I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
I BÃLMÆ OPTO NANOELEKTRONÄ°KA - Bakı DövlÉt Universiteti
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
Fizikanın müasir problemləri VI Respublika konfransı<br />
растворов предоставляют широкие возможности для управления свойствами их пленок.<br />
На основании расчета ионных равновесии и с учетом процесса гидролиза была<br />
определена область образования сульфидов цинка в зависимости от рН раствора и<br />
концентрации комплексообразователей. В результате проведенных исследований было<br />
установлено, что оптимальные концентрации составляют для CdCl 2 1,8 г/л, для<br />
тиомочевины 15,2 г/л и для гидроксида натрия 1,8 г/л, которые позволили получить<br />
пленку CdS р-типа толщиной 700–900Å. Пленки CdTe получены поверхностным<br />
осаждением из водного раствора диоксида теллура (11,4 г/л) с добавкой гидроксида<br />
натрия 1,8 г/л. При исследовании процесса осаждения CdZnS в виде тонкой пленки на<br />
стеклянную подложку с покрытием пленкой ITO (indium tin oxide) было установлено,<br />
что при однократном нанесении на подложку CdZnS из водного раствора, частичным<br />
замещением хлорида кадмия хлоридом цинка, покрытие имело вид тонкой ровной<br />
пленки с зернами размером 0,5–1 мкм.<br />
Фазовый состав и кристаллическую структуру осадков изучали методом<br />
рентгеновской дифракции (рис.1.) параллельно с комплексонометрическим<br />
определением концентрации ионов Cd + для исследования процесса образования CdТе.<br />
Рис. 1. Дифрактограмма пленок CdТе<br />
Структуры нанопорошков и тонких пленок CdТе, имеют характерные<br />
особенности, присущие дифрактограммам наноструктурированного CdТе. Три<br />
широких пика на углах ~24°, 38° и 54° соответствуют нано-CdТе. Размеры частиц<br />
варьируются от 2 до 14 нм.<br />
Данное сообщение посвящено также разработке новой технологии осаждения и<br />
иcследованиям фотоэлектрических свойств гетероструктур p-CdS/CdTe/CdZnS на<br />
алюминиевой подложке, играющей одновременно роль нижнего контакта. Проведен<br />
сравнительный анализ ВАХ и спектр фототока структур п-CdS/CdTe/CdZnS и p-<br />
CdS/CdTe/CdZnS (рис.2).