I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
αλ
Optik buraxma və əksolma əyrilərinə əsasən k = düsturundan dalğa uzunluğunun
4π
müxtəlif qiymətləri üçün CdS nazik təbəqəsinin ekstinksiya əmsalı,
1+
R 4R
2
n = + − k
2
1−
R ( 1−
R)
düsturundan isə sinma indeksi hesablanmıșdır [6].
Bildiyimiz kimi, ișığın udulması və əksolması ișığın kristalla qarșılıqlı təsiri kimi ümumi bir
proses olaraq bașa düșüldüyündən onlar arasında müəyyən bir əlaqə vardır və bu əlaqə
∗
kompleks dielektrik hüfuzluğu vasitısi ilə ifadə olunur: ε = ε 1
+ ιε
2
. Dielektrik sabitinin
həqiqi ( ε 1
) və xəyali ( ε
2
) hissələri n və k -nın așağıdakı münasibətlərindən tapıla bilər:
2 2
1
= n − k
ε
ε
2
= 2nk
n və k -nın müxtəlif dalğa uzunluqları üçün təyin etdiyimiz qiymətlərindən istifadə
edilməklə ε
1
və ε
2
-nin müxtəlif dalğa uzunluqları üçün aldığı qiymətlər hesablanmıșdır və
nəticə olaraq dielektrik sabitinin həqiqi və xəyali hissələrinin dalğa uzunluğundan asılılıq
qrafikləri çəkilmișdir (șəkil 3 ).
Șəkil 3. CdS nazik təbəqəsinin dielektrik sabitinin həqiqi və xəyali hissələrinin
dalğa uzunluğundan asılılıq əyriləri.
Șəkildən göründüyü kimi, istər ε
1, istərsə də ε
2
dalğa uzunluğunun artması ilə azalır
və bu azalma kiçik dalğa uzunluqlarında daha çox olur.
ƏDƏBİYYAT
1. Repins I., Contreras M. A., Egaas B. et al. 19.9%-efficient ZnO/CdS/CuInGaSe 2 solar
cell with 81.2% fill factor // Progress in Photovoltaics, 2008, vol. 16, no. 3, pp. 235–
239.
2. Katagiri H., Jimbo K., Yamada S. et al. Enhanced conversion efficiencies of
Cu 2 ZnSnS 4 -based thin film solar cells by using preferential etching technique // Appl.
Phys. Express, 2008, vol 1, no.4, pp.041201-041202.