I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
1. K.A. Askerov, Prospective photodetectors for visible and near-IR spectral range // XVI Int.
Sci. and Techn. Conference on Photoelectronics and Night Viewing Devices. May 25-27,
2000, Moscow, Part IV, p. SB13.
2. Z.D. Kovalyuk, O.A. Politanskaya, O.N. Sidor, V.T. Maslyuk, Electrical and photoelectric
characteristics of structures based on layered InSe and GaSe semiconductors under irradiation
with electrons of energy 12.5 MeV // Fizika Tekhnika Poluprovodnikov 42(11), p. 1321-1326
(2008) (in Russian).
3. M.S. Brodin, I.V. Blonsky, Excitonic Processes in Layered Crystals. Naukova Dumka,
Kiev 1986 (in Russian).
4. J.C.J.M. Terhell, Polytypism in the III-VI layer compounds // Progr. Cryst. Growth and
Characterization of Polytype Struct. 7, p. 55-110 (1983).
5. Kuk Y., Sulverman P.J. Scanning tunneling microscope instrumentation // Rev. Sci.
Instrum. – 1989. - V. 60, No. 2. - P. 165 – 180.
6. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. -М:Техносфера, 2005. -
144с.
Cd 1-x Zn x S 1-y Te y NAZİK TƏBƏQƏLƏRİNİN OPTİK XASSƏLƏRİ
Ə.Ș.Abdinov, H.M.Məmmədov, V.U.Məmmədov
Bakı Dövlət Universiteti, Az1148, Z.Xəlilov küç.23, Bakı
E-mail: mhhuseyng@gmail.com mammadovv@gmail.com
Elektrokimyəvi çökdürülmə üsulu ilə alınmıș Cd 1-x Zn x S 1-y Te y nazik təbəqələrinin optik
xassələri hava, oksigen və arqon mühitlərində termik ișlənmə rejimlərindən asılı olaraq
tədqiq edilmișdir. Müəyyən edilmișdir ki, 350 0 C temperaturda arqon mühitində 7-8 dəqiqə
ərzində termik ișlənmədən sonra spektrin 600-1000 nm dalğa uzunluğu oblastında nazik
təbəqələrin optik buraxma əmsalı optimal qiymətə malik olur (45-87 %). Nazik təbəqələrin
tərkibində sinkin konsentrasiyasının artması və tellurun konsentrasiyasının azalması ilə
spektrin görünən oblastında təbəqələrin əks etmə qabiliyyəti artır.
Açar sözlər: elektrokimyəvi çökdürmə, nazik təbəqə, termik ișlənmə, optik xassələr
PACS: 78.40.Fy, 82.45.Vp, 82.47.-a, 78.20.Ci
EKSPERİMENTAL HİSSƏ
Cd 1-x Zn x S 1-y Te y nazik təbəqələri sulu məhluldan elektrokimyəvi çökdürmə üsulu ilə
alınmıșdır [1-3]. Altlıq (çökdürülmədə katod) kimi (111) və (100) orientasiyalı və ∼0.3÷0.6
mm qalınlıqlı p-GaAs altlıqları istifadə olunmușdur. Məhlulda ikinci elektrod– anod kimi
molibden lövhələr və ya kömür çubuqlar, üçünçü- köməkçi elektrod kimi isə əsasən kömür
çubuqlardan istifadə edilmișdir. Cd 1-x Zn x S 1-y Te y nazik təbəqələrinin elektrokimyəvi
çökdürülməsi kimyəvi təmiz kadmium (CdCl 2 və ya CdSO 4 ), sink (ZnCl 2 və ya ZnSO 4 ),
kükürd (Na 2 S və ya Na 2 S 2 O 3 ) və tellur (TeO 2 ) duzlarının sulu məhlulundan istifadə etməklə
xüsusi kvars qabda otaq temperaturunda və 40-85 0 C temperaturlu məhlullarda aparılmıșdır.
NƏTİCƏLƏR VƏ ONLARIN İZAHI