin görünən oblastında təbəqələrin əks etmə qabiliyyəti artır.<br />
Açar sözlər: elektrokimyəvi çökdürmə, nazik təbəqə, termik ișlənmə, optik xassələr<br />
PACS: 78.40.Fy, 82.45.Vp, 82.47.-a, 78.20.Ci<br />
EKSPERİMENTAL HİSSƏ<br />
Cd 1-x Zn x S 1-y Te y nazik təbəqələri sulu məhluldan elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə<br />
alınmıșdır [1-3]. Altlıq (çökdürülmədə katod) kimi (111) və (100) orientasiyalı və ∼0.3÷0.6<br />
mm qalınlıqlı p-GaAs altlıqları istifadə olunmușdur. Məhlulda ikinci elektrod– anod kimi<br />
molibden lövhələr və ya kömür çubuqlar, üçünçü- köməkçi elektrod kimi isə əsasən kömür<br />
çubuqlardan istifadə edilmișdir. Cd 1-x Zn x S 1-y Te y nazik təbəqələrinin elektrokimyəvi<br />
çökdürülməsi kimyəvi təmiz kadmium (CdCl 2 və ya CdSO 4 ), sink (ZnCl 2 və ya ZnSO 4 ),<br />
kükürd (Na 2 S və ya Na 2 S 2 O 3 ) və tellur (TeO 2 ) duzlarının sulu məhlulundan istifadə etməklə<br />
xüsusi kvars qabda otaq temperaturunda və 40-85 0 C temperaturlu məhlullarda aparılmıșdır.<br />
NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN İZAHI