I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
Рис. 2. ВАХ контакта аквадаг - Ag<br />
3In5Te9<br />
при 77 К<br />
Подобная характеристика реализуется только в том случае, когда все ловушки с<br />
концентрацией N<br />
t<br />
предельно заполнены до приложения напряжения к<br />
полупроводнику.<br />
Рассмотрение такого случая представляется весьма полезным, т.к. оно дает<br />
описание явлений в том случае, когда квазиуровень Ферми пересекает уровень,<br />
соответствующий центрам прилипания. Такая ситуация реализуется за счет заполнения<br />
локальных уровней прилипания с малой концентрацией неравновесных носителей<br />
заряда. Когда концентрация неравновесных носителей тока, генерирующих<br />
собственным светом ( λ = 1. 0 мкм ) ∆ ni<br />
≥ Nt<br />
, то в этом случае квазиуровень Ферми<br />
может пересекать уровень, соответствующий центрам прилипания.<br />
В общем случае в без ловушечных материалах с равновесной концентрацией n<br />
0<br />
при малых приложенных напряжениях выполняется закон Ома, При увеличении<br />
напряжения растет инжектирование электронов:<br />
u<br />
J 0<br />
= en 0<br />
µ<br />
d<br />
e- заряд электрона, µ - подвижность, u - приложенное напряжение, d – толщина<br />
образца.<br />
При этом наступает момент, когда число инжектируемых электронов становится<br />
сравнимым с числом равновесных электронов. При этом поступает тaк называемые<br />
режим токов, ограниченных пространственным зарядом. В этом случае зависимость<br />
тока от приложенного напряжения не является линейной, т.е. не выполняется закон<br />
Ома.<br />
ВАХ контакта индий – Ag<br />
3In5Te9<br />
при 280К представлена на рисунке 3.