I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
αλ<br />
Optik buraxma və əksolma əyrilərinə əsasən k = düsturundan dalğa uzunluğunun<br />
4π<br />
müxtəlif qiymətləri üçün CdS nazik təbəqəsinin ekstinksiya əmsalı,<br />
1+<br />
R 4R<br />
2<br />
n = + − k<br />
2<br />
1−<br />
R ( 1−<br />
R)<br />
düsturundan isə sinma indeksi hesablanmıșdır [6].<br />
Bildiyimiz kimi, ișığın udulması və əksolması ișığın kristalla qarșılıqlı təsiri kimi ümumi bir<br />
proses olaraq bașa düșüldüyündən onlar arasında müəyyən bir əlaqə vardır və bu əlaqə<br />
∗<br />
kompleks dielektrik hüfuzluğu vasitısi ilə ifadə olunur: ε = ε 1<br />
+ ιε<br />
2<br />
. Dielektrik sabitinin<br />
həqiqi ( ε 1<br />
) və xəyali ( ε<br />
2<br />
) hissələri n və k -nın așağıdakı münasibətlərindən tapıla bilər:<br />
2 2<br />
1<br />
= n − k<br />
ε<br />
ε<br />
2<br />
= 2nk<br />
n və k -nın müxtəlif dalğa uzunluqları üçün təyin etdiyimiz qiymətlərindən istifadə<br />
edilməklə ε<br />
1<br />
və ε<br />
2<br />
-nin müxtəlif dalğa uzunluqları üçün aldığı qiymətlər hesablanmıșdır və<br />
nəticə olaraq dielektrik sabitinin həqiqi və xəyali hissələrinin dalğa uzunluğundan asılılıq<br />
qrafikləri çəkilmișdir (șəkil 3 ).<br />
Șəkil 3. CdS nazik təbəqəsinin dielektrik sabitinin həqiqi və xəyali hissələrinin<br />
dalğa uzunluğundan asılılıq əyriləri.<br />
Șəkildən göründüyü kimi, istər ε<br />
1, istərsə də ε<br />
2<br />
dalğa uzunluğunun artması ilə azalır<br />
və bu azalma kiçik dalğa uzunluqlarında daha çox olur.<br />
ƏDƏBİYYAT<br />
1. Repins I., Contreras M. A., Egaas B. et al. 19.9%-efficient ZnO/CdS/CuInGaSe 2 solar<br />
cell with 81.2% fill factor // Progress in Photovoltaics, 2008, vol. 16, no. 3, pp. 235–<br />
239.<br />
2. Katagiri H., Jimbo K., Yamada S. et al. Enhanced conversion efficiencies of<br />
Cu 2 ZnSnS 4 -based thin film solar cells by using preferential etching technique // Appl.<br />
Phys. Express, 2008, vol 1, no.4, pp.041201-041202.