I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
faktlardandır. Beləliklə florun əlavə edilməsi oksigen qıtlığı ilkin stexiometrik birləșmələrə<br />
oxșar effektlər verir. Onlar elektron yükdașıyıcılar yaradır, antiferromaqnit nizamlılığı pozur<br />
və ifratkeçiricilik halına gətirir.<br />
ƏDƏBİYYAT<br />
1. Садовский М.В., УФН, 178, 1243 (2008)<br />
2. Ивановский А.Л., УФН, 178, 1273 (2008)<br />
3. Изюмов Ю.А., Курмаев Э.З., УФН, 178, 1307 (2008)<br />
4. Абрикосов А.А., Горьков Л.П., Дзялошинский И.Е., Методы кванотовой<br />
теории поля в статической физике, М: Физматгиз, 1962<br />
5. Изюмов Ю.А.,Анисимов В.И., Электронная структура соединений с сильными<br />
корреляциями М-Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2008<br />
ВЛИЯНИЕ НАНОПРИМЕСИ СЕЛЕНА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ<br />
ПРОВОДИМОСТИ ФИБРОИНА ШЕЛКА<br />
Юсиф Гаджибала оглы Шукюрлу<br />
Шекинский филиал Институтa Учителей Азербайджанской республики<br />
yusifsh@mail.ru<br />
Установлено, что энергии активации диэлектрической поляризации фиброина<br />
составляет 33 ,6кДж / моль , что характерно для дипольно-групповых процессов.<br />
Показано, что эти процессы происходят, преимущественно, в аморфных прослойках<br />
( γ − процесс)<br />
. При этом, нанопримеси селена, играя роль мелких ловушек для<br />
электронов, уменьшают энергию активации проводимости фиброина и, вследствие<br />
этого, увеличивается электропроводность фиброина на порядок.<br />
Определено, что пробой в фиброине носит тепловой характер и при введении<br />
селена в структуру фиброина, из-за увеличения доли аморфных участков,<br />
увеличивается вероятность теплового пробоя и снижается электрическая прочность.<br />
Реальный диэлектрик обладает некоторой проводимостью, которая вносит свой<br />
вклад в диэлектрические потери и его можно представить в виде параллельно или<br />
последовательно соединенных емкостей C и активного сопротивления R′ .<br />
Параллельная эквивалентная схема применяется, в частности, для описания<br />
диэлектрических потерь вследствие сквозной проводимости диэлектрика, а<br />
последовательная – для описания потерь в конденсаторе с диэлектриком,<br />
обусловленным сопротивлением проводов и электродов.