I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

More documents

Recommendations

Info

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı металл - Ag 3In5Te9 , расплав – Ag 3In5Te9 и аквадаг - Ag 3In5Te9 исследованы в интервале температур 77-300К при темноте или под освещением монохроматическим светом. При 300К зависимость плотности тока от напряженности приложенного электрического поля Е подчиняется закону j = σ E для систем Ag − Ag , , 3In5Te9 Sn − Zn − Ag 3In5Te9 In − Sn − Pb −Ag3In5T9 и аквадаг – Ag 3In5Te9 носит линейный характер и не зависит от направления поля. На рис. 1. представлены зависимости J (U ) для выше показанных систем при 300К Рис. 1. Статическая ВАХ монокристалла Ag 3In5Te9 в контакте с различными веществами при 300 К 1 – серебряная паста – Ag 3In5Te9 2 – Sn − Zn − Ag3In5Te9 , 3 – In − Sn − Pb −Ag3In5Te9 4 – аквадаг – Ag 3In5Te9 . Отличия величины для кривых I, 2, 3, 4, при одном и том же U связано с тем, что различные материалы, использованные для контакта, обладают различными сопротивлениями. Отметим, что контакты из аквадага обладают сопротивлением в несколько килоом . Поэтому размеры образца Ag 3In5Te9 подбирались таким образом, чтобы сопротивления образцов на несколько порядков превышали сопротивление контакта. Так что все приведенные здесь вольт - амперные характеристики можно считать статическими. На рис. 2. представлено ВАХ образца Ag3In5Te9 контактирующего с аквадагом (при 77К). Образец постоянно освещался светом λ = 1. 0 мкм, как видно из рисунка, ВАХ состоит из трех участков. Первый участок соответствует омической зависимости, а последний квадратичному без ловушечному закону. Промежуточный участок выражает предельное заполнение ловушек.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı Рис. 2. ВАХ контакта аквадаг - Ag 3In5Te9 при 77 К Подобная характеристика реализуется только в том случае, когда все ловушки с концентрацией N t предельно заполнены до приложения напряжения к полупроводнику. Рассмотрение такого случая представляется весьма полезным, т.к. оно дает описание явлений в том случае, когда квазиуровень Ферми пересекает уровень, соответствующий центрам прилипания. Такая ситуация реализуется за счет заполнения локальных уровней прилипания с малой концентрацией неравновесных носителей заряда. Когда концентрация неравновесных носителей тока, генерирующих собственным светом ( λ = 1. 0 мкм ) ∆ ni ≥ Nt , то в этом случае квазиуровень Ферми может пересекать уровень, соответствующий центрам прилипания. В общем случае в без ловушечных материалах с равновесной концентрацией n 0 при малых приложенных напряжениях выполняется закон Ома, При увеличении напряжения растет инжектирование электронов: u J 0 = en 0 µ d e- заряд электрона, µ - подвижность, u - приложенное напряжение, d – толщина образца. При этом наступает момент, когда число инжектируемых электронов становится сравнимым с числом равновесных электронов. При этом поступает тaк называемые режим токов, ограниченных пространственным зарядом. В этом случае зависимость тока от приложенного напряжения не является линейной, т.е. не выполняется закон Ома. ВАХ контакта индий – Ag 3In5Te9 при 280К представлена на рисунке 3.
Page 1 and 2:
Fizikanın müasir problemləri VI
Page 3 and 4:
Page 5 and 6:
Page 7 and 8:
Page 9 and 10:
Page 11 and 12:
Page 13 and 14:
Page 15 and 16:
Page 17 and 18:
Page 19 and 20:
Page 21 and 22:
Page 23 and 24:
Page 25 and 26:
Page 27 and 28:
Page 29 and 30:
Page 31 and 32:
Page 33 and 34: Fizikanın müasir problemləri VI
Page 83: Fizikanın müasir problemləri VI
show all

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?

I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - BakÄ± DÃ¶vlÉt Universiteti