21.01.2015 Views

I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />

Рис. 3. ВАХ контакта In − Ag3In5Te9<br />

при 280 К<br />

На ВАХ наблюдаются следующие участки: линейный ( J ~U ), участок резкого<br />

роста ( J ~ U 4 ) и квадратичный участок. Наличие участков линейного, квадратичного и<br />

резкого роста тока на ВАХ указывает на то, что в структуре In − Ag3<br />

In5Te9<br />

− In<br />

выполняется режим токов, ограниченных пространственным зарядом. На ВАХ при<br />

низких температурах характерным для инжекционных токов участки не наблюдались.<br />

Поэтому ВАХ приведена сравнительно в области ближе комнатной.<br />

Эксперимент показывает, что: 1) наклон кривых ВАХ в нелинейной области с<br />

повышением температуры уменьшаются; 2) напряжения перехода от линейной области<br />

к нелинейной с повышением температуры возрастает.<br />

Исследование зависимости плотности тока (в квадратичной области) и<br />

напряжения, соответствующего началу резкого роста тока от расстояния между<br />

электродами ( L ) показало, что для In − Ag3 In5Te9<br />

− In выполняется закономерность<br />

j ~ L −3<br />

2<br />

2<br />

и U<br />

p<br />

~ L соответственно. U<br />

p<br />

~ L – напряжение соответствующее<br />

предыдущему заполнению ловушечных уровней, при котором на ВАХ наблюдается<br />

более резкий рост тока с напряжением. Удовлетворение этих закономерностей<br />

свидетельствует о том, что в структурах In − Ag3 In5Te9<br />

− In механизм прохождения<br />

тока в нелинейной области ВАХ связан с монополярной инжекцией. Вычислены<br />

глубины залегания и концентрация ловушек. Оказалось, что они составляют 0 ,13 эВ и<br />

4,2<br />

согласуется со значениями найденными из температурной зависимости<br />

электропроводности.<br />

13 −3<br />

⋅10<br />

см , соответственно [2]. Следует отметить, что это значение энергии хорошо<br />

ЛИТЕРАТУРА<br />

1. Новый класс тройных полупроводниковых соединений типа<br />

Тагиров, Н.Ф. Кахраманов, А.Г. Гусейнов – 2001.<br />

2. Фустил В.И. «Ввидение в физику полупроводников», 352 с, 1984<br />

I III VI<br />

A B5<br />

C9<br />

3<br />

. В.И.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!