I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
Рис. 3. ВАХ контакта In − Ag3In5Te9<br />
при 280 К<br />
На ВАХ наблюдаются следующие участки: линейный ( J ~U ), участок резкого<br />
роста ( J ~ U 4 ) и квадратичный участок. Наличие участков линейного, квадратичного и<br />
резкого роста тока на ВАХ указывает на то, что в структуре In − Ag3<br />
In5Te9<br />
− In<br />
выполняется режим токов, ограниченных пространственным зарядом. На ВАХ при<br />
низких температурах характерным для инжекционных токов участки не наблюдались.<br />
Поэтому ВАХ приведена сравнительно в области ближе комнатной.<br />
Эксперимент показывает, что: 1) наклон кривых ВАХ в нелинейной области с<br />
повышением температуры уменьшаются; 2) напряжения перехода от линейной области<br />
к нелинейной с повышением температуры возрастает.<br />
Исследование зависимости плотности тока (в квадратичной области) и<br />
напряжения, соответствующего началу резкого роста тока от расстояния между<br />
электродами ( L ) показало, что для In − Ag3 In5Te9<br />
− In выполняется закономерность<br />
j ~ L −3<br />
2<br />
2<br />
и U<br />
p<br />
~ L соответственно. U<br />
p<br />
~ L – напряжение соответствующее<br />
предыдущему заполнению ловушечных уровней, при котором на ВАХ наблюдается<br />
более резкий рост тока с напряжением. Удовлетворение этих закономерностей<br />
свидетельствует о том, что в структурах In − Ag3 In5Te9<br />
− In механизм прохождения<br />
тока в нелинейной области ВАХ связан с монополярной инжекцией. Вычислены<br />
глубины залегания и концентрация ловушек. Оказалось, что они составляют 0 ,13 эВ и<br />
4,2<br />
согласуется со значениями найденными из температурной зависимости<br />
электропроводности.<br />
13 −3<br />
⋅10<br />
см , соответственно [2]. Следует отметить, что это значение энергии хорошо<br />
ЛИТЕРАТУРА<br />
1. Новый класс тройных полупроводниковых соединений типа<br />
Тагиров, Н.Ф. Кахраманов, А.Г. Гусейнов – 2001.<br />
2. Фустил В.И. «Ввидение в физику полупроводников», 352 с, 1984<br />
I III VI<br />
A B5<br />
C9<br />
3<br />
. В.И.