I BÖLMƏ OPTO NANOELEKTRONİKA - Bakı Dövlət Universiteti

Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı
100
Отн. ед.
b
a
300
75
1
2
I ф
200
50
I,мkA
25
1.5 1.8 2.1 2.4 2.7
hν, eВ
1
2
- 8
- 6
- 4
-2
100
- 5
1
U,В
Рис.2. ВАХ (а) и спектр фототока (б) структур CdS/CdTe/CdZnS (1) и p-
CdS/CdTe/CdZnS (2).
При освещенности L=1,45⋅10 4 лк изучаемые фотоэлементы CdS/CdTe/CdZnS и p-
CdS/CdTe/CdZnS генерировали э.д.с. U х.х = 0,5 ÷ 0,6 в и 0,65-0,68B, ток Iкз =12-
15mA/cм 2 и 15 ÷ 20 mA/см 2 и имели к.п.д. = 9%. и 12%. соответственно. Установлено,
что с увеличением содержания Zn в базовом материале напряжение холостого хода U хх
фотоэлемента увеличивается, а ток короткого замыкания уменьшается.
Таким образом, развитая в работе технология химического поверхностного
осаждения пленок CdZnS проводимости на поверхность р-CdS, полученные нами
впервые тонким промежуточным слоем CdTe позволила получить
фотопреобразовательные гетеропереходы CdS/CdTe/CdZnS, демонстрирующие
возможности реализовать высокую эффективность преобразования солнечного
излучения больших площадей единой технологией. Получение пленок и нанослоев р-
CdS позволяет улучшить параметров ФЭП, а также создать принципиально новых
приборов микро и наноэлектроники.
ЛИТЕРАТУРА
1. Э.Н.Заманова, М.А.Джафаров, Оптический фильтр ИК-диапазона на основе
монокристалла CdS:Cu. Приборы и техника эксперимента, 1995, № 1, с.129-131
2. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A. Functionalities of the CdSе 1-x Тe x , films in IR region
of spectrum // Proc.of SPIE, 2007, vol.6636, p.68-71.
3. Abdinov A.Sh., Jafarov M.A., Nasirov E.F. Negative infrared photoconductivity in
CdS 1-x Se x films //Proc.SPIE, 2003, v. 4467, p. 186-194.
KİMYƏVİ ÇÖKDÜRMƏ YOLU İLƏ ALINMIȘ CdS NAZİK
TƏBƏQƏSİNİN OPTİK XASSƏLƏRİ
M.H.Hüseynəliyev