21.01.2015 Views

I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

SHOW MORE
SHOW LESS

Create successful ePaper yourself

Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />

faktlardandır. Beləliklə florun əlavə edilməsi oksigen qıtlığı ilkin stexiometrik birləșmələrə<br />

oxșar effektlər verir. Onlar elektron yükdașıyıcılar yaradır, antiferromaqnit nizamlılığı pozur<br />

və ifratkeçiricilik halına gətirir.<br />

ƏDƏBİYYAT<br />

1. Садовский М.В., УФН, 178, 1243 (2008)<br />

2. Ивановский А.Л., УФН, 178, 1273 (2008)<br />

3. Изюмов Ю.А., Курмаев Э.З., УФН, 178, 1307 (2008)<br />

4. Абрикосов А.А., Горьков Л.П., Дзялошинский И.Е., Методы кванотовой<br />

теории поля в статической физике, М: Физматгиз, 1962<br />

5. Изюмов Ю.А.,Анисимов В.И., Электронная структура соединений с сильными<br />

корреляциями М-Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2008<br />

ВЛИЯНИЕ НАНОПРИМЕСИ СЕЛЕНА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ<br />

ПРОВОДИМОСТИ ФИБРОИНА ШЕЛКА<br />

Юсиф Гаджибала оглы Шукюрлу<br />

Шекинский филиал Институтa Учителей Азербайджанской республики<br />

yusifsh@mail.ru<br />

Установлено, что энергии активации диэлектрической поляризации фиброина<br />

составляет 33 ,6кДж / моль , что характерно для дипольно-групповых процессов.<br />

Показано, что эти процессы происходят, преимущественно, в аморфных прослойках<br />

( γ − процесс)<br />

. При этом, нанопримеси селена, играя роль мелких ловушек для<br />

электронов, уменьшают энергию активации проводимости фиброина и, вследствие<br />

этого, увеличивается электропроводность фиброина на порядок.<br />

Определено, что пробой в фиброине носит тепловой характер и при введении<br />

селена в структуру фиброина, из-за увеличения доли аморфных участков,<br />

увеличивается вероятность теплового пробоя и снижается электрическая прочность.<br />

Реальный диэлектрик обладает некоторой проводимостью, которая вносит свой<br />

вклад в диэлектрические потери и его можно представить в виде параллельно или<br />

последовательно соединенных емкостей C и активного сопротивления R′ .<br />

Параллельная эквивалентная схема применяется, в частности, для описания<br />

диэлектрических потерь вследствие сквозной проводимости диэлектрика, а<br />

последовательная – для описания потерь в конденсаторе с диэлектриком,<br />

обусловленным сопротивлением проводов и электродов.

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!