I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
AMEA Naxçıvan Bölməsi<br />
E-mail: mamedhuss@mail.ru<br />
Kimyəvi çökdürmə yolu ilə alınmıș CdS nazik təbəqəsinin optik xarakteristikalarını<br />
öyrənmək məqsədi ilə optik buraxma və əksolma spektrləri çəkilmıșdir. Bu spektplərdən<br />
2<br />
T = (1 − R)<br />
exp( −αd<br />
) tənliyinin köməyi ilə müxtəlif dalğa uzunluqlarında α -nın aldığı<br />
αλ<br />
qiymətlər hesablanmıș və CdS nazik təbəqəsinin udma spektri çəkilmișdir. k =<br />
4π<br />
düsturundan ekstinksiya əmsalı,<br />
1+<br />
R 4R<br />
2<br />
n = + − k düsturundan isə sinma indeksi<br />
2<br />
1−<br />
R ( 1−<br />
R)<br />
hesablanmıșdır.<br />
n və k -nın təyin etdiyimiz qiymətlərindən istifadə edilməklə ε<br />
1<br />
və ε<br />
2<br />
-nin müxtəlif<br />
dalğa uzunluqları üçün aldığı qiymətlər hesablanmıș və nəticə olaraq dielektrik sabitinin<br />
həqiqi və xəyali hissələrinin dalğa uzunluğundan asılılıq qrafikləri çəkilmișdir.<br />
Bildiyimiz kimi CdS birləșməsi bir çox heterokeçidlərin alınmasında pəncərə<br />
materialı kimi geniș tətbiq olunur. Bunun əsas səbəbi odur ki, CdS-in qadağan olunmuș<br />
zonasının eni E g<br />
= 2, 4eV<br />
olduğundan günəș spektrinin çox böyük oblastı üçün șəffafdır və<br />
müxtəlif texnoloji üsullardan istifadə etməklə bu birləșmənin çox mükəmməl və yüksık<br />
keçiriciliyə malik nazik təbəqələrini almaq mümkündür.<br />
Son vaxtlar ən çox tədqiq olunan heterostrukturlardan biri 10% effektivliyə malik n-<br />
CdS/pCdTe strukturudur ki, n-CdS nazik təbəqəsi bu strukturun ayrılmaz tərkib hissəsidir.<br />
Qeyd etmək lazımdır ki, 25 ildən çox müddət ərzində aparılan tədqiqatlar nəticəsində<br />
CuIn x Ga 1-x Se 2 (CIGS) nazik təbəqələri əsasında effektivliyi 19,9 %-ə çatan f.i.ə.-na malik ən<br />
yüksək göstəriciyə malik günəș elementi almaq mümkün olmușdur ki, bu elementdə bufer<br />
təbəqə (pəncərə materialı) olaraq kimyəvi çökdürmə yolu ilə alınmıș CdS nazik təbəqəsindən<br />
istifadə olunmușdur [1].<br />
Dayaniqli və ucuz fotovoltaika üçün yeni perspektivli material olan və buna ğörə də<br />
son vaxtlar ən çox tədqiq olunan Cu 2 ZnSnS 4 (CZTS) nazik təbəqəsi əsasında günəș elementi<br />
strukturu yaradılarkən bu birləșmənin CIGS-ə analoq olması nəzərə alinmıș və CIGS üçün<br />
illərin tədqiqatı nəticəsində yaradılmıș optimal günəș elementi strukturu heç bir dəyișiklik<br />
edilmədən CZTS üçün də praktikada tətbiq olunmağa bașlamıșdır, yəni bu halda da bufer<br />
təbəqə olaraq CdS nazik təbəqəsindən istifadə olunmușdur [2,3].<br />
CdS nazik təbəqəsinin alınmasında kimyəvi çökdürmə üsulundan istifadə edilmișdir.<br />
Üzərinə CdS təbəqəsi oturdulası șüșə altlıq șaquli șəkildə içərisində temperaturu 90-95 o C<br />
məhlul olan laboratoriya stəkanının daxilinə yerləșdirilir. Məhlul 0,5M kadmium asetat, 0,5M<br />
tiomoçvinadan ibarət olmaqla hazırlanır. Bunlardan əlavə məhlula kompleksəmələgətirən<br />
komponent olaraq 7,4M trietanolamin və adgeziya yaratmaq məqsədi ilə 13,4M ammonium<br />
hidroksid əlavə edilir. Stəkandakı məhlul maqnit qarıșdırıcı vasitəsilə daima qarıșdırılır. 15-20<br />
dəqiqədən sonra șüșə altlıq çıxarılır və destillə olunmuș su ilə yuyulur.<br />
Bu üsulla alınmıș CdS nazik təbəqələrində çox yüksək fotokeçiricilik müșahidə<br />
olunmușdur. Belə ki, heç bir așqar vurulmadan alınmıș bu nümunələrdə ișıq-qaranlıq<br />
keçiriciliklərinin nisbəti 4⋅10 10 -a bərabər olmușdur və stasionar hal çox uzun müddət ərzində<br />
alınmıșdır [4].<br />
Kimyəvi çökdürmə yolu ilə aldığımız CdS nazik təbəqəsinin optik xarakteristikalarını<br />
öyrənmək məqsədi ilə “SPECORD M-40” spektrofotometrindən istifadə edilmișdir. Bu<br />
cihazla 0,185-0,9 mkm dalğa uzunluğu intervalında tədqiqatlar aparmaq mümkündür.